KARAKTERISTIK DIODA
NIM : 022300004
YOGYAKARTA
BAB I
PENDAHULUAN
DASAR TEORI
(b)
(a)
Gambar 2. (a) Susunan dioda sambungan p-n, (b) Lambang dioda
(a) (b)
Gambar 3. (a) Muatan listrik dalam bahan semikonduktor jenis p (b) Muatan
listrik dalam bahan semikonduktor jenis n.
Pada gambar 3. Muatan yang berada dalam lingkaran menyatakan ion, dan
muatan ini diam walaupun diberi medan listrik. Tanda + dan – dalam kotak menyatakan
sebagai pembawa muatan intrinsik yaitu berasal dari ikatan kovalen atom silikon. Pada
muatan yang lain adalah muatan bebas (muatan ekstrinsik) yaitu lubang yang dihasilkan
oleh atom pada bahan jenis p.
Apabila kedua jenis bahan semikonduktor p dan n disatukan seperti gambar 4
maka elektron bebas pada bahan jenis n akan berdifusi melalui sambungan dan masuk
ke bahan jenis p dan terjadilah rekombinasi dengan lubang yang ada di dalam bahan p,
begitu pula yang terjadi pada bahan semikonduktor bahan p. Akibat dari penyatuan dua
bahan semikonduktor tersebut akan terjadi peniadaan muatan tepat pada daerah
sambungan, daerah ini disebut sebagai daerah pengosong (depletion region). Adanya
daerah pengosongan menyebabkan adanya beda potensial listrik (bukit potensial) antara
p dan n.
Dapat diambil garis besar bahwasannya sambungan p-n akan mengalirkan arus
bila diberi tegangan maju dan susah mengalirkan arus bila diberi tegangan mundur. Hal
ini lah yang menjadi sifat dioda yaitu sebagai penyearah.
Gambar 8. Kurva dioda germanium (Ge) dan silikon (Si) pada V-I
METODE PRAKTIKUM
4.2 PEMBAHASAN
A. Perhitungan
Pada dioda germanium memiliki tegangan kerja 0,7 V dan pada tegangan silikon
memiliki tegangan kerja 0,3 V.
Untuk melakukan perhitungan mencari n nilai tahanan maju (forward resistance)
dan menggunakan rumus :
Vf
𝑅𝑓 = …………………………………..(1)
If
Keterangan :
Rf : tahanan maju (forward resistance)
Vf : tegangan pada forward
If : arus pada forward
……………………………………. (2)
Untuk melakukan perhitungan mencari n nilai tahanan mundur (reverse resistance)
dan menggunakan rumus :
Vr
𝑅𝑟 = …………………………………..(3)
Ir
Keterangan :
Rr : tahanan mundur (reverse resistance)
Vr : tegangan pada reverse
Ir : arus pada reverse
……………………………………. (4)
4+1,5 +0,13+0,07+0,0375+0,025+0,015
̅̅̅̅
𝑅𝑓 = = 5,775 mΩ
7
2) Dioda Germanium
Berdasarkan dari hasil praktikum yang didapat maka dapat dihitung tahanan
majunya dapat dihitung melalui persamaan (1) sebagai berikut.
0,20
𝑅𝑓1 = = 2 mΩ
0,10
0,30
𝑅𝑓2 = = 0,2 mΩ
1,50
0,40
𝑅𝑓3 = = 0,30 mΩ
13
0,50
𝑅𝑓4 = = 0,028 𝑚Ω
17,5
0,60
𝑅𝑓5 = = 0,024 mΩ
25
0,70
𝑅𝑓6 = = 0,0175 mΩ
40
0,80
𝑅𝑓7 = = 0,0084 mΩ
95
Maka, dapat dihitung nilai tahanan maju (forward resistance) dengan mencari
rata – rata dari 𝑅𝑓 dengan persamaan (2)
2+0,2 +0,3+0,28+0,024+0,0175+0,0084
̅̅̅̅
𝑅𝑓 = = 2, 8299 mΩ
7
C. Perhitungan Tegangan Mundur (Reverse Bias) Pada Dioda Silikon Dan
Germanium
1) Dioda Silikon
Berdasarkan dari hasil praktikum yang didapat maka dapat dihitung tahanan
majunya dapat dihitung melalui persamaan (3) sebagai berikut.
0,1
𝑅𝑟1 = = 0,05 µΩ
2
2,5
𝑅𝑟2 = = 1 µΩ
2,5
5
𝑅𝑟3 = = 1 µΩ
5
7,5
𝑅𝑟4 = = 0,9375 µΩ
8
10
𝑅𝑟5 = = 1 µΩ
10
12,5
𝑅𝑟6 = = 0,9615 µΩ
13
17,5
𝑅𝑟7 = = 0,9722 µΩ
18
Maka, dapat dihitung nilai tahanan maju (forward resistance) dengan mencari
rata – rata dari 𝑅𝑟 dengan persamaan (4)
2) Dioda Germanium
Berdasarkan dari hasil praktikum yang didapat maka dapat dihitung tahanan
majunya dapat dihitung melalui persamaan (3) sebagai berikut.
0,1
𝑅𝑟1 = = 0,06 µΩ
1,5
2,5
𝑅𝑟2 = = 0,83 µΩ
3
5
𝑅𝑟3 = = 0,90 µΩ
5,5
7,5
𝑅𝑟4 = = 0,9375 µΩ
8
10
𝑅𝑟5 = = 1 µΩ
10
12,5
𝑅𝑟6 = = 0,9615 µΩ
13
17,5
𝑅𝑟7 = = 0,9722 µΩ
18
Maka, dapat dihitung nilai tahanan maju (forward resistance) dengan mencari
rata – rata dari 𝑅𝑟 dengan persamaan (4)
50
40
30
If (mA)
20
10
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
-10
Vf (V)
Gambar 13. Kurva dioda silikon pada forward bias hubungan V terhadap I
100
90
80
70
60
If (mA)
50
40
30
20
10
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
Vf (V)
Gambar 14. Kurva dioda germanium pada forward bias hubungan V terhadap I
Pada grafik di atas diketahui bahwa pada dioda silikon mengalami lonjakan arus
forward (If ) pada tegangan (Vf) antara 0,6 – 0,8 V. Sedangkan pada dioda
germanium, sama-sama mengalami lonjakan arus (If) pada tegangan (Vf) antara 0,7
V - 0,8V. Hal tersebut membuktikan adanya tegangan pada dioda sinyal. Tegangan
ambang sendiri sudah digambarkan pada grafik yaitu untuk silikon adalah sebesar ±
0,7 volt dan pada dioda germanium yaitu sebesar ± 0,3 volt.
Dari perhitungan di atas diketahui bahwasanya tahanan Forward untuk silikon
sebesar 5,775 mΩ dan unutk tahanan forward germanium sebesar 2, 8299 mΩ. Hasil
perhitungan tersebut didapatkan dengan persamaan hukum ohm menggunakan rumus
𝑉
𝑅 = 𝐼 ……………………………………… (5)
Berdasarkan teori bahwasanya jika dioda diberi tegangan maju Vdioda > 0, arus I
dioda mula mula mempunyai nilai sama dengan mendekati nol (karena sangat kecil
nilainya) dan pada tegangan tertentu arus dioda memiliki lonjakan yang tinggi karena
telah melewati tegangan kerja pada resistor hal ini sesuai dengan teori.
2) Kurva Reverse Bias
Diketahui dari tabel 2 bahwasanya dapat disajikan kurva sebagai berikut.
20
18
16
14
12
Ir (µA)
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20
Vr (V)
Gambar 15. Kurva dioda silikon pada reverse bias hubungan V terhadap I
20
18
16
14
12
Ir (µA)
10
8
6
4
2
0
0 5 10 15 20
Vr (V)
Gambar 16. Kurva dioda germanium pada reverse bias hubungan V terhadap I
1,2
If (mA) 1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
-0,5 0 0,5 1 1,5 2 2,5
Vf (V)
Gambar 17. Kurva dioda zener pada forward bias hubungan V terhadap I
4,5
4
3,5
3
If (mA)
2,5
2
1,5
1
0,5
0
-5 0 5 10 15 20 25
Vf (V)
Gambar 17. Kurva dioda zener pada reverse bias hubungan V terhadap I
Pada dioda zener 6,2 V dipasang panjar maju maka akan berfungsi
sebagai mana dioda sinyal. Dapat diketahui dari grafik di atas bahwasanya
sesuai dengan teori, terdapat lonjakan yang sangat tajam pada kurva gambar 17
menunjukkan bahwasanya dioda zener 6,2 V akan berfungsi sebagai dioda
sinyal saat dipasang panjar maju hal ini sesuai dengan teori. Tetapi saat dipasang
panjar mundur kurva pada gambar 17 tidak sesuai dengan teori. Hal ini dapat
terjadi karena faktor human error yaitu kesalahan pembacaan multimeter.
BAB V
KESIMPULAN DAN SARAN
5.1 KESIMPULAN
Kesimpulan yang didapat dari praktikum karakteristik dioda sebagai berikut:
1. Dioda merupakan komponen listrik yang bersifat sebagai komponen aktif yang
artinya harus dialiri arus listrik supaya dapat bekerja.
2. Tegangan ambang 𝑉𝛾 dari dioda silikon berkisar 0,6 – 0,8 volt dan untuk dioda
germanium berkisar 0,7 – 0,8 volt
3. Nilai tahanan maju (forward resistance) untuk dioda Si adalah 5,775 mΩ dan untuk
dioda Ge adalah 2, 8299 mΩ Sedangkan, tahanan mundur (reverse resistance) untuk
dioda Si adalah 4,9212 µΩdan untuk dioda Ge adalah 5,661 µΩ
4. Pada percobaan kali ini untuk forward bias sesuai dengan teori bahwasanya jika
dioda diberi tegangan maju Vdioda > 0, arus I dioda mula mula mempunyai nilai
sama dengan mendekati nol (karena sangat kecil nilainya) dan pada tegangan
tertentu arus dioda memiliki lonjakan yang tinggi karena telah melewati tegangan
kerja pada resistor.
5. Unutk reverse bias praktikum kali ini tidak sesuai dengan teori reverse bias yang
seharusnya pada tegangan panjar mundur arus yang mengalir amat kecil sehingga
pada kurva dapat digambarkan dengan garis yang melengkung curam turun. Hal ini
dapat terjadi karena kesalaham praktikan (human error) dalam pembacaan
multimeter.
6. Pada dioda zener 6,2 pada saat forward bias kurva sesuai dengan teori yang
dipelajari, sedangkan untuk reverse bias hasil praktikan menunujukkan tidak sesuai
dengan teori.
5.2 SARAN
1. Praktikan lebih teliti dalam pembacaan multimeter dan penyusunan rangkain.
2. Praktikan harus dapat mengatur waktu sehingga semua tujuan praktikum dapat
tercapai.
DAFTAR PUSTAKA
administrator. (2019, April 3). What is Signal Diode? V-I Characteristics, Types, Specifications.
Diambil kembali dari Electronics Hub: https://www-electronicshub-
org.translate.goog/signal-diode-
tutorial/?_x_tr_sl=en&_x_tr_tl=id&_x_tr_hl=id&_x_tr_pto=tc
Ayu Jati Puspitasari, M. d. (2023). Petunjuk Praktikum Elektronika (3 SKS). YOGYAKARTA:
Politeknik Teknologi Nuklir Indonesia.
dkk., E. A. (2016). KOMPONEN AKTIF DAN PASIF SERTA SIMBOL DALAM
ELEKTRONIKA. YOGYAKARTA: UNIVERSITAS TEKNOLOGI YOGYAKARTA.
kakangnurdin.com. (2023, Oktober 10). Kurva Karakteristik Dioda Forward Bias dan Reverse
Bias. Diambil kembali dari kakangnurdin.com:
https://www.kakangnurdin.com/2021/11/kurva-karakteristik-dioda-forward-reverse-
bias.html
Otospeedcar_Teams . (t.thn.). Fungsi Dioda dan Jenisnya, Pahami Agar Kalian Bisa
Mengidentifikasi Sesuai Dengan Kegunaannya Masing-Masing. Diambil kembali dari
Oto Klas Otomotif: https://www.otospeedcar.com/2018/03/Fungsi-dioda-dan-
jenisnya.html
Sulistiyawati Dewi K, d. (2017). LAPORAN RESMI E9 KARAKTERISTIK DIODA. Surabaya:
Institut Teknologi Sepuluh November (ITS).
Sutrisno. (1986). Elektronika Teori dan Penerapannya Jilid 1. Bandung: Penerbit ITB.
Syalendra, R. (2022, Agustus 20). PERBEDAAN DIODA SILIKON DAN DIODA
GERMANIUM. Diambil kembali dari KUMA BLOG: https://kumacart.com/perbedaan-
dioda-silikon-dan-dioda-germanium/
LAMPIRAN