# Percobaan 1

I. Topik Percobaan
Karakteristik Dioda

II. Tujuan Percobaan

Menemukan kurva hubungan antara V-I pada dioda

III. Alat dan Bahan

Menggunakan aplikasi Virtual Labs
http://vlabs.iitkgp.ac.in/be/exp5/forwardbiaseddiode_si_ver1.html (Bias Maju Dioda Silikon)
http://vlabs.iitkgp.ac.in/be/exp5/reversebiaseddiode_si_ver1.html (Bias Mundur Dioda Silikon)

IV. Landasan Teoritis dan Prosedur Pengukuran

A. Dasar Teori
Bahan semikonduktor (setengah penghantar) adalah bahan selain penghantar
dan penyekat yang pada temperatur mutlak yaitu pada temperatur 0 ˚K atau - 273 ˚C
dan dalam keadaan murninya mempunyai sifat sebagai penyekat ; sedangkan pada
temperatur kamar (27 ˚C) dapat berubah sifatnya menjadi bahan penghantar. Dengan
demikian bahan semikonduktor ini adalah bahan yang dapat berubah sifat
kelistrikannya apabila temperaturnya berubah-ubah.
Bahan dasar yang banyak digunakan untuk pembuatan piranti semikonduktor
(elektronik) adalah Silikon (Silizium) disingkat Si dan Germanium disingkat Ge
dimana kedua unsur bahan ini mempunyai jumlah elektron valensi yang sama, yaitu
empat buah elektron valensi sehingga dari tabel kedua unsur tersebut berada pada
golongan periodik yang sama, yaitu golongan IV.
Bahan dasar tersebut selanjutnya dicampurkan dengan unsur lain yang
bervalensi berbeda, misalnya Silikon yang bervalensi empat dicampur dengan unsur
Galium (Ga) yang bervalensi tiga sehingga hasilnya adalah bahan semikonduktor
Silikon tipe P (positif). Sedangkan jika unsur Silikon ini dicampur dengan unsur lain
yang bervalensi lima misalnya unsur Arsenikum (As) akan menghasilkan bahan
semikonduktor Silikon tipe N (negatip).
Jika tipe P dan tipe N tersebut dilekatkan (junction), maka akan terbentuk
suatu gabungan baru yang dikenal sebagai PN-Junction. Sebelum terjadi
penggabungan, muatan terbanyak (mayoritas) pada P adalah positip dan pada N
adalah negatip. Setelah sambungan terjadi maka akan terjadi sebaliknya dimana
terjadinya suatu proses penyeberangan muatan (diffusi) antar P dan N.
Di daerah perbatasan terdapat suatu suatu lapisan pengosongan (Depletion
Layer), dimana pada daerah tersebut banyak ion-ion yang mengambang dan
membentuk daerah penghalang yang mengakibatkan munculnya potensial penghalang
(PotentialBarrier).
Jika sekarang PN-Junction ini kita beri muatan dari suatu sumber searah,
dimana lapisan P diberi muatan positip dan N diberi negatip batere, maka gerakan
elektron akan menuju ke arah kiri sedangkan gerakan muatan positip (hole) ke arah
kanan seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.(a)

Gambar 1. Bias maju dan mundur PN-Junction

Pada daerah sambungan banyak terdapat elektron-bebas yang bergerak ke arah

kiri sehingga potensial penghalang menjadi surut. Karena mayoritas muatan pada P
adalah negatip, maka banyak elektron dari daerah ini mengalir menuju kutub (+)
batere dan sebaliknya muatan positip (hole) akan bergerak nenuju arah kanan,
sementara di daerah tengah potensial penghalangnya akan surut dan hambatannya
berkurang. Sistem bias yang diperlihatkan pada gambar 1.(a) disebut bias maju
(Forward-Bias).
Gambar 1.(b). memperlihatkan lapisan P diberi muatan negatip dan N positip,
system ini disebut bias mundur (Reverse-Bias). Karena mayoritas lapisan P adalah
negatip, maka antara muatan yang sejenis akan terjadi tolak-menolak sehingga banyak
elektron yang bergerak ke arah kanan sedangkan hole akan bergerak ke arah kiri. Pada
kejadian ini pada daerah sambungan terjadi penumpukan atom yang berubah kembali
menjadi netral. Akibatnya potensial-penghalang akan semakin lebar yang berarti
hambatannya akan semakin besar sehingga tidak terjadi aliran elektron atau dengan
perkataan lain arus tidak dapat mengalir pada bias mundur ini.
 Kondisi tanpa tegangan
Pada kondisi tidak diberikan tegangan akan terbentuk suatu perbatasan
medan listrik pada daerah P-N junction. Hal ini terjadi diawali dengan proses
difusi, yaitu bergeraknya muatan elektro dari sisi n ke sisi p. Elektron-elektron
tersebut akan menempati suatu tempat di sisi p yang disebut dengan holes.
Pergerakan elektronelektron tersebut akan meninggalkan ion positif di sisi n, dan
holes yang terisi dengan elektron akan menimbulkan ion negatif di sisi p. Ion-ion
tidak bergerak ini akan membentuk medan listrik statis yang menjadi penghalang
pergerakan elektron pada dioda.
 Kondisi tegangan positif (Forward-bias)
Pada kondisi ini, bagian anoda disambungkan dengan terminal positif
sumber listrik dan bagian katoda disambungkan dengan terminal negatif. Adanya
tegangan eksternal akan mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran
listrik menjadi tertarik ke masing-masing kutub. Ion-ion negatif akan tertarik ke
sisi anoda yang positif, dan ion-ion positif akan tertarik ke sisi katoda yang
negatif. Hilangnya penghalang-penghalang tersebut akan memungkinkan
pergerakan elektron di dalam dioda, sehingga arus listrik dapat mengalir seperti
pada rangkaian tertutup.
 Kondisi tegangan negatif (Reverse-bias)
Pada kondisi ini, bagian anoda disambungkan dengan terminal negatif
sumber listrik dan bagian katoda disambungkan dengan terminal positif. Adanya
tegangan eksternal akan mengakibatkan ion-ion yang menjadi penghalang aliran
listrik menjadi tertarik ke masing-masing kutub. Pemberian tegangan negatif akan
membuat ion-ion negatif tertarik ke sisi katoda (n-type) yang diberi tegangan
positif, dan ion-ion positif tertarik ke sisi anoda (p-type) yang diberi tegangan
negatif. Pergerakan ion-ion tersebut searah dengan medan listrik statis yang
menghalangi pergerakan elektron, sehingga penghalang tersebut akan semakin
tebal oleh ion-ion. Akibatnya, listrik tidak dapat mengalir melalui dioda dan
rangkaian diibaratkan menjadi rangkaian terbuka.
 Bila arus bias maju pada suatu dioda meningkat maka tegangan maju juga
bertambah. Tahanan bias maju dapat dihitung dengan Hukum Ohm, yaitu :
Vf
Rf=
If
Tegangan jatuh maju dapat meningkat sampai diatas 1 Volt sementara tahanan
beban ikut menentukan besarnya arus yang mengalir melalui dioda dan beban.
Pada keadaan dibias mundur (reverse), arus yang mengalir sangat kecil (dalam
orde uA) karena tahanan reverse-nya sangat besar. Besarnya tahanan reverse ini
adalah:
Vr
Rr =
Ir

B. Prosedur Kegiatan
Aktivitas 1
1. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah

2. Memilih kode dioda yang akan digunakan yaitu 1N4001

3. Mengatur hambatan yang digunakan dengan nilai 290 Ω
4. Mengatur tegangan yang digunakan dengan nilai 0,3 Volt
5. Memperhatikan nilai tegangan dioda maju dan arus diode maju maksimum yang
dihasilkan
6. Memasukkan data kedalam tabel 1
7. Menganalisis grafik yang di hasilkan untuk mengetahui kurva hubungan V-I

Aktivitas 2
1. Merangkai rangkaian seperti pada gambar di bawah
 2. Memilih kode dioda yang akan digunakan yaitu 1N4001
3. Mengatur hambatan yang digunakan dengan nilai 290 Ω
4. Mengatur tegangan yang digunakan dengan nilai 0,2 Volt
5. Memperhatikan nilai tegangan dioda mundur dan arus dioda mundur maksimum
yang dihasilkan
6. Memasukkan data kedalam tabel 2
7. Menganalisis grafik yang di hasilkan untuk mengetahui kurva hubungan V-I

V. Data Hasil Pengamatan

Tabel 1. Percobaan Bias Maju Dioda Silikon

NO R DC V Forward Voltage Forward Current

(Volt) (m Amp ¿
1 290 Ω 0,3 V 0 0

2 290 Ω 0,7 V 0, 562 V 0, 344 m Amp

3 290 Ω 0,9 V 0, 568 V 1, 03 m Amp

4 290 Ω 1,1 V 0, 573 V 1, 72 m Amp

5 290 Ω 1,3 V 0, 578 V 1, 41 m Amp

6 290 Ω 1,5 V 0,582 V 3, 10 m Amp

7 290 Ω 1,7 V 0, 585 V 3, 79 m Amp

8 290 Ω 1,9 V 0, 588 V 4, 48 m Amp

9 290 Ω 2,1 V 0,590 V 5, 17 m Amp

 10 290 Ω 2,3 V 0, 593 V 5, 86 m Amp

Tabel 2. Percobaan Bias Mundur Dioda Silikon

NO R DC V Reverse Voltage Reverse Current

(Volt) ( μAmp ¿
1 290 Ω 0, 2 V 0,170 V 0

2 290 Ω 2, 2 V 2, 03 V 0, 100 μAmp

3 290 Ω 4, 2 V 3, 97 V 0, 100 μAmp

4 290 Ω 6, 25 V 5, 98 V 0, 100 μAmp

5 290 Ω 8, 25 V 7, 97 V 0, 100 μAmp

6 290 Ω 10, 25 V 9, 97 V 0, 100 μAmp

7 290 Ω 12, 25 V 12, 0 V 0, 100 μAmp

8 290 Ω 14, 45 V 14, 4 V 0, 100 μAmp

9 290 Ω 16, 65 V 16, 4 V 0, 100 μAmp

10 290 Ω 30, 2 V 30, 4 V 51, 186 μAmp

VI. Analisis dan Simpulan

Grafik 1. Percobaan Bias Maju Dioda Silikon

Kesimpulan :
Berdasarkan percobaan forward bias yang kami di Virtual Lab, dapat kami simpulkan
bahwa:
Dioda yang diberi pertegangan maju ( forward bias), dioda dapat mengalirkan arus,
hal ini dapat dibuktikan dengan terjadinya kenaikan tegangan saat arus yang masuk
semakin diperbesar.
Dapat dilihat pada grafik Percobaan pertama ini menggunakan percobaan Forward
Bias untuk rangkaian Dioda. Arus yang dialirkan dari 0,344 mA sampai 5,86 mA. Pada
forward bias ini, arus mengalir dari anoda ke katoda. Rangkaian forward bias yaitu
kaki anodanya disambungkan ke kutub positif dan katodanya disambungkan ke
kutub negatif . Dari data di atas dapat diketahui bahwa pada Forward Bias nilai tegangan
beban semakin besar dengan pertambahan tegangan sumber sementara. Dalam forward
bias, kutub negatif battery akan menolak elekton-elektron bebas yang ada dalam
semikonduktor tipe N, jika energi listrik yang digunakan adalah melebihi tegangan barir,
maka elektron yang tertolak tersebut akan melintasi daerah deplesi dan bergabung dengan
hole yang ada pada tipe P, hal ini terjadi terus menerus selama rangkaian di gambar
tersebut adalah tertutup. Kondisi inilah yang menyebabkan adanya arus listrik yang
mengalir dalam rangkaian forward bias

Grafik 2. Percobaan Bias Mundur Dioda Silikon

 Kesimpulan :
Berdasarkan percobaan reverse bias yang kami lakukan di Virtual Lab, dapat kami
simpulkan bahwa
Dioda yang diberi pertegangan balik ( reverse bias), maka dioda sulit mengantarkan
arus, hal ini dapat dibuktikan dengan tidak adanya arus yang mengalir pada rangkaian.
Dapat dilihat dari grafik Percobaan kedua menggunakan percobaan Reverse Bias
untuk rangkaian Dioda. Tegangan yang dialirkan dari 0,170 V sampal 30,4 V. Dari
sample data di atas dapat diketahui bahwa reverse bias nilai arus beban adalah sama
dengan nol ini dikarenakan posisi dioda terbalik (reverse). Dioda dengan blas tegangan
mundur Ketika dioda dibias mundur, maka tidak ada aliran arus listrik yang melewati
dioda. Hal ini dikarenakan elekton bebas yang ada pada tipe N tertarik oleh kutub positif
battery dan demikian Juga hole pada tipe P berekombinasi dengan elektron dari battery,
sehingga lapisan pengosongan menjadi semakin lebar. Dengan semakin lebarnya lapisan
pengosongan ini, maka dioda tidak akan mengalirkan arus listrik. Ketika tegangan bias
mundur terus diperbesar, maka pada suatu nilai di tegangan tertentu dioda akan rusak,
karena adanya proses avalan yang menyebabkan dioda rusak secara fisik.

VII. Daftar Pustaka

Irma, Y & Irfan, D. 2018. “Komponen Elektronika”. Padang:

Sukabina Press.
Irma, Y & Irfan, D. 2018. “Komponen Elektronika”. Padang:
Sukabina Press.
Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill Publishing Co.
Irma, Y & Irfan, D. (2018). Komponen Elektronika. Padang : Sukabina Press.
Jurnal Mitra Teknik Sipil, J. (2019). Elektronika Dasar. Medan : Universitas Sumatera
Utara
Surjono, H. D. (2007). Elektronika : Teori dan Penerapan. Yogyakarta : Cerdas Ulet
Kreatif