PERANCANGAN PENGUAT DENGAN

GAIN MAKSIMUM
BAB 7
PENGUAT SINYAL KECIL

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

44
 PERANCANGAN UNTUK GAIN MAKSIMUM (CONJUGATE MATCHING)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2 → syarat transistor mantap tanpa

IMC IMC
ZL
Es in out syarat
b1 b2

S IN OUT L
IN  S * 
Jika dipilih :
 diperoleh penguatan daya transducer (GT) maksimum
OUT  L *
S12.S21.L S12.S21.S
S *  S11  L *  S22 
1 - S22.L 1 - S11.S

B2 
2
B1  2
B1 - 4 C1
2 B2 2 - 4 C2
 SM   LM 
2 C1 2 C2
2 2 2
B1  1  S11 - S22 - 
2 2 2
dimana : B2  1  S22 - S11 - 
C1  S11 - .S22 * C2  S22 - .S11 *
1 - LM
2
1 S21
GT, MAX 
2
S21 atau GT, MAX  (K - K 2 - 1)
1 - SM 1  S22.LM
2 2
S12
45
Latihan soal:
• Rancanglah suatu penguat dengan gain maximum pada frekuensi 4 GHz menggunakan single-stub
matching! Transistor GaAs FET mempunyai parameter S dengan Z0=50  sebagai berikut:
S11=0.72 <-1660
S12=0,03 <570
S21=2.60 <760
S22=0,73 <-540

Ref: Microwave Engineering, 2nd Edition, by David M Pozar, Exp 11.3

Solusi:  = 0.488 < -1620 K = 1,195  unconditionally stable

SM = 0.872 < 1230 ΓLM = 0.876 < 610
GT,max = 16.7 dB

Perhatikan rangkaian penyesuai impedansi sbb:

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
46
Circuit design and frequency response for the transistor amplifier of Example 11.3. (a) Smith chart for
the design of the input matching network.

47
(b) RF circuit. (c) Frequency response.

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

48
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN
Gp DITENTUKAN
BAB 7
PENGUAT SINYAL KECIL

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

49
 PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GP DITENTUKAN:
Lingkaran Gp (Operating Power Gain) Konstan
a. KASUS KEMANTAPAN TANPA SYARAT
1 - L
2
1
GP   S21
2 2
S21 . gP
1 - IN 1  S22.L
2 2

1 - L
2

gP  C2  S22 - .S11*
1 - S11  L .( S22 -  ) - 2 ReL.C2 
dimana: 2 2 2 2
  S11.S22 - S12.S21

L
2
 
- 1  g P . S22 - 
2 2
- 2.g P .ReL.C2   1 - g P 1 - S11  2

2
g P .C2.L g P .C2 * .L * 1 - g P (1 - S11 )
L 
2
→ - -
1  g P ( S22 -  ) 1  g P ( S22 -  ) 1  g P ( S22 -  )
2 2 2 2 2 2

g P .C2 *
CP 
1  g P ( S22 -  )
2 2
titik pusat lingkaran :

 
1
.S21.g P  S12.S21 .g P
2 2 2
1 - 2K. S 12
jari-jari lingkaran : RP 
1 - g P .( S22 -  )
2 2
50
 GP maksimum terjadi pada RP = 0; artinya :
gP,MAX . |S12.S21|² – 2K.|S12.S21|.gP,MAX + 1 = 0

g
P, MAX

1
S12.S21
K-  K2 -1   G P,MAX
S21
2

sehingga G P,MAX 
S21
S12
K - K2 -1 
Prosedur menggunakan lingkaran GP konstan :
1) Untuk GP yang ditentukan, hitung titik pusat dan jari-jari lingkaran GP konstan
2) Pilih ΓL yang diinginkan (di lingkaran tersebut)
3) Dengan ΓL tersebut, daya keluaran maksimum diperoleh dengan melakukan conjugate match pada
masukan, yaitu ΓS = ΓIN*
ΓS ini akan memberikan GT = GP
Contoh : Transistor S11  0,641  - 171,3o S21  2,058 28,5o
(f  6GHz) S12  0,057 16,3o S22  0,572  - 95,7 o
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 9 dB
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
51
Solusi
  0,3014 K = 1,504 → mantap tanpa syarat
2 GP 7,94
S21  (2,058) 2  4,235  g P  2
  1,875
S21 4,235
C2  0,3911  - 103,9 o
RP = 0,431 CP  0,508  103,9 o
→ gambar tempat kedudukan ΓL yang memberikan GP = 9 dB

tempat kedudukan L
yang memberikan GP =
9dB
Kita pilih L  0,3647,5o
31
0,4 A (titik A)
103,9 o
S yang memberikan
daya keluar maksimum
*
 S12.S21.L 
S  IN *  S11 
 1 - S22 L 

S  0,629175,51 o

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

52
 b. KASUS MANTAP BERSYARAT

Dengan transistor mantap bersyarat, prosedur perancangan untuk GP tertentu adalah sebagai berikut:

1) Untuk GP yang diinginkan, gambar lingkaran GP konstan dan lingkaran kemantapan beban. Pilih ΓL
yang berada pada daerah mantap dan tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan beban.

2) Hitung ΓIN dan tentukan apakah conjugate match pada masukan mungkin. Untuk itu gambar lingkaran
kemantapan sumber dan periksa apakah ΓS = ΓIN* terletak pada daerah mantap.

3) Jika ΓS = ΓIN* tidak terletak pada daerah mantap atau terletak pada daerah mantap namun terlalu dekat
dengan lingkaran kemantapan sumber, pilih ΓL yang lain dan ulangi langkah 1) dan 2)

Catt: nilai ΓS dan ΓL sebaiknya tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan, karena ketidakmantapan
(OSILASI) dapat terjadi oleh variasi nilai komponen yang digunakan sehingga ΓL dan ΓS masuk ke daerah tidak
mantap.

Contoh : Transistor S11  0,5  - 180o S21  2,5 70o

(f  6 GHz) S12  0,08 30o S22  0,8  - 100o
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 10 dB
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
53
Solusi :
  0,223 62,120 K = 0,4 → transistor mantap bersyarat

CP  0,572 97,2 o


GP  10dB  RP  0,473
 CL  1,18 97,2 o

 RL  0,34 CL Lingkaran kemantapan
RL beban

CP
Lingkaran GP = 10dB
RP konstan
A
97,2 o

Smith Chart

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

54
 Oleh karena |S11| < 1, daerah MANTAP berada diluar lingkaran kemantapan BEBAN
 Pilih titk A → L  0,1  97,2o → S  IN *  0,52  179,32o

 Lingkaran kemantapan sumber : CS  1,67  171o RS = 1,0

ΓS diatas harus diperiksa apakah berada di daerah MANTAP
 Daerah mantap berada di luar lingkaran kemantapan sumber → ΓS berada di daerah mantap, maka ΓS
dapat digunakan

Zs = 50
IMC IMC ZL
Es in out = 50

S = IN* IN OUT L

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

55
 PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GA DITENTUKAN:
Lingkaran Ga (Available Power Gain) Konstan
a) KASUS MANTAP TANPA SYARAT
1 - S
2
1
GA   S21
2 2
S21 . gA
1 - OUT 1  S11.S
2 2

1 - S
2
GA
gA   C1  S11 - .S22 *
1 - S22  S .( S11 -  ) - 2 ReS.C1
2 2 2 2 2
S21

Dengan cara yang sama seperti lingkaran GP konstan, diperoleh :

Lingkaran GA konstan :
g A .C1 *
titik pusat lingkaran : CA 
1  g A ( S11 -  )
2 2

 
1

.S g  S .S
2 2 2
1 - 2K S .g

12 21 12 21
jari-jari lingkaran : R A
A A

1 g ( S -  )
2 2
11
A

Semua ΓS pada lingkaran, memberikan suatu GA yang diinginkan. Untuk GA tertentu, daya keluaran maksimum
diperoleh dengan ΓL = ΓOUT*
→ ΓL ini memberikan GT = GA
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
56
b) KASUS MANTAP BERSYARAT

1. Untuk GA yang diinginkan, gambar lingkaran GA konstan dan lingkaran kemantapan

sumber. Pilih ΓS yang berada di daerah mantap dan tidak terlalu dekat dengan lingkaran
kemantapan.

2. Hitung ΓOUT dan periksa apakah conjugate match mungkin, untuk itu gambar lingkaran
kemantapan beban dan periksa apakah ΓL = ΓOUT* berada di daerah mantap.

3. Jika ΓL = ΓOUT* tidak berada pada daerah mantap atau terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan
beban, pilih ΓS atau GA yang lain.

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

57
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN VSWR DITENTUKAN:

• VSWRIN konstan

IN
Zi=50
IMC
E1 in

Za
(a) S
1  a IN - S *
VSWR   a 
1 - a 1 - IN.S
IN

 dapat diturunkan lingkaran VSWR IN konstan

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
58
 Lingkaran VSWRIN konstan :

titik pusat lingkaran : jari-jari lingkaran :

a . (1 - 
2
IN * . (1 - a )
2
)
Cvi  Rvi 
IN

1  a.IN
2
1  a.
2
IN

Pada kasus mantap tanpa syarat dan beberapa kasus mantap bersyarat,
ΓS dapat dipilih =ΓIN* ; untuk memperoleh VSWRIN = 1.
 Cvi   *
a  0 
IN
Bila VSWRIN = 1 →
Rvi  0
Jadi ΓS = ΓIN* memberikan a  0 → VSWRIN = 1

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

59
• VSWRout konstan

DENGAN CARA YANG SAMA :

1  b OUT - L *
VSWR OUT   b 
1 - b 1 - OUT.L
Lingkaran VSWROUT konstan :

OUT * . (1 - b )
titik pusat lingkaran : 2 jari-jari lingkaran :
Cvo  b . (1 - 
2
)
1  b.OUT Rvo 
2 OUT

1  b.
2
OUT

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

60
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN NOISE FIGURE DITENTUKAN:
Lingkaran Noise figure/Faktor Derau Konstan:

Zs = Zo
IMC IMC ZL
Es in out = Zo

S = IN* IN OUT L

r
4 n S - opt
2

F  FMIN 
1 -  .1  opt
S
2 2

dimana:FMIN = faktor derau minimum komponen aktif

rn = equivalent normalized noise resistance (= RN/ZO)
Γopt = koefisien refleksi sumber yang dapat menghasilkan faktor
derau minimum
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
61
 S - op t
2
Fi - FMIN
 .1  op t
2
Ambil satu harga F = Fi
1 - S
2
4 rn

S - op t
2
Fi - FMIN
Ni  .1  opt  konstan  Ni 
2

4 rn 1 - S
2

(ΓS - Γopt).(ΓS* - Γopt) = Ni – Ni |ΓS|²

|ΓS|².(1 + Ni) – 2Re[ΓS.Γopt*] + |Γopt|² = Ni
op t
2

ReS.op t * 
2 Ni
S 
2
-
1  Ni 1  Ni 1  Ni
→ merupakan persamaan lingkaran di bidang ΓS dan dapat ditulis menjadi :

S -
opt
2



Ni2  Ni 1 - opt
2

1  Ni 1  Ni2
untuk Ni tertentu, diperoleh lingkaran faktor derau Fi konstan.
Lingkaran faktor derau: jari-jari lingkaran :

1
 
titik pusat lingkaran :
R  Ni  Ni 1 - opt
2 2
op t Fi
CFi 
1  Ni Ni  1
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
62
Contoh Soal :
Suatu transistor dengan parameter S sebagai berikut :
S11  0,552  169 o FMIN  2,5dB
S12  0,049  23o op t  0,475 166 o
S21  1,681  26 o Rn  3.5 
S22  0,839  - 67 o
Tentukan lingkaran faktor derau Fi = 2,8dB konstan
Solusi :
Fi - FMIN
Ni  .1  opt
2

4 rn Lingkaran F konstan
Rn 3,5 RFi
rn    0,07
Z O 50
Fi = 2,8dB = 1,905 166 o
Z0 Z
FMIN = 2,5 dB = 1,778
→ Ni = 0,1378
opt 0,417
CFi   0,417  166o Smith Chart
1  Ni
RFi = 0,312
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
63
TERIMA KASIH

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

64