BAB 7

PENGUAT FREKUENSI TINGGI

TTH3I3
Elektronika Telekomunikasi

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

1
PENGUAT DAN PARAMETER S
BAB 7
PENGUAT SINYAL KECIL

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

2
Agenda:
• Model penguat
• Definisi parameter s dan konversi dari parameter y, z, h ke parameter s
• Definisi faktor-faktor penguatan
• Kemantapan penguat RF
• Lingkaran/daerah kemantapan penguat pada Smith Cart
• Perancangan Penguat dengan Gain Maksimum
• Perancangan Penguat dengan Operating Power Gain Ditentukan
• Perancangan Penguat dengan Available Power Gain Ditentukan
• Perancangan Penguat dengan VSWR Ditentukan
• Perancangan Penguat dengan Noise Figure Ditentukan

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

3
 MODEL SISTEM (LINIER)

KUTUB-4:
PENGUAT
 FILTER 
FREK KONVERTER
RECEIVER

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

4
Penguat frekuensi tinggi SATU TAHAP dapat
dimodelkan sebagai berikut :
Komponen Aktif

Zg
IMC IMC
Eg Transistor ZL
in out

Sumber sinyal/ Impedance Matching beban/tahap

tahap sebelumnya Circuit input/output berikutnya

Tampak bahwa sistem dapat dipandang sebagai hubungan kaskade dari kutub-4,
sehingga pada umumnya metoda analisis yang dapat digunakan untuk mempelajari
perilaku suatu penguat adalah dengan menggunakan parameter satu kutub empat.
I1 I2 Parameter Kutub 4 :
1. Parameter Z, Y, H, ABCD
V1 Kutub 4 V2 (frekuensi rendah)
2. Parameter S (frekuensi rendah
sampai tinggi)
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
5
 V  Z Z  i  i1 Y11 Y12  V1
Parameter Z     Parameter Y    
1 11 12 1

 . i   . 
V   Z
2 21 Z
22
  2
i2 Y21 Y22 V2
V1 h11 h12  i1  V  A B  V 
 i2   h21 h22 . V2  i    C D  . - i 
1 2
Parameter H Parameter ABCD
     
  
1
   2

Parameter-parameter tersebut diatas mudah diukur pada frekuensi rendah, karena

pengukurannya membutuhkan BEBAN HUBUNG SINGKAT dan/atau BEBAN TERBUKA,
yang mudah diperoleh pada frekuensi RENDAH.
Pada frekuensi tinggi, parameter Z(impedansi), H(hybrid),
Y(admitansi) atau ABCD sangat sulit (tidak mungkin) DIUKUR,
karena :
1. Penggunaan beban terbuka/tertutup (hubung singkat) dapat menyebabkan
komponen aktif yang digunakan tidak stabil (OSILASI)
2. Sulit memperoleh beban TERBUKA/TERTUTUP dengan lebar bidang frekuensi
yang lebar pada frekuensi tinggi
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
6
Maka digunakan Parameter S (Scattering Parameter):

Gambar ai dan bi

Z -Z
 
S O
S
Z ZS O

Signal flow graph

Vi 
a
i
Zoi
 gelombang datang bi  Vi -
Zoi
 gelombang pantul

Dimana: i = 1(port 1) atau 2 (port 2)

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

7
 a1 a2
 b1 S11 S12 a1
b2  S21 S22 . a2
V1 Zo1 "Parameter S" Zo2 V2
     
b1 b2

S S 
b1 → koefisien refleksi masukan dengan keluaran
11 i
a1 K-4 ditutup beban sesuai (match)
a2  0

S S 
b2 → koefisien transmisi maju dengan keluaran
21 f
a1 K-4 ditutup beban sesuai
a2  0

S S 
b2
→ koefisien refleksi keluaran dengan masukan
22 o
a2 K-4 ditutup beban sesuai
a1  0

S S  → koefisien transmisi balik dengan masukan

b1
12 r
a2
a1  0
K-4 ditutup beban sesuai

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

8
Hubungan parameter s dan parameter y

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

9
Hubungan parameter s dan parameter z

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

10
Hubungan parameter s dan parameter h

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

11
KOEFISIEN REFLEKSI INPUT &
KOEFISIEN REFLEKSI OUTPUT
BAB 7
PENGUAT SINYAL KECIL

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

12
MODEL PENGUAT
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L

1. S= Koefisien refleksi sumber (Source) = a1/b1

2. L= Koefisien Refleksi Beban (Load) = a2/b2
3. IN = Koefisien refleksi input transistor/penguat = b1/a1
4. OUT= Koefisien Refleksi output transistor/ penguat = b2/a2

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

13
KOEFISIEN REFLEKSI INPUT (IN)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L

b1  S11.a1  S12.a2 b2 = S21.a1 + S22.L.b2

b2  S21.a1  S22.a2   b2 (1 - S22.L.b2) = S21.a1
L  a2  a2  L.b2 
 b 2 =
S21.a1
b2  1 - S22 L
S12.S21.L
b1 = S11.a1 + S12.L.b2 = S11.a1 + . a1
1 - S22.L

b1 S12.S21.L
IN   IN  S11 
a1 1 - S22.L
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
14
KOEFISIEN REFLEKSI OUTPUT (OUT)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S 
IN OUT L


b1  S11.a1  S12.a2  b1 = S11.s.b1 + S12.a2

b2  S21.a1  S22.a2   b1 (1 - S11.s.b1) = S12.a2
b2  S12.a2
OUT   b 1 =
a2 Es  0
 1 - S11s
ES  0  a1  s.b1.  S12.S21.s
b2 = S21.s.b1 + S22.a2 = . a2 + S22.a2
1 - S11.s
b S .S .
   S 
2 12 21 S
OUT 22
a Es  0 2 1 - S . 11 S

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

15
 PENGUATAN
BAB 7
PENGUAT SINYAL KECIL

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

16
 FAKTOR PENGUATAN PENGUAT RF
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

Faktor Penguatan : S IN OUT L

1. Transducer Power Gain (GT)
PL Day a y ang diberikan ke beban
GT  
PAVS Day a y ang tersedia p ada sumber siny al
2. Operating Power Gain (GP)
PL Daya yang diberikan ke beban
GP  
PIN Daya yang diberikan ke transistor
3. Available Power Gain (GA)
P Daya tersedia dari transistor
G  
AVN
A
P AVS Daya yang tersedia pada sumber sinyal
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
17
 TRANSDUCER POWER GAIN (GT)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L

1-  1- 
2 2
PL PL PIN PIN
GT   .  GP .  GP.MS  S
S
2 L

PAVS PIN PAVS PAVS 21

1 -  . 1  S .
2 2
S IN 22 L

atau

1-  1- 
2 2

G 
S 2 L
T S
21
1 - S . 1   .
2 2
11 S OUT L

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

18
OPERATING POWER GAIN (GP)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L
. (1 - 
2 2
P 1
b )
G  
L 2 2 L
P
. (1 - 
2 2
P IN
1
2 a
→ 1 IN )
S .a
b 
21 1
2
1 - S .r 22 L

1- 
2
1
G 
2 L
P S 21
1-  1  S .
2 2
IN 22 L

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

19
AVALAIBLE POWER GAIN (GA)
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L

PAVN PL PAVN GT
GA   . 
PAVS PAVS PL ML
1- 
2
1
G 
S 2
A S 21
1 - S . 1 
2 2
11 S OUT
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

20
 HUBUNGAN ANTAR DAYA
PAVS PIN PAVN PL

Zg a1 a2
IMC IMC
ZL
Es in out
b1 b2

S IN OUT L
PIN = ½ |a1|2 - ½ |b1|2 = ½ |a1|2.( 1 - |ΓIN|2 )

P P
IN AVS .

1 -  . 1 -  
S
2
IN
2

1 -  .
2
S IN

P P
L AVN .

1 -  . 1 - 
L
2
OUT
2

1-  .
2
OUT L

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

21
Contoh soal:
• Transistor microwave mempunyai parameter “S” pada 10 GHz, dengan impedansi referensi (ZO) 50 
sbb.:
S11=0,45 <1500
S12=0,01 <-100
S21=2,05 <100
S22=0,40 <-1500
Jika digunakan hambatan sumber ZS=20  dan Hambatan beban sebesar ZL=30 , hitunglah Operating
power Gain, Available Power Gain, dan Transducer Power Gain!
Solusi: S=-0.429, L=-0.250

 IN  0.455150 0 dan OUT  0.408  1510

 GP  5.94
 G A  5.85
 GT  5.49
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
22
 VSWR MASUKAN
ZIN(IN) 1  a
PAVS PIN VSWR IN 
Zi=Zo
1  a
IMC
in Za - Z
a 
Ei O

Za ZS Za  Z O

P P .(1 - a ) 
2
(a) (S)
M  (1 - a )
IN AVS 2

 S

P  P .M
IN
 AVS S

(1 -  ) . (1 - 
2 2

 )
a  a  1 -
S IN
1- M S

 1-  
2

(1 -  ) . (1 - 
2 2


S IN
)
M 
S IN
S
  - *
1-   a 
2 IN S
S IN

1-   IN S

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

23
Contoh soal:
IN = 0,4 <-145°
PAVS PIN ZIN(IN)

Zi=50
IMC
Ei in

Za ZS
(a) (S)

S = 0,614 <160°

Hitunglah : a. |a| (0.326)

b. VSWRIN (1.985)
TTH313 - Elektronika Telekomunikasi
24
VSWR KELUARAN
PL = PAVN . ML
PAVN
PL
IMC
out ZL=Zo

ZOUT ZL Zb

(OUT) (L) (b)

1  b Zb - Z
VSWR OUT  b 
O

1  b Zb  Z O

(1 -  ) . (1 - 
2 2

 )
b  b  1 -
L OUT
1- M L

 1-  
2

(1 -  ) . (1 - 
2 2


OUT L
)
M 
L OUT
L
  - *
1-   b 
2 OUT L
OUT L

1-   OUT L

TTH313 - Elektronika Telekomunikasi

25