Modul Praktikum Elektronika Online

LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO
INSTITUT TEKNOLOGI PLN
PETUNJUK PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA
Semester Ganjil 2023/2024
S1 Teknik Elektro, D3 Teknologi Listrik, S1 Teknik
Tenaga Listrik, S1 Teknik Sistem Energi
Nama :
NIM :
Menara PLN
Jl. Lingkar Luar Barat, Duri Kosambi, Cengkareng
Jakarta Barat 11750
5
DAFTAR ISI
DAFTAR ISI ........................................................................................................................................i

DAFTAR GAMBAR .......................................................................................................................... v
DAFTAR TABEL ........................................................................................................................... viii
STRUKTURAL LABORATORIUM ..............................................................................................ix
TATA TERTIB PELAKSANAAN PRAKTIKUM ......................................................................... x
FORMAT PENULISAN LAPORAN PRAKTIKUM .................................................................. xii
PENGENALAN NI MULTISIM .................................................................................................... xv
1. Komponen NI Multisim .......................................................................................................... xv
2. Instrumen NI Multisim ...........................................................................................................xix
PENGENALAN ALAT DAN KOMPONEN LABORATORIUM .............................................. xx
1. Alat .......................................................................................................................................... xx
2. Komponen ............................................................................................................................ xxii
MODUL I ............................................................................................................................................ 1
1.1. TUJUAN ................................................................................................................................ 1
1.2. TEORI MODUL .................................................................................................................... 1
1.2.1. Cara Kerja Dioda ............................................................................................................ 1
1.2.2. Karakteristik Dioda ........................................................................................................ 2
1.2.3. Dioda Zener .................................................................................................................... 2
1.3. TUGAS RUMAH .................................................................................................................. 4
1.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN .......................................................................................... 5
1.5. LANGKAH PERCOBAAN .................................................................................................. 5
1.5.1. Tegangan Catu Arah Maju ............................................................................................. 5
1.5.2. Tegangan Catu Arah Mundur ......................................................................................... 6
1.5.3. Karakteristik V-I Dioda Zener ....................................................................................... 7
1.5.4. Pembebanan Dioda Zener .............................................................................................. 8
1.6. DATA PENGAMATAN ....................................................................................................... 9
1.6.1. Tegangan Catu Arah Maju ............................................................................................. 9
1.6.2. Tegangan Catu Arah Mundur ......................................................................................... 9
1.6.3. Karakteristik V-I Dioda Zener ....................................................................................... 9
1.6.4. Pembebanan Dioda Zener ............................................................................................ 10
1.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 10
MODUL II ........................................................................................................................................ 11
i
2.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 11
2.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 11
2.2.1. Rectifier Setengah Gelombang..................................................................................... 11
2.2.2. Rectifier Gelombang Penuh ......................................................................................... 12
2.2.3. Rectifier Jembatan ........................................................................................................ 13
2.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 14
2.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN ........................................................................................ 15
2.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 15
2.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 18
2.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 18
MODUL III ....................................................................................................................................... 19
3.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 19
3.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 19
3.2.1. Cara Kerja Transistor ................................................................................................... 19
3.2.2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguat Arus ........................................................ 21
3.2.3. Transitor Jenuh ............................................................................................................. 22
3.2.4. Konfigurasi Bipolar Juction Transistor ........................................................................ 23
3.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 24
3.5.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor ...................................................................... 25
3.5.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor ......................................................................... 26
3.5.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh ................................................................................. 27
3.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 28
3.6.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor ...................................................................... 28
3.6.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor ......................................................................... 28
3.6.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh ................................................................................. 28
3.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 29
MODUL IV ....................................................................................................................................... 30
ii
4.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 30
4.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 30
4.2.1. Karakteristik DC .......................................................................................................... 30
4.2.2. Transitor Sebagai Saklar .............................................................................................. 31
4.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 32
4.5.1. Karakteristik Kerja Transistor ...................................................................................... 33
4.5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor................................................................... 34
4.5.3. Pengukuran VBE ........................................................................................................... 34
4.5.4. Pengukuran VCE jenuh .................................................................................................. 35
4.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 36
4.6.1. Karakteristik Kerja Transistor ...................................................................................... 36
4.6.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor................................................................... 36
4.6.3. Pengukuran VBE ........................................................................................................... 36
4.6.4. Pengukuran VCE Jenuh ................................................................................................. 36
4.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 37
MODUL V ......................................................................................................................................... 38
5.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 38
5.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 38
5.2.1. Rangkaian Emitor Bersama .......................................................................................... 38
5.2.2. Rangkaian Basis Bersama ............................................................................................ 40
5.2.3. Rangkaian Kolektor Bersama....................................................................................... 41
5.2.4. Rangkaian Transistor.................................................................................................... 42
5.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 42
5.5.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama ................................................................. 43
5.5.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama .................................................................... 44
5.5.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama .............................................................. 45
5.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 46
5.6.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama ................................................................. 46
5.6.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama .................................................................... 46
5.6.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama .............................................................. 46
5.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 46
iii
MODUL VI ....................................................................................................................................... 47
6.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 47
6.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 47
6.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 48
6.4. ALAT DAN BAHAN .......................................................................................................... 49
6.6. TABEL PENGAMATAN ................................................................................................... 50
6.6.1. Common Emitter Transistor Amplifier ........................................................................ 50
6.6.2. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban 2 kΩ) .............................................................. 50
6.6.3. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban 10 kΩ) ............................................................ 50
6.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 50
DAFTAR PUSTAKA ....................................................................................................................... 51
iv
DAFTAR GAMBAR
Gambar 1. Simbol DC_POWER ........................................................................................................ xv

Gambar 2. Simbol DC_INTERACTIVE_VOLTAGE....................................................................... xv
Gambar 3. Simbol DC_CURRENT ................................................................................................... xv
Gambar 4. Simbol DC_INTERACTIVE_CURRENT ......................................................................xvi
Gambar 5. Simbol AC_VOLTAGE dan AC_POWER .....................................................................xvi
Gambar 6. Simbol GROUND ...........................................................................................................xvi
Gambar 7. Simbol RESISTOR..........................................................................................................xvi
Gambar 8. Simbol VARIABLE_RESISTOR ................................................................................. xvii
Gambar 9. Simbol POTENTIOMETER ......................................................................................... xvii
Gambar 10. Simbol CAPACITOR .................................................................................................. xvii
Gambar 11. Simbol 1P2S_TAP_TMODEL .................................................................................... xvii
Gambar 12. Simbol SPST ............................................................................................................... xvii
Gambar 13. Simbol SPDT .............................................................................................................. xviii
Gambar 14. Simbol DIODE ........................................................................................................... xviii
Gambar 15. Simbol ZENER........................................................................................................... xviii
Gambar 16. Simbol FWB ............................................................................................................... xviii
Gambar 17. Simbol LED ................................................................................................................ xviii
Gambar 18. Simbol BJT_NPN ..........................................................................................................xix
Gambar 19. Multimeter .....................................................................................................................xix
Gambar 20. Oscilloscope ..................................................................................................................xix
Gambar 21. Power Supply ................................................................................................................. xx
Gambar 22. (a) Multimeter Analog (b) Multimeter Digital ............................................................... xx
Gambar 23. Oscilloscope ..................................................................................................................xxi
Gambar 24. Function Generator ........................................................................................................xxi
Gambar 25. Transformator CT ..........................................................................................................xxi
Gambar 26. (a) Resistor Karbon (b) Resistor Keramik ................................................................... xxii
Gambar 27. (a) Kapasitor Polar (b) Kapasitor Non-Polar .............................................................. xxiii
Gambar 28. Cara Pembacaan Kapasitor ......................................................................................... xxiii
Gambar 29. Potensiometer ..............................................................................................................xxiv
Gambar 30. Dioda ............................................................................................................................ xxv
Gambar 31. Dioda Zener .................................................................................................................. xxv
Gambar 32. Dioda Bridge ................................................................................................................ xxv
v
Gambar 33. (a) LED (b) Menentukan Kaki LED............................................................................. xxv
Gambar 34. (a) Transistor BC107 (b) Transistor D313 ..................................................................xxvi
Gambar 35. Kondisi Dioda (a) Forward Bias (b) Reverse Bias ........................................................... 1
Gambar 36. Karakteristik V-I Dioda Silikon dan Germanium (Forward Bias) ................................... 2
Gambar 37. Rangkaian Dasar Dioda Zener ......................................................................................... 3
Gambar 38. Karakteristik Dioda Zener ................................................................................................ 3
Gambar 39. Percobaan Tegangan Catu Arah Maju .............................................................................. 5
Gambar 40. Percobaan Tegangan Catu Arah Mundur ......................................................................... 6
Gambar 41. Percobaan Karakteristik Dioda Zener .............................................................................. 7
Gambar 42. Percobaan Pembebanan Dioda Zener ............................................................................... 8
Gambar 43. Rangkaian Dioda (a) Penyearah Setengah Gelombang Ideal (b) Putaran Setengah
Positif (c) Putaran Setengah Negatif .................................................................................................. 11
Gambar 44. Bentuk Keluaran Setengah Gelombang Rectifier .......................................................... 12
Gambar 45. Rectifier Gelombang Penuh ........................................................................................... 12
Gambar 46. Bentuk Keluaran Rectifier Gelombang Penuh ............................................................... 13
Gambar 47. Rectifier Jembatan .......................................................................................................... 13
Gambar 48. Bentuk Keluaran Rectifier Jembatan .............................................................................. 14
Gambar 49. Percobaan Rectifier Setengah Gelombang ..................................................................... 15
Gambar 50. Rangkaian Percobaan Rectifier Gelombang Penuh........................................................ 16
Gambar 51. Percobaan Rectifier Jembatan ........................................................................................ 17
Gambar 52. Struktur Transistor (a) NPN (b) PNP ............................................................................. 19
Gambar 53. Pemanjaran Transistor NPN ........................................................................................... 20
Gambar 54. Rangkaian Pengganti Transistor NPN ............................................................................ 20
Gambar 55. Rangkaian Dasar Transistor ........................................................................................... 21
Gambar 56. Kurva Karakteristik V-I Transistor ................................................................................ 21
Gambar 57. Transistor Sebagai Saklar ............................................................................................... 22
Gambar 58. Percobaan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor ...................................................... 25
Gambar 59. Percobaan Karakteristirk Penguat Arus Transistor ........................................................ 26
Gambar 60. Percobaan Arus Bocor dan Transistor Jenuh ................................................................. 27
Gambar 61. Karakteristik Output ....................................................................................................... 30
Gambar 62. Karakteristik Input .......................................................................................................... 31
Gambar 63. Garis Beban DC.............................................................................................................. 31
Gambar 64. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor ........................................................................ 32
Gambar 65. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor ...................................................................... 33
Gambar 66 Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor .................................................... 34
vi
Gambar 67. Percobaan Pengukuran VBE ............................................................................................ 34
Gambar 68. Percobaan Pengukuran VCE Jenuh .................................................................................. 35
Gambar 69. Rangkaian Dasar Emitor Bersama ................................................................................. 39
Gambar 70. Rangkaian Dasar Basis Bersama .................................................................................... 40
Gambar 71. Rangkaian Dasar Kolektor Bersama .............................................................................. 41
Gambar 72. Simbol Dioda Ekivalen dari Transistor .......................................................................... 42
Gambar 73. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama .................................................. 43
Gambar 74. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama .................................................... 44
Gambar 75. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama. .............................................. 45
Gambar 76. Kapasitor (a) Coupling (b) Bypass ................................................................................. 47
Gambar 77. Percobaan Single Stage Transistor Amplifier ................................................................ 49
vii
DAFTAR TABEL
Tabel 1. Cara Pembacaan Kode Resistor Karbon dan Metal Film .................................................. xxii
Tabel 2. Kode Resistor .................................................................................................................... xxii
Tabel 3. Kode Tegangan Maksimal Kapasitor ................................................................................xxiv
Tabel 4. Kode Toleransi Kapasitor .................................................................................................xxiv
Tabel 5. Hubungan Junction Transistor ............................................................................................. 23
Tabel 6. Karakteristik Rangkaian Dasar Penguat Transistor ............................................................. 38
viii
STRUKTURAL LABORATORIUM
SEMESTER GANJIL 2023/2024
Kepala Laboratorium
Instruktur Laboratorium
• Andi Junaidi, S.T., M.T.

• Destina Surya Lestari, S.T., M.T.
• Ginas Alvianingsih, S.T., M.T.
• Muh Nur Qosim, S.T., M.T.
• Sofitri Rahayu, S.Pd., M.Eng.
Asisten Laboratorium
• Abdurrahman Kinky • Komang Arya Diva Pratama

• Afrida Aulia Rahma Hanum • M Syaifullah Al Jufri
• Aldaffi Akbar • Nadira Putri Aradea
• Alfikra Hamda Amanullah R • Nur Khofifa Sahira
• Angeline Chossy Bektiane P • Nur Rizki Amalia Putri
• Arsyad Faiq Al Isna • Tio Ardyansyah Putra
• Davina Salmah An’nafri • Ridho Hamzah Sagala
• Diana Puspita Aprilianti • Ridho Iqbal Firdaus
• Farhandi Prayuda • Rieke Wahyuning Pitaloka
• Fitriani • Rinaldi
• Indah Alfince Dianto • Ulfiyah Putri
• Irfan Kamil • Vito Daffa Nayottama
• Irsyad Akbar • Zhafira Hanifa
• Kaka Ericson
• ix
TATA TERTIB PELAKSANAAN PRAKTIKUM
1. Praktikan WAJIB menginstall aplikasi NI MULTISIM pada PC atau Laptop masing-masing.

2. Praktikan WAJIB mempelajari video tutorial pembelajaran modul yang tersedia pada Channel
Youtube Laboratorium Rangkaian Listrik dan Elektronika sebelum praktikum modul tersebut
dilaksanakan (Video setiap modul akan diunggah paling lambat 1 minggu sebelum praktikum
modul tersebut dilaksanakan).
3. Praktikum dilaksanakan melalui MICROSOFT TEAMS.
4. Praktikan WAJIB standby 15 menit sebelum jadwal praktikum dimulai.
5. Absensi praktikum akan diambil dari :
• Pengumpulan Tugas Rumah masing-masing praktikan.
• Komentar pada video tutorial modul yang akan di praktikumkan dengan format :
NAMA_NIM_KELAS
6. Tugas Rumah dikerjakan secara individu pada Lembar Kerja A4 dengan margin sesuai ketentuan
(Sama seperti margin Laporan Praktikum) menggunakan tinta BIRU (TULIS TANGAN). Tugas
Rumah di scan dan dikumpulkan dalam format PDF.
7. Pengumpulan Tugas Rumah diberi jangka waktu selama 24 JAM sebelum praktikum dimulai,
pengumpulan diluar jangka waktu tersebut TIDAK DITERIMA DENGAN ALASAN
APAPUN.
8. Sebelum praktikum dimulai akan dilaksanakan TES KEMAMPUAN terlebih dahulu selama 10
MENIT.
9. Pelaksanaan Praktikum dibagi menjadi 2 sesi :
• Sesi 1 : Penjelasan Teori Modul yang dipraktikumkan.
• Sesi 2 : Diskusi Rangkaian dan Pengambilan Data.
10. Sesi 1 akan dilaksanakan setelah pelaksanaan Tes Kemampuan kepada seluruh praktikan dengan
jangka waktu paling lama 30 Menit.
11. Sesi 2 akan dilaksanakan terpisah antara praktikan dengan asisten masing-masing dengan jangka
waktu kurang lebih selama 1 jam. Sesi 2 dibagi menjadi 2 Shift (Shift 1 Kelompok Awal dan Shift
2 Kelompok Setelahnya).
12. Pengumpulan Laporan Praktikum paling lambat H+3 setelah praktikum terakhir dilaksanakan,
untuk setiap keterlambatan dalam jangka waktu 24 Jam akan mendapatkan pengurangan nilai
sebesar 1/7 dari nilai laporan total.
13. Setiap kecurangan yang ditemukan pada Laporan Praktikum akan ditindak melalui pengurangan
nilai laporan tersebut.
x
14. Presentasi akan dilaksanakan H+3 setelah praktikum terakhir dengan syarat mengumpulkan
laporan terlebih dahulu.
15. Praktikan WAJIB melakukan Presentasi Pemodelan Elektronika sesuai dengan syarat-syarat
yang telah ditentukan.
16. Presentasi Pemodelan akan dilaksanakan setelah seluruh pelaksanaan praktikum selesai.
17. Format Penilaian Praktikum Rangkaian Listrik :
• Keaktifan : 20%
• Tes Kemampuan : 10%
• Tugas Rumah : 10%
• Jurnal : 10%
• Laporan Praktikum : 25%
• Presentasi : 25%
18. Untuk informasi terkait pelaksanaan praktikum (Termasuk perubahan jadwal) akan
diinformasikan melalui akun Instagram Laboratorium Dasar Teknik Elektro.
19. Untuk urusan atau masalah lebih lanjut terkait pelaksanaan praktikum dapat menghubungi
Koordinator Asisten yang bersangkutan.
Contact Person ( WA ) : +62 878-7773-2501 ( Irsyad Akbar )
Akun Media Sosial Laborarium :

Instagram : labdte_fket.itpln
Youtube : LAB Dasar Teknik Elektro
Kepala Laboratorium Dasar Teknik Elektro
( )
xi
FORMAT PENULISAN LAPORAN PRAKTIKUM
1. Laporan dikerjakan secara INDIVIDU dan DIKETIK SELURUHNYA.

2. Laporan dikumpulkan dalam format PDF.
3. Format Teks Laporan :
• Font : Times New Roman
• Font Size : 12
• Line Spacing : 1.5
• Alignment : Justify
4. Margin Cover dan Lembar Kerja Laporan :

• Atas : 2 cm
• Bawah : 2 cm
• Kiri : 2 cm
• Kanan : 1.5 cm
5. Susunan Laporan :
1) Cover
2) Judul
3) Tujuan Dalam 1 Lembar yang Sama
4) Alat dan Perlengkapan
5) Teori Modul
6) Teori Tambahan (Min. 2 Lembar)
7) Langkah Percobaan
8) Data Pengamatan
9) Tugas Akhir
10) Analisa (Min. 2 Lembar per Individu)
11) Kesimpulan
xii
CONTOH COVER
LAPORAN PRAKTIKUM
CONTOH LEMBAR KERJA

LAPORAN PRAKTIKUM
xiii
CONTOH COVER
TUGAS RUMAH
CONTOH LEMBAR KERJA

TUGAS RUMAH
xiv
PENGENALAN NI MULTISIM
NI Multisim merupakan sebuah Perangkat Lunak (Software) yang digunakan untuk

memodelkan sebuah rangkaian listrik baik analog maupun digital serta mensimulasikannya. NI
Multisim dapat melakukan berbagai macam simulasi, mulai dari pengukuran arus dan tegangan,
menampilkan gelombang, transien, dll. Pada Software NI Multisim juga terdapat berbagai fitur seperti
komponen dan instrumen. Beberapa dari fitur tersebut akan dijelaskan di bawah ini.
1. Komponen NI Multisim
Pada Software NI Multisim, terdapat banyak jenis komponen-komponen listrik baik analog
maupun digital. Berikut penjelasan beberapa macam komponen yang digunakan pada Praktikum
Rangkaian Listrik.
a. Sources
Sources berisikan komponen-komponen berupa sumber dan ground baik analog
maupun digital.
1) DC_POWER
Berfungsi untuk menyuplai Tegangan DC pada rangkaian. Besarnya tegangan dapat
diatur saat simulasi dalam keadaan Stop.
Gambar 1. Simbol DC_POWER

2) DC_INTERACTIVE_VOLTAGE
Berfungsi untuk menyuplai Tegangan DC pada rangkaian. Besarnya tegangan dapat
diatur saat simulasi dalam keadaan Run sesuai dengan skala perubahan tegangan yang
telah ditentukan sebelumnya.
Gambar 2. Simbol DC_INTERACTIVE_VOLTAGE

3) DC_CURRENT
Berfungsi untuk menyuplai Arus DC pada rangkaian. Besarnya arus dapat diatur saat
simulasi dalam keadaan Stop.
Gambar 3. Simbol DC_CURRENT
xv
4) DC_INTERACTIVE_CURRENT
Berfungsi untuk menyuplai Arus DC pada rangkaian. Besarnya arus dapat diatur saat
simulasi dalam keadaan Run sesuai dengan skala perubahan arus yang telah ditentukan
sebelumnya.
Gambar 4. Simbol DC_INTERACTIVE_CURRENT

5) AC_VOLTAGE dan AC_POWER
Berfungsi untuk menyuplai Tegangan AC pada rangkaian. Besarnya tegangan dapat
diatur saat simulasi dalam keadaan Stop. Pada AC_VOLTAGE yang diatur adalah
Tegangan Puncak (Vpeak) sedangkan pada AC_POWER yang diatur adalah Tegangan
RMS (Vrms).
Gambar 5. Simbol AC_VOLTAGE dan AC_POWER

6) GROUND
Berfungsi sebagai pengaman pada rangkaian. Pada software NI Multisim, rangkaian
tidak akan dapat disimulasikan apabila tidak terhubung dengan GROUND.
Gambar 6. Simbol GROUND

b. Basic
Basic berisikan komponen-komponen aktif seperti resistor, induktor dan lain-lain.
1) RESISTOR
Berfungsi sebagai penghambat arus listrik. Nilai resistansinya dapat diatur saat
simulasi dalam keadaan Stop.
Gambar 7. Simbol RESISTOR

2) VARIABLE_RESISTOR
simulasi dalam keadaan Run sesuai dengan skala perubahan resistansi yang telah
ditentukan sebelumnya.
xvi
Gambar 8. Simbol VARIABLE_RESISTOR
3) POTENTIOMETER
simulasi dalam keadaan Run sesuai dengan skala perubahan resistansi yang telah
ditentukan sebelumnya.
Gambar 9. Simbol POTENTIOMETER

4) CAPACITOR
Berfungsi menyimpan energi dalam bentuk muatan listrik. Nilai kapasitansinya dapat
diatur saat simulasi dalam keadaan Stop.
Gambar 10. Simbol CAPACITOR

5) 1P2S_TAP_TMODEL
Merupakan Transformator Center Tap yang berfungsi untuk membagi tegangan pada
sisi sekunder Transformator. Perbandingan lilitannya dapat diatur melalu Edit Model.
Gambar 11. Simbol 1P2S_TAP_TMODEL

6) SPST
SPST atau Single Pole Single Throw merupakan saklar yang memiliki satu kutub
dan satu arah.
Gambar 12. Simbol SPST

7) SPDT
SPDT atau Single Pole Double Throw merupakan saklar yang memiliki satu kutub
dan dua arah.
xvii
Gambar 13. Simbol SPDT
c. Diodes
1) DIODE
Berfungsi sebagai penyearah karena hanya dapat mengalirkan arus ke satu arah.
Karakteristik dari DIODE tergantung pada kodenya (Dapat dilihat pada Datasheet).
Gambar 14. Simbol DIODE

2) ZENER
Berfungsi sebagai penstabil tegangan. Karakteristik ZENER tergantung pada kodenya
(Dapat dilihat pada Datasheet).
Gambar 15. Simbol ZENER

3) FWB
FWB atau Full-Wave Bridge berfungsi sebagai penyearah gelombang penuh.
Karakteristik FWB tergantung pada kodenya (Dapat dilihat pada Datasheet).
Gambar 16. Simbol FWB

4) LED
LED atau Light Emitting Diode berfungsi memancarkan cahaya apabila diberi arus
listrik.
Gambar 17. Simbol LED

d. Transistors
1) BJT_NPN
Merupakan Transistor Bipolar jenis NPN berfungsi sebagai penguat dan saklar.
Karakteristik BJT_NPN tergantung pada kodenya (Dapat dilihat pada Datasheet).
xviii
Gambar 18. Simbol BJT_NPN
2. Instrumen NI Multisim
Pada Software NI Multisim, terdapat banyak jenis instrument-instrumen listrik seperti alat
ukur dan alat kendali. Berikut penjelasan beberapa macam instrument yang digunakan pada
Praktikum Rangkaian Listrik.
a. Multimeter
Digunakan untuk mengukur arus dan tegangan DC ataupun AC (Pada AC mengukur
nilai RMS), tahanan (Ω) dan frekuensi (dB).
Gambar 19. Multimeter

b. Oscilloscope
Digunakan untuk menampilkan gelombang dari arus ataupun tegangan. Dapat
digunakan untuk mengukur nilai puncak (Peak) dan beda fasa.
Gambar 20. Oscilloscope
xix
PENGENALAN ALAT DAN KOMPONEN LABORATORIUM
1. Alat
a. Power Supply
Berfungsi untuk menyuplai tegangan DC pada rangkaian. Power Supply mendapat
input dari Tegangan PLN 220 Vrms yang kemudian diturunkan tegangannya (Menggunakan
Transformator Step-Down) lalu disearahkan untuk menghasilkan output Tegangan DC. Batas
Maksimal tegangan yang disuplai oleh Power Supply adalah 30 V.
Gambar 21. Power Supply
b. Multimeter
Berfungsi untuk mengukur besaran-besaran listrik seperti Arus, Tegangan, Resistansi
dan lain-lain. Multimeter ada 2 jenis, yaitu Multimeter Analog dan Multimeter Digital. Pada
Multimeter Analog, pembacaan hasil ukur harus memperhatikan skala pada multimeter. Pada
pengukuran arus atau tegangan AC, nilai yang terukur merupakan nilai efektif (RMS).
(a) (b)
Gambar 22. (a) Multimeter Analog (b) Multimeter Digital
xx
c. Oscilloscope
Berfungsi untuk menampilkan gelombang listrik (Arus atau Tegangan). Oscilloscpe
juga dapat digunakan sebagai alat ukur seperti Multimeter, tetapi Oscilloscope tidak hanya
mengukur nilai RMS juga dapat mengukur nilai-nilai lain seperti nilai puncak (Peak) dan
puncak ke puncak (Peak to Peak).
Gambar 23. Oscilloscope

d. Function Generator
Berfungsi untuk menyuplai sinyal AC pada rangkaian, baik AC Sinusoidal, AC
Triangular ataupun AC Square. Kabel Function Generator terdiri dari 1 buah Kabel Fasa dan
1 buah Kabel Ground.
Gambar 24. Function Generator
e. Transformator CT
Transformator CT atau Center Tap merupakan jenis transfornator yang membagi
tegangan keluarannya. Trafo CT memiliki 3 kabel pada keluarannya, yaitu 2 kabel fasa dan 1
kabel ground di tengah. Trafo CT dipasangkan pada penyearah gelombang penuh.
Gambar 25. Transformator CT
xxi
2. Komponen
a. Resistor
Berfungsi sebagai penghambat arus listrik.
(a) (b)
Gambar 26. (a) Resistor Karbon (b) Resistor Keramik
Tabel 1. Cara Pembacaan Kode Resistor Karbon dan Metal Film

Gelang Ke - 4 Gelang 5 Gelang 6 Gelang
1 Digit Pertama Digit Pertama Digit Pertama
2 Digit Kedua Digit Kedua Digit Kedua
3 Faktor Pengali Digit Ketiga Digit Ketiga
4 Toleransi Faktor Pengali Faktor Pengali
5 Toleransi Toleransi
6 Koefisien Suhu
*Awal pembacaan gelang yang paling rapat.
Cara pembacaan kode Resistor Keramik :

• Angka paling awal (diikuti huruf W) sebagai Parameter Daya.
• Angka di tengah sebagai nilai resistansi (diikuti simbol Ω), jika diikuti huruf maka :
R :x1Ω
K : x 103 Ω
M : x 106 Ω
• Huruf terakhir sebagai toleransi.
Tabel 2. Kode Resistor

Warna Angka Digit Faktor Pengali Toleransi Koefisien Suhu
Hitam 0 x1
Coklat 1 x 10 ± 1% (F) 100 ppm
Merah 2 x 102 ± 2% (G) 50 ppm
Jingga 3 x 103 15 ppm
Kuning 4 x 104 25 ppm
Hijau 5 x 105 ± 0.5% (D)
Biru 6 x 106 ± 0.25% (C)
Ungu 7 x 107 ± 0.1% (B)
Abu-abu 8 x 108 ± 0.05% (A)
Putih 9 x 109
Emas x 0.1 ± 5% (J)
Perak x 0.01 ± 10% (K)
Tak Berwarna ± 20% (M)
xxii
b. Kapasitor
Berfungsi menyimpan energi dalam bentuk muatan listrik.
(a) (b)
Gambar 27. (a) Kapasitor Polar (b) Kapasitor Non-Polar
Cara pembacaan kode Kapasitor Elektrolit (Polar) :

• Angka dengan satuan Farad (F, µF, nF, dll) sebagai kapasitansi.
• Angka dengan satuan Volt (V) sebagai nilai tegangan maksimal.
Cara pembacaan kode Kapasitor Keramik (Non-Polar) :

• Kode yang terdiri dari angka dan huruf sebagai kode tegangan maksimal (terletak paling
atas).
• Kode yang terdiri dari angka sebagai kapasitansi (Angka terakhir sebagai faktor pengali).
(Dalam satuan pF)
Contoh :
104 = 10 x 104 pF
= 100000 pF
= 0.1 µF
• Kode yang terdiri dari huruf sebagai kode toleransi (terletak paling bawah atau dibelakang
kode kapasitansi).
Gambar 28. Cara Pembacaan Kapasitor
xxiii
Tabel 3. Kode Tegangan Maksimal Kapasitor
Kode Tegangan Maksimal
1H 50 V
2A 100 V
2T 150 V
2D 200 V
2E 250 V
2G 400 V
2J 630 V
Tabel 4. Kode Toleransi Kapasitor

Kode Tegangan Maksimal
B ± 0.1 pF
C ± 0.25 pF
D ± 0.5 pF
F ±1%
G ±2%
H ±3%
J ±5%
K ± 10 %
M ± 20 %
Z + 80 % - 20%
c. Potensiometer
Merupakan jenis resistor dimana nilai resistansinya dapat diatur dengan cara memutar
knobnya.
Gambar 29. Potensiometer

d. Dioda
Berfungsi sebagai penyearah. Cara menentukan kaki dioda yaitu dengan mengamati
gelang berwarna putih, kaki yang terdapat gelang putih adalah Katoda.
xxiv
Gambar 30. Dioda
e. Dioda Zener
Berfungsi sebagai penstabil tegangan. Cara menentukan kaki dioda zener yaitu dengan
mengamati gelang berwarna hitam, kaki yang terdapat gelang hitam adalah Katoda.
Gambar 31. Dioda Zener

f. Dioda Bridge
Merupakan 4 buah dioda yang dirancang sedemikian rupa yang berfungsi sebagai
penyearah gelombang penuh. Kaki yang memiliki tanda (+) dan (-) merupakan kaki keluaran
(Arus DC) dan kaki yang tidak memiliki tanda atau tertulis AC merupakan kaki masukan
(Arus AC).
Gambar 32. Dioda Bridge

g. LED (Ligth Emitting Diode)
Berfungsi memancarkan cahaya apabila diberi arus listrik. Kaki Anoda adalah kaki
yang lebih panjang atau bagian dalamnya (Mirip bendera) lebih kecil. Kaki Katoda adalah
kaki yang lebih pendek atau bagian dalamnya lebih besar.
(a) (b)
Gambar 33. (a) LED (b) Menentukan Kaki LED
xxv
h. Transistor NPN
Berfungsi sebagai penguat dan saklar. Cara menentukan kakinya dapat dengan
menggunakan multimeter atau melihat pada Datasheet.
(a) (b)
Gambar 34. (a) Transistor BC107 (b) Transistor D313
xxvi
MODUL I
KARAKTERISTIK DIODA
1.1. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik Tegangan-Arus dioda.
2. Mengetahui prinsip kerja dari dioda.
3. Mempelajari karakteristik keluaran rangkaian dioda zener.
1.2. TEORI MODUL

1.2.1. Cara Kerja Dioda
Dioda mempunyai dua buah elektroda, yaitu yang disebut dengan Anoda (disingkat
atau diberi notasi A) dan Katoda (disingkat atau diberi notasi K). Dioda disebut juga sebagai
penyearah karena hanya bisa menghantarkan arus dalam satu arah saja. Bila dioda diberi
Tegangan Arah Maju (forward bias) maka arus akan mengalir seperti pada Gambar 35 (a),
sedangkan bila diberi Tegangan Arah Mundur (reverse bias) maka arus tidak akan dapat
mengalir seperti Gambar 35 (b).
(a) (b)
Gambar 35. Kondisi Dioda (a) Forward Bias (b) Reverse Bias
Pada kondisi reverse bias mungkin saja ada arus sangat kecil yang mengalir yang
disebut arus bocor. Sehingga bila tegangan anoda adalah nol terhadap katoda, maka anoda
tidak menarik elektron dari katoda. Sebenarnya ada beberapa elektron berkecepatan tinggi
yang bisa mencapai anoda (sehingga terjadi aliran arus yang meskipun sangat kecil). Namun
karena sangat kecilnya arus yang terjadi, pada umumnya amperemeter tidak dapat mendeteksi
adanya arus tersebut. Bila tegangan anoda negatif terhadap katoda (dioda diberi tegangan
reverse), maka akan timbul medan listrik yang arahnya menolak elektron. Dengan demikian
tidak terjadi aliran listrik. Bila tegangan anoda positif terhadap katoda (dioda diberi tegangan
arah maju), maka timbul medan listrik yang arahnya menarik elektron sehingga dioda
menghantarkan elektron dari katoda ke anoda, atau dengan kata lain menghantarkan arus dari
anoda ke katoda.
1
1.2.2. Karakteristik Dioda
Karakteristik Dioda adalah grafik yang menunjukkan hubungan antara arus dan
tegangan dioda (karakteristik V-I). Dioda dapat dianggap sebagai tahanan satu arah, yaitu
bernilai sangat besar bila mendapat tegangan reverse dan bernilai sangat kecil bila mendapat
tegangan arah maju. Perhatikan Gambar 36 di bawah ini, pada tegangan di bawah 0.6 Volt
arus naik perlahan-lahan (pertambahannya hanya sedikit demi sedikit). Mulai dari tegangan
0.6 Volt arus naik dengan cepat. Tegangan dimana arus mulai naik dengan cepat tersebut
dinamakan tegangan “cut-in” atau potensial perintang. Pada dioda germanium, tegangan ini
bernilai sekitar 0.2 - 0.3 Volt.
Gambar 36. Karakteristik V-I Dioda Silikon dan Germanium (Forward Bias)
Pada setiap titik pada kurva tersebut tetap berlaku Hukum Ohm :
V
RD =
I
Ket :
RD = Resistansi Dioda (Ω)
V = Tegangan Listrik (Volt)
I = Arus Listrik (Ampere)
Nilai RD tidak memiliki nilai yang tetap, tergantung dari titik kerja dioda (tegangan
dan arus dioda pada saat itu).
1.2.3. Dioda Zener

Dioda Zener adalah komponen elektronika yang terbuat dari semikonduktor dan
merupakan jenis dari dioda yang dirancang khusus untuk dapat beroperasi pada reverse bias.
Pada saat dipasanag pada rangkaian forward bias (bias maju), dioda zener akan memiliki
karakteristik dan fungsi sebagaimana dioda normal pada umumnya.
Pada dasarnya, dioda Zener akan menyalurkan arus listrik yang mengalir kea rah yang
berlawanan jika tegangan yang diberikan melampaui batas “Breakdown Voltage” atau
2
tegangan tembus dioda zener nya. Karakteristik ini berbeda dengan dioda biasa yang hanya
dapat menyalurkan arus listrik ke satu arah. Tegangan tembus (breakdown voltage) ini disebut
juga dengan tegangan zener.
Untuk lebih jelas mengenai dioda zener, dapat dilihat rangkaian dasar dioda zener di
bawah ini :
Gambar 37. Rangkaian Dasar Dioda Zener
Dalam rangkaian di atas, dioda zener dipasang dengan prinsip bias balik (reverse
bias). Rangkaian tersebut merupakan cara umum dalam pemasangan dioda zener. Dalam
rangkaian tersebut, tegangan input (masuk) yang diberikan adalah 12 Volt tetapi multimeter
menunjukkan tegangan yang melewati dioda zener adalah 2.8 Volt. Ini artinya tegangan akan
turun saat melewati dioda zener yang dipasang secara bias balik (reverse bias). Sedangkan
fungsi resistor dalam rangkaian tersebut adalah untuk pembatas arus listrik.
Dioda zener bekerja pada daerah reverse bias. Karakteristik V-I adalah seperti Gambar
38 di bawah ini :
Gambar 38. Karakteristik Dioda Zener
3
1.3. TUGAS RUMAH
1. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor?
2. Gambarkan pita-pita Energi dalam semikonduktor!
3. Apa yang dimaksud dengan dioda? Sebutkan macam-macam dioda dan gambarkan
simbolnya!
4. Jelaskan cara kerja dioda!
5. Jelaskan prinsip kerja dioda zener!
4
1.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. 1 Unit PC.
2. Software NI Multisim.
1.5. LANGKAH PERCOBAAN

1.5.1. Tegangan Catu Arah Maju
1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.
Gambar 39. Percobaan Tegangan Catu Arah Maju
2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 1 V
Minimum Value : 0 V
Increment : 10%
3. Jalankan simulasi dengan menekan tombol Run atau F5.
4. Atur Tegangan Sumber (Vs) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider
ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 39 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Tegangan Sumber
(Vs) dan catat pada Data Pengamatan.
6. Hentikan simulasi dengan menekan tombol Stop.
5
1.5.2. Tegangan Catu Arah Mundur
Gambar 40. Percobaan Tegangan Catu Arah Mundur

Maximum Value : 1 V
Minimum Value : 0 V
Increment : 10%
5. Amati nilai arus yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Tegangan Sumber
(Vs) dan catat pada Data Pengamatan.
6
1.5.3. Karakteristik V-I Dioda Zener
Gambar 41. Percobaan Karakteristik Dioda Zener

Maximum Value : 20 V
Minimum Value : 0 V
Increment : 10%
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai
Tegangan Sumber (Vs) dan catat pada Data Pengamatan.
7
1.5.4. Pembebanan Dioda Zener
Gambar 42. Percobaan Pembebanan Dioda Zener
2. Atur VARIABLE_RESISTOR seperti pada berikut ini.

Resistance : 2 kΩ
Increment : 20%
7. Atur Resistansi Beban (R2) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider
4. Amati nilai arus yang terukur pada Multimeter A1 dan A2 untuk setiap nilai Resistansi
Beban (R2) dan catat pada Data Pengamatan.
5. Catat kedua nilai arus tersebut pada Data Pengamatan.
8
1.6. DATA PENGAMATAN
1.6.1. Tegangan Catu Arah Maju
VS (Volt) I
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1.6.2. Tegangan Catu Arah Mundur

VS (Volt) I (nA)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
1.6.3. Karakteristik V-I Dioda Zener

VS (Volt) VZener (Volt) I
2
4
6
8
10
12
14
16
9
1.6.4. Pembebanan Dioda Zener
VS = 5 V
R2 (%) I1 (mA) I2 (mA)
0
20
40
60
80
100
1.7. TUGAS AKHIR

1. Berdasarkan percobaan 1.5.1 yang telah dilakukan, buatlah kurva karakteristik dioda yang
anda amati!
2. Berdasarkan percobaan 1.5.2 yang telah dilakukan, buatlah kurva karakteristik dioda yang
anda amati!
3. Buatlah kurva karakteristik V-I dioda zener pada percobaan 1.5.3!
4. Berapakah tegangan ambang (Vcut-in) dari dioda yang anda amati?
5. Mengapa arus tidak mengalir pada waktu dioda mendapatkan tegangan terbalik? Jelaskan
dengan gambar depletion layer!
6. Pada percobaan 1.5.4 mengapa nilai arus I1 sama dengan nilai arus I2?
10
MODUL II
DIODA PENYEARAH
2.1. TUJUAN
1. Memahami fungsi aplikasi dari dioda penyearah.
2. Mampu menganalisa rangkaian dioda penyearah setengah gelombang.
3. Mampu menganalisa rangkaian dioda penyearah gelombang penuh.
2.2. TEORI MODUL

Salah satu aplikasi dari dioda adalah dioda sebagai penyearah. Penyearah adalah
peristiwa pengubahan tegangan bolak-balik menjadi tegangan searah. Rangkaian dioda
sebagai penyearah juga terdiri atas beberapa model, yaitu Penyearah Setengah Gelombang,
Penyearah Gelombang Penuh dengan Dua Dioda dan Penyearah Gelombang Penuh dengan
Sistem Jembatan.
2.2.1. Rectifier Setengah Gelombang
(a) (b) (c)

Gambar 43. Rangkaian Dioda (a) Penyearah Setengah Gelombang Ideal (b) Putaran
Setengah Positif (c) Putaran Setengah Negatif
Gambar 43 (a) menunjukkan rangkaian penyearah setengah gelombang. Sumber AC

menghasilkan sebuah tegangan sinudoidal. Diasumsikan sebuah dioda ideal, putaran setengah
positif tegangan sumber dioda akan bias maju. Saat saklar ditutup, seperti yang ditunjukkan
pada Gambar 43 (b), tegangan sumber putaran setengah positif akan muncul melalui resistor
beban. Pada putaran setengah negatif, dioda merupakan bias balik. Dalam hal ini, dioda ideal
akan terlihat sebagai sebuah saklar terbuka seperti ditunjukkan pada Gambar 43 (c) dan tidak
ada tegangan yang muncul pada resistor beban.
11
Gambar 44. Bentuk Keluaran Setengah Gelombang Rectifier
Misalkan tegangan sinusoidal yang diberikan adalah :

𝑣(t) = Vm sin ωt
Ket :
Vm = Tegangan Maksimum (Volt)
𝑉𝑚
Veff = Tegangan Efektif =
√2
Maka tegangan searah setengah gelombang adalah :

Vm
Vdc =
π
Dan arus searah adalah :
Vdc
Idc =
R
2.2.2. Rectifier Gelombang Penuh

Rectifier gelombang penuh membalikkan masing-masing putaran setengah negatif
sehingga mendapatkan jumlah dua kali putaran setengah positif.
Gambar 45. Rectifier Gelombang Penuh
Gambar 45 menunjukkan sebuah rangkaian rectifier gelombang penuh. Rectifier

gelombang penuh sama dengan dua kali rectifier setengah gelombang. Sebab center tap,
masing-masing rectifier mempunyai sebuah tegangan masukan yang sama dengan setengah
tegangan sekunder. Dioda D1 menghatar ke putaran setengah positif dan dioda D2 menghantar
ke putaran setengah negatif. Sebagai hasilnya, arus beban rectifier mengalir selama setengah
12
putaran bersama sama. Rectifier gelombang penuh sama dengan dua kali bolak-balik pada
rectifier setengah gelombang.
Gambar 46. Bentuk Keluaran Rectifier Gelombang Penuh
Tegangan maksimum pada rectifier gelombang penuh adalah :

𝑉𝑝 = 0.5 Vm
Maka tegangan searah adalah :
Vp
Vdc = 2
π
Vdc
Idc =
R
2.2.3. Rectifier Jembatan

Rectifier Jembatan menyerupai rectifier gelombang penuh sebab dapat memproduksi
tegangan keluaran gelombang penuh.
Gambar 47. Rectifier Jembatan
Gambar 47 menunjukkan sebuah rangkaian rectifier jembatan. Dioda D1 dan D2

menghantar di atas setengah putaran positif dan D3 dan D4 menghantar di atas setengah
putaran negatif. Sebagai hasilnya arus beban rectifier mengalir selama di antara setengah
putaran.
13
Gambar 48. Bentuk Keluaran Rectifier Jembatan
Tegangan maksimum pada rectifier gelombang penuh adalah :

Vp = Vm
Maka tegangan searah adalah :
Vp
Vdc = 2
π
Vdc
Idc =
R
2.3. TUGAS RUMAH

1. Apa yang dimaksud dengan dioda sebagai penyearah?
2. Gambarkan gelombang masukan dan keluaran pada rangkaian rectifier setengah
gelombang!
3. Gambarkan gelombang masukan dan keluaran pada rangkaian rectifier gelombang penuh
dan rectifier jembatan!
4. Jelaskan prinsip kerja transformator CT!
5. Jelaskan prinsip kerja rectifier jembatan!
14
1. 1 Unit PC.

Gambar 49. Percobaan Rectifier Setengah Gelombang

3. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catat pada Data
Pengamatan.
5. Pasang Osiloskop pada rangkaian. Hubungkan Channel A Osiloskop pada Sumber (Vs)
dan Channel B Osiloskop pada Beban (R).
6. Berikan warna berbeda antara kabel Channel A dan kabel Channel B untuk mempermudah
dalam mengamati gelombang.
8. Buka Osiloskop dengan melakukan klik 2 kali. Atur Trigger Osiloskop pada Single untuk
mempermudah dalam mengamati gelombang.
9. Atur Scale Osiloskop pada Timebase, Channel A dan Channel B hingga menunjukkan
ukuran gelombang yang dapat anda amati.
10. Amati bentuk gelombang masukan dan gelombang keluaran yang ditampilkan oleh
Osiloskop
12. Ulangi Langkah 2 - 11 untuk nilai Tegangan Sumber (Vs) yang berbeda (Lihat pada Data
Pengamatan).
15
Gambar 50. Rangkaian Percobaan Rectifier Gelombang Penuh
2. Atur rasio Transformator CT (TEMPLATE_1P2S_TAP_TMODEL) melalui menu Edit

Model seperti pada berikut ini.
• param np1 =2
• param ns1 =1
• param ns2 =1
Pengamatan.
Osiloskop
16
Pengamatan).
Gambar 51. Percobaan Rectifier Jembatan

Pengamatan.
Osiloskop
Pengamatan).
17
f = 50 Hz
VS (Vrms) Vdc Idc
2
4

f = 50 Hz
VS (Vrms) Vdc Idc
2
4

f = 50 Hz
VS (Vrms) Vdc Idc
2
4
2.7. TUGAS AKHIR

1. Pada percobaan 2.5.1 gambarkan bentuk gelombang keluaran dari percobaan tersebut!
2. Pada percobaan 2.5.1 hitunglah besarnya tegangan DC pada percobaan tersebut!
18
MODUL III
KARAKTERISTIK DAN PARAMETER TRANSISTOR
3.1. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus IC = f(VCE),
IB tetap dan karakteristik penguatan arus IC = f(IB), VCE tetap.
2. Mempelajari kejenuhan suatu transistor.
3.2. TEORI MODUL

Efek dioda dapat menjadi sangat berguna bagi sejumlah penerapan, tetapi kita dapat
berbuat lebih banyak bila kita mempunyai sepasang hubungan PN yang saling bertolak
belakang. Komponen dengan konstruksi sedemikian ini disebut dengan transistor dwi kutub
(bipolar transistor) atau biasa disebut transistor saja. Kata transistor sendiri berasal dari kata
transfer resistor. Ada dua kemungkinan kombinasi untuk sebuah transistor, yaitu bisa terdiri
dari dua buah lempeng bahan jenis N pada sisi luar dan sebuah lempeng jenis P di sisi dalam
(Gambar 52 (a)) yang disebut dengan transistor NPN. Atau kebalikannya, dua buah lempeng
bahan jenis P di sisi luar dan satu lempeng jenis N di sisi dalam (Gambar 52 (b)) disebut
dengan transistor PNP. Karena konstruksinya yang bertolak belakang, maka secara garis besar
kedua jenis transistor diatas mempunyai sifat – sifat utama yang juga bertolak belakang.
(a) (b)
Gambar 52. Struktur Transistor (a) NPN (b) PNP
3.2.1. Cara Kerja Transistor

Transistor – transistor tersebut mempunyai tiga buah kaki keluaran yang disebut
dengan emitor, basis dan kolektor.
19
Untuk selanjutnya kita pusatkan pembahasan pada transistor NPN. Untuk membuat
transistor NPN bekerja, maka kolektor diberi potensial paling positif, emitor paling negatif
dan basis terletak diantaranya. Jadi pemanjaran/pemberian tegangan yang benar untuk
transistor NPN mempunyai hubungan polaritas seperti pada Gambar 53 di bawah ini.
Gambar 53. Pemanjaran Transistor NPN
Kalau Gambar 53 kita pisahkan lagi menjadi 2 buah komponen dioda PN. Akan kita
peroleh rangkaian seperti Gambar 54 yang menunjukan arah pemanjaran bagi kolektor, basis
dan emitor.
Gambar 54. Rangkaian Pengganti Transistor NPN
Pada Gambar 54 di atas, jelas bahwa pertemuan emitor – emitor mendapat panjaran
arah maju (forward bias) yang memungkinkan terjadinya aliran arus, sedangkan pertemuan
basis – kolektor mendapat panjaran terbalik (reverse bias) yang menghambat arus. Hal ini
berarti bahwa arus bisa mengalir dari basis ke emitor (dan tidak sebaliknya), serta arus tidak
dapat mengalir dari basis ke kolektor. Hal ini dapat dijelaskan sebagai berikut :
• Pertemuan emitor – basis yang dipanjar maju. Elektron bebas pada bagian emitor akan
dipaksa oleh terminal tegangan negatif menuju ke basis. Karena material basis sangat tipis,
maka ia tidak mempunyai cukup hole untuk menampung semua elektron yang masuk.
Beberapa hole memang akan ternetralisir oleh elektron – elektron tersebut. Jadi hanya
beberapa elektron yang ditarik keluar ke terminal positif sumber tegangan.
20
• Tegangan A mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitor ke basis, yang
berarti mengatur pula aliran ke terminal positif B. Jadi tanpa adanya potensial positif pada
basis (yang lebih positif terhadap emitor) maka transistor tidak dapat menghantar arus.
Seolah – olah penjaran terhadap basis merupakan celah bagi aliran arus kolektor. Semakin
besar arus basis, maka arus kolektor akan semkain besar secara berlipat.
3.2.2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguat Arus

Perhatikan rangkaian di bawah ini (transistor dinyatakan dengan simbol)
Gambar 55. Rangkaian Dasar Transistor
Sesuai rangkaian di atas, persamaan rangkaian listriknya dapat dituliskan sebagai

berikut :
VCC = ( IC.RC ) + VCE
Atau :
VCC − VCE
IC =
RC
Ket :
VCC = Tegangan Kolektor (Volt)
IC = Arus Kolektor (Ampere)
RC = Resistansi Kolektor (Ω)
VCE = Tegangan Kolektor-Emitor (Volt)
Dari persamaan di atas dapat dilihat bahwa IC tergantung dari tegangan VCE sementara
itu VCE sendiri tergantung dari arus basis IB. Jadi untuk arus basis tertentu bisa didapatkan
kurva – kurva hubungan antara arus IC terhadap perubahan VCE (Gambar 56).
Gambar 56. Kurva Karakteristik V-I Transistor
21
IB1 < IB2 < IB3
Secara praktis, penguatan arus suatu transistor bisa dituliskan sesuai persamaan :
IC
β=
IB
Ket :
β = Penguatan Arus
IB = Arus Basis (Ampere)
Hubungan ini berlaku selama transistor dalam kondisi aktif (belum jenuh). Apabila
transistor dalam keadaan jenuh, penambahan IB tidak akan sebanding dengan penambahan IC
atau bahkan pada suatu kondisi tertentu, penambahan IB selanjutnya tidak akan menambah
besarnya IC. Untuk penguat (amplifier), transistor bekerja pada kondisi aktif (penguat).
3.2.3. Transitor Jenuh

Transistor mempunyai tiga kondisi kerja, yaitu aktif (penguat), jenuh dan cut-off.
Ketiga jenis kondisi tersebut ditentukan oleh ada tidaknya atau besar kecilnya arus basis yang
diberikan.
Pada kondisi jenuh, tegangan perlawanan VCE bernilai sangat kecil (berkisar 0 – 2
Volt). Karena itu transistor bisa digunakan sebagai saklar elektronik. Kondisi jenuh bisa
ditandai dengan perubahan kenaikan arus IC yang tidak sebanding lagi dengan penambahan
IB. Arus basis tepat jenuh adalah arus IB minimum yang diperlukan untuk membuat transistor
menjadi jenuh. Penambahan IB selanjutnya tidak terpengaruh apapun pada panas berlebih
pada pertemuan basis – emitor. Namun disamping itu, untuk perhitungan praktis, pada kondisi
tepat jenuh tersebut persamaan penguatan arus masih dapat digunakan (IC = β.IB).
Gambar 57. Transistor Sebagai Saklar
Bila saklar S ditutup, arus IB akan mengalir sehingga transistor menghantar dan lampu
akan menyala. Bila S dibuka, maka IB = 0, sehingga transistor menyumbat dan lampu menjadi
padam. Jadi dengan arus kemudi yang kecil, kita dapat mengatur arus yang lebih besar.
22
Tabel 5. Hubungan Junction Transistor
Mode Junction Emitter – Base Junction Collector – Base Function
Aktif Forward Bias Reverse Bias Normal Amplifier
Cut-Off Reverse Bias Reverse Bias Open Switch
Saturation Forward Bias Forward Bias Close Switch
Low Gain
Breakdown Reverse Bias Forward Bias
Amplifier
Keterangan :
• Aktif
Transistor bekerja sebagai penguat dan IC = β.IB. Daerah kerja transistor yang
normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstan terhadap berapapun nilai
VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.
Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linier (linear region).
• Saturation
Transistor “full-ON”, IC = Saturasi. Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt
sampai kira – kira 0.7 Volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek PN junction
kolektor – basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan
elektron sama seperti dioda.
• Cut-Off
Transistor menjadi “full – OFF”, IC = 0. Daerah dimana VCE masih cukup kecil
sehingga arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi off.
• Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC menanjak
naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini karena akan merusak transistor
tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE maksimum yang diperoleh
sebelum breakdown bervariasi. Breakdown tidak masuk dalam daerah kerja transitor
karena sudah merupakan kondisi rusak.
3.2.4. Konfigurasi Bipolar Juction Transistor

Karena bipolar transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai tiga
terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian dengan satu terminal menjadi
input dan output yang sama.
23
Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam
rangkaian :
• Common Base Configuration – mempunyai “ voltage gain’ tanpa “current gain”.
• Common Emitter Configuration – mempunyai “current dan voltage gain”.
• Common Collector Configuration – mempunyai “ current gain” tanpa “ voltage gain”.
3.3. TUGAS RUMAH

1. Apa yang dimaksud dengan transistor?
2. Sebutkan dan jelaskan masing-masing transistor!
3. Jelaskan cara kerja transistor!
4. Bagaimana cara menentukan kaki transistor?
5. Sebutkan dan jelaskan daerah kerja transistor serta gambarnya!
6. Jelaskan karakteristik transistor BC 107 & D 313!
24
1. 1 Unit PC.

3.5.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor
Gambar 58. Percobaan Karakteristik Tegangan-Arus Transistor

Minimum Value : 5 V
Increment : 20%
4. Atur Tegangan Kolektor (VCC) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser
slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 58 digunakan tombol
‘A’).
Tegangan Kolektor (VCC) dan catat pada Data Pengamatan.
25
3.5.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor
Gambar 59. Percobaan Karakteristirk Penguat Arus Transistor
2. Atur DC_INTERACTIVE_CURRENT seperti pada berikut ini.

Maximum Value : 100 µA
Minimum Value : 0 A
Increment : 10%
4. Atur Arus Basis (IB) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser slider ke
kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 59 digunakan tombol ‘A’).
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis (IB) dan catat pada Data Pengamatan.
26
3.5.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh
Gambar 60. Percobaan Arus Bocor dan Transistor Jenuh
2. Atur POTENTIOMETER seperti pada berikut ini.

Resistance : 10 kΩ
Increment : 100%
4. Saat saklar (S1) pada posisi terbuka dan potensiometer (R2) bernilai 0%, amati nilai arus
dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catat pada Data Pengamatan.
5. Naikkan Resistansi Potensiometer (R2) ke 100% dengan cara menggeser slider ke kanan
atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 60 digunakan tombol ‘A’).
6. Amati Kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC dan catat pada
Data Pengamatan
7. Ubah posisi saklar (S1) menjadi posisi tertutup dengan mengklik saklar atau dengan
menekan Tombol Key (Pada Gambar 60 digunakan tombol ‘Space’).
8. Ulangi Langkah 4 - 6.
27
3.6.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor
IB = 100 µA
VCC (Volt) IC (mA) VCE
5
10
15
20
25
30
3.6.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor

VCC = 15 Volt
IB (µA) IC (mA) VCE
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3.6.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh

Kondisi I (Saat RE dalam keadaan aktif)
VS VCC
IB IC VCE Ket
(Volt) (Volt)
5 15
5 15
28
Kondisi II (Saat RE dalam keadaan tidak aktif)
VS VCC
IB IC VCE Ket
(Volt) (Volt)
5 15
5 15
3.7. TUGAS AKHIR

1. Dari percobaan 3.5.1, buatlah kurva Tegangan-Arus dari transistor BC 107 BP!
2. Dari percobaan 3.5.2, buatlah kurva IC = f(IB) dari transistor BC 107 BP!
3. Dari percobaan 3.5.2, hitung penguatan arus minimum dan maksimum dari transistor BC
107 BP!
4. Apa pengaruh pemasangan RE pada percobaan 3.5.3?
29
MODUL IV
KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR
4.1. TUJUAN
1. Memepelajari karakteristik input maupun karakteristirk output dari Bipolar Junction
Transistor (BJT).
2. Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
4.2. TEORI MODUL

4.2.1. Karakteristik DC
Pada dasarnya ada 2 karakteristik untuk transistor yaitu karakteristik output (IC VS
VCE) dan karakteristik input (IB VS VCE).
a. Karakteristik Output
Karakteristik output adalah hubungan antara tegangan dan arus kolektor pada
konfigurasi common emitter dengan arus basis sebagai parameter. Secara umum grafik
karakteristik output terlihat seperti gambar di bawah ini :
Gambar 61. Karakteristik Output
|IB1| < |IB2| < |IB3| < |IB4| < |IB5|
b. Karakteristik Input
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada
konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE
tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda. Secara
umum bentuk grafik karakteristik input terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah
ini :
30
Gambar 62. Karakteristik Input
4.2.2. Transitor Sebagai Saklar

Penggunaan transistor sebagai saklar artinya mengoperasikan transistor pada salah
satu kondisi yaitu saturasi atau cut-off. Jika sebuah transistor berada dalam keadaan saturasi
maka transistor berlaku seperti saklar tertutup antara kolektor dan emitter. Jika transistor cut-
off transistor berlaku seperti saklar terbuka.
Pengaturan on – off transistor dengan mengatur level tegangan pada basis transistor
tersebut. Jika arus basis lebih besar atau sama dengan arus basis saat saturasi, titik kerja
transistor berada pada ujung atas garis beban DC, dalam kondisi ini transistor berlaku sebagai
saklar tertutup. Sebaliknya jika arus basis nol, titik kerja transistor berada pada titik (P) dalam
kondisi ini transistor berlaku sebagai saklar terbuka. Dapat dilihat pada gambar dibawah
berikut :
Gambar 63. Garis Beban DC
Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai parameter.

Parameter – parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe sama namun parameter
dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif cut–off. Kurva
karakteristik kolektor dapat dilihat pada gambar dibawah berikut.
31
Gambar 64. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor
• Daerah Jenuh
Merupakan daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (Vk). Daerah jenuh
terjadi bila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor emitter
(VCE) untuk transistor silikon adalah 0,7 Volt dan untuk transistor germanium adalah 0.3
Volt.
• Daerah Aktif
Sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (Vk) sampai dengan tegangan
dadal (breakdown) serta nilainya IB berada diatas ICO atau nilai arus pada basis tidak sama
dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor-basis diberi
forward bias dan kolektor-basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat transistor
berada dalam aktif
• Daerah Cut-off
Terletak ketika nilai IB dibawah nilai ICO. Sambungan emitor-basis dan kolektor-
basis keduanya berada pada reverse bias. Dimana dalam hal ini nilai IE = 0, IC = ICO = IB.
4.3. TUGAS RUMAH

1. Sebutkan 2 fungsi dari transistor?
2. Jelaskan cara kerja transistor sebagai saklar?
3. Sebutkan dan jelaskan jenis-jenis dari transistor?
4. Jelaskan apa yang dimaksud dengan karakteristik input dan karakteristik output beserta
kurvanya!
32
1. 1 Unit PC.

4.5.1. Karakteristik Kerja Transistor
Gambar 65. Percobaan Karakteristik Kerja Transistor

Minimum Value : 2 V
Increment : 10%
4. Atur Tegangan Kolektor (VCC) sesuai dengan data pengamatan dengan cara menggeser
slider ke kanan atau dengan menekan Tombol Key (Pada Gambar 65 digunakan tombol
‘A’).
Tegangan Kolektor (VCC) dan catat pada Data Pengamatan.
33
4.5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.
Gambar 66 Percobaan Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

Maximum Value : 50 uA
Minimum Value : 0 A
Increment : 20%
5. Amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus
Basis (IB) dan catat pada Data Pengamatan.
4.5.3. Pengukuran VBE

Gambar 67. Percobaan Pengukuran VBE
34
Maximum Value : 50 µA
Minimum Value : 0 A
Increment : 10%
5. Amati nilai tegangan yang terukur pada Multimeter DC untuk setiap nilai Arus Basis (IB)
dan catat pada Data Pengamatan.
4.5.4. Pengukuran VCE jenuh

Gambar 68. Percobaan Pengukuran VCE Jenuh

3. Saat saklar (S1) berada di posisi 1, amati nilai arus dan tegangan yang terukur pada
multimeter DC serta kondisi LED. Catat pada Data Pengamatan.
4. Ubah posisi saklar (S1) pada posisi 2 dengan mengklik saklar atau dengan menekan
Tombol Key (Pada Gambar 68 digunakan tombol ‘Space’).
5. Amati kembali nilai arus dan tegangan yang terukur pada Multimeter DC serta kondisi
LED. Catat pada Data Pengamatan.
35
4.6.1. Karakteristik Kerja Transistor
IB = 40 µA
VCC (Volt) IC (mA) VCE
2
4
6
8
10
12
4.6.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor

VCC = 12 Volt
IB (µA) IC (mA) VCE (Volt)
10
20
30
40
50
4.6.3. Pengukuran VBE

IB (µA) VBE (mV)
10
20
30
40
50
4.6.4. Pengukuran VCE Jenuh

Posisi IB IC VBE VCE Ket
1
2
36
4.7. TUGAS AKHIR
1. Dari percobaan 4.5.1 buatlah kurva karakteristik keluaran transistor!
2. Dari percobaan 4.5.2 tentukan harga beta (β) untuk setiap nilai IB!
3. Dari percobaan 4.5.3 buatlah kurva karakteristik masukan transistor!
4. Jelaskan hubungan kerja antara arus dan tegangan dari percobaan 4.5.4 sekaligus cara
kerja transistor tersebut sebagai saklar?
37
MODUL V
RANGKAIAN PENGUAT TRANSISTOR
5.1. TUJUAN
1. Memperlajarai rangkain dasar penguat transistor, yaitu rangkaian kolektor bersama
(common collector), emitor bersama (common emitter) dan basis bersama (common base).
2. Mempelajari karakteristik penguatan tegangan dan penguatan arus dari rangkaian-
rangkaian dasar penguat.
5.2. TEORI MODUL

Ada tiga rangkaian dasar penguat transistor, yaitu penguat emitor bersama (common
emitter), basis bersama (common base) dan kolektor bersama (common collector). Pada
masing–masing rangkaian penguat tersebut salah satu dari ketiga kaki transistor merupakan
acuan terhadap tanah (ground) dari rangkaian dan merupakan elemen yang digunakan secara
bersama–sama oleh masukan dan keluaran. Secara umum, karakteristik dasar dari ketiga jenis
penguat tersebut adalah sebagai berikut.
Tabel 6. Karakteristik Rangkaian Dasar Penguat Transistor

Elemen Bersama Emitor Basis Kolektor
Impedansi Masukan Rendah Sangat Rendah Cukup Tinggi
Impedansi Keluaran Tinggi Sangat Tinggi Rendah
Penguatan Arus Tinggi Dibawah Satu Satuan Tinggi
Penguatan Tegangan Tinggi Sedang Rendah
Penguatan Daya Tinggi Tinggi Rendah
Hubungan Fasa
Keluaran terhadap Berbeda Fasa 180o Sefasa Sefasa
Masukan
5.2.1. Rangkaian Emitor Bersama

Rangkaian penguat ini paling luas penggunaannya. Sesuai dengan namanya, emitor
digunakan bersama–sama sebagai lajur sinyal masukan maupun keluaran. Sinyal masukan
diumpankan ke dalam rangkaian melalui basis dan emitor. Sementara itu sinyal keluaran
disalurkan melalui kolektor dan emitor. Suatu rangkaian emitor bersama yang sederhana
dapat dilihat pada Gambar 69 di bawah ini.
38
Gambar 69. Rangkaian Dasar Emitor Bersama
Besarnya nilai penguatan pada rangkaian dasar emitor Bersama dapat dihitung dengan
menggunakan rumus dibawah ini :
IC
Ai =
IB
Ket :
Ai = Penguatan Arus
Dan rumus yang digunakan untuk menghitung besarnya penguatan tegangan pada
rangkaian Common Emitter sebagai berikut :
Vout VCE
Av = =
Vin VBE
Ket :
Av = Penguatan Tegangan
VCE = Tegangan Kolektor-Emitor (Volt)
VBE = Tegangan Basis-Emitor (Volt)
Sedangkan, untuk rumus menghitung besarnya penguatan daya pada konfigurasi

Common Emitter dapat sebagai berikut :
Ap = Av . Ai
Ket :
Ap = Penguatan Daya
39
5.2.2. Rangkaian Basis Bersama
Pada rangkaian penguat basis bersama, elemen bersama untuk masukan dan keluaran
adalah basis. Sinyal masukan diumpankan pada emitor dan basis, sedangkan sinyal keluaran
disalurkan pada kolektor dan basis (Gambar 70).
Gambar 70. Rangkaian Dasar Basis Bersama
Seperti yang diketahui bahwa rangkaian basis bersama (common base) memiliki input
pada kaki emitor dan output pada kaki kolektor, maka rumus untuk penguatan arus, tegangan
dan dayanya dapat digunakan sebagai berikut.
IC
Ai = ≅1
IE
Ket :
Ai = Penguatan Arus
IE = Arus Emitor (Ampere)
Vout VCB
Av = =
Vin VEB
Ket :
VCB = Tegangan Kolektor-Basis (Volt)
VEB = Tegangan Emitor-Basis (Volt)
Ap = Av . Ai
Ket :
Ap = Penguatan Daya
40
Meskipun penguatan arusnya kecil, namun penguatan tegangannya besar, sehingga
secara keseluruhan penguatan dayanya cukup tinggi. Penggunaan umum dari rangkaian ini
adalah untuk pencocokan impedansi (impedance matching) karena impedansi masukannya
rendah dan impedansi keluarannya tinggi.
5.2.3. Rangkaian Kolektor Bersama
Konfigurasi dasar transistor yang ketiga adalah kolektor bersama. Sinyal masukan
diumpankan pada basis dan kolektor (Gambar 71). Perhatikan bahwa terminal positif dari
sumber tegangan ditanahkan, sehinggga semua tegangan kerja didalam rangkaian adalah
negatif dengan emitor pada potensial paling negatif.
Gambar 71. Rangkaian Dasar Kolektor Bersama
Untuk rumus pengutatan baik itu tegangan, arus dan daya pada konfigurasi common
kolektor ini dapat menggunakan rumus dibawah berikut ini :
IE
Ai =
IB
Ket :
Ai = Penguatan Arus
IE = Arus Emitor (Ampere)
Vout VEC
Av = = ≅1
Vin VBC
Ket :
VEC = Tegangan Emitor-Kolektor (Volt)
VBC = Tegangan Basis-Kolektor (Volt)
Ap = Av . Ai
41
Ket :
Ap = Penguatan Daya
Penguatan tegangan dari rangkaian ini selalu kurang dari 1, namun penguatan arusnya
cukup tinggi. Penggunaan rangkaian ini tidaklah sebanyak kedua rangkaian dasar
sebelumnya, karena penguatan dayanya rendah. Namun karena impedansi masukan yang
tinggi dan impedansi keluarannya yang rendah, maka rangkaian ini sering digunakan untuk
pencocokan impedansi.
5.2.4. Rangkaian Transistor

Sebelum kita menggunakan sebuah transistor pada suatu rangkaian, kita harus yakin
bahwa transistor yang akan digunakan tersebut dalam kondisi baik (tidak rusak). Untuk itu
diperlukan suatu pengujian ringan dengan menggunakan multimeter (ohmmeter).
Gambar 72. Simbol Dioda Ekivalen dari Transistor
Perhatikan gambar di atas, sebuah transistor dapat dianggap sebagai fungsi ekivalen
dari dua dioda yang dihubungkan seri.
5.3. TUGAS RUMAH

1. Sebutkan dan jelaskan tiga rangkaian dasar penguat transistor!
2. Jelaskan dengan gambar tiga rangkaian dasar penguat transistor!
3. Jelaskan apa yang dimaksud dengan Analisa AC dan Analisa DC pada rangkaian
transistor!
4. Jelaskan penggunaan dari masing-masing rangkaian dasar penguat dalam kehidupan
sehari-hari!
42
1. 1 Unit PC.

5.5.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama
Gambar 73. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama

Pengamatan.
dan Channel B Osiloskop pada Beban (RL).
Osiloskop
Pengamatan).
43
5.5.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama
Gambar 74. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama

Pengamatan.
Osiloskop
Pengamatan).
44
5.5.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama
1. Buat rangkaian seperti gambar berikut ini.
Gambar 75. Percobaan Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama.

Pengamatan.
Osiloskop
Pengamatan).
45
5.6.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama
VCC = 30 V
VS
f (Hz) VCE VBE IC IB
(Vpk)
2 60
4 60
5.6.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama

VCC = 30 V
VS
f (Hz) VCB VEB IC IE
(Vpk)
2 60
4 60
5.6.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama

VCC = 30 V
VS
f (Hz) VCE VCB IE IB
(Vpk)
2 60
4 60
5.7. TUGAS AKHIR

1. Hitunglah penguatan tegangan, penguatan arus dan penguatan daya dari masing-masing
rangkaian penguat yang anda amati dalam percobaan ini!
2. Rangkaian penguat yang manakah (dari hasil No.1) :
a. Penguatan arusnya paling besar!
b. Penguatan tegangannya paling besar!
c. Penguatan arusnya paling kecil!
d. Penguatan tegangannya paling kecil!
3. Jelakan gambar sinyal masukan dan keluaran yang diperoleh dengan menggunakan bahasa
anda sendiri!
4. Jelaskan mengapa pada masing-masing percobaan terdapat gelombang yang terpotong!
46
MODUL VI
SINGLE STAGE TRANSISTOR AMPLIFIER
6.1. TUJUAN
1. Mempelajari rangkaian single stage transistor amplifier.
2. Melakukan pengukuran penguatan tegangan.
6.2. TEORI MODUL

Dalam percobaan ini dilakukan pengukuran terhadap rangkaian transistor amplifier
yang menggunakan konfigurasi common emitter. Disini akan dibahas mengenai konfigurasi
rangkaian tersebut. Besaran-besaran penting yang diukur dalam percobaan ini adalah
penguatan tegangan, impedansi input, dan impedansi output.
Rangkaian penguat transistor dapat dianalisa dengan menggunakan Analisa AC dan
Analisa DC. Adapun Analisa AC mengubah rangkaian amplifier menjadi sederhana dengan
mengurangi semua sumber DC menjadi nol, menghubung singkat semua kapasitor, yang pada
akhirnya nantinya akan tinggal semua arus dan tegangan AC. Dan untuk Analisa DC berarti
kebalikannya, yaitu mengurangi semua sumber AC menjadi nol, kemudian membuka semua
kapasitor, dan yang tersisa nantinya hanya arus dan tegangan DC.
Dalam proses analisa AC nantinya kapasitor akan bersifat sebagai kapasitor coupling
dan bypass. Kapasitor coupling merupakan kapasitor yang melewatkan sinyal AC dari satu
titik yang tidak ditanahkan ke titik yang tidak ditanakan lainnya. Beda halnya dengan
kapasitor bypass, yang melewatkan sinyal AC dari satu titik yang tidak ditanahkan ke titik
yang ditanahkan. Kapasitor coupling dan bypass dapat dilihat pada gambar dibawah ini.
(a) (b)
Gambar 76. Kapasitor (a) Coupling (b) Bypass
47
6.3. TUGAS RUMAH
1. Jelaskan yang dimaksud dengan analisa DC!
2. Bagaimana melakukan analisa AC pada rangkaian transistor?
3. Jelaskan apa yang dimaksud dengan kapasitor coupling dan kapasitor bypass!
4. Apa yang anda ketahui mengenai transistor amplifier?
5. Apa yang dimaksud single stage transistor amplifier?
48
6.4. ALAT DAN BAHAN
1. 1 Unit PC.

Gambar 77. Percobaan Single Stage Transistor Amplifier
2. Jalankan simulasi dengan menekan tombol run atau F5

3. Amati nilai dari IC, IB, VBE, VCE.
4. Catat pada tabel pengamatan nilai yang diamati tersebut.
5. Stop simulasi
6. Ambil oscilloscope kemudian pasang channel 1 pada Vs dan untuk channel 2 pada beban
(RL).
7. Kemudian run kembali rangkaian simulasi.
8. Lihat hasil oscilloscope
9. Ulangi hal yang sama dengan menggunakan beban output sebesar 2 kΩ
49
6.6. TABEL PENGAMATAN
6.6.1. Common Emitter Transistor Amplifier
Beban (RL) VB VC VE
Min
Max
6.6.2. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban Max)

Frekuensi
Channel Volt/DIV Time/DIV Vin Vout
(Hz)
A
B
6.6.3. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban Min)

Frekuensi
Channel Volt/DIV Time/DIV Vin Vout
(Hz)
A
B
6.7. TUGAS AKHIR

1. Hitunglah penguatan tegangan AC dari konfigurasi common emitter!
2. Kita mengenal konfigurasi common emitter, common base dan common collector pada
rangkaian transistor amplifier. Jelaskan ciri dan kelebihan masing–masing konfigurasi!
3. Sebutkan contoh penggunaan rangkaian dengan menggunakan masing–masing dari ketiga
konfigurasi!
4. Jelaskan pengaruh beban terhadap rangkaian Single Stage Transistor Amplifier!
50
DAFTAR PUSTAKA
Malvino, A., & Bates, D. (1987). Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta: Penerbit Erlangga.
Malvino, A., & Bates, D. (2016). Electronic Principles. New York: McGraw-Hill.
51

Modul Praktikum Elektronika Online

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Modul Praktikum Elektronika Online

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

INSTITUT TEKNOLOGI PLN

DAFTAR ISI ........................................................................................................................................i

Gambar 1. Simbol DC_POWER ........................................................................................................ xv

• Andi Junaidi, S.T., M.T.

• Abdurrahman Kinky • Komang Arya Diva Pratama

1. Praktikan WAJIB menginstall aplikasi NI MULTISIM pada PC atau Laptop masing-masing.

Akun Media Sosial Laborarium :

Kepala Laboratorium Dasar Teknik Elektro

1. Laporan dikerjakan secara INDIVIDU dan DIKETIK SELURUHNYA.

4. Margin Cover dan Lembar Kerja Laporan :

CONTOH LEMBAR KERJA

CONTOH LEMBAR KERJA

NI Multisim merupakan sebuah Perangkat Lunak (Software) yang digunakan untuk

Gambar 1. Simbol DC_POWER

Gambar 2. Simbol DC_INTERACTIVE_VOLTAGE

Gambar 3. Simbol DC_CURRENT

Gambar 4. Simbol DC_INTERACTIVE_CURRENT

Gambar 5. Simbol AC_VOLTAGE dan AC_POWER

Gambar 6. Simbol GROUND

Gambar 7. Simbol RESISTOR

Gambar 9. Simbol POTENTIOMETER

Gambar 10. Simbol CAPACITOR

Gambar 11. Simbol 1P2S_TAP_TMODEL

Gambar 12. Simbol SPST

Gambar 14. Simbol DIODE

Gambar 15. Simbol ZENER

Gambar 16. Simbol FWB

Gambar 17. Simbol LED

Gambar 19. Multimeter

Gambar 20. Oscilloscope

Gambar 21. Power Supply

Gambar 23. Oscilloscope

Gambar 24. Function Generator

Gambar 25. Transformator CT

Tabel 1. Cara Pembacaan Kode Resistor Karbon dan Metal Film

Cara pembacaan kode Resistor Keramik :

Tabel 2. Kode Resistor

Cara pembacaan kode Kapasitor Elektrolit (Polar) :

Cara pembacaan kode Kapasitor Keramik (Non-Polar) :

Gambar 28. Cara Pembacaan Kapasitor

Tabel 4. Kode Toleransi Kapasitor

Gambar 29. Potensiometer

Gambar 31. Dioda Zener

Gambar 32. Dioda Bridge

1.2. TEORI MODUL

1.2.3. Dioda Zener

Gambar 37. Rangkaian Dasar Dioda Zener

Gambar 38. Karakteristik Dioda Zener

1.5. LANGKAH PERCOBAAN

Gambar 39. Percobaan Tegangan Catu Arah Maju

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Gambar 40. Percobaan Tegangan Catu Arah Mundur

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Gambar 41. Percobaan Karakteristik Dioda Zener

2. Atur DC_INTERACTIVE_VOLTAGE seperti pada berikut ini.

Gambar 42. Percobaan Pembebanan Dioda Zener

2. Atur VARIABLE_RESISTOR seperti pada berikut ini.

1.6.2. Tegangan Catu Arah Mundur

1.6.3. Karakteristik V-I Dioda Zener

1.7. TUGAS AKHIR

2.2. TEORI MODUL

(a) (b) (c)

Gambar 43 (a) menunjukkan rangkaian penyearah setengah gelombang. Sumber AC