PETUNJUK PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA
Semester Ganjil 2021/2022
S1 Teknik Elektro dan D3 Teknologi Listrik
Nama :
NIM :
Menara PLN
Jl. Lingkar Luar Barat, Duri Kosambi, Cengkareng
Jakarta Barat 11750
5
DAFTAR ISI
i
2.2.3. Rectifier Jembatan ........................................................................................................ 12
2.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 13
2.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN ........................................................................................ 14
2.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 14
2.5.1. Rectifier Setengah Gelombang..................................................................................... 14
2.5.2. Rectifier Gelombang Penuh ......................................................................................... 15
2.5.3. Rectifier Jembatan ........................................................................................................ 15
2.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 16
2.6.1. Rectifier Setengah Gelombang..................................................................................... 16
2.6.2. Rectifier Gelombang Penuh ......................................................................................... 16
2.6.3. Rectifier Jembatan ........................................................................................................ 16
2.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 16
MODUL III ....................................................................................................................................... 17
3.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 17
3.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 17
3.2.1. Cara Kerja Transistor ................................................................................................... 17
3.2.2. Karakteristik Dasar Transistor dan Penguat Arus ........................................................ 19
3.2.3. Transitor Jenuh ............................................................................................................. 20
3.2.4. Konfigurasi Bipolar Juction Transistor ........................................................................ 22
3.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 22
3.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN ........................................................................................ 23
3.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 23
3.5.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor ...................................................................... 23
3.5.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor ......................................................................... 24
3.5.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh ................................................................................. 24
3.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 25
3.6.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor ...................................................................... 25
3.6.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor ......................................................................... 25
3.6.3. Arus Bocor dan Transistor Jenuh ................................................................................. 25
3.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 26
MODUL IV ....................................................................................................................................... 27
4.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 27
4.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 27
4.2.1. Karakteristik DC .......................................................................................................... 27
4.2.2. Transitor Sebagai Saklar .............................................................................................. 28
ii
4.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 29
4.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN ........................................................................................ 30
4.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 30
4.5.1. Karakteristik Kerja Transistor ...................................................................................... 30
4.5.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor................................................................... 30
4.5.3. Pengukuran VBE ........................................................................................................... 31
4.5.4. Pengukuran VCE jenuh .................................................................................................. 31
4.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 33
4.6.1. Karakteristik Kerja Transistor ...................................................................................... 33
4.6.2. Karakteristik Penguat Arus DC Transistor................................................................... 33
4.6.3. Pengukuran VBE ........................................................................................................... 33
4.6.4. Pengukuran VCE Jenuh ................................................................................................. 33
4.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 34
MODUL V ......................................................................................................................................... 35
5.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 35
5.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 35
5.2.1. Rangkaian Emitor Bersama .......................................................................................... 35
5.2.2. Rangkaian Basis Bersama ............................................................................................ 37
5.2.3. Rangkaian Kolektor Bersama....................................................................................... 38
5.2.4. Rangkaian Transistor.................................................................................................... 39
5.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 39
5.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN ........................................................................................ 40
5.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 40
5.5.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama ................................................................. 40
5.5.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama .................................................................... 41
5.5.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama .............................................................. 42
5.6. DATA PENGAMATAN ..................................................................................................... 43
5.6.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama ................................................................. 43
5.6.2. Rangkaian Dasar Penguat Basis Bersama .................................................................... 43
5.6.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama .............................................................. 43
5.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 43
MODUL VI ....................................................................................................................................... 44
6.1. TUJUAN .............................................................................................................................. 44
6.2. TEORI MODUL .................................................................................................................. 44
6.3. TUGAS RUMAH ................................................................................................................ 45
iii
6.4. ALAT DAN BAHAN .......................................................................................................... 46
6.5. LANGKAH PERCOBAAN ................................................................................................ 46
6.6. TABEL PENGAMATAN ................................................................................................... 47
6.6.1. Common Emitter Transistor Amplifier ........................................................................ 47
6.6.2. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban Min) ............................................................... 47
6.6.3. Data Grafik pada Oscilloscope (Beban Max) .............................................................. 47
6.7. TUGAS AKHIR .................................................................................................................. 47
DAFTAR PUSTAKA ....................................................................................................................... 48
iv
STRUKTURAL LABORATORIUM
SEMESTER GANJIL 2021/2022
Kepala
• Oktaria Handayani, S.T., M.T.
Laboratorium
Instruktur
• Ginas Alvianingsih, S.T., M.T.
Laboratorium
• Anisya Turahma
• Asri Bagas Aditia
• Asti Felicia
• Ayu Risky Amelia
• Diwita Augustine
• Eki Nut Afifah
• Evan Wicaksono
• Fadhilah Prasetyo
• Fadillah Putri
• Fahaz Arba Aziz
• Febby Febriyanti
• Harry Prasetyo
• Jesica Gultom
Asisten • Jihan Fadillah
Laboratorium • Lidia Sofo Hadiyanti
• Ma'ruf Fauzi
• Maulana Azro Asqolani
• Mega Kurnia Wardani
• Mokhamad Umar Hamdan
• Muhammad Fahri Widianto
• Nanda Setia Nugraha
• Nur Rahma
• Ochtanisa Lailatus Sa'dyah
• Pratiwi Maharani
• Putri Mutiara Sari
• Rahmi Liliyanti
• Siti Amaliatu Zahra
• Yahya Akmal Ndrarupati Ramadhan
v
KARTU PRAKTIKUM
LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO
NAMA : ______________________________
NIM : ______________________________
Pas Foto
KELOMPOK : ______________________________ 3x4
PRAKTIKUM : ______________________________
JURUSAN : ______________________________
PROG. STUDI : ______________________________
SEMESTER : ______________________________
Tanggal
Tanggal Tanggal
No. Modul Pengumpulan Asisten Paraf Asisten
Praktikum Presentasi
Laporan
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
(.......................................)
vi
TATA TERTIB PELAKSANAAN PRAKTIKUM
1. Modul praktek harus sudah dipelajari. Jika terbukti belum dipelajari, asisten berhak melarang
untuk mengikuti praktek.
2. Praktikan harus ada di Laboratorium Dasar Teknik Elektro (Rangkaian Listrik dan Elektronika)
15 menit sebelum praktikum dimulai
3. Saat praktek menggunakan jas laboratorium, berkemeja, bercelana rapi, berkaos kaki, dan
bersepatu
4. Kartu praktikum, tugas rumah, dan modul harus sudah dibawa saat praktek. Tanpa kartu
praktikum, tugas rumah, dan modul praktikan tidak bisa mengikuti praktek
5. Toleransi keterlambatan 15 menit.
o Jika praktikan terlambat kurang dari 15 menit, diperkenankan mengikuti tes awal tanpa
pemberian waktu tambahan.
o Jika praktikan terlambat lebih dari 15 menit tanpa alasan dan disertai bukti yang kuat,
tidak diperkenankan mengikuti tes awal dan praktek
6. Tes awal diadakan untuk menguji kesiapan praktikan. Jika mendapat nilai <50 tidak
diperkenankan mengikuti praktek.
7. Tes awal akan diberikan secara lisan untuk dikerjakan secara tertulis
8. Asisten tidak akan memberikan praktek pengganti atau susulan akibat pembatalan karena
kesalahan praktikan. Nilai praktikan untuk modul yang bersangkutan = 0
9. Laporan praktek ditulis tangan dan diserahkan sesuai jadwal yang telah diberikan instruktur lab.
Penyerahan tidak bisa diwakilkan karena praktikan harus siap untuk tugas akhir dan presentasi.
10. Pada saat praktek dan penyerahan laporan, praktikan harus berpakaian rapi, memakai jas
laboratorium, bersepatu, dan berkaos kaki. Tidak diperkenankan mengenakan jaket apapun atau
pakaian yang tercantum nama instansi manapun saat praktek atau penyerahan laporan kecuali
praktikan sakit.
11. Laporan praktek harus diserahkan 3 (tiga) hari setelah pelaksanaa praktek, keterlambatan
penyerahan laporan praktek akan mengakibatkan nilai laporan dikurangi 1/7 untuk satu hari
keterlambatan dari total nilai.
12. Dilarang memicu atau membuat keributan dalam bentuk apapun. Asisten berhak memberi
sanksi jika ketentuan yang ada tidak dipenuhi
13. Format Penilaian Praktikum Elektronika :
• Keaktifan : 15%
• Tes Kemampuan : 15%
vii
• Tugas Rumah : 10%
• Laporan Praktikum : 35%
• Presentasi : 25%
14. Untuk informasi terkait pelaksanaan praktikum (Termasuk perubahan jadwal) akan
diinformasikan melalui akun Instagram Laboratorium Dasar Teknik Elektro.
15. Untuk urusan atau masalah lebih lanjut terkait pelaksanaan praktikum dapat menghubungi
Koordinator Asisten yang bersangkutan.
Contact Person (ID Line) : maruffau (Ma’ruf Fauzi)
viii
FORMAT PENULISAN LAPORAN PRAKTIKUM
ix
CONTOH COVER
LAPORAN PRAKTIKUM
x
CONTOH COVER
TUGAS RUMAH
xi
PENGENALAN ALAT DAN KOMPONEN LABORATORIUM
(a) (b)
Gambar 2. (a) Multimeter Analog (b) Multimeter Digital
xii
c. Oscilloscope
Oscilloscope merupakan sebuah instrumen laboratorium yang umumnya digunakan untuk
menggambarkan dan menampilkan grafik dari suatu sinyal listrik. Grafik ini menunjukkan
bagaimana sinyal berubah seiring berjalannya waktu.
Sumbu vertikal (Y) menggambarkan tegangan dan sumbu horizontal (X) menggambarkan
waktu. Intensitas atau kecerahan dari tampilan pada oscilloscope terkadang disebut sebagai
sumbu Z. Tegangan yang terbaca pada oscilloscope merupakan tegangan peak-to peak. Untuk
rangkaian Praktikum Rangkaian Elektronika ini digunakan digital oscilloscope.
Gambar 4. Oscilloscope
d. Function Generator
Function generator mampu menghasilkan sinyal dengan range frekuensi hingga
200kHz. Berfungsi untuk menyuplai sinyal AC pada rangkaian, baik AC Sinusoidal, AC
Triangular ataupun AC Square. Kabel Function Generator terdiri dari 1 buah Kabel Fasa dan
1 buah Kabel Ground.
xiii
e. Transformator Center Tap (Trafo CT)
Transformator CT atau Center Tap merupakan jenis transfornator yang membagi
tegangan keluarannya. Trafo CT memiliki 3 kabel pada keluarannya, yaitu 2 kabel fasa dan 1
kabel ground di tengah. Trafo CT dipasangkan pada penyearah gelombang penuh.
Gambar 6. Transformator CT
(a) (b)
Gambar 7. (a) Resistor Karbon (b) Resistor Keramik
xiv
Cara pembacaan kode Resistor Keramik :
• Angka paling awal (diikuti huruf W) sebagai Parameter Daya.
• Angka di tengah sebagai nilai resistansi (diikuti simbol Ω), jika diikuti huruf maka :
R :x1Ω
K : x 103 Ω
M : x 106 Ω
• Huruf terakhir sebagai toleransi.
b. Kapasitor
Kapasitor merupakan komponen elektronik yang berfungsi menyimpan muatan listrik.
Kapasitor terbuat dari dua konduktor yang dipisahkan oleh suatu bahan dielektrik. Kapasitansi
dari kapasitor adalah jumlah dari muatan listrik yang disimpan di dalam kapasitor tersebut
pada saat diberi tegangan sebesar sumbernya. Kapasitor dikategorikan menjadi 2 grup, yaitu
kapasitor polarized dan non-polarized. Pada umumnya, kapasitor dengan nilai kapasitansi
yang rendah termasuk dalam kategori kapasitor non-polarized.
Berfungsi menyimpan energi dalam bentuk muatan listrik.
(a) (b)
Gambar 8. (a) Kapasitor Polar (b) Kapasitor Non-Polar
xv
Cara pembacaan kode Kapasitor Elektrolit (Polar) :
• Angka dengan satuan Farad (F, µF, nF, dll) sebagai kapasitansi.
• Angka dengan satuan Volt (V) sebagai nilai tegangan maksimal.
xvi
Tabel 3. Kode Tegangan Maksimal Kapasitor
Kode Tegangan Maksimal
1H 50 V
2A 100 V
2T 150 V
2D 200 V
2E 250 V
2G 400 V
2J 630 V
a. Potensiometer
Merupakan jenis resistor dimana nilai resistansinya dapat diatur dengan cara memutar
knobnya.
xvii
Gambar 11. Dioda
c. Dioda Zener
Berfungsi sebagai penstabil tegangan. Cara menentukan kaki dioda zener yaitu dengan
mengamati gelang berwarna hitam, kaki yang terdapat gelang hitam adalah Katoda.
(a) (b)
Gambar 14. (a) LED (b) Menentukan Kaki LED
xviii
f. Transistor NPN
Berfungsi sebagai penguat dan saklar. Cara menentukan kakinya dapat dengan
menggunakan multimeter atau melihat pada Datasheet.
(a) (b)
Gambar 15. (a) Transistor BC107 (b) Transistor D313
xix
MODUL I
KARAKTERISTIK DIODA
1.1. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik Tegangan-Arus dioda.
2. Mengetahui prinsip kerja dari dioda.
3. Mempelajari karakteristik keluaran rangkaian dioda zener.
(a) (b)
Gambar 16. Kondisi Dioda (a) Forward Bias (b) Reverse Bias
Pada kondisi reverse bias mungkin saja ada arus sangat kecil yang mengalir yang
disebut arus bocor. Sehingga bila tegangan anoda adalah nol terhadap katoda, maka anoda
tidak menarik elektron dari katoda. Sebenarnya ada beberapa elektron berkecepatan tinggi
yang bisa mencapai anoda (sehingga terjadi aliran arus yang meskipun sangat kecil). Namun
karena sangat kecilnya arus yang terjadi, pada umumnya amperemeter tidak dapat mendeteksi
adanya arus tersebut. Bila tegangan anoda negatif terhadap katoda (dioda diberi tegangan
reverse), maka akan timbul medan listrik yang arahnya menolak elektron. Dengan demikian
tidak terjadi aliran listrik. Bila tegangan anoda positif terhadap katoda (dioda diberi tegangan
arah maju), maka timbul medan listrik yang arahnya menarik elektron sehingga dioda
menghantarkan elektron dari katoda ke anoda, atau dengan kata lain menghantarkan arus dari
anoda ke katoda.
1
1.2.2. Karakteristik Dioda
Karakteristik Dioda adalah grafik yang menunjukkan hubungan antara arus dan
tegangan dioda (karakteristik V-I). Dioda dapat dianggap sebagai tahanan satu arah, yaitu
bernilai sangat besar bila mendapat tegangan reverse dan bernilai sangat kecil bila mendapat
tegangan forward. Perhatikan Gambar 17 di bawah ini, pada tegangan di bawah 0.6 Volt arus
naik perlahan-lahan (pertambahannya hanya sedikit demi sedikit). Mulai dari tegangan 0.6
Volt arus naik dengan cepat. Tegangan dimana arus mulai naik dengan cepat tersebut
dinamakan tegangan “cut-in” atau breakdown voltage. Pada dioda germanium, tegangan ini
bernilai sekitar 0.2 - 0.3 Volt. Sedangkan pada dioda silikon, nilai tegangan ini berkisar antara
0,6-0,7 Volt.
Gambar 17. Karakteristik V-I Dioda Silikon dan Germanium (Forward Bias)
Pada setiap titik pada kurva tersebut tetap berlaku Hukum Ohm :
V
RD =
I
Ket :
RD = Resistansi Dioda (Ω)
V = Tegangan Listrik (Volt)
I = Arus Listrik (Ampere)
Nilai RD tidak memiliki nilai yang tetap, tergantung dari titik kerja dioda (tegangan
dan arus dioda pada saat itu).
2
Pada dasarnya, dioda Zener akan menyalurkan arus listrik yang mengalir kearah yang
berlawanan jika tegangan yang diberikan melampaui batas “Breakdown Voltage” atau
tegangan tembus dioda zener nya. Karakteristik ini berbeda dengan dioda biasa yang hanya
dapat menyalurkan arus listrik ke satu arah. Tegangan tembus (breakdown voltage) ini disebut
juga dengan tegangan zener.
Untuk lebih jelas mengenai dioda zener, dapat dilihat rangkaian dasar dioda zener di
bawah ini :
Dalam rangkaian di atas, dioda zener dipasang dengan prinsip bias balik (reverse
bias). Rangkaian tersebut merupakan cara umum dalam pemasangan dioda zener. Dalam
rangkaian tersebut, tegangan input (masuk) yang diberikan adalah 12 Volt tetapi multimeter
menunjukkan tegangan yang melewati dioda zener adalah 2.8 Volt. Ini artinya tegangan akan
turun saat melewati dioda zener yang dipasang secara bias balik (reverse bias). Sedangkan
fungsi resistor dalam rangkaian tersebut adalah untuk pembatas arus listrik.
Dioda zener bekerja pada daerah reverse bias. Karakteristik V-I adalah seperti Gambar
19 di bawah ini :
3
1.3. TUGAS RUMAH
1. Apa yang dimaksud dengan semikonduktor?
2. Gambarkan pita-pita Energi dalam semikonduktor!
3. Apa yang dimaksud dengan dioda? Sebutkan macam-macam dioda dan gambarkan
simbolnya!
4. Jelaskan cara kerja dioda!
5. Gambarkan rangkaian dan jelaskan prinsip kerja dioda zener!
4
1.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. Sumber tegangan (power supply)
2. Multitester
3. Jumper
4. Dioda IN 4002
5. Dioda Zener
6. Resistor 50 KΩ
7. Kotak potensio 10 KΩ
2. Periksa kembali rangkaian sebelum saklar sumber tegangan dimasukan (periksa polaritas
alat ukur)
3. Pada posisi potensio yang memberikan tegangan 0 volt, masukan saklar sumber tegangan
4. Naikkan tegangan perlahan-lahan (dengan memutar potensio) untuk mencari Vcut-in
(tegangan ambang) diode
5. Setelah Vcut-in didapatkan dan dicatat, ulangi percobaan secara bertahap V= 0 Volt sampai
potensio P mencapai maksimum
6. Amati dan catat nilai pada amperemeter dan voltmeter
5
1.5.2. Tegangan Catu Arah Mundur
1. Rangkaian percobaan yang digunakan adalah tetap seperti gambar 20, namun posisi dioda
dibalik (katoda dari dioda dihubungkan dengan potensial yang lebih positif)
2. Pada posisi P yang memberikan tegangan V = 0 Volt, nyalakan sumber tegangan
3. Naikan tegangan perlahan-lahan secara bertahap sampai tegangan maksimumnya
4. Amati dan catat nilai pada amperemeter dan voltmeter
6
2. Pada posisi tahanan potensio maksimum masukan sumber tegangan
3. Naikkan arus beban perlahan-lahan secara bertahap mencapai 50 mA
4. Amati dan catat nilai A1 dan A2
7
1.6. DATA PENGAMATAN
1.6.1. Tegangan Catu Arah Maju
VS (Volt) I Vdioda (V)
8
1.6.4. Pembebanan Dioda Zener
VS (V) I1 (mA) I2 (mA)
9
MODUL II
DIODA PENYEARAH
2.1. TUJUAN
1. Memahami fungsi aplikasi dari dioda sebagai penyearah.
2. Mampu menganalisa rangkaian dioda penyearah setengah gelombang.
3. Mampu menganalisa rangkaian dioda penyearah gelombang penuh.
10
Gambar 24. Bentuk Keluaran Setengah Gelombang Rectifier
11
mengalir selama setengah putaran bersama sama. Rectifier gelombang penuh sama dengan
dua kali bolak-balik pada rectifier setengah gelombang.
12
Gambar 28. Bentuk Keluaran Rectifier Jembatan
13
2.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. Multimeter
2. Osiloskop
3. Function generator
4. Jumper
5. Dioda IN 4002
6. Resistor 10 KΩ
14
2.5.2. Rectifier Gelombang Penuh
1. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini.
15
2.6. DATA PENGAMATAN
2.6.1. Rectifier Setengah Gelombang
V1 (in) V2 (out) Idc (mA)
16
MODUL III
KARAKTERISTIK DAN PARAMETER TRANSISTOR
3.1. TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik dasar transistor, yaitu karakteristik tegangan-arus IC = f(VCE),
IB tetap dan karakteristik penguatan arus IC = f(IB), VCE tetap.
2. Mempelajari kejenuhan suatu transistor.
(a) (b)
Gambar 32. Struktur Transistor (a) NPN (b) PNP
17
Untuk selanjutnya kita pusatkan pembahasan pada transistor NPN. Untuk membuat
transistor NPN bekerja, maka kolektor diberi potensial paling positif, emitor paling negatif
dan basis terletak diantaranya. Jadi pemanjaran/pemberian tegangan yang benar untuk
transistor NPN mempunyai hubungan polaritas seperti pada Gambar 33 di bawah ini.
Kalau Gambar 33 kita pisahkan lagi menjadi 2 buah komponen dioda PN. Akan kita
peroleh rangkaian seperti Gambar 34 yang menunjukan arah pemanjaran bagi kolektor, basis
dan emitor.
Pada Gambar 34 di atas, jelas bahwa pertemuan emitor – emitor mendapat panjaran
arah maju (forward bias) yang memungkinkan terjadinya aliran arus, sedangkan pertemuan
basis – kolektor mendapat panjaran terbalik (reverse bias) yang menghambat arus. Hal ini
berarti bahwa arus bisa mengalir dari basis ke emitor (dan tidak sebaliknya), serta arus tidak
dapat mengalir dari basis ke kolektor. Hal ini dapat dijelaskan sebagai berikut :
• Pertemuan emitor – basis yang dipanjar maju. Elektron bebas pada bagian emitor akan
dipaksa oleh terminal tegangan negatif menuju ke basis. Karena material basis sangat tipis,
maka ia tidak mempunyai cukup hole untuk menampung semua elektron yang masuk.
Beberapa hole memang akan ternetralisir oleh elektron – elektron tersebut. Jadi hanya
beberapa elektron yang ditarik keluar ke terminal positif sumber tegangan.
18
• Tegangan A mengatur banyaknya elektron yang mengalir dari emitor ke basis, yang
berarti mengatur pula aliran ke terminal positif B. Jadi tanpa adanya potensial positif pada
basis (yang lebih positif terhadap emitor) maka transistor tidak dapat menghantar arus.
Seolah – olah penjaran terhadap basis merupakan celah bagi aliran arus kolektor. Semakin
besar arus basis, maka arus kolektor akan semkain besar secara berlipat.
19
IB1 < IB2 < IB3
Secara praktis, penguatan arus suatu transistor bisa dituliskan sesuai persamaan :
IC
β=
IB
Ket :
β = Penguatan Arus
IC = Arus Kolektor (Ampere)
IB = Arus Basis (Ampere)
Hubungan ini berlaku selama transistor dalam kondisi aktif (belum jenuh). Apabila
transistor dalam keadaan jenuh, penambahan IB tidak akan sebanding dengan penambahan IC
atau bahkan pada suatu kondisi tertentu, penambahan IB selanjutnya tidak akan menambah
besarnya IC.
Bila saklar S ditutup, arus IB akan mengalir sehingga transistor menghantar dan lampu
akan menyala. Bila S dibuka, maka IB = 0, sehingga kaki basis akan tertutup, arus tidak dapat
20
mengalir dan lampu menjadi padam. Jadi dengan arus kemudi yang kecil, kita dapat mengatur
arus yang lebih besar.
Tabel 5. Hubungan Junction Transistor
Mode Junction Emitter – Base Junction Collector – Base Function
Aktif Forward Bias Reverse Bias Normal Amplifier
Cut-Off Reverse Bias Reverse Bias Open Switch
Saturation Forward Bias Forward Bias Close Switch
Low Gain
Breakdown Reverse Bias Forward Bias
Amplifier
Keterangan :
• Aktif
Transistor bekerja sebagai penguat dan IC = β.IB. Daerah kerja transistor yang
normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstan terhadap berapapun nilai
VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB.
Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linier (linear region).
• Saturation
Transistor “full-ON”, IC = Saturasi. Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 Volt
sampai kira – kira 0.7 Volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek PN junction
kolektor – basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan
elektron sama seperti dioda.
• Cut-Off
Transistor menjadi “full – OFF”, IC = 0. Daerah dimana VCE masih cukup kecil
sehingga arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi off.
• Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 35 V, arus IC menanjak
naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown.
Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini karena akan merusak transistor
tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE maksimum yang diperoleh
sebelum breakdown bervariasi. Breakdown tidak masuk dalam daerah kerja transitor
karena sudah merupakan kondisi rusak atau daerah dadal.
21
3.2.4. Konfigurasi Bipolar Juction Transistor
Karena bipolar transistor merupakan komponen atau piranti yang mempunyai tiga
terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian dengan satu terminal menjadi
input dan output yang sama.
Setiap konfigurasi mempunyai respon yang berbeda untuk setiap sinyal input dalam
rangkaian :
• Common Base Configuration – mempunyai “ voltage gain’ tanpa “current gain”.
• Common Emitter Configuration – mempunyai “current dan voltage gain”.
• Common Collector Configuration – mempunyai “ current gain” tanpa “ voltage gain”.
22
3.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. Sumber tegangan tetap 5 Volt
2. Sumber tegangan berubah 0 – 30 Volt
3. Transistor BC 107 dan D 313
4. Tahanan dan potensio
5. Multimeter digital
6. Multimeter analog
7. Kabel - kabel penghubung
2. Nyalakan sumber tegangan ke basis pada posisi potensio maksimum (R basis maksimum)
dan tegangan VCC = 0
3. Atur potensio R basis sehingga arus basis berharga 100 µA, kemudian secara bertahap
naikan tegangan VCE dengan cara menaikan tegangan VCC dari 0 – 15 Volt. Perhatikan
selama VCE dinaikan, besar arus basis harus dijaga tetap.
4. Catat penunjukan A1, A2 dan V
5. Naikan arus basis menjadi 200 µA, 500 µA, 1000 µA dan 1,2 mA secara bertahap. Nilai
ini tergantung juga dari jenis transistor yang digunakan,. Apabila terjadi penyimpangan
dari nilai arus basis ini, konsultasikan dengan asisten.
6. Pada setiap kedudukan arus basis tersebut, ulangi percobaan c dan d
7. Matikan sumber tegangan.
23
3.5.2. Karakteristik Penguat Arus Transistor
1. Buatlah rangkaian seperti gambar 38 dengan transistor BC107
2. Pada arus basis = 0 A, atur tegangan VCC = 15 Volt
3. Perlahan – lahan secara bertahap naikan arus basis dari 0 sampai 1 mA
4. Amati dan catat A1, A2 dan V pad asetiap kedudukan arus basis
5. Kecilkan arus basis dan matikan sumber tegangan
2. Pada arus basis = 0 A, naikan tegangan VCE perlahan – lahan secara bertahap sampai 15
Volt
3. Pada setiap kedudukan VCE, amati dan catat A2 dan V
4. Turunkan kembali VCC sampai = 0 Volt dan matikan sumber tegangannya
5. Pada arus basis = 0 A, atur tegangan VCC samapai 15 Volt
6. Naikan arus basis perlahan – lahan untuk mencari titik jenuh transistor (pada saat IC mulai
tidak berubah harganya walau IB terus diperbesar)
7. Catat arus IB jenuh minimum, tegangan VB dan IC tepat jenuhnya
8. Matikan sumber tegangan dan lepas bypass R2
9. Pada arus basis = 0 A, atur tegangan VCC sampai 15 volt
10. Naikan arus basis perlahan – lahan untuk mencari titik jenuh transistor (pada saat IC mulai
tidak berubah harganya walau IB terus diperbesar)
11. Catat arus IB jenuh minimum, tegangan VB dan IC tepat jenuhnya
24
3.6. DATA PENGAMATAN
3.6.1. Karakteristik Tegangan-Arus Transistor
IB = 100 µA
VCC (Volt) IC (mA) VCE
3
6
9
12
15
25
Kondisi II (Saat R2 dalam keadaan tidak aktif)
VS VCC
IB IC VCE Ket
(Volt) (Volt)
5 15
5 15
26
MODUL IV
KARAKTERISTIK KERJA TRANSISTOR
4.1. TUJUAN
1. Memepelajari karakteristik input maupun karakteristik output dari Bipolar Junction
Transistor (BJT).
2. Mengetahui parameter BJT dari grafik karakteristik yang diperoleh.
b. Karakteristik Input
Karakteristik input adalah hubungan antara tegangan dan arus basis pada
konfigurasi common emitter untuk tegangan kolektor yang tertentu. Kurva IB – VBE
tersebut mempunyai bentuk yang sama dengan karakteristik forward dari dioda. Secara
umum bentuk grafik karakteristik input terlihat dalam bentuk seperti gambar di bawah
ini :
27
Gambar 41. Karakteristik Input
28
Gambar 43. Kurva Karakteristik Kolektor Transistor
• Daerah Jenuh
Merupakan daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (Vk). Daerah jenuh
terjadi bila sambungan emitor-basis dan sambungan basis-kolektor forward bias. Pada
daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor emitter
(VCE) untuk transistor silikon adalah 0,7 Volt dan untuk transistor germanium adalah 0.3
Volt.
• Daerah Aktif
Sebuah daerah yang berkisar dari tegangan lutut (Vk) sampai dengan tegangan
dadal (breakdown) serta nilainya IB berada diatas ICO atau nilai arus pada basis tidak sama
dengan arus basis saat saturasi. Daerah aktif terjadi bila sambungan emitor-basis diberi
forward bias dan kolektor-basis reverse bias. Penguatan sinyal terjadi saat transistor
berada dalam aktif
• Daerah Cut-off
Sambungan emitor-basis dan kolektor-basis keduanya berada pada reverse bias.
Dimana dalam hal ini nilai IE = 0, IC = ICO = IB.
29
4.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. Panel percobaan
2. Multitester
3. Transistor, resistor, baterai, potensiometer
4. Lampu switch
5. Catu daya dc 0 – 40 Volt
30
4.5.3. Pengukuran VBE
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini.
31
5. Lakukan pengukuran IB, IC, VBE dan VCE pada saat transistor dalam keadaan nyala maupun
mati dan catat
6. Kembalikan sumber daya ke nol
7. Ulangi percobaan untuk transistor 2N1302
32
4.6. DATA PENGAMATAN
4.6.1. Karakteristik Kerja Transistor
IB = 40 µA
VS (V) VCC (Volt) IB (µ) IC (µA) VCE (V)
3
6
5 9
12
15
33
4.7. TUGAS AKHIR
1. Dari percobaan 4.5.1 buatlah kurva karakteristik keluaran transistor!
2. Dari percobaan 4.5.2 tentukan harga beta (β) untuk setiap nilai IB!
3. Dari percobaan 4.5.3 buatlah kurva karakteristik masukan transistor!
4. Jelaskan hubungan kerja antara arus dan tegangan sekaligus cara kerja transistor sebagai
saklar dari percobaan 4.5.4?
34
MODUL V
RANGKAIAN PENGUAT TRANSISTOR
5.1. TUJUAN
1. Memperlajari rangkain dasar penguat transistor, yaitu rangkaian kolektor bersama
(common collector), emitor bersama (common emitter) dan basis bersama (common base).
2. Mempelajari karakteristik penguatan tegangan dan penguatan arus dari rangkaian-
rangkaian dasar penguat.
35
Gambar 47. Rangkaian Dasar Emitor Bersama
Besarnya nilai penguatan pada rangkaian dasar emitor Bersama dapat dihitung dengan
menggunakan rumus dibawah ini :
IC
Ai =
IB
Ket :
Ai = Penguatan Arus
IC = Arus Kolektor (Ampere)
IB = Arus Basis (Ampere)
Dan rumus yang digunakan untuk menghitung besarnya penguatan tegangan pada
rangkaian Common Emitter sebagai berikut :
Vout VCE
Av = =
Vin VBE
Ket :
Av = Penguatan Tegangan
VCE = Tegangan Kolektor-Emitor (Volt)
VBE = Tegangan Basis-Emitor (Volt)
36
5.2.2. Rangkaian Basis Bersama
Pada rangkaian penguat basis bersama, elemen bersama untuk masukan dan keluaran
adalah basis. Sinyal masukan diumpankan pada emitor dan basis, sedangkan sinyal keluaran
disalurkan pada kolektor dan basis (Gambar 48).
Seperti yang diketahui bahwa rangkaian basis bersama (common base) memiliki input
pada kaki emitor dan output pada kaki kolektor, maka rumus untuk penguatan arus, tegangan
dan dayanya dapat digunakan sebagai berikut.
IC
Ai = ≅1
IE
Ket :
Ai = Penguatan Arus
IC = Arus Kolektor (Ampere)
IE = Arus Emitor (Ampere)
Vout VCB
Av = =
Vin VEB
Ket :
Av = Penguatan Tegangan
VCB = Tegangan Kolektor-Basis (Volt)
VEB = Tegangan Emitor-Basis (Volt)
Ap = Av . Ai
Ket :
Ap = Penguatan Daya
37
Meskipun penguatan arusnya kecil, namun penguatan tegangannya besar, sehingga
secara keseluruhan penguatan dayanya cukup tinggi. Penggunaan umum dari rangkaian ini
adalah untuk pencocokan impedansi (impedance matching) karena impedansi masukannya
rendah dan impedansi keluarannya tinggi.
5.2.3. Rangkaian Kolektor Bersama
Konfigurasi dasar transistor yang ketiga adalah kolektor bersama. Sinyal masukan
diumpankan pada basis dan kolektor (Gambar 49). Perhatikan bahwa terminal positif dari
sumber tegangan ditanahkan, sehinggga semua tegangan kerja didalam rangkaian adalah
negatif dengan emitor pada potensial paling negatif.
Untuk rumus pengutatan baik itu tegangan, arus dan daya pada konfigurasi common
kolektor ini dapat menggunakan rumus dibawah berikut ini :
IE
Ai =
IB
Ket :
Ai = Penguatan Arus
IE = Arus Emitor (Ampere)
IB = Arus Basis (Ampere)
Vout VEC
Av = = ≅1
Vin VBC
Ket :
Av = Penguatan Tegangan
VEC = Tegangan Emitor-Kolektor (Volt)
VBC = Tegangan Basis-Kolektor (Volt)
38
Ap = Av . Ai
Ket :
Ap = Penguatan Daya
Penguatan tegangan dari rangkaian ini selalu kurang dari 1, namun penguatan arusnya
cukup tinggi. Penggunaan rangkaian ini tidaklah sebanyak kedua rangkaian dasar
sebelumnya, karena penguatan dayanya rendah. Namun karena impedansi masukan yang
tinggi dan impedansi keluarannya yang rendah, maka rangkaian ini sering digunakan untuk
pencocokan impedansi.
Perhatikan gambar di atas, sebuah transistor dapat dianggap sebagai fungsi ekivalen
dari dua dioda yang dihubungkan seri.
39
5.4. ALAT DAN PERLENGKAPAN
1. Transistor BC 107
2. Sumber tegangan
3. Function generator
4. Komponen R dan C
5. Kabel – kabel penghubung
2. Lakukan pengamatan ringan atas kaki – kaki transistor dengan menggunakan Ohm Meter,
untuk menentukan posisi kolektor, basis, dan emitor. Bandingkan hasil pengamatan
saudara dengan standar dari kaki – kaki tersebut.
3. Atur sumber tegangan VCC sehingga mencapai tegangan 12 Volt. Kemudian atur tahanan
basis agar Ib mengalir sebesar 100 μA. Jaga agar transistor tetap dalam kondisi aktif.
4. Periksa kondisi kerja transistor dengan memperhatikan / catat nilai – nilai IC dan VCE.
5. Nyalakan oscilloscope dan atur fokus serta intensitas cahayanya sehingga mudah dilihat /
diamati. Tempatkan probenya pada posisi / titik pengamatan yang benar
6. Atur keluaran dari generator fungsi sebesar 100 mV puncak – puncak dan masukan /
injeksikan ke rangkaian penguat.
7. Amati dan gambar bentuk gelombang masukan dan keluaran yang terjadi
40
8. Ubah besar arus basis (lebih besar / lebih kecil) sampai didapat gamba sinyal keluaran
yang cacat (terdistorsi)
9. Gambarlah sinyal keluaran yang cacat tersebut
10. Kembalikan Ib ke nilai semula. Naikan amplitude sinyal masukan secara bertahap dari mV
sampai 1 Vpeak dan catat besar amplitude keluaran yang dihasilkan penguat.
11. Matikan sumber tegangan dan generator fungsi
2. Atur sumber tegangan VCC ke 12 Volt. Kemudian aturlah tahanan basis agar Ib mengalir
sebesar 100 μA. Jaga transistor dalam kondisi aktif
3. Periksalah kondisi kerja transistor dengan memperhatikan / catat nilai dari Ic dan VCE
4. Nyalakan osiloscope dan pasanglah penyidiknya pada titik pengamatan yang benar.
5. Pilihlah sinyal keluaran sinusoidal dari generator fungsi dan aturlah amplitudonya sebesar
100 mV puncak – puncak. Kemudian masukan / injeksikan ke rangkaian penguat.
6. Amati dan gambar bentuk gelombang masukan dan keluaran yang terjadi
7. Naikan amplitude sinyal masukan secara bertahap dari 100 mV sampai 1 V peak – peak
dan catat besar amplitudo keluaran yang dihasilkan penguat
8. Matikan sumber tegangan dan generator fungsi
41
5.5.3. Rangkaian Dasar Penguat Kolektor Bersama
1. Buat rangkaian seperti gambar dibawah ini. Rangkai dengan benar transistor yang
digunakan (kaki-kakinya jangan terbalik).
2. Atur sumber tegangan VCC ke 12 Volt. Kemudian aturlah tahanan basis agar Ib mengalir
sebesar 100 μA. Jaga transistor dalam kondisi aktif
3. Periksalah kondisi kerja transistor dengan memperhatikan / catat nilai dari Ic dan Vce
4. Nyalakan osiloscope dan pasanglah penyidiknya pada titik pengamatan yang benar
5. Pilihlah sinyal keluaran sinusoidal dari generator fungsi dan aturlah amplitudonya sebesar
100 mV puncak – puncak. Kemudian masukan / injeksikan ke rangkaian pnguat.
6. Amati dan gambar bentuk gelombang masukan dan keluaran yang terjadi
7. Naikan amplitude sinyal masukan secara bertahap dari 100 mV sampai 1 V peak – peak
dan catat besar amplitudo keluaran yang dihasilkan penguat
8. Matikan sumber tegangan dan generator fungsi
42
5.6. DATA PENGAMATAN
5.6.1. Rangkaian Dasar Penguat Emitor Bersama
AF
f (Hz) VCC (V) VCE (V) IB (mA) IC (mA)
Generator
43
MODUL VI
SINGLE STAGE TRANSISTOR AMPLIFIER
6.1. TUJUAN
1. Mempelajari rangkaian single stage transistor amplifier.
2. Melakukan pengukuran penguatan tegangan.
(a) (b)
Gambar 54. Kapasitor (a) Coupling (b) Bypass
44
6.3. TUGAS RUMAH
1. Jelaskan yang dimaksud dengan analisa DC!
2. Bagaimana melakukan analisa AC pada rangkaian transistor?
3. Jelaskan apa yang dimaksud dengan kapasitor coupling dan kapasitor bypass!
4. Apa yang anda ketahui mengenai transistor amplifier?
5. Apa yang dimaksud single stage transistor amplifier?
45
6.4. ALAT DAN BAHAN
1. Panel – panel penghubung
2. Multitester
3. Osciloscope
4. Signal generator
46
6.6. TABEL PENGAMATAN
6.6.1. Common Emitter Transistor Amplifier
Potensiometer Beban (R) = 10 kΩ
AFG = 4.00 VP-P / 1 kHz
Beban (RL) VB VC VE
Min
Max
47
DAFTAR PUSTAKA
Malvino, A., & Bates, D. (1987). Prinsip-Prinsip Elektronika. Jakarta: Penerbit Erlangga.
Malvino, A., & Bates, D. (2016). Electronic Principles. New York: McGraw-Hill.
48