Rumus dan Karakteristik Transistor

Rumus Dasar Transistor Bipolar (BJT):

Transistor bipolar memiliki tiga terminal: Kolektor (C), Basis (B), dan Emit (E).
Ada dua jenis transistor bipolar: NPN dan PNP.
Di sini adalah rumus-rumus dasar yang menggambarkan karakteristik transistor bipolar:
1. Persamaan Arus Kolektor (Ic):
Untuk transistor NPN
Ic = β x Ib
Untuk transistor PNP
Ic = -β x Ib
Di mana:
 Ic adalah arus kolektor.
 Ib adalah arus basis.
 β (beta) adalah gain arus arus kolektor-arus basis.

2. Persamaan Tegangan Kolektor-Emit (Vce):

Vce = Vcc - Ic x Rc
Di mana:
 Vce adalah tegangan antara kolektor dan emit.
 Vcc adalah tegangan catu daya kolektor.
 Rc adalah resistansi kolektor.

Rumus Dasar Transistor Efek Medan (FET):

Transistor efek medan juga memiliki tiga terminal: Sumber (S), Gerbang (G), dan Derajat
(D).
Ada dua jenis transistor FET yang umum: JFET (Junction Field-Effect Transistor) dan
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).
Berikut adalah rumus dasar karakteristik transistor FET:
1. Persamaan Arus Drain (Id) pada FET:
Id = Idss x (1 - (Vgs / Vp))²
Di mana:
 Id adalah arus drain.
 Idss adalah arus drain saat Vgs = 0 (arus saturasi).
 Vgs adalah tegangan gerbang-ke-sumber.
 Vp adalah tegangan ambang gerbang-ke-sumber (threshold voltage).

2. Persamaan Tegangan Drain-Source (Vds) pada FET:

Vds = Vdd - Id x Rd
Di mana:
 Vds adalah tegangan antara derajat dan sumber.
 Vdd adalah tegangan catu daya derajat.
 Rd adalah resistansi derajat.
Karakteristik Umum Transistor:
Selain rumus-rumus di atas, karakteristik umum transistor meliputi:

 Gain penguatan (β atau hfe) untuk BJT, yang mengukur perbandingan antara arus
kolektor dan arus basis.
 Arus ambang gerbang-ke-sumber (Idss atau Id(on)) untuk FET, yang merupakan arus
drain saat Vgs = 0.
 Tegangan ambang gerbang-ke-sumber (Vp atau Vth) untuk FET, yang merupakan
tegangan gerbang saat Id = 0.
 Arus jenuh (saturation current) dan arus potong (cutoff current) untuk FET, yang
menggambarkan kisaran operasi transistor.