Mardika Aji S.P.

(7308030021)

BASIC SWITCHING ( MOSFET DAN IGBT )

MOSFET Gambar dibawah ini menunjukkan klasifikasi Transistor.

Field Effect Transistor mempunyai penguatan tegangan yang baik sekali karena transistor jenis ini memiliki Impedansi Input yang tinggi, Konsumsi daya yang rendah, dan range frekuensi yang bagus. Transistor efek medan atau FET (Field Effect Transistor) adalah suatu komponen elektronika yang prinsip kerjanya berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik. FET disebut juga transistor unipolar karena cara kerjanya hanya berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja, artinya arus yang mengalir arus yang mengalir hanya arus lubang (hole) atau arus elektron saja. FET mempunyai beberapa keuntungan dibandingkan dengan transistor bipolar biasa, antara lain: 1. Bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas saja. 2. Relatif lebih tahan terhadap radiasi. 3. Mempunyai impedansi input yang tinggi beberapa Mega Ohm. 4. Noise lebih rendah daripada noise tabung atau transistor bipolar. 5. Mempunyai stabilitas thermis yang baik. Mosfet adalah singkatan dari (Metal Oxide Semi Conductor FET atau FET semikonduktor Oksida Logam). Mosfet mempunyai kaki-kaki : 1. Sumber (Source) = S 2. Cerat (Drain) = D 3. Gerbang (Gate) = G

Mardika Aji S.P. (7308030021) Adapun susunan pembentukan Mosfet dapat digambarkan sebagai berikut: 1. Semikonduktor konruktor type N diberi terminal cerat (D) dan sumber (S). 2. Kedalamnya ditambahkan semikonduktor type P yang dinamakan Substrate. 3. Kemudian pada bagian lain di lekatkan lapisan oksida logam tipis (Si O2) dan dinamakan gerbang (gate) Si O2 bersifat isolator.

Gambar Simbol MOSFET

Switch Analog MOSFET Gagasan yang ada dibalik switch analog adalah hanya mempergunakan dua titik pada garis beban yaitu titik putus atau titik jenuh. Secara ideal MOSFET bekerja sebagai switch yang tertutup bila dalam keadaan jenuh dan sebagais witch yang terbuka bila dalam keadaan terputus. MOSFET bekerja sebagai switch dengan cara memberikan tegangan VGS. Pemberian tegangan VGS akan mengontrol nilai RDS (ON) yang akan mempengaruhi tegangan keluaran, sehingga keluaran dapat diubah secara kontinyu antara tegangan minimum dan maksimum.

Gambar 15.a memperlihatkan sebuah penggerak MOSFET dan beban pasif (tahanan RD). Dalam rangkaianswitch ini, Vin adalah rendah atau tinggi dan MOSFET akan bekerja sebagaiswitch yang tersambung atau putus. Apabila Vin rendah, MOSFET itu putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya, sedangkan untuk Vin yang tinggi MOSFET menghantar dan Vout menjadi rendah.

Mardika Aji S.P. (7308030021) Gambar 15.b memperlihatkan penggerak MOSFET dengan beban aktif. Q2 sebagaiswitch sedangkan Q1 sebagai beban aktif. Apabila Vin rendah, Q2 putus dan Vout sama dengan tegangan catu daya, sedangkan untuk Vin yang tinggi Q2 menghantar dan Vout menjadi rendah.

Mardika Aji S.P. (7308030021) IGBT Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET.

Gambar Simbol IGBT

Karakteristik IGBT Sesuai dengan namanya, peranti baru ini merupakan peranti yang menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas, BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET. Masukan dari IGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh. Dengan gabungan sifat kedua unsur tersebut, IGBT mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya. Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali dan penggerak dari IGBT. Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT, meskipun lebih rendah dari peranti MOSFET yang setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitor) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai resistansi-hidup (Ron) dari IGBT sangat kecil, menyerupai Ron pada BJT. Dengan demikian bila tegangan jatuh serta borosan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat Inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

Mardika Aji S.P. (7308030021) Sifat-sifat IGBT Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya dewasa ini adalah saklar peranti padat yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor dwikutub (BJT), transistor efek medan (FET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam penggunaan elektronika daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut: 1. Pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi. Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil. Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitor, VCE pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor BJT berada dalam keadaan jenuh. Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan pensakelaran, MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai peranti yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas, pada MOSFET tidak dijumpai arus penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut.

IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi, sehingga dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai saklar daya.

Mardika Aji S.P. (7308030021) Perbandingan Umum Antara Kinerja MOSFET dan IGBT

Perbandingan kinerja penyakelaran MOSFET dan IGBT secara singkat dinyatakan dalam Tabel 1. Untuk tujuan komparasi, Tabel 1 tersebut juga menyertakan pula perbandingannya dengan transistor bipolar. Besaran tegangan kolektor-emitor dalam kondisi menyambung atau jenuh (VCEsat) yang biasa digunakan untuk menggambarkan karakter suatu IGBT, dalam Tabel 1 tersebut ditranslasikan ke dalam besaran resistansi kolektor-emitor dalam kondisi menyambung (Ron). Tabel 1. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan (rating) yang setara Karakteristik Kemampuan arus (A) Kemampuan tegangan (V) Ron (ohm) Pada 25 C Ron (ohm) Pada 150 C Waktu turun (nanodetik) MOSFET 20 500 0,2 0,6 40 IGBT 20 600 0,24 0,23 200 Bipolar 20 500 0,18 0,24 200

Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa; pertama, transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET. Secara prinsip, hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang. Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur, dibandingkan dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. Informasi koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi. Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya, MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan, dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja. Sementara itu, pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh hFE), ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif lebih besar. Dalam hal kapasitansi masukan, untuk MOSFET dan IGBT, bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya). Kapasitansi ini dapat menjadi demikian besar, sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini. IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik. Namun demikian, kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya.

Mardika Aji S.P. (7308030021) Tabel 2. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya Karakteristik Tipe pengemudi Daya pengemudi Tingkat kerumitan pengemudi Kemampuan arus pada nilai tegangan drop di ujung-ujung terminal piranti Rugi penyakelaran MOSFET Tegangan minimum Sederhana Tinggi pada teg. rendah; rendah pada teg. tinggi Sangat rendah IGBT Tegangan Minimum Sederhana Sangat tinggi (terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran) Bipolar Arus Besar Cukupan atau sedang Cukupan (sangat terpengaruh oleh kecepatan penyakelaran

Rendah sampai sedang Sedang sampai tinggi (dipengaruhi oleh rugi (dipengaruhi oleh rugi konduksi) konduksi)

Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah, pembuat IGBT membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat. Sebagai contoh, Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe IGBT; yakni tipe standar, cepat dan ultra cepat. IR mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya. Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masingmasing tipe tersebut menjadi; 1,3 1,5, dan 1,9 volt. Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) , yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut. Untuk MOSFET, baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat. Sedang untuk IGBT, kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus; jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi. Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung, sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100 kHz.

Mardika Aji S.P. (7308030021)

The MOSFET switch has the high input characteristics of the JFET switch. At the same time, the input and output voltages have the same polarity (as shown in Figure 19-3). The transconductance curve in Figure 19-3 shows that when .

In this case, the output is found as:

When goes positive, in Figure 19-3.

increases and

decreases. This results in the output waveform shown

There is a tradeoff that must be considered in the design of a MOSFET switch. If the circuit is designed with a lower value of , then comes closer to the value of to 0 V when when . This relationship , the value of is illustrated in Example 19.3 of the text. The problem is this: With a lower value of may not be great enough to drop eliminates this problem.

goes positive. Using a CMOS switch

FIGURE 19-3 The MOSFET switch.

Mardika Aji S.P. (7308030021)

Using a power mosfet to switch large currents

Filed under: Electronics profmason @ 10:53 pm A student is using a ducted fan on top of a servo to steer a hovercraft. The ducted fan requires large currents (On the order of 5A) We are using a DPDT relay to control the direction of the fan. However, we need to be able to switch the fan on an off. The simpiliest solution might be to use a SPST relay. However a power mosfet will work as well. A typical power mosfet looks like this: In a mosfet the conductivity in the path from source to drain is controlled by the voltage between the gate and source. In theory a small current at the gate will switch a large current between the drain and source. In practice the mosfet is connected as shown in the circuit below.

To switch anything close to the current rating on the mosfet, be sure to use an appropriate heatsink! Note the the physical pinout of the mosfet does not match the schematic of the mosfet, the drain is in the middle of the physical part etc. The diode is to supress back emf. When the motor switches off, this causes a large voltage spike that goes backward through the mosfet. The diode provides an alternate route for this spike.

The mosfet used in this case is the irf522. It handles up to 100 V between Drain and Source at 9.5 amps. These current ratings should be taken with a grain of salt. A good rule of thumb is that your mosfet with a proper heat sink can handle about half the current rating on a continuous basis.