BAB I PENDAHULUAN 1.

1 LATAR BELAKANG Pada tahun-tahun yang lalu, gelanggang piranti penyakelar daya (switching device) memang didominasi oleh transistor, juga SCR yang sulit untuk dimatikan serta bekerja relati lambat! "ondisi ini mendorong para perancang di berbagai laboratorium pembuatan piranti semikonduktor seperti di #otorola, $R, %P&, $'(S, Siemens, Samsung dan lainnya saling berlomba untuk menemukan piranti penyakelar yang memiliki kemampuan lebih baik! Sebagai hasilnya,munculah piranti $)*&! $)*& memang telah muncul sebagai pesaing bagi Power #+S,-& konvensional yang beroperasi pada tegangan tinggi dan rugi konduksi yang rendah! *erbagai usaha telah dilakukan dalam tahun-tahun terakhir ini untuk dapat membuat penyakelar $)*& dapat bekerja seperti halnya #+S,-&, sembari mendapatkan kemampuan yang setara dengan transistor daya bipolar, baik yang bekerja pada tegangan menengah maupun tegangan tinggi! Para pembuat $)*& memang sedang berusaha untuk membuat piranti elektronik ini menjadi pilihan alternati yang menarik untuk rentang yang luas di bidang elektronika daya, tempat yang semula didominasi oleh power #+S,-& dan transistor bipolar! .ampaknya, para rekayasawan yang berkecimpung di bidang elektronika dayapun kini dihadapkan pada suatu pilihan yang perlu lebih cermat dalam mempertimbangkan beberapa kriteria, saat memilih mana dari kedua piranti elektronik tersebut yang akan dipergunakan! Sebab, seri-seri baru kini terus bermunculan di pasaran, beserta masing-masing keunggulannya!

BAB II PEMBAHASAN II.1. DEFINISI $)*& (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti semikonduktor dengan tiga terminal yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (*0&) dan sebuah transistor e ek medan (#+S,-&) yang tercatat untuk e isiensi tinggi dan cepat berpindah! "arena dirancang untuk cepat menghidupkan dan mematikan, $)*& sering digunakan dengan menyatukan kompleks wave orms pulse modulasi lebar dan low-pass ilters! II.2. KARAKTERISTIK IGBT Sesuai dengan namanya, divais baru ini merupakan divais yang menggabungkan struktur dan si at-si at dari kedua jenis transistor tersebut di atas, *0& dan #+S,-&! .engan kata lain, $)*& mempunyai si at kerja yang menggabungkan keunggulan si at-si at kedua jenis transistor tersebut! &erminal gate dari $)*&, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (insulator) sebagaimana pada #+S,-&!

$nput dari $)*& adalah terminal Gate dari #+S,-&, sedang terminal Source dari #+S,-& terhubung ke terminal Basis dari *0&! .engan demikian, arus drain keluar dan dari #+S,-& akan menjadi arus basis dari *0&! "arena besarnya tahanan masuk dari #+S,-&, maka terminal input $)*& hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber! .i pihak lain, arus drain sebagai arus

keluaran dari #+S,-& akan cukup besar untuk membuat *0& mencapai keadaan saturasi! .engan gabungan si at kedua elemen tersebut, $)*& mempunyai perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik! .i satu pihak $)*& tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang besar bagi beban listrik yang dikendalikannya!

&erminal masukan $)*& mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi, sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari rangkaian logika! $ni akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali (controller) dan penggerak (driver) dari $)*&! .i samping itu, kecepatan pensaklaran $)*& juga lebih tinggi dibandingkan divais *0&, meskipun lebih rendah dari divais #+S,-& yang setara! .i lain pihak, terminal keluaran $)*& mempunyai si at yang menyerupai terminal keluaran (kolektor-emitter) *0&! .engan kata lain, pada saat keadaan menghantar, nilai tahanan menghantar (Ron) dari $)*& sangat kecil, menyerupai Ron pada *0&! .engan demikian bila tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada saat keadaan menghantar juga kecil! .engan si at-si at seperti ini, $)*& akan sesuai untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan %mpere, tanpa terjadi kerugian daya yang cukup berarti! $)*& sesuai untuk aplikasi pada perangkat inverter maupun "endali #otor 2istrik (Drive)!

II.3. SIFAT-SIFAT IGBT "omponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics) dewasa ini adalah saklar 4at padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (*0&),transistor e ek medan (#+S,-&), maupun &hyristor! Sebuah saklar ideal di dalam aplikasi elektronika daya akan mempunyai si at-si at sebagai berikut5 /! pada saat keadaan tidak menghantar (o ), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga! .engan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 1! Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin! $ni akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang terjadi, dan (kecepatan pensaklaran (switching speed) yang tinggi!

Si at nomor (/) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai arus bocor yang sangat kecil!

6ntuk si at nomor (1), *0& lebih unggul dari #+S,-&, karena tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitter, 7C- pada keadaan menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat transitor *0& berada dalam keadaan jenuh (saturasi)!

Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan switching, #+S,-& lebih unggul dari *0&, karena sebagai divais yang bekerja berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas (majority carrier), pada #+S,-& tidak dijumpai aruh penyimpanan pembawa muatan minoritas pada saat proses pensaklaran, yang cenderung memperlamnat proses pensaklaran tersebut!

II.4. RUMUS-RUMUS IGBT 1. Total Daya Disi asi (.aya maksimal yang dapat device tahan)

2. A!"s Pa#a $ol%&to!

"eterangan P 9 .aya .isipasi $c 9 %rus Colector

&j

9 &emperatur 0unction

7ce

9 *eda potensial Colector - -miter

II.'. PERBANDINGAN UMUM ANTARA KINER(A B(T) M*SFET DAN IGBT Ta+%l 1. P%!+a,#i,-a, ti-a 0!ati,-1 ya,- s%ta!a Ka!a.t%!isti. "emampuan arus (%) "emampuan tegangan (7) Ron Pada 1:= C Ron (ohm) (ohm) M*SFET 1; :;; ;,1 ;,< 8; IGBT 1; <;; ;,18 ;,13 1;; Bi ola! 1; :;; ;,/> ;,18 1;; i!a,ti %,ya.%la! #aya ",t". .%/a/ "a,

Pada /:;= C ?aktu turun (nanodetik)

.ua akta yang bersumber pada &abel / tersebut adalah bahwa@ pertama, transistor bipolar sangat lebih lambat daripada #+S,-&! Secara prinsip, hal ini disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang! "edua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang relati tak bergantung (bersi at invarian) terhadap temperatur, dibandingkan dengan adanya nilai koe isien temperatur yang tinggi pada #+S,-&! $n ormasi koe isien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi! &abel 1 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai karakteristik penyakelarannya! .isebabkan oleh struktur masukan gate-nya, #+S,-& dan $)*& merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh tegangan, dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relati kecil saja! Sementara itu, pada transistor bipolar yang si atnya dikemudikan oleh arus (arus keluaran dibagi oleh h,-), ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relati lebih besar!

<

.alam hal kapasitansi masukan, untuk #+S,-& dan $)*&, bergantung pada ratingnya (kemampuan arusnya)! "apasitansi ini dapat menjadi demikian besar, sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini! $)*& tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang lebih baik! Aamun demikian, kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti yang tercantum pada &abel 1 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk memilih salah satu di antara ketiganya! Ta+%l 2. P%!+a,#i,-a, .a!a.t%!isti. i!a,ti %,ya.%la! #aya Ka!a.t%!isti. &ipe pengemudi .aya pengemudi &ingkat pengemudi "emampuan arus &inggi pada teg! Sangat rendah (terpengaruh kecepatan penyakelaran) Rendah sedang (dipengaruhi rugi konduksi) 6ntuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah, pembuat $)*& membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat! Sebagai contoh, Perusahaan International Rectifier ($R) di pasaran menawarkan tiga tipe $)*&@ yakni tipe standar, cepat dan ultra cepat! $R mendeskripsikan kemampuan arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya! Sementara itu 7C- saturasinya naik berturut-turut untuk masing-masing tipe tersebut menjadi@ /,3 /,:, dan /,B volt! pada nilai tegangan rendah@ terminal piranti Rugi penyakelaran Sangat rendah M*SFET &egangan minimum IGBT &egangan #inimum Sederhana Bi ola! %rus *esar Cukupan sedang tinggi Cukupan oleh terpengaruh kecepatan penyakelaran sampai tinggi (dipengaruhi oleh oleh rugi konduksi) sampai Sedang (sangat oleh atau

kerumitan Sederhana

drop di ujung-ujung pada teg! tinggi

Parameter terakhir dalam &abel 1 tersebut adalah rugi penyakelaran (switching losses) , yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga piranti elektronik tersebut! 6ntuk #+S,-&, baik transisi saat menyambung (turn-on) dan memutus (turn-off) sangat cepat! Sedang untuk $)*&, kita dihadapkan pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus kemampuan arus@ jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang lebih tinggi! ?aktu penyakelaran pada $)*& sebagian besar didominasi oleh waktu saat menyambung, sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada /;; kD4! II.2. PERKEMBANGAN FABRIKASI SAKLAR DA3A "ini pasar dunia piranti semikonduktor telah melihat beberapa versi $)*& yang telah diperbaiki untuk aplikasi tertentu! $)*& tradisional memang berbasis pada teknik punchthrough yang memiliki rugi-rugi penyakelaran yang tinggi, dan menghasilkan kecepatan yang lebih rendah! Selain itu tegangan kerjanya yang paling tinggi cuma masuk kategori kelas menengah! "ondisi ini akan menjadi lebih buruk jika tegangan dadalnya dinaikkan! #asalahnya adalah waktu hidup elektron-elektron dan holehole dalam daerah aliran muatan (drift) pada $)*& menyebabkan rugi penyakelaran yang tinggi maupun arus bocor! *eberapa pabrik telah menerapkan iradiasi elektron dosis tinggi untuk meningkatkan pembunuhan waktu hidup pembawa muatan sembari meminimumkan ekor arus dan rugi energi penyakelaran! Sementara, pabrik lain mengadopsi metode non-punchthrough untuk menjangkau kecepatan yang lebih tinggi dan nilai tegangan kolektor-emitor saat menyambung (7C-(sat)) yang lebih rendah! Aamun demikian e isiensi masih merupakan suatu masalah! *eberapa usaha sedang dilakukan untuk mengurangi rugi penyakelaran pada $)*& nonpunchtrough!

>

BAB III PENUTUP KESIMPULAN /! $)*&($nsulated )ate *ipolar 0unction) adalah piranti yang memiliki kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki e isiensi tinggi, sehingga dengan si at yang dimilikinya $)*& cocok untuk digunakan sebagai saklar daya! 1! &otal .aya .isipasi (.aya maksimal yang dapat device tahan)

3! %rus Pada Colector

DAFTAR PUSTAKA id!?ikipedia!orgEwikiE$)*&, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor ! " id!?ikipedia!org5 $ndonesia 1;;B en!?ikipedia!orgEwikiE$)*&, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor ! " en!?ikipedia!org5 -nglish 1;;B 0onathan .odge, P!-, IGBT Tutorial#pdf! %dvance Power &echnologi 5 Columbia Street *end, 1;;B "!0 6m, P!-, IGBT Basic II#pdf! ,airChild Semiconductor 5 -nglish, 1;;1

/;