VII.

DIODE SAMBUNGAN P-N

Sejauh ini kita telah mempelajari sifat-sifat dasar semikonduktor. Kita telah menghitung konsentrasi lubang dan elektron dalam keadaan kesetimbangan dan menentukan posisi energi Fermi. Kita akan melihat bagaimana jika semikonduktor tipep dan tipe-n disambung membentuk sambungan p-n. Karakteristik sambungan p-n dapat diaplikasikan untuk penyearah, penguat, rangkaian saklar dan untuk berbagai fungsi dalam rangkaian elektronika. Pembahasan kita mulai dengan melihat semikonduktor tipe-p dan tipe-n, disambung membentuk sambungan p-n dan telah dalam keadaan kesetimbangan termal. Ini berarti bahwa energi Fermi di keseluruhan material telah berharga konstan. 7.1 Struktur Dasar Sambungan p-n Secara skematik sambungan p-n diperlihatkan pada gambar 7.1-a. Perlu disadari bahwa kedua sisi semikonduktor terbuat dari kristal tunggal, dimana satu sisi dikotori dengan atom aseptor membentuk daerah tipe-p dan sisi yang lain dikotori dengan atom donor membentuk daerah tipe-n. Sesaat setelah terjadi penyambungan, pada daerah sambungan semikonduktor terjadi perubahan. Pada daerah tipe-n (gambar 7.1-a, sebelah kanan) memiliki sejumlah elektron yang akan dengan mudah terlepas dari atom induknya. Pada bagian kiri (tipep), atom aseptor menarik elektron (atau menghasilkan lubang). Kedua pembawa muatan mayoritas tersebut memiliki cukup energi untuk mencapai material pada sisi lain sambungan. Pada proses ini terjadi difusi elektron dari tipe-n ke tipe-p dan difusi lubang dari tipe-p ke tipe-n (gambar 7.1-b). Proses difusi ini tidak akan berlangsung selamanya karena elektron yang sudah berada di tempatnya akan menolak elektron yang datang kemudian. Proses difusi berakhir saat tidak ada lagi elektron yang memiliki cukup energi untuk mengalir. Kita harus memperhitungkan proses selanjutnya dimana elektron dapat menyeberangi sambungan. Daerah yang sangat tipis dekat sambungan disebut daerah deplesi (depletion region) atau daerah transisi. Daerah ini dapat membangkitkan pembawa muatan minoritas saat terdapat cukup energi termal untuk membangkitkan pasangan lubang-elektron. Salah satu dari pembawa muatan minoritas ini, misalnya elektron pada tipe-p, akan mengalami pengaruh dari proses penolakan elektron difusi dari tipe-n.

95 Dengan kata lain elektron minoritas ini akan ikut tertarik ke semikonduktor tipe-n. Gerakan pembawa muatan akibat pembangkitan termal ini lebih dikenal sebagai drift. Situasi akan stabil saat arus difusi sama dengan arus drift. Pada daerah sambungan/daerah deplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan pembawa muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. tipe-n dan lapisan muatan negatif di daerah tipe-p (lihat gambar 7.1-c).
sambungan/ junction ion aseptor lubang (hole) (a) + + + + + tipe-p + + + + + + + + + + + + + + + tipe-n + + + + + + + + + + ion donor elektron

Hilangnya

pembawa muatan mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positif di daerah

+ + (b) + + +

+ + + + +

difusi + + + + + + + Drift +

+ + + + +

+ + + + +

pembangkitan muatan secara termal

Daerah netral + (c) + + + + + + + + + -dp 0 x Daerah diplesi + + + + + dn Daerah netral + + + + + + + + + +

Gambar 7.1

Penyambungan semikonduktor tipe-p dan tipe-n : a) Saat mulai disambungkan, b) Proses difusi dan aliran arus drift dan c) Terbentuknya lapisan deplesi.

96 Lapisan muatan pada daerah deplesi ini dapat dibandingkan dengan kapasitor keping sejajar yang termuati. Karena terjadi penumpukan muatan yang berlawanan pada masing-masing keping, maka terjadi perbedaan potensial yang disebut sebagai potensial kontak atau potensial penghalang Vb (lihat gambar 7.1-c). disebut diode dalam keadaan rangkaian terbuka. Dalam keadaan rangkaian terbuka seperti diperlihatkan pada gambar 7.1-c, hanya pada daerah deplesi yang terjadi penumpukan muatan pada masing-masing sisi; daerah lainnya dalam keadaan netral. Penumpukan muatan pada daerah deplesi Dalam keadaan mengakibatkan terjadinya medan listrik dalam arah x . Keadaan ini

kesetimbangan besarnya arus elektron (drift dan difusi) sama dengan nol atau

J n = q n n + qDn atau

dn =0 dx

Dn 1 dn (ln n ) n n dx

(7.1)

Besarnya potensial kontak (Vb) dapat dihitung dengan mengintegrasikan persamaan 7.1, yaitu Vb =
kT d ln n q dx dx d p
dn

kT = ln n q n ( d p )
=

n (d n )

(7.2)

n (d n ) kT ln q n ( d p )

dimana n( d n ) = nn , merupakan konsentrasi elektron pada tipe-n dan n( d p ) = n p ,

adalah konsentrasi elektron pada dituliskan sebagai

Vb = kT nn ln q np

tipe-p.

Dengan demikian persamaan 7.2 dapat

(7.3)

Dengan mengingat p p n p = nn pn = ni2 , persamaan 7.3 menjadi

97 kT nn p p ln 2 q ni

Vb =

(7.4)

Jika nn dan p p masing-masing sama dengan konsentrasi atom donor N D dan konsentrasi atom aseptor N A maka persamaan 7.4 menjadi kT N A N D ln q ni2

Vb =

(7.5)

7.2 Model Pita Energi Sambungan p-n.

Dengan melihat bentuk pita energi sambungan p-n kita akan lebih mudah untuk memahami sifat dasar dan mekanisme transportasi pembawa muatan pada daerah sambungan. Gambar 7.2-a memperlihatkan diagram pita energi untuk semikonduktor tipe-p dan tipe-n sebelum terjadi penyambungan (perhatikan dimana posisi energi Fermi masing-masing material). Dalam keadaan kesetimbangan termal, setelah terjadi penyambungan, maka tingkat energi Fermi kedua material akan sama (segaris) seperti diperlihatkan pada gambar 7.2-b.

Ecp (a) EF Evp Ecp (b) EF Evp

tipe-p

tipe-n

Ecn EF

Evn

Ecn EF

-d p x=0

dn

Evn

Gambar 7.2 Diagram pita energi : a) Semikonduktor tipe-p dan tipe-n dan b) Setelah kedua jenis semikonduktor disambungkan.

98
tipe-p (a) -d p -qN A (medan listrik) (b) -d p
V (potensial) V (tegangan)

(muatan) + +qN dn

tipe-n
D

x (jarak)

dn

x (jarak)

(c) -d p x=0 dn

Vb x (jarak)

Gambar 7.3 Karakteristik pada daerah sambungan p-n : a) Distribusi muatan ruang, b) Distribusi medan listrik dan c) Distribusi potensial elektrostatik. Kita akan menghitung distribusi potensial elektrostatik pada daerah sambungan dengan melihat distribusi muatan ruang (gambar 7.3-a) dan menggunakan persamaan Poisson pada daerah 0 < x < d n sebagai qN D d =+ dx o

(7.6)

dimana dan o (biasanya ditulis o =s ) masing-masing adalah konstanta dielektrik relatif bahan dan dalam vakum. Dengan mengintegralkan persamaan 7.6 diperoleh qN D x + Cn o

(7.7)

dan untuk d p < x < 0 diperoleh

qN A x + Cp o

(7.8)

99 dimana C n dan C p adalah konstanta integrasi. Pada persamaan 7.7 dan 7.8 terdapat dua kondisi ekstrem, yaitu: i) = m pada x = 0 , sehingga C n = C p dan ii) = 0 pada x = d n dan x = d p , sehingga

Cn = maka

qN A d p qN D d n dan C p = o o

N D d n = N Ad p

(7.9)

Persamaan 7.9 menunjukkan bahwa jumlah muatan ruang pada kedua sisi adalah sama. Selanjutnya kita dapat menuliskan kembali persamaan 7.7 dan 7.8 sebagai qN D (x d n ) o qN A (x + d p ) o

=
dan

(7.10)

(7.11)

Plot persamaan 7.10 dan 7.11 masing-masing akan berupa garis lurus dan memberikan gradien positif dan negatif seperti diperlihatkan pada gambar 7.3-b. Besarnya potensial elektrostatis dapat diperoleh dengan mengintegrasikan persamaan 7.10 dan 7.11. Untuk 0 < x < d n diperoleh

V = dx =

qN D x 2 ' d n x + Cn 2 o

(7.12)

dan untuk d p < x < 0 diperoleh

V = dx = +

qN A x 2 ' + d px + Cp 2 o

(7.13)

100
' Besarnya potensial untuk x = 0 adalah sama sehingga C n = C 'p . Pada x = d p , harga

V = 0 , dan dari persamaan 7.13 diperoleh

2 dp ' 2 + C p atau

0=

qN A o

C =
' p

2 qN A d p

2 o

Untuk 0 < x < d n persamaan 7.12 menjadi

V =

2 qN A d p qN D x 2 dn x + 2 o 2 o

(7.14)

dan untuk d p < x < 0 persamaan 7.13 menjadi

V =

2 qN A d p qN A x 2 + d px + 2 o 2 o

(7.15)

Misalnya kita mengambil V = Vb untuk x = d n , persamaan 7.14 memberikan

Vb =

2 2 qN D d n qN A d p + 2 o 2 o

(7.16)

Plot persamaan 7.14 7.16 diperlihatkan pada gambar 7.3-c. n.

Persamaan 7.16

memberikan potensial barier/potensial penghalang/potensial kontak pada sambungan pKita dapat menggambarkan kembali diagram pita energi sambungan p-n seperti diperlihatkan pada gambar 7.4. Jelas terlihat pada gambar bahwa dalam kesetimbangan termal, tingkat dasar energi konduksi ( E cp ) dan tingkat dasar energi valensi ( E vp ) pada semikonduktor tipe-p berada pada posisi lebih tinggi dibandingkan keadaan di tipe-n

101 sebesar qVb . Dengan kata lain, elektron pada tipe-n harus melompati energi

penghalang sebesar qVb agar dapat mengalir ke tipe-p.

Ecp qV EF Evp qV b -dp x=0 tipe-p p W Lebar daerah deplesi (W) dn tipe-n n Evn b Ecn EF

Gambar 7.4 Potensial penghalang pada sambungan p-n

7.3 Kapasitansi Daerah Deplesi

Seperti telah dibicarakan di atas bahwa sesaat setelah terjadi penyambungan, pada daerah sambungan/daerah deplesi yang sangat tipis terjadi pengosongan pembawa muatan mayoritas akibat terjadinya difusi ke sisi yang lain. Hilangnya pembawa muatan mayoritas di daerah ini meninggalkan lapisan muatan positip di daerah tipe-n dan lapisan muatan negatif di daerah tipe-p. Adanya lapisan muatan pada daerah deplesi ini dapat dipandang sebagai kapasitor keping sejajar yang termuati. Karena terjadi penumpukan muatan yang berlawanan pada masing-masing sisi keping (muatan positif pada semikonduktor tipe-n dan muatan negatif pada semikonduktor tipe-p), maka terjadi perbedaan potensial, yaitu sebesar Vb (lihat gambar 7.5). Dengan memperlakukan sebagai kapasitor, kita dapat menghitung besarnya kapasitansi dengan memperhatikan jarak kedua keping, muatan pada masing-masing keping dan tegangan pada kedua keping.

102

-Q= -qN A d p +Q= qN Dd n + + + + + + dp W Vb

Gambar 7.5 Model daerah deplesi sambungan p-n sebagai kapasitor. Pada gambar 7.5 terlihat bahwa keping kapasitor terpisah sejauh lebar daerah deplesi, yaitu W = d p + dn dimana besarnya d p dan d n dapat ditentukan dari persamaan 7.16, yaitu sebesar

dn

dp =

1 NA

2 o Vb 1 1 + q N ND A 2 o Vb 1 1 + q N ND A

(7.17)

dn =

1 ND

(7.18)

atau
1 1 W = d p + dn = N + N D A 2 o Vb q 2 o Vb 1 1 q N + N D A

(7.19)

1 1 N + N D A

103 Saat konsentrasi pengotor pada salah satu sisi jauh lebih tinggi dibandingkan dengan sisi yang lain, misalnya N A >> N D seperti diperlihatkan pada gambar 7.5.

(a)

(b)

ND 0 NA

N D NA x (jarak) N A >> N D x = W x (jarak) x=W

(c)

0 m V (tegangan) V (potensial)

(d) x=0

Vb x=W

x (jarak)

Gambar 7.5 a) Sambungan p-n (dengan N A >> N D ) dalam kesetimbangan termal, b) Distribusi muatan, c) Distribusi medan listrik dan d) Distribusi potensial. Untuk kasus lebar lapisan deplesi pada daerah tipe-p jauh lebih tipis dibandingkan daerah tipe-n (atau d p << d n ), lebar daerah deplesi dapat disederhanakan menjadi

W dn =

2 o Vb qN D

(7.20)

Persamaan 7.20 menunjukkan besarnya lebar daerah deplesi dalam keadaan hubung terbuka (tidak diberi tegangan luar, lihat gambar 7.6-a). Jika kita kenakan tegangan positif VF pada ujung tipe-p terhadap ujung tipe-n. maka sambungan p-n dalam

keadaan panjar maju (forward bias) seperti diperlihatkan pada gambar 7.6-b. Besarnya potensial elektrostatik pada sambungan turun sebesar VF , yaitu menjadi Vb VF . Jadi pemberian panjar maju akan mengurangi lebar daerah deplesi.

104
Daerah deplesi p W n (a) EF Evp Ecp qV b Ecn EF

Evn IF p n (b) Evp Ecp q(V b - V F ) qV F Ecn

VF

Evn IR p n (c) Evp VR qVR Ecp

q(V b + V )R

Ecn

Evn

Gambar 7.6 Diagram lebar daerah deplesi dan diagram pita energi sambungan p-n : a) Saat dalam kesetimbangan termal tanpa ada tegangan luar, b) Kondisi panjar maju (forward bias) dan c) Kondisi panjar mundur (reverse bias).

Sebaliknya, seperti diperlihatkan pada gambar 7.6-c, jika kita kenakan tegangan positif VR pada sisi tipe-n terhadap sisi tipe-p, maka sambungan sekarang dalam keadaan panjar mundur (reverse bias). Besarnya potensial penghalang pada sambungan akan naik sebesar VR menjadi Vb + VR . Dengan mengenakan tegangan luar sebesar V , secara umum lebar daerah deplesi seperti pada persamaan 7.19 dituliskan sebagai

W =

2 o q

1 1 N + N (Vb + V ) D A

(7.21)

dimana V sebesar + VF untuk panjar maju dan sebesar VF untuk panjar mundur. Kembali pada gambar 7.5, besarnya kapasitansi keping sejajar yang terpisah sejauh W = d p + d n dapat dituliskan sebagai

105
C= o o = d p + dn W

(7.22)

Dengan melakukan substitusi persamaan 7.21 ke persamaan 7.22 kita peroleh harga kapasitansi sebesar
o 2 o q NA + ND N N (VB + V ) A D

C=

q o N + ND 2 A N + N (Vb + V ) D A

(7.23)

atau dalam bentuk lain kita dapat menuliskan sebagai

C 2

N + ND 2 A N N A D (Vb + V ) = q o

(7.24)

Persamaan 7.24 dapat digunakan untuk menentukan besarnya potensial penghalang Vb dengan membuat plot C 2 dengan V seperti diskemakan pada gambar 7.7. Kurva linier yang didapat akan memberikan potensial penghalang V = Vb pada C 2 = 0 .
-2

p V

p V

V=V

Gambar 7.7 Kurva hubungan C 2 terhadap tegangan V pada sambungan p-n.

106
W

Ln V F p

Ln

p V R

Ecp q(V b- V ) F E Fp Evp Ecn EFn

Ecp q (V b + V )R Ecn EFn

E Fp Evp

Evn
18

Evn
po

10

n no

po

n no

10

10

ni np
p n

10

n po

p p no (e
qV/kT

n po
no p

p n

no

n po (e qV/kT - 1) -dp 0 dn

- 1) x

np

x -dp 0 dn

(a)

(b)

Gambar 7.8 Daerah deplesi, diagram pita energi dan distribusi pembawa muatan: a) Panjar maju dan b) Panjar mundur.

7.4 Karakteristik Arus-Tegangan (I-V)

Tegangan yang dikenakan pada sambungan p-n akan mengubah kesetimbangan antara arus difusi dan arus drift dari elektron dan lubang. Dengan panjar maju, tegangan yang dikenakan akan mengurangi tegangan elektrostatik pada daerah sambungan seperti diperlihatkan pada gambar 7.8-a. Besarnya arus drift akan berkurang dibandingkan dengan arus difusi. Terjadi kenaikan difusi lubang dari sisi tipe-p ke sisi tipe-n dan difusi elektron dari sisi tipe-n ke sisi tipe-p. Karenanya terjadi injeksi pembawa muatan minoritas, yaitu elektron terinjeksi ke sisi tipe-p dan lubang terinjeksi ke sisi tipe-n. Di bawah panjar mundur, tegangan yang dikenakan akan menaikan besarnya potensial elektrostatik pada daerah deplesi seperti diperlihatkan pada gambar 7.8-b. Kondisi ini akan menurunkan arus difusi secara drastis menghasilkan arus mundur yang relatif kecil.

107 Untuk melihat karakteristik I-V sambungan p-n kita ambil kondisi ideal dengan beberapa asumsi sebagai berikut: i) Daerah deplesi mempunyai batas yang tajam dan diluar perbatasan, semikonduktor berada dalam keadaan netral, ii) Kerapatan pembawa muatan pada perbatasan ditentukan oleh perbedaan tegangan pada sambungan, iii) Besarnya injeksi kerapatan pembawa muatan minoritas relatif kecil dibandingkan muatan mayoritas dan iv) tidak terjadi generasi mapun rekombinasi pada daerah deplesi dan besarnya arus elektron dan lubang adalah konstan. Dalam keadaan kesetimbangan termal, kerapatan pembawa muatan mayoritas pada dasarnya sama dengan kerapatan dopan. Kita akan menggunakan indeks n dan p untuk menyatakan tipe semikonduktor dan indeks o untuk menyatakan kondisi kesetimbangan termal. Oleh sebab itu, nno dan n po masing-masing menyatakan

kerapatan elektron pada tipe-n dan tipe-p dalam keadaan kesetimbangn termal. Demikian juga, pno dan p po masing-masing menyatakan kerapatan lubang pada tipe-n dan tipe-p dalam keadaan kesetimbangn termal. Persamaan potensial penghalang

seperti pada persamaan 7.3 dan 7.4 dapat dituliskan kembali menjadi p n kT kT nno ln po 2 no = ln q ni q p po

Vb =

(7.25)

dimana kita telah menggunakan hukum aksi massa p po nno = pno nno = ni2 . Persamaan 7.25 dapat kita tulis kembali dalam bentuk lain sebagai nno = n po dan
p po = pno e qVb / kT
qVb / kT

(7.26)

(7.27)

Pada persamaan 7.26 dan 7.27 terlihat bahwa kerapatan elektron dan lubang pada kedua perbatasan daerah deplesi adalah sebagai fungsi potensial elektrostatik Vb . Saat dikenakan panjar maju, potensial elektrostatik akan berkurang menjadi Vb VF , dan saat dikenakan panjar mundur potensial elektrostatik akan bertambah menjadi Vb + VR . Dengan demikian persamaan 7.26 harus dimodifikasi menjadi

108

n n = n p e q (Vb V ) / kT

(7.28)

dimana nn dan n p adalah kerapatan elektron pada perbatasan daerah deplesi tidak dalam keadaan kesetimbangan pada sisi tipe-n dan sisi tipe-p; V berharga positif untuk panjar maju dan negatif untuk panjar mundur. Untuk arus injeksi-rendah, kerapatan pembawa muatan minoritas injeksi lebih rendah dibandingkan dengan kerapatan pembawa muatan mayoritas, jadi nn = nno . Dengan kondisi ini substitusi persamaan 7.26 ke persamaan 7.28 akan memberikan kerapatan elektron pada perbatasan daerah deplesi pada sisi tipe-p ( x = d p ) sebagai:

n p = n po e qV / kT

(7.29)

atau
n p n po = n po (e qV / kT 1)

(7.30)

Untuk hal yang sama kita peroleh pn = pno e qV / kT atau pn pno = pno (e qV / kT 1) (7.32) (7.31)

pada perbatasan sisi tipe-n di x = d n . Gambar 7.8 memberlihatkan diagram pita energi dan konsentrasi pembawa muatan sambungan p-n dengan panjar maju dan panjar mundur. Perhatikan bahwa kerapatan pembawa muatan minoritas pada perbatasan (di d p dan d n ) mengalami kenaikan di atas harga kesetimbangan saat diberi panjar maju, dan mengalami penurunan di bawah harga kesetimbangan saat diberi panjar mundur. Persamaan 7.29 dan 7.31 mendefinisikan kerapatan pembawa muatan minoritas di perbatasan pada daerah deplesi. Dari asumsi ideal yang telah dibuat, pada daerah deplesi tidak terjadi arus generasi, semua arus berasal dari daerah netral. Pada daerah netral tipe-n tidak terdapat medan listrik, persamaan kontinuitas kondisi-stabil (steady-state) menjadi

109

d 2 pn pn pno dx 2 D p p

(7.33)

Solusi persamaan 7.33 dengan syarat batas persamaan 7.31 dan pn ( x = ) = pno memberikan
pn pno = pno (e qV / kT 1) e
( x d n ) / Lp

(7.34)

dimana L p = D p p

adalah panjang difusi (diffusion lenght) lubang (pembawa

minoritas) pada daerah tipe-n. Pada x = d n berlaku

J p (d n ) = qD p

dpn dx

=
dn

qD p pno Lp

(e

qV / kT

1)

(7.35)

Hal yang sama untuk daerah tipe-p diperoleh

n p n po = n po (e qV / kT 1) e
(x + d p )/ Ln

(7.36)

dan
J n ( d p ) = qDn dn p dx
d p

qDn n po Ln

(e

qV / kT

1)

(7.37)

dimana Ln = Dn n adalah panjang difusi elektron.

Pembawa muatan minoritas

(persamaan 7.34 dan 7.36) diperlihatkan pada bagian tengah gambar 7.9. Pada grafik terlihat terjadinya rekombinasi antara pembawa muatan minoritas terinjeksi dengan pembawa muatan mayoritas. Arus lubang dan elektron diperlihatkan pada gambar 7.9 bagian bawah. Besarnya arus lubang dan elektron pada perbatasan berturut-turut diberikan oleh persamaan 7.35 dan 7.37. Arus difusi lubang mengalami penurunan secara eksponensial pada daerah tipe-n dengan panjang difusi sebesar L p , dan arus difusi elektron mengalami penurunan secara eksponensial pada daerah tipe-p dengan panjang difusi sebesar Ln .

110

-dp

dn (a)

-dp (b)

dn

Gambar 7.9 Distribusi pembawa muatan minoritas terinjeksi dan arus elektron dan arus lubang: a) Panjar maju dan b) Panjar mundur (Sze, 1981). Besarnya arus total adalah konstan dan merupakan jumlah arus lubang dan arus elektron (persamaan 7.35 dan 7.37) :
J = J p (d n ) + J n ( d p ) = J s (e qV / kT 1)

(7.38)

dengan
Js qD p pno Lp + qDn n po Ln

(7.39)

111 dimana J s adalah kerapatan arus jenuh. Persamaan 7.38 adalah bentuk persamaan diode ideal. Karakteristik arus-tegangan ideal diperlihatkan pada gambar 7.10. Pada bagian panjar maju dengan panjar positif pada bagian tipe-p, untuk V 3kT / q , kenaikan arus berharga konstan seperti diperlihatkan pada gambar gambar 7.10-b. Pada temperatur 300 K untuk setiap dekade perubahan arus, perubahan tegangan untuk suatu diode yang ideal adalah sekitar 60 mV (= 2,3 kT/q). Pada daerah panjar mundur, kerapatan arus mengalami kejenuhan pada J s .

Panjar maju

Panjar mundur

Panjar maju

Panjar mundur

Gambar 7.10

Karakteristik ideal arus-tegangan: a) Dalam skala linier dan b) Dalam skala semilogaritmik.

112 Soal Latihan 1. Hitung besarnya potensial penghalang sambungan p-n silikon dengan
N A = 1018 cm -3 , N D = 1015 cm 3 dan ni = 1,45 1010 cm-3

pada temperatur

300K. 2. Sambungan
p-n

silikon

memiliki

N A = 1016 cm -3 ,

N D = 1015 cm 3

dan

ni = 1,45 1010 cm-3 pada temperatur 300 K. a) Tentukan besarnya potensial

penghalang pada sambungan dan b) Tentukan lebar daerah deplesi. Diketahui

= 11,7 dan o = 8,85 10 14 F/cm. N A = 1019 cm -3 , N D = 1016 cm 3

3. Sambungan

p-n

silikon

memiliki

dan

ni = 1,45 1010 cm-3 pada temperatur 300 K. a) Tentukan besarnya potensial

penghalang pada sambungan, b) Tentukan lebar daerah deplesi dan c) Medan listrik maksimum pada panjar nol. Diketahui = 11,7 dan o = 8,85 10 14 F/cm. 4. Sambungan
p-n

silikon

memiliki

N A = 1019 cm -3 ,

N D = 1015 cm 3

dan

ni = 1,5 1010 cm-3 pada temperatur 300 K. Tentukan lebar daerah deplesi jika

sambungan dikenakan panjar mundur sebesar 5 V. Diketahui = 11,7 dan

o = 8,85 10 14 F/cm. N A = 1016 cm -3 , N D = 1015 cm 3

5. Sambungan

p-n

silikon

memiliki

dan

ni = 1,5 1010 cm-3 pada temperatur 300 K. = 11,7 dan o = 8,85 10 14 F/cm.

Sambungan dikenakan panjar

mundur sebesar 5 V. Tentukan besarnya kapasitansi sambungan. Diketahui

6. Sambungan p-n silikon pada temperatur 300 K memiliki N A = N D = 1016 cm -3 ,

ni = 1,5 1010 cm -3 , Dn = 25 cm 2 /det , D p = 10 cm 2 /det , p = n = 5 10 7 det , = 11,7 dan o = 8,85 10 14 F/cm. Tentukan besarnya rapat arus jenuh ideal.