Bahan Ajar ELEKTRONIKA ANALOG PDF
Bahan Ajar ELEKTRONIKA ANALOG PDF
BAHAN AJAR
MATA KULIAH
ELEKTRONIKA ANALOG
DISUSUN OLEH :
Bab 1
Transistor Efek Medan
Konstruksi dan Karakteristik JFET
JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat mengontrol
arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-N dan kanal-P,
sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Umumnya yang akan dibahas pada bab
ini adalah kanal-N, karena untuk kanal-P adalah kebalikannya.
dimasukkan bahan tipe P yang dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan
Gate (G).
Pada saat semua terminal belum diberi tegangan bias dari luar, maka pada
persambungan P dan N pada kedua gate terdapat daerah pengosongan. Hal ini
terjadisebagaimana pada pembahasan dioda persambungan. Pada daerah pengosongan tidak
terdapat pembawa muatan bebas, sehingga tidak mendukung aliran arus sepanjang kanal.
Dengan adanya VDS bernilai positip, maka elektron dari S akan mengalir menuju D
melewati kanal N, karena kanal-N tersedia banyak pembawa muatan mayoritas berupa
elektron. Dengan kata lain arus listrik pada drain (ID) mengalir dari sumber VDS dan arus
pada source (IS) menuju sumber. Aliran elektron ini melewati celah yang disebabkan oleh
daerah pengosongan sebelah kiri dan kanan.
saturationcurrent). IDSS adalah arus drain maksimum dengan kondisi VGS = 0 Volt dan
VDS = Vp.
Gambar 1.7 menunjukkan kurva karakteristik transfer JFET. Kurva ini diperoleh
dengan menggunakan persamaan Shockley dari kurva karakteristik output gambar 1.5.
Dengan diketahuinya nilai IDSS dan Vp dari buku data, maka dengan mudah
hubungan ID dengan VGS dapat ditentukan. Pada gambar 1.7 tersebut, misalnya apabila
harga VGS = 0 dimasukkan ke persamaan Shockley, maka diperoleh:
Selanjutnya dengan memasukkan berbagai harga VGS kedalam persamaan Shockley akan
diperoleh kurva transfer lengkap.
10
IG = 0 dan ID = IS
Persamaan tersebut perlu diingat karena banyak digunakan dalam analisa selanjutnya.
Konstruksi dan Karakteristik D-MOSFET
MOFET
tipe
pengosongan
atau
D-MOSFET
(Depletion-metal-oxide
semiconductorFET) terdiri atas kanal-N dan kanal-P. Gambar 1.8 menunjukkan konstruksi DMOSFET kanal-N.
11
Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada hubungan. Hal ini
membuat impedansi dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari impedansi input
JFET.Dengan demikian dalam pembiasan dc, arus gate IG dianggap sama dengan nol (IG =
0).Istilah
MOSFET
(metal-oxide
semiconductor
FET)
ini
timbul
karena
dalam
konstruksinyaterdapat metal dan oksida silikon. Dalam literatur lama MOSFET ini disebut
dengan IGFET (insulated-gate FET) karena memang terminal gatenya terisolasi dengan
kanal-N.
Penjelasan cara kerja dan karakteristik D-MOSFET kanal-N dimulai dengan
memberikan VGS = 0 dan VDS positip seperti pada gambar 1.9. Pemberian VGS = 0
dilakukan dengan cara menghubungkan terminal G dengan S. Biasanya terminal SS
dihubungkan ke terminal S. Tegangan positip VDS akan menarik elektron bebas pada kanalN dari source menuju drain, sehingga mengalir arus ID. Hal ini sama seperti pada JFET.
BilaVDS diperbesar hingga mencapai Vp, maka arus ID akan jenuh (tidak naik lagi) yang
disebut dengan IDSS.
Apabila VGS dibuat negatip, maka muatan negatip pada terminal gate akan menolak
elektron bebas pada kanal-N menjauhi daerah kanal-N dan menuju daerah substrat-P. Hal ini
akan mengosongkan kanal-N dari elektron bebas, sehingga arus ID semakin kecil. Apabila
tegangan negatip VGS dinaikkan terus hingga kanal-N kosong dari semua elektron
bebas,maka arus ID sudah tidak bisa dinaikkan lagi meskipun dengan memperbesar VDS.
12
13
14
tipe
peningkatan
atau
E-MOSFET
(Enhancement-metal-
oxidesemiconductor FET) terdiri atas kanal-N dan kanal-P. Pembahasan akan dilakukan
hanyauntuk E-MOSFET kanal-N saja, karena pada dasarnya kanal-N dan kanal-P hanya
berbedapolaritas. Gambar 1.12 menunjukkan konstruksi E-MOSFET kanal-N.
Seperti halnya pada D-MOSFET, E-MOSFET ini juga dibuat di atas bahan
dasarsilikon tipe-P yang disebut dengan substrat. Pada umumnya substrat P ini dihubungkan
keterminal SS melalui kontak metal. Terminal SS pada beberapa MOSFET terhubung
langsungdi dalam komponen, sehingga yang keluar tinggal tiga terminal saja, yakni Source
(S), Drain(D) dan Gate (D).
15
16
17
juga VGS(th). Setelah mencapai tegangan VT ini, maka dengan memperbesar harga
VGS,arus ID semakinbesar. Hal ini karena semakin besar VGS berarti jumlah elektron
yangtersedia antara source dan drain semakin banyak. Kurva tranfer dan karakteristik EMOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar 1.14.
Istilah peningkatan (enhancement) dalam E-MOSFET ini menunjuk pada fenomena
bahwa saat VGS masih nol, arus ID tidak ada karena tidak terdapat elektron antara source dan
drain. Kemudian apabila VGS dibuat positip hingga melebihi VT, maka terjadi peningkatan
jumlah elektron antara source dan drain yang berakibat meningkatnya arus ID bila tegangan
VDS positip diperbesar.
Pada saat VGS > VT, apabila VDS masih kecil arus ID naik dengan cepat, namun bila
VDS dinaikkan terus hingga mencapai VDSsat, maka arus ID akan konstan. Hal ini karena
dengan memperbesar VDS sementara VGS tetap, maka tegangan relatif antara G dan D
makin kecil sehingga mengurangi daya tarik elektron pada sisi D-G. Akibatnya arus ID akan
jenuh dan kenaikan VDS lebih jauh tidak akan memperbesar arus ID. Harga VDS ini disebut
dengan VDSsat (atau VDS saturasi).
Dengan melihat kurva karakteristik E-MOSFET ternyata terdapat hubungan antara
VDSsat dengan VGS. Hubungan tersebut adalah dengan semakin tingginya harga VGS,
VDSsat makin tinggi juga. Pada saat VGS = VT yang mana arus ID mulai mengalir dengan
cukup berarti, maka VDSsat = 0. Hal ini karena arus ID sudah mengalami kejenuhan sejak
VDS dinaikkan.
18
dimana: k adalah tetapan (konstanta) sebagai fungsi dari konstruksi komponen. Namun
demikian dengan menurunkannya dari persamaan 1.2 tersebut bisa diperoleh harga k untuk
suatu titik dalam kurva harga ID(on) dan VGS(on) tertentu, yaitu:
Konstruksi dan prinsip kerja E-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari E-MOSFET
kanal-N yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan
arus ID juga berlawanan dengan yang ada pada E-MOSFET kanal-N.
19
Simbol E-MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturutturutpada gambar 1.15a dan 1.15b. Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka EMOSFET menjadi komponen empat terminal. Berbeda dengan simbol JFET yang tanda
panahnya pada gate, untuk gate E-MOSFET tidak ada panahnya karena gate dengan kanal
bukanlah P-N junction.
20
21
Bab 2
Bias Tetap
Metode pemberian tegangan bias yang paling sederhana adalah bias tetap (fixedbias).Gambar 2.1 menunjukkan rangkaian penguat JFET kanal-N dengan bias tetap. Untuk
JFETkanal-P, semua polaritas tegangan harus dibalik. Rangkaian bias tetap ini menggunakan
duabuah sumber daya VGG dan VDD. Tegangan VGS sepenuhnya tergantung pada
sumberVGG yang harganya tetap, sehingga tegangan VGS juga tetap. Untuk analisis dc,
kapasitorkopel C1 dan C2 dianggap terbuka.
22
VGG masuk pada G-S. Secara matematis besarnya tegangan VGS dapat diturunkan:
- VGG - VGS = 0
Oleh karena VGS tetap, maka arus ID juga tetap. Titik kerja JFET VGSQ dan IDQ padakurva
transfer dapat dilihat pada gambar 2.2.
23
Contoh 2.1
Diketahui rangkaian JFET seperti gambar 2.3 dengan data IDSS = 10 mA dan Vp = -8 Volt,
tentukan:
a) VGSQ
24
b) IDQ
c) VDSQ
25
IDQ = 5,625 mA
VDS = 4,75 Volt
Bias Sendiri (Self-bias)
Metode self bias atau bias sendiri mengatasi dua buah sumber daya pada bias
tetap,yakni hanya dengan menggunakan sebuah catu daya. Tegangan VGS pada bias sendiri
iniditentukan oleh besarnya RS pada kaki source. Rangkaian penguat JFET kanal-N dengan
biassendiri terlihat pada gambar 2.4.
26
Beberapa asumsi yang selalu berlaku pada FET (baik JFET maupun MOSFET)
untukanalisis dc adalah bahwa IG = 0 dan ID = IS. Selanjutnya dengan menerapkan
hukumKirchhoff pada ikal input, diperoleh:
VG = VGS + VS
IG.RG = VGS + ID.RS
0 = VGS + ID.RS
- ID.RS = VGs
Dari persamaan 2.4 tersebut terlihat bahwa tegangan VGS semata-mata ditentukan
oleh arusID dan resistor RS.Akan tetapi persamaan 2.4 tersebut masih belum bisa
diselesaikan karena VGS dan IDbelum diketahui. Oleh karena itu perlu memperhatikan
persamaan lain yang mengandungVGS dan ID, yaitu persamaan Shockley
`ID = IDSS (1 VGS/Vp)2
Dengan memasukkan harga ID dari persamaan Shockley ini kedalam persamaan 2.4,
makaharga VGS dapat dicari secara matematis, yaitu:
VGS = - ID.RS
VGS = -{IDSS (1 VGS/Vp)2}. RS
VGS = - IDSS . RS (1 VGS/VP)2
akhirnya diperoleh persamaan kuadrat:
27
Persamaan 2.5 ini dapat diselesaikan dengan rumus ABC (istilah dalam matematis
untukmenyelesaikan persamaan kuadrat), yaitu:
Dengan menggunakan rumus ABC ini akan diperoleh dua buah harga VGS, namun
diantaradua tersebut hanya satu VGS yang memenuhi syarat.Syarat VGS adalah:
Harga VGS harus bernilai antara 0 sampai Vp.
Disamping itu harga (B2- 4AC) dalam rumus ABC tersebut harus bernilai positip.
Apabilabernilai negatip berarti tidak ada penyelesaian.
Setelah harga VGS diperoleh maka dengan menasukkan VGS ke persamaan 2.4
akandapat ditentukan nilai arus ID, yaitu:
Tegangan VDS dapat diperoleh dengan menerapkan hukum Kirchhoff pada ikaloutput, yaitu:
VDD = VDS + ID RD + ID RS
VDD = VDS + ID (RD + RS)
Dengan demikian dapat ditentukan titik kerja penguat FET, yaitu: VGSQ, IDQ, danVDSQ.
28
Contoh 2.2
Suatu rangkaian penguat JFET dengan self-bias seperti pada gambar 2.5.
Diketahuidata JFET adalah sebagai berikut: IDSS = 8 mA dan Vp = - 6 Volt.
Tentukan:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDSQ
29
30
31
32
Persamaan 2.10 ini dapat diselesaikan dengan rumus ABC (istilah dalam matematis untuk
menyelesaikan persamaan kuadrat), yaitu:
Dengan menggunakan rumus ABC ini akan diperoleh dua buah harga VGS, namun
diantara dua tersebut hanya satu VGS yang memenuhi syarat.Syarat VGS adalah:
Harga VGS harus bernilai antara 0 sampai Vp.
Disamping itu harga (B2- 4AC) dalam rumus ABC tersebut harus bernilai positip.
Apabilabernilai negatip berarti tidak ada penyelesaian. Setelah harga VGS diperoleh maka
dengan menasukkan VGS ke persamaan 2.9 akan dapat ditentukan nilai arus ID, yaitu:
33
Tegangan VDS dapat diperoleh dengan menerapkan hukum Kirchhoff pada ikal output, yaitu:
VDD = VDS + ID RD + ID RS
VDD = VDS + ID (RD + RS)
Dengan demikian dapat ditentukan titik kerja penguat FET, yaitu: VGSQ, IDQ, dan VDSQ.
Contoh 2.3
Suatu rangkaian penguat JFET dengan bias pembagi tegangan ditunjukkan pada gambar
2.7. Diketahui data JFET adalah: IDSS = 8mA dan Vp = - 4 Volt. Tentukan:
(a) VGSQ
(b) IDQ
(c) VDSQ
34
Gambar 2.7 Rangkaian penguat FET bias pembagi tegangan untuk contoh 2.3
Penyelesaian:
(a) Menentukan VGSQ dengan persamaan 2.10 dengan terlebih dahulu menghitung
VGdengan persamaan 2.8
35
36
Untuk mempermudah analisis titik kerja pada rangkaian bias pembagi tegangan
inidapat
juga
dipakai
pemrograman
yang
sudah
dibahas
pada
bias
sendiri.
Pemrogramantersebut dapat dipakai untuk kedua metode bias ini. Untuk bias sendiri, karena
R1 tidak ada maka harga tersebut ditulis 1E30, dan yang dimaksud R2 adalah RG.
Pemberian tegangan bias untuk D-MOSFET pada dasarnya sama seperti untuk JFET.
Demikian juga analisis titik kerjanya. Satu hal yang berbeda diantara keduanya adalah bahwa
pada D-MOSFET dimungkinkan pemberian tegangan VGS positip.
Soal Latihan
1. Diketahui rangkaian JFET seperti gambar 2.8 dengan data IDSS = 8 mA dan Vp = 4,5Volt, tentukan:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDSQ
37
2. Suatu rangkaian penguat JFET dengan self-bias seperti pada gambar 2.9. Diketahui
data JFET adalah sebagai berikut: IDSS = 7 mA dan Vp = - 5,5 Volt.
Tentukan:
a) VGSQ
b) IDQ
c) VDSQ
38
Gambar 2.10 Rangkaian penguat FET bias pembagi tegangan untuk soal no. 3
4. Hitunglah harga gm untuk JFET yang mempunyai data IDSS = 10 mA dan Vp = - 6
Volt pada titik kerja VGSQ =:
a) 0.5 Volt
b) - 1.5 Volt
c) - 2.5 Volt
39
Bab 3
Penguat FET
Rangkaian penguat dengan menggunakan FET, seperti juga transistor bipolar, selalu
diberikan tegangan bias agar dapat bekerja sebagai penguat. Tegangan bias untuk FET dapat
diberikan dengan berbagai cara. Diantara yang paling banyak digunakan untuk rangkaian
penguat FET adalah self-bias. Pemberian tegangan bias yang tepat akan menjamin FET dapat
bekerja pada daerah yang aktif.
Beberapa metode pemberian bias termasuk menentukan titik kerja FET akan
dibahaspada bab ini. Kemudian dilanjutkan dengan analisis rangkaian penguat FET guna
menentukan beberapa parameter penguat seperti penguatan tegangan (Av), penguatan arus
(Ai) dan sebagainya. Disamping analisis rangkaian, juga dikenalkan metode perancangan
suatu penguat dengan FET.
Model sinyal kecil FET
FET dapat digunakan sebagai penguat sinyal kecil dengan impedansi input
yangsangat tinggi. Untuk melalukan analisis ac pada rangkaian penguat FET diperlukan
rangkaian ekivalen atau modelnya. Dengan analisis ini dapat diperoleh beberapa parameter
penguatseperti: Av, Ai, Zi, dan Zo. Rangkaian ekivalen ac (model ac) suatu JFET adalah
seperti pada gambar 3.1.
40
41
Sedangkan harga gm terbesar diperoleh saat VGS = 0, yakni pada saat arus ID sama dengan
IDSS. Harga gm pada saat VGS = 0 ini disebut dengan gm0.
Secara matematis harga gm dapat diperoleh dengan menurunkan persamaan
transferatau persamaan Shockley:
sehingga didapatkan:
Atau
dimana:
Persamaan 3.1, 3.2 dan 3.3 berlaku untuk JFET dan D-MOSFET baik kanal P
maupunkanal N. Sedangkan untuk E-MOSFET karena persamaan transfernya berbeda
42
dengan kedua keluarga FET tersebut, maka harga gmnya juga berbeda. Harga gm untuk EMOSFET diturunkan dari persamaan transfernya (persamaan 1.2):
ID = k(VGS VT)2
sehingga didapatkan:
dimana:
Persamaan 3.4 tersebut berlaku untuk E-MOSFET baik untuk kanal N maupun kanal P.
Dari rangkaian ekivalen ac JFET gambar 3.1, selain parameter gm yang
merupakanparameter penting lainnya adalah parameter rds. Parameter rds merupakan
resistansi output FET yang nilai tipikalnya berkisar antara 40 K hingga 100 K, sehingga
dalam berbagai analisis praktek parameter ini sering diabaikan. Apabila parameter rds
diabaikan, maka resistor tersebut dianggap terbuka atau tak terhingga.
43
Untuk memperoleh harga rds yang akurat secara grafis, diperlukan kurva output
JFETdengan skala yang teliti. Sulitnya mendapatkan parameter rds secara grafis karena kurva
output terlihat mendatar. Akan tetapi pada umumnya harga rds sudah diketahui dari buku data
yang dikeluarkan pabrik. Pabrik umumnya mengeluarkan spesifikasi parameter rds dalam
istilah yos. Parameter yos ini disebut dengan admitansi output yaitu kebalikan dari resistansi
output.
44
dimana:
Contoh 3.4
Hitunglah harga gm untuk JFET yang mempunyai data IDSS = 8 mA dan Vp = - 4Volt pada
titik kerja VGSQ =:
a) 0.5 Volt
b) - 1.5 Volt
c) - 2.5 Volt
Penyelesaian:
Menentukan gm pada saat VGS = 0 yaitu gm0 dengan persamaan 3.3:
45
Harga gm terbesar diperoleh pada saat VGS = 0, kemudian apabila VGS dibuat semakin
negatip maka harga gm semakin kecil.
Analisis Penguat CS
Seperti halnya pada penguat transistor bipolar, penguat FET juga dapat
dirangkaidalam beberapa konfigurasi. Konfigurasi penguat JFET dengan source sebagai
terminalbersama disebut dengan penguat Common Source (CS). Rangkaian penguat CS dapat
dilihat pada gambar 3.4. Untuk menganalisa parameter penguat seperti Av, Zi, dan Zo,
rangkaian penguat tersebut perlu diubah menjadi rangkaian ekivalen ac. Gambar 3.4a
merupakanrangkaian ekivalen ac dari gambar 3.4.
46
47
Apabila harga rds diabaikan (atau tidak diketahui) yang disebabkan karena rds>> RD,
makapersamaan 3.6 tersebut menjadi:
Tanda negatip pada kedua persamaan tersebut menunjukkan bahwa antara sinyal output dan
input berbeda fasa 1800atau berlawanan fasa.
Impedansi input (Zi) dari rangkaian tersebut adalah:
Sebenarnya impedansi rangkaian penguat tersebut (Zi) adalah paralel antara RG dengan
impedansi input FET. Akan tetapi karena impedansi input FET sangat tinggi ( 109 harga
tipikal untuk JFET dan 1012 hingga 1015 harga tipikal untuk MOSFET), maka praktis
yangmenentukan impedansi input rangkaian adalah RG.
48
Apabila harga rds diabaikan atau tidak diketahui, maka besarnya Zo tersebut hanya ditentukan
oleh RD, yaitu:
Zo = RD
Contoh 3.5
Suatu rangkaian penguat CS seperti pada gambar 3.5 mempunyai data JFET sebagai
berikut: yos = 40 S, IDSS = 8 mA, dan VGS(off) = -4 Volt.
Tentukanlah:
a) Titik kerja: VGSQ dan IDQ
b) Penguatan tegangan (Av)
c) Impedansi input (Zi)
d) Impedansi output(Zo)
49
50
= - gm(rds || RD)
= - (2,2m)(2,2K || 25K) = - 4,45
51
memperhatikan
rangkaian
ekivalen
ac
tersebut,
maka
penguatan
52
dengan meniadakan harga vgs pada pembilang dan penyebut, maka akhirnya diperoleh:
Impedansi input (Zi) dan output (Zo) dari rangkaian penguat CS dengan RS ini
samaseperti persamaan 3.8, yakni untuk penguat CS dengan CS (tanpa RS).
Zi = RG
Zo = RD
53
Contoh 3.6
Diketahui rangkaian penguat CS seperti pada gambar 3.8, dimana data DMOSFETyang digunakan adalah: IDSS = 10 mA, dan Vp = - 3.5 Volt. Tentukan penguatan
tegangan(Av) rangkaian tersebut.
54
55
Arus yang mengalir melewati RS maupun RD disebut dengan arus Io, sehingga:
Vo = - Io RD
dan
Vs = Io RS
Dengan demikian Irds dapat dinyatakan:
Arus Io sebenarnya merupakan jumlah arus dari sumber arus gm vgs dan arus dari Irds, yaitu:
Io = gm vgs + Irds
apabila harga arus Irds dimasukkan, maka diperoleh:
56
Io {1 + gm RS +(RD + RS)/rds} = gm Vi
akhirnya diperoleh:
57
Persamaan
3.11
terlihat
panjang
karena
adanya
rds
dalam
pembahasan.
Apabiladikembalikan ke depan yaitu bila dalam persamaan 3.11 tersebut harga rds dibuat tak
terhingga, maka persamaan 3.11 menjadi persamaan 3.10. Persamaan 3.10 adalah persamaan
Av dimana rds tidak ada. Selanjutnya apabila dalam persamaan 3.11 tersebut harga rds dibuat
tak terhingga dan RS adalah nol, maka persamaan 3.11 menjadi persamaan 3.3. Persamaan
3.7 ini adalah persamaan Av tanpa rds dan RS hubung singkat.
Impedansi input untuk rangkaian ekivalen gambar 3.9 adalah:
Zi = RG
Sedangkan impedansi output (Zo)nya adalah jumlah paralel antara rds + RS dengan RD,
yaitu:
Contoh 3.7
Perhatikan gambar 3.8 pada contoh 3.6. Diketahui yos = 25 S sebagai data tambahanuntuk
rangkaian tersebut. Hitunglah Av sekarang.
Penyelesaian:
Menentukan rds dengan persamaan 3.5
58
Dari contoh 3.6 tersebut diperoleh gm = 2,77 mS, sehingga bisa langsung dihitung Av
nyadengan persamaan 3.11.
Av
= -1,3
Pada contoh 3.6 dengan mengabaikan rds diperoleh Av = - 1,35, dan pada contoh 3.7
denganmemperhitungkan rds diperoleh Av = -1,3. Secara praktis perbedaan ini cukup
kecil,sehingga pada kebanyakan perhitungan praktis rds selalu diabaikan.
Rangkaian Pengikut Source
Pada transistor bipolar terdapat konfigurasi common kolektor atau rangkaian
pengikutemitor. Sebagai padanan dalam FET terdapat rangakaian pengikut source atau
common drain.Seperti halnya pada transistor bipolar, ciri-ciri rangkaian pengikut source ini
adalahmempunyai Av kurang dari satu, Zo rendah, dan Zi sangat tinggi. Rangkaian pengikut
source
dapat
dilihat
pada
gambar
3.10.
Sedangkan
gambar
3.11
merupakan
59
60
61
Dari persamaan 3.13 tersebut terlihat bahwa harga Av selalu kurang dari satu. Semakin
besarharga gm, harga Av semakin mendekati satu. Harga Av adalah positip berarti sinyal
outputdan input sefasa.
Impedansi input (Zi) rangkaian pengikut source adalah:
Zi = RG
Sedangkan impedansi output (Zo) adalah:
Contoh 3.7
Perhatikan rangkaian pengikut source seperti pada gambar 3.12. Diketahui data JFETadalah:
IDSS = 16 mA, Vp = -4 Volt, dan yos = 25 S. Tentukan Av, Zi dan Zo.
62
Menentukan Zi: Zi = RG = 1 M
Menentukan Zo dengan persamaan 3.14:
Zo = RS || rds || (1/gm)
63
64
Penguatan Av bertanda positip berarti sinyal input dan output sefasa. Bedanya
hargaAv ini dengan Av penguat CS adalah tanda negatipnya saja.
Apabila harga rds diketahui, maka persamaan 3.15 menjadi:
65
Contoh 3.9
Perhatikan rangkaian penguat CG seperti pada gambar 3.15. Diketahui data
JFETadalah: IDSS = 10 mA, Vp = -4 Volt. Tentukan Av, Zi dan Zo.
66
67
68
69
70
71
Bab 4
Penguat Daya
Suatu sistem penguat biasanya terdiri atas beberapa tingkat dimana penguat
dayamerupakan tingkat yang terakhir. Penguat daya dimaksudkan untuk memberikan daya
maksimum kepada beban yang mungkin berupa loudspeaker, penggerak, kumparan atau
komponen daya lainnya. Input dari sistem penguat berupa sinyal kecil yang kemudian
dikuatkan oleh beberapa penguat tegangan dan akhirnya diumpankan ke penguat daya untuk
memperoleh daya yang besar.
Fokus pembicaraan pada penguat sinyal kecil adalah linieritas penguat dan besarnya
penguatan, sedangkan pada penguat daya pembahasan akan difokuskan pada efisiensi
penguat, daya keluaran maksimum, dan penyesuai impedansi. Input penguat daya berupa
sinyal besar, sehingga kemampuan daya transistor harus cukup besar untuk dapat
memberikan daya kepada beban.
Pada bab ini akan dibahas beberapa definisi kelas penguat dan analisa penguat
dayakelas A dan B. Penguat daya dengan kopling trafo dan penguat daya komplementer juga
akan dibicarakan.
Kelas Penguat
Penguat daya dapat diklasifikasikan menurut persentase waktu arus kolektor
mengalir.Kelas-kelas penguat menunjukkan lamanya sinyal output mengalir terhadap satu
siklus operasi penuh dari sinyal input. Yang dimaksud satu siklus penuh operasi adalah
3600.Pembagian kelas penguat tersebut adalah:
Penguat Kelas A:
Penguat kelas A dapat menghasilkan sinyal output sesuai dengan sinyal input
selamasiklus penuh. Arus output (kolektor) mengalir terus menerus meskipun tidak ada sinyal
input, sehingga transistor menerima panas karena adanya ICQ. Efisiensi penguat yang
beroperasi pada kelas A sangat rendah. Gambar 4.1 menunjukkan karakteristik transistor
yang bekerja pada kelas A.
72
apabila
inputnya
gelombang
sinus
maka
sinyal
outputnya
berupa
setengahgelombang. Titik kerjanya berada pada daerah cut-ff (mati), yakni ICQ = 0. Dengan
demikian pada saat tidak ada sinyal input arus kolektor tidak mengalir, sehingga diperoleh
efisiensi penguat yang tinggi.
Penguat kelas B selalu digunakan untuk dua buah penguat yang masingmasingpenguat menguatkan setengah gelombang input, sehingga bisa diperoleh sinyal output
yang penuh. Rangkaian penguat ini disebut dengan penguat push-pull. Masing-masing
penguat bekerja secara bergantian sesuai dengan polaritas ayunan sinyal input.
73
74
75
Apabila sinyal output yang mengalir mengalir pada RL, yaitu ic berbentuk sinus, maka
persamaan di atas menjadi:
dimana Icm adalah harga puncak atau harga maksimum dari sinyal output ic.
Penguat yang direncanakan agar dapat menghasilkan ayunan sinyal output
maksimum,maka harga ICQnya harus diletakkan ditengah-tengah garis beban (ingat
pembicaraan garis beban pada buku jilid 1). Dengan demikian harga maksimum (atau harga
puncak) dari sinyal output ic adalah sebesar ICQ, yaitu:
Icm = ICQ
Dengan memasukkan harga Icm = ICQ ini ke persamaan 4.1, maka diperoleh daya rata-rata
maksimum sebesar:
Untuk penguat dengan titik kerja ditengah-tengah garis beban, yakni agar
diperolehayunan sinyal output maksimum, maka besarnya ICQ adalah:
76
Harga ICQ ini diturunkan dari persamaan 4.26 (buku julid 1), dimana Rac sama dengan Rdc
yaitu sebesar RL + RE. Dengan demikian harga Rac + Rdc adalah 2 (RL + RE). Dengan
memasukkan harga ICQ ini ke persamaan 4.2, maka diperoleh:
Dari persamaan 4.3 terlihat bahwa besarnya daya beban maksimum (saat sinyal
outputmaksimum dan ICQ ditengah garis beban) adalah ditentukan oleh harga VCC dan
resistor RL dan RE. Daya PL,mak dapat diperbesar lagi dengan jalan mengecilkan harga RE.
Apabila RE dibuat jauh lebih kecil dibanding RL, maka nilai RE tersebut bisa diabaikan.
Dengan demikian secara pendekatan daya PL,mak adalah:
Meskipun dalam persamaan 4.4 nilai RE diabaikan karena harganya jauh lebih kecil
dibanding RL, namun dalam kenyataannya resistor RE harus tetap ada agar diperoleh
stabilitas bias yang baik. Syarat agar stabilitas penguat menjadi baik adalah:
RE 10RB
Selanjutnya adalah menentukan daya rata-rata yang diberikan oleh catu daya
VCCkepada rangkaian kolektor yaitu yang disebut dengan PCC. Dengan kata lain PCC
adalah besarnya daya rata-rata dari catu daya yang dipakai oleh rangkaian.
77
Apabila sinyal output berbentuk sinus tanpa cacat (distorsi), maka PCC menjadi:
PCC = VCC ICQ
Untuk penguat dengan titik kerja ditengah-tengah garis beban, yakni agar
diperolehayunan sinyal output maksimum, maka besarnya ICQ adalah:
78
Efesiensi penguat akan maksimum apabila sinyal output maksimum yaitu Icm= ICQ dengan
kondisi ICQ terletak ditengah-tengah garis beban. Dengan anggapan RL >> RE, maka
efesiensi maksimum penguat daya kelas A adalah:
79
Dengan demikian nilai figure of merit penguat daya kelas A dengan beban resistor adalah:
Nilai figure of merit sebesar 2 ini artinya adalah apabila pada penguat daya kelas A dengan
beban resistor diinginkan daya beban maksimum sebesar 1 Watt, maka daya transistor
maksimum yang dibutuhkan adalah 2 watt. Daya transistor maksimum (PC,mak) ini sering
dicantumkan dalam buku data sebagai data yang sangat penting terutama dalam perencanaan
penguat daya.
80
Contoh 4.1
Rangkaian penguat daya kelas A seperti pada gambar 4.3a diberi sinyal input
sehinggamengalir arus basis (ac) dengan harga puncak 10 mA. Tentukan efesiensi penguat
daya tersebut.
81
82
83
Beban ac yang dirasakan oleh kolektor pada bagian primer trafo adalah
RL.Sedangkan beban dc yang dirasakan kolektor adalah 0. Karena secara ideal Rdc dari
trafo adalah 0 W. Dengan demikian garis beban dc dan ac dari rangkaian penguat gambar 4.4
adalah seperti pada gambar 4.5.
dimana Icm adalah harga puncak atau harga maksimum dari sinyal output ic. Daya padabeban
akan maksimum apabila Icm = ICQ, yaitu:
84
Pada penguat dengan beban trafo, bila titik kerja ditengah-tengah garis beban
agardiperoleh ayunan sinyal output maksimum, maka besarnya ICQ adalah (RL >> RE):
Daya rata-rata yang diberikan catu daya kepada rangkaian kolektor PCC adalah:
PCC = VCC ICQ
Dengan memasukkan harga ICQ,
85
Efesiensi penguat akan maksimum apabila sinyal output maksimum yaitu Icm = ICQ dengan
kondisi ICQ terletak ditengah-tengah garis beban. Dengan anggapan RL >> RE, maka
efesiensi maksimum penguat daya kelas A dengan trafo adalah:
86
Gambar 4.7 Rangkaian penguat push-pull kelas B dengan trafo input dan output
87
88
89
Dari bentuk gelombang pada gambar 4.9 terlihat bahwa transistor T1 dan T2
bekerjasecara bergantian. Pada saat sinyal input berpolaritas positip, maka T2 menjadi hidup
karena basis-emitor T2 mendapat bias maju sedangkan T1 menjadi mati karena basis-emitor
T1mendapat tidak mendapat bias maju. Sebaliknya pada saat sinyal input berpolaritas
negatip, maka T1 menjadi hidup karena basis-emitor T1 mendapat bias maju sedangkan T2
menjadi mati karena basis-emitor T2 mendapat tidak mendapat bias maju.
Trafo input pada rangkaian tersebut berfungsi sebagai pembelah fasa. Terminal
skunder pada ujung atas (yang terhubung ke T2) selalu berlawanan fasa dengan terminal pada
ujung bawah (yang terhubung ke T1). Sedangkan fungsi utama trafo output adalah sebagai
penyesuai impedansi, dari impedansi transistor yang tinggi ke impedansi beban yang
umumnya rendah.
Perhitungan daya pada penguat push-pull kelas B adalah sebagai berikut. Daya
rataratapada beban RL yang disebabkan oleh adanya sinyal ac adalah:
dimana Icm adalah harga puncak atau harga maksimum dari sinyal output ic. Daya pada
beban akan maksimum apabila:
90
Setelah diketahui harga PL dan PCC, maka dapat ditentukan efesiensi penguat, yaitu:
91
92
Nilai figure of merit sebesar 0,2 ini berarti bahwa apabila suatu penguat kelas
Bdiinginkan daya beban maksimum 25 Watt, maka daya transistor maksimum yang
diperlukan adalah 5 Watt. Padahal dengan transistor yang sama, yakni dengan PCmak = 5
Watt, apabila dipakai untuk penguat kelas A hanya mampu menghasilkan daya beban
maksimum sebesar 2,5 watt.
Pada sinyal output yang diperoleh dari penguat daya push-pull kelas B terdapat
cacatsilang atau crossover distortion. Cacat ini terjadi karena ketidak linieran karakteristik
transistor pada awal kerjanya, yaitu antara titik mati hingga cut-in. Bentuk gelombang output
dengan cacat silang ditunjukkan pada gambar 4.11.
93
Gambar 4.11 Cacat silang pada sinyal output penguat push-pull kelas B
Untuk mengatasi adanya cacat silang tersebut, penguat push-pull perlu diberi biaspada
daerah cut-in. Dengan adanya tegangan bias yang kecil ini, maka penguat beroperasi pada
kelas AB. Gambar penguat daya push-pull kelas AB terlihat pada gambar 4.12.
Gambar 4.12 Rangkaian penguat push-pull kelas AB dengan trafo input dan output
94
daya
komplementer
merupakan
bentuk
lain
penguat
push-pull
yangmenggunakan dua buah transistor PNP dan NPN yang saling berkomplemen.
Keuntungan penguat komplementer ini adalah tidak diperlukan adanya trafo input dan trafo
output. Rangkaian dasar penguat simetri komplementeradalah seperti pada gambar 4.13.
95
Gambar 4.14 Bentuk gelombang dan arah arus saat input positip
Gambar 4.15 Bentuk gelombang dan arah arus saat input negatip
96
Pada saat siklus sinyal input positip arah arus kolektor ic dari kanan ke kiri
(gambar4.14), dan saat siklus sinyal input negatip arah arus kolektor ic dari kiri ke kanan. Hal
inimenunjukkan bahwa polaritas sinyal output sesuai dengan polaritas sinyal input.
Konfigurasi
dasar
dari
tiap
penguat
transistor
dalam
penguat
simetri
komplementeradalah pengikut emitor, karena sinyal output diambil dari kaki emitor. Dengan
demikian penguatan tegangan Av dari penguat tersebut kurang lebih adalah satu, atau tidak
menguatkan. Sedangkan fasa sinyal input dan output adalah sama atau tidak berlawanan.
Contoh 4.2
Perhatikan rangkaian penguat daya simetri komplementer pada gambar 4.16.
Apabilasinyal sebesar 12 Vrms diumpankan pada input penguat, tentukan daya beban, daya
dari catu daya, efesiensi, dan daya transistor.
97
Vim
= (2)(Virms)
= (2)(12 V) = 16,7 V
98
99
100
101
DAFTAR PUSTAKA
1. Coughlin, R. F., Driscoll, F. F.,1994, Penguat Operasional dan Rangkaian Terpadu Linier,
Erlangga, Jakarta
2. Loveday, G., Intisari Elektronika, Elex Media Komputindo, Jakarta
3. Malvino, A.P., 2003, Prinsip-prinsip Elektronika, Jilid 1 dan 2, Salemba Teknika, Jakarta
4. Sutrisno, 1986, Elektronika Teori dan Penerapannya, Jilid 1 dan 2, Penerbit ITB,
Bandung
5. Veer, J.C.M., et all, 1986, Rangkaian-rangkaian Penguat Elektronik, Binacipta, Bandung
6. Wasito, 1994, Vademekum Elektronika, Gramedia, Jakarta