Laporan Praktikum Fisika Dasar

Remote Laboratory
LR03 Karakteristik V I Semikonduktor

Nama

Mohammad Didy Juliansyah

NPM

1506675876

Fakultas / Program Studi

Teknik / Teknologi Bioproses

Kelompok Praktikum

Kelompok 7

Pekan Praktikum

Pekan 1 Karakteristik V I Semikonduktor

Tanggal Praktikum

Kamis, 22 September 2016

Kode Praktikum

LR-03

Unit Pelaksana Pendidikan Ilmu Pengetahuan Dasar

Universitas Indonesia
Depok, 2016

LR03 Karakteristik V I Semikonduktor

I.

Tujuan
Melihat karakteristik hubungan beda potensial (V) dengan arus listrik (I) pada
suatu semikonduktor.

II.

Peralatan
- Bahan semikonduktor
- Amperemeter
- Voltmeter
- Variabel power supply
- Camcorder
- Unit PC beserta DAQ dan perangkat pengendali otomatis

III.

Landasan Teori
Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada
di antara insulator dan konduktor. Tahanan jenis bahan semikonduktor antara 103m sampai dengan sekitar 103m. Atom-atom bahan semi konduktor
membentuk kristal dengan struktur tetrahedral, dengan ikatan kovalen. . Sebuah
semikonduktor bersifat sebagai insulator pada temperatur yang sangat rendah,
namun pada temperatur ruangan besifat sebagai konduktor. Bahan semikonduksi
yang sering digunakan adalah silikon, germanium, dan gallium arsenide. Pada 0 K
SI mempunyai lebar pita (energy gap) 0,785 eV, sedang untuk Ge 1,21 eV. Baik Si
maupun Ge mempunyai elektron valensi 4. Ada 2 jenis bahan semikonduktor yaitu
semikonduktor intrinsik (murni) dan semi konduktor ekstrinsik (tidak murni).
Untuk semikonduktor ekstrinsik ada 2 tipe yaitu tipa P dan tipe N.

Semi konduktor instrinsik

Semikonduktor instrinsik (murni) adalah semi konduktor yang tidak ataupun
belum terkotori oleh atom-atom asing. Pada 0 K pita valensi penuh, pita konduksi
kosong sehingga bersifat sebagai isolator. Pada suhu yang lebih tinggi misal pada
suhu kamar ada lektron pada pita valensi yang energinya melebihi energi gap
sehingga dapat meloncat dari pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas
dengan meninggalkan kekosongan pada pita valensi. Kekosongan ini disebut hole
(lubang) dan dianggap bermuatan positif sebesar muatan elektron.
Dengan demikian jika digambarkan pita energinya. Semikonduktor intrinsik
pada suhu 0 K bersifat sebagai isolator, dan pada suhu agak tinggi bersifat sebagai
konduktor karena adanya pembentukan pasangan-pasangan eletron bebas hole
yang keduanya berlaku sebagai pembawa ikatan.
Jika konsentrasi (jumlah per volume) elektron bebas dalam semi konduktot
instrinsik dinyatakan dengan ni dan konsentrasi hole
dengan pi maka berlaku,

ni = pi
Ketergantungan konsentrasi pembawa muatan dalam semikonduktor instrinsik
n terhadap suhu dapat ditentukan berdasarkan statistik Fermi Dirac, dan
menghasilkan formulasi sebagai berikut :
ni2= AoT3-EGO/kT
Keterangan:
Ao
= tetapan tak bergantung suhu
T
= suhu kelvin
EGO = energi gap pada 0 K dalam eV
K
= konstante Bolzman dalam eV/K

= 2,7
Daya hantar jenis dan tahanan jenis semikonduktor intrinsik diberikan oleh
persamaan-persamaan
= eni(n+ p)
1
=
Keterangan:
= daya hantar listrik
= tahan jenis
n = mobilitas elektron bebas
p = mobilitas hole

Semi konduktor tipe N

Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktorekstrinsik (tak murni).
Semi konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat
pengotoran (doping) atom-atom asing. Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil,
dengan perbandingan atom pengotor (asing) dengan atom asliberkisar antara 1 :
100 juta sampai dengan 1 : 1 juta. Tujuan ini adalah agar bahan kaya akan satu
jenis pembawa muatan saja (Elektron bebas saja atau hole saja) dan untuk
memperbesar daya hantar listrik. Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor
eksintrik, yang diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori dengan atom
asing yang bervalensi 5 seperti As, Pb, P.
Karena perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka
setiap atom pengotor (asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi
yang ke 5 dari atom pengotortidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi
elektron bebas. Dengan demikian pada bahan ini jumlah elektron bebas akan
meningkatsesuai jumlah atom pengotornya sehingga elektron bebas menjadi
pembawa muatan mayoritas dan hole (yang terbentuk akibat suhu) menjadi
pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan mayoritasnya adalah
elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka semikonduktor
yang terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. dalam hal ini N kependekan
dari kata Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa
semikonduktor ini bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap netral.
Karena atom pengotor memberikan kelebihan elektron-elektron dalam ikatan
kovalen, maka disebut donor (atom donor). Setelah donor memberikan kelebihan
elektronnya, maka akan menjadiion positif.

Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tipe N ini dinyatakan

dengan nn sedang konsentrasi holenya dinyatakan dengan pn dan konsentrasi
atom donor dinyatakan dengan ND maka berlaku :
nn ND
Menurut hukum massa aksi hasil kali konsentrasi pembawa muatan positif
dengan pembawa muatan negatif dalam keseimbangan termal merupakan suatu
tetapan yang tidak bergantung pada donor dan aseptor yang besarnya n. Maka
berdasarkan hukum ini berlaku
nn pn ND
n2 n 2
pn = nn = N p
Daya hantar jenis listriknya dapat dicari dari hubungan sebagai berikut :
= e ( nnn + pnn)
n2
= e ( nnn + N p p)
jika pn diabaikan terhadap nn maka ,
= eNpn

Semikonduktor P
Semikonduktor ini diperoleh dari semikonduktor intrinsik yang dikotori
dengan atom asing yang bervalensi 3, misalnya Al, atau Ga. Karena perbandingan
atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor hanya
bervalensi 3 maka hanya menyediakan 3 elektron dalam ikatan kovalen, sehingga
ada kekurangan (kekosongan = lubang = hole). Dengan demikian pengotoran ini
menyebabkan meningkatnya jumlah holeatau dengan kata lain hole sebagai
pembawa muatan mayoritas. Sedang pembawa muatan moniritasnya adalah
elektron bebas yang terbentuk adalah elektron bebas yang terbentuk akibat suhu.
Karena pembawa muatan mayoritasnya hole, sedang hole bermuatan positif maka
semikonduktor yang terbentuk disebut semikonduktor tipe P. dalam hal ini P
kependekan dari kata positif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi bukan berarti
semikonduktor ini bermuatan positif, tetapi semikonduktor ini tetap netral, seperti
halnya semikonduktor tipe N. karena atom pengotor menyediakan kekurangan,
maka disebut aseptor (atom aseptor). Hole mudah diisi oleh elektron dan elektron
yang mengisi meninggalkan hole baru dan seterusnya sehingga ada gerakan hole.
Setelah hole diisi oleh elektron, aseptor akan menjadi ion negatif.
Jika konsentrasi elektron bebas pada semikonduktor tope P ini disebut np,
konsentrasi holenya ppdan konsentrasi aseptornya NA maka analog pada
semikonduktor tipe N berlaku persamaan-persamaan :
Pp = N A
2
Nnpp = n2

Np =

n22 n22
=
pp N A

Np << pp
2

= e ( nnn +

N2
N A p)

dan jika np diabaikan terhadap pp maka,

= eNAP
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik, karena
konduktansinya yang dapat diubah-ubah dengan menyuntikkan materi lain (biasa
disebut materi doping). Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam
elektronik adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara
terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini
disebut dopant.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan
konduktivitasnya dengan faktor lebih besar dari satu milyar. Dalam sirkuit terpadu
modern, misalnya, polycrystalline silicon didop-berat seringkali digunakan
sebagai pengganti logam.
Alat Semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen
elektronik yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu Silikon,
Germanium, dan Gallium Arsenide. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah
menggantikan alat thermionik (seperti tabung hampa).
Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk
padat (solid state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas
(gaseous state). Alat-alat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk- bentuk
dicrete (potongan) seperti transistor, diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai
bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar (jutaan) dalam satu keping
Silikon yang dinamakan Sirkuit terpadu (IC).

Gambar 1. Rangkaian Tertutup Semikonduktor

Sumber: http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory/kuliah/view_experiment.php?id=18438&exp=53

IV.

Cara Kerja
Eksperimen rLab ini dapat dilakukan dengan cara masuk ke
http://sitrampil.ui.ac.id/elaboratory
1. Memperhatikan halaman web percobaan karakteristik VI semi konduktor
2. Memberikan
beda
potensial
dengan
member
tegangan
V1.
3. Mengaktifkan power supply/baterai dengan mengklik radio button di
sebelahnya.
4. Mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada hambatan!
5. Mengulangi langkah 3 hingga 5 untuk beda potensial V2 hingga V8
Catatan : data yang diperoleh adalah 5 buah data terakhir jika rangkaian diberi
beda potensial tertentu ( misalkan V1) dengan interval 1 detik antara data ke satu
dengan data berikutnya.

V.

Data Pengamatan
Data yang diperoleh adalah sebagai berikut,

V1
V
0.43
0.43
0.43
0.43
0.43

V2
V
0.91
0.91
0.91
0.91
0.91

I
3.58
3.58
3.58
3.58
3.58

I
7.82
7.82
7.82
7.82
7.82

V3
V

1.36
1.36
1.36
1.36
1.36

11.73
11.73
11.73
11.73
11.73

V
1.44
1.40
1.45
1.47
1.48

I
13.36
12.28
13.36
13.36
13.03

V
2.27
2.27
2.27
2.27
2.27

I
20.53
20.53
20.53
20.85
21.18

V
2.83
2.82
2.81
2.81
2.81

I
26.07
26.72
27.04
27.37
27.37

V
3.14
3.14
3.14
3.13
3.13

I
30.95
30.63
30.95
31.28
30.95

V
3.58

I
36.17

V4

V5

V6

V7

V8

3.57
3.56
3.55
3.54

VI.

36.82
37.47
37.47
38.12

Pengolahan Data
Dengan menggunakan rumus Vrata-rata =

V
n

dan Irata-rata =

Vrata-rata
0.43
0.91
1.36
1.44
2.27
2.82
3.14
3.56

Percobaan
V1
V2
V3
V4
V5
V6
V7
V8

I
n

maka,

Irata-rata
3.58
7.82
11.73
13.3
20.72
26.9
30.95
37.21

Selanjutnya, menghitung rata-rata V dan I dari setiap percobaan

Vp =

Vratarata
np

dan Ip =

I ratarata
np

didapatkan hasil
Vp = 1.99 V dan Ip = 19.03 A
Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan
garis hubungan antara V dan I. Rumus yang digunakan adalah
V=IxR
R=

V
I

Nilai R merupakan perbandingan antara Vp dan Ip

R=

1.99 V
19.03 A

= 0.1045

Dengan menggunakan metode least square, kita dapat menentukan persamaan

garis hubungan antara V dan I. Hubungan ini disebut juga dengan hambatan
semikonduktor.
y = bx + a
V=RI
Dimana y merupakan fungsi dari V, b merupakan fungsi dari R, x merupakan
fungsi dari I, dan a merupakan Konstanta.

Persamaan hambatan semikonduktor diperoleh

y = 10.52793x (-1.93749)
Menghitung kesalahan relatif,

Grafik hubungan antara V dan I

y = 10.52793x (-1.93749)

VII.

Analisis
a. Analisis Percobaan
Percobaan dilakukan dengan tujuan memelajari hubungan antara tegangan
listrik (V) dengan arus listrik (I) pada suatu semikonduktor. Praktikan
mengaktifkan webcam lalu mengukur beda potensial dan arus yang terukur pada
hambatan. Setelah mendapatkan semua data tersebut, praktikan mencari berapa
nilai dari hambatan yang digunakan pada percobaan tersebut. Namun, pada saat

percobaan video tidak bisa diaktifkan sehingga praktikan tidak dapat mengontrol
besarnya beda potensial yang akan terukur.
b. Analisis Hasil
Dari data pengamatan yang didapatkan, praktikan bisa menghitung besar
hambatan semikonduktor dengan cara memasukkan data-data tersebut ke dalam
persamaan hukum ohm. Hukum ohm menyatakan bahwa Kuat arus yang
mengalir melalui penghantar sebanding dengan beda potensial pada kedua ujung
penghantar.
V=IR
Hasil yang diperoleh y = 10.52793x (-1.93749) dapat digunakan untuk
menghitung nilai hambatan konduktor pada alat yang digunakan. Namun hasil
yang diperoleh pada saat pengolahan data kurang maksimal karena jumah angka
yang digunakan hanya sampai 5 angka dibelakang koma sehingga hasil yang
didapatkan kurang akurat.
Kesalahan relatif dari perhitungan data adalah 96,6% hal ini menunjukan
adanya beberapa kesalahan pada saat pengambilan data, sehingga menghasilkan
angka kesalahan relatif yang cukup tinggi.
Pada perhitungan nilai hambatan semikonduktor dapat digunakan rumus pada
hukum ohm karena semikonduktor dapat bersifat baik sebagai isolator dan
konduktor dan itu semua bergantung pada suhu. Apabila sedang dalam kondisi
sebagai konduktor maka pada semikonduktor itu terdapat hambatan. Pengaruh
temperatur pada semikonduktor berpengaruh pada perhitungan konsentrasi dari
elektron bebas atau hole.

c. Analisis Grafik
Dari grafik diatas dapat dilihat hubungan antara beda potensial (V) dan arus
(I). Grafik tersebut menghasilkan persamaan garis yang merupakan kurva linier.
Semakin besar arus yang diberikan maka beda potensialnya pun makin besar. Hal
ini menyatakan bahwa arus berbanding lurus dengan beda potensial.
Berdasarkan grafik, kita dapat mengetahui nilai gradien dari kurva linier
tersebut. Disebutkan bahwa nilai gradien adalah 9,8. Nilai gradien disini
menunjukkan besar hambatan semikonduktor yang kita cari.
VIII. Kesimpulan
Semikonduktor merupakan bahan yang dapat bersifat isolator maupun konduktor
tergantung pada suhu bahan. Sifat konduktor akan lebih tampak pada suhu tinggi,
sedangkan sifat isolator akan lebih tampak pada suhu rendah
Semikonduktor sangat berguna dalam bidang elektronik karena nilai
konduktansinya yang dapat diubah dengan mencampurkan materi lain.
Untuk mencari besar hambatan pada semikonduktor dapat digunakan hukum ohm
V
yaitu: R = I

 Beda potensial (V) berbanding lurus dengan arus istrik (I). Semakin besar beda
potensial maka arus yang dihasilkan juga semakin besar.
IX.

Referensi
1. Halliday, Resnick, Walker; Fundamentals of Physics, 9th Edition, Extended
Edition, John Wiley & Sons, Inc., NJ, 2007
2. www.slideshare.net/nelnelly/bahan-semikonduktor-24342541
3. staff.uny.ac.id/system/files/pendidikan/..../Bahan%20Semikonduktor.pdf