BAB I

PENDAHULUAN
1.1 LATAR BELAKANG
Pada tahun-tahun yang lalu, gelanggang piranti penyakelar daya (switching
device) memang didominasi oleh transistor, juga SCR yang sulit untuk dimatikan
serta bekerja relatif lambat. Kondisi ini mendorong para perancang di berbagai
laboratorium pembuatan piranti semikonduktor seperti di Motorola, IR, APT,
IXYS, Siemens, Samsung dan lainnya saling berlomba untuk menemukan piranti
penyakelar yang memiliki kemampuan lebih baik. Sebagai hasilnya,munculah
piranti IGBT.
IGBT memang telah muncul sebagai pesaing bagi Power MOSFET
konvensional yang beroperasi pada tegangan tinggi dan rugi konduksi yang
rendah. Berbagai usaha telah dilakukan dalam tahun-tahun terakhir ini untuk
dapat membuat penyakelar IGBT dapat bekerja seperti halnya MOSFET, sembari
mendapatkan kemampuan yang setara dengan transistor daya bipolar, baik yang
bekerja pada tegangan menengah maupun tegangan tinggi. Para pembuat IGBT
memang sedang berusaha untuk membuat piranti elektronik ini menjadi pilihan
alternatif yang menarik untuk rentang yang luas di bidang elektronika daya,
tempat yang semula didominasi oleh power MOSFET dan transistor bipolar.
Dampaknya, para rekayasawan yang berkecimpung di bidang elektronika dayapun
kini dihadapkan

pada suatu pilihan

yang

perlu lebih cermat

dalam

mempertimbangkan beberapa kriteria, saat memilih mana dari kedua piranti

elektronik tersebut yang akan dipergunakan. Sebab, seri-seri baru kini terus
bermunculan di pasaran, beserta masing-masing keunggulannya.

BAB II
PEMBAHASAN
II.1. DEFINISI
IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) adalah piranti semikonduktor
dengan tiga terminal yang setara dengan gabungan sebuah transistor bipolar (BJT)
dan sebuah transistor efek medan (MOSFET) yang tercatat untuk efisiensi tinggi
dan cepat berpindah. Karena dirancang untuk cepat menghidupkan dan
mematikan, IGBT sering digunakan dengan menyatukan kompleks waveforms
pulse modulasi lebar dan low-pass filters.
II.2. KARAKTERISTIK IGBT
Sesuai dengan namanya, divais baru ini merupakan divais yang
menggabungkan struktur dan sifat-sifat dari kedua jenis transistor tersebut di atas,
BJT dan MOSFET. Dengan kata lain, IGBT mempunyai sifat kerja yang
menggabungkan keunggulan sifat-sifat kedua jenis transistor tersebut. Terminal
gate dari IGBT, sebagai terminal kendali juga mempunyai struktur bahan
penyekat (insulator) sebagaimana pada MOSFET.

Input dari IGBT adalah terminal Gate dari MOSFET, sedang terminal
Source dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian,
arus drain keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena
besarnya tahanan masuk dari MOSFET, maka terminal input IGBT hanya akan
menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus drain sebagai arus

keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan
saturasi. Dengan gabungan sifat kedua elemen tersebut, IGBT mempunyai
perilaku yang cukup ideal sebagai sebuah saklar elektronik. Di satu pihak IGBT
tidak terlalu membebani sumber, di pihak lain mampu menghasilkan arus yang
besar bagi beban listrik yang dikendalikannya.

Terminal masukan IGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tinggi,

sehingga tidak membebani rangkaian pengendalinya yang umumnya terdiri dari
rangkaian logika. Ini akan menyederhanakan rancangan rangkaian pengendali
(controller) dan penggerak (driver) dari IGBT.
Di samping itu, kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi
dibandingkan divais BJT, meskipun lebih rendah dari divais MOSFET yang
setara. Di lain pihak, terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai
terminal keluaran (kolektor-emitter) BJT. Dengan kata lain, pada saat keadaan
menghantar, nilai tahanan menghantar (Ron) dari IGBT sangat kecil, menyerupai
Ron pada BJT.
Dengan demikian bila tegangan jatuh serta lesapan dayanya pada saat
keadaan menghantar juga kecil. Dengan sifat-sifat seperti ini, IGBT akan sesuai
untuk dioperasikan pada arus yang besar, hingga ratusan Ampere, tanpa terjadi
kerugian daya yang cukup berarti. IGBT sesuai untuk aplikasi pada perangkat
inverter maupun Kendali Motor Listrik (Drive).

II.3. SIFAT-SIFAT IGBT

Komponen utama di dalam aplikasi elekronika daya (power electronics)
dewasa ini adalah saklar zat padat (solid-state switches) yang diwujudkan dengan
peralatan semikonduktor seperti transistor bipolar (BJT),transistor efek medan
(MOSFET), maupun Thyristor. Sebuah saklar ideal di dalam aplikasi elektronika
daya akan mempunyai sifat-sifat sebagai berikut:
1. pada saat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang
besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus
bocor struktur saklar sangat kecil
2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai
tahanan menghantar (Ron) yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai
tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin,
demikian pula dengan besarnya daya lesapan (power dissipation) yang
terjadi, dan (kecepatan pensaklaran (switching speed) yang tinggi.

Sifat nomor (1) umumnya dapat dipenuhi dengan baik oleh semua
jenis peralatan semikonduktor yang disebutkan di atas, karena
peralatan semikonduktor komersial pada umumnya mempunyai nilai
arus bocor yang sangat kecil.

Untuk sifat nomor (2), BJT lebih unggul dari MOSFET, karena
tegangan jatuh pada terminal kolektor-emitter, VCE pada keadaan
menghantar (on) dapat dibuat sekecil mungkin dengan membuat
transitor BJT berada dalam keadaan jenuh (saturasi).

Sebaliknya, untuk unsur kinerja nomor (3) yaitu kecepatan switching,

MOSFET lebih unggul dari BJT, karena sebagai divais yang bekerja
berdasarkan aliran pembawa muatan mayoritas (majority carrier),
pada MOSFET tidak dijumpai aruh penyimpanan pembawa muatan
minoritas

pada

saat

proses

pensaklaran,

yang

memperlamnat proses pensaklaran tersebut.

II.4. RUMUS-RUMUS IGBT
1. Total Daya Disipasi (Daya maksimal yang dapat device tahan)

2. Arus Pada Colector

Keterangan
P

= Daya Disipasi

Ic

= Arus Colector

cenderung

Tj

= Temperatur Junction

Vce

= Beda potensial Colector - Emiter

II.5. PERBANDINGAN UMUM ANTARA KINERJA BJT, MOSFET DAN

IGBT
Tabel 1. Perbandingan tiga piranti penyakelar daya untuk kemampuan
(rating) yang setara
Karakteristik

MOSFET

IGBT

Bipolar

Kemampuan arus (A)

20

20

20

Kemampuan tegangan (V)

500

600

500

Ron

(ohm)

0,2

0,24

0,18

Pada 25 C
Ron

(ohm)

0,6

0,23

0,24

40

200

200

Pada 150 C
Waktu turun (nanodetik)

Dua fakta yang bersumber pada Tabel 1 tersebut adalah bahwa; pertama,
transistor bipolar sangat lebih lambat daripada MOSFET. Secara prinsip, hal ini
disebabkan oleh waktu gulir mati (turn-off) piranti bipolar yang lebih panjang.
Kedua adalah resistansi saat kondisi menyambung (on-state) piranti bipolar yang
relatif tak bergantung (bersifat invarian) terhadap temperatur, dibandingkan
dengan adanya nilai koefisien temperatur yang tinggi pada MOSFET. Informasi
koefisien temperatur ini merupakan pertimbangan penting dalam perencanaan
batas aman thermal pada sistem-sistem yang berdaya tinggi.
Tabel 2 menyatakan perbandingan yang lebih umum mengenai
karakteristik penyakelarannya. Disebabkan oleh struktur masukan gate-nya,
MOSFET dan IGBT merupakan piranti elektronik yang dikemudikan oleh
tegangan, dengan kebutuhan akan daya pengemudi yang relatif kecil saja.
Sementara itu, pada transistor bipolar yang sifatnya dikemudikan oleh arus (arus
keluaran dibagi oleh hFE), ia memerlukan pengemudi dengan daya yang relatif
lebih besar.

Dalam hal kapasitansi masukan, untuk MOSFET dan IGBT, bergantung

pada ratingnya (kemampuan arusnya). Kapasitansi ini dapat menjadi demikian
besar, sehingga rangkaian pengemudinya dituntut memiliki kemampuan untuk
mengisi dan membuang dengan cepat muatan kapasitansi yang besar ini.
IGBT tampaknya memang menawarkan rating kemampuan arus yang
lebih baik. Namun demikian, kekurangan dan kelebihan masing-masing piranti
yang tercantum pada Tabel 2 tersebut dapat digunakan sebagai acuan untuk
memilih salah satu di antara ketiganya.
Tabel 2. Perbandingan karakteristik piranti penyakelar daya
Karakteristik

MOSFET

IGBT

Bipolar

Tipe pengemudi

Tegangan

Tegangan

Arus

Daya pengemudi

minimum

Minimum

Besar

kerumitan Sederhana

Sederhana

Cukupan

Tingkat

pengemudi
Kemampuan

atau

sedang
arus Tinggi pada teg. Sangat

pada nilai tegangan rendah;

tinggi Cukupan

rendah (terpengaruh

(sangat

oleh terpengaruh

oleh

drop di ujung-ujung pada teg. tinggi

kecepatan

kecepatan

terminal piranti

penyakelaran)

penyakelaran

Rugi penyakelaran Sangat rendah

Rendah

sampai Sedang

sedang
(dipengaruhi

sampai

tinggi (dipengaruhi
oleh oleh rugi konduksi)

rugi konduksi)
Untuk mempertahankan nilai resistansi yang tetap rendah, pembuat IGBT
membuat kemampuan arus yang lebih rendah untuk tipe yang lebih cepat. Sebagai
contoh, Perusahaan International Rectifier (IR) di pasaran menawarkan tiga tipe
IGBT; yakni tipe standar, cepat dan ultra cepat. IR mendeskripsikan kemampuan
arus dengan perbandingan terbalik terhadap kecepatan penyakelarannya.
Sementara itu VCE saturasinya naik berturut-turut untuk masing-masing tipe
tersebut menjadi; 1,3 1,5, dan 1,9 volt.

Parameter terakhir dalam Tabel 2 tersebut adalah rugi penyakelaran

(switching losses) , yang mencerminkan kecepatan penyakelaran dari ketiga
piranti elektronik tersebut. Untuk MOSFET, baik transisi saat menyambung (turnon) dan memutus (turn-off) sangat cepat. Sedang untuk IGBT, kita dihadapkan
pada kenyataan bahwa ada perimbangan dalam hal kecepatan penyakelaran versus
kemampuan arus; jenis yang lebih cepat akan mengalami rugi konduksi yang
lebih tinggi.
Waktu penyakelaran pada IGBT sebagian besar didominasi oleh waktu
saat menyambung, sehingga secara garis besar membatasi penggunaannya dalam
sistem yang beroperasi pada laju penyakelaran yang lebih rendah daripada 100
kHz.
II.6. PERKEMBANGAN FABRIKASI SAKLAR DAYA
Kini pasar dunia piranti semikonduktor telah melihat beberapa versi IGBT
yang telah diperbaiki untuk aplikasi tertentu.
IGBT tradisional memang berbasis pada teknik punchthrough yang
memiliki rugi-rugi penyakelaran yang tinggi, dan menghasilkan kecepatan yang
lebih rendah. Selain itu tegangan kerjanya yang paling tinggi cuma masuk
kategori kelas menengah. Kondisi ini akan menjadi lebih buruk jika tegangan
dadalnya dinaikkan. Masalahnya adalah waktu hidup elektron-elektron dan holehole dalam daerah aliran muatan (drift) pada IGBT menyebabkan rugi
penyakelaran yang tinggi maupun arus bocor.
Beberapa pabrik telah menerapkan iradiasi elektron dosis tinggi untuk
meningkatkan

pembunuhan

waktu

hidup

pembawa

muatan

sembari

meminimumkan ekor arus dan rugi energi penyakelaran. Sementara, pabrik lain
mengadopsi metode non-punchthrough untuk menjangkau kecepatan yang lebih
tinggi dan nilai tegangan kolektor-emitor saat menyambung (V CE(sat)) yang lebih
rendah. Namun demikian efisiensi masih merupakan suatu masalah. Beberapa
usaha sedang dilakukan untuk mengurangi rugi penyakelaran pada IGBT nonpunchtrough.

BAB III
PENUTUP
KESIMPULAN
1. IGBT(Insulated Gate Bipolar Junction) adalah piranti yang memiliki
kinerja cepat dalam berpindah dan memiliki efisiensi tinggi, sehingga
dengan sifat yang dimilikinya IGBT cocok untuk digunakan sebagai
saklar daya.
2. Total Daya Disipasi (Daya maksimal yang dapat device tahan)

3. Arus Pada Colector

DAFTAR PUSTAKA

id.Wikipedia.org/wiki/IGBT, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), :

id.Wikipedia.org: Indonesia 2009

en.Wikipedia.org/wiki/IGBT, IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), :

en.Wikipedia.org: English 2009

Jonathan Dodge, P.E, IGBT Tutorial.pdf, Advance Power Technologi :

Columbia Street Bend, 2009

K.J Um, P.E, IGBT Basic II.pdf, FairChild Semiconductor : English, 2002

10