Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes Dan Power Transistor 2 Laura Yuliardhilla PDF
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes Dan Power Transistor 2 Laura Yuliardhilla PDF
LAURA YULIARDHILLA
DEC 23
Posted by Laura Yuliardhilla
About
Kali inithese
saya akan
ads (hmenuliskan
p://en.wordpress.com/about-these-ads/)
tentang 3 contoh soal yang terdapat dalam Buku Muhammad H. Rasyid : Power Electronics hal. 405, 406, dan
417. Ini adalah salah satu tugas dari Mata Kuliah Elektronika Daya dan saya juga ingin sekedar berbagi untuk mereka yang sedang belajar
Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor untuk meninjau beberapa contoh dari Buku Rasyid. Contoh dan penjelasan saya tulis
dari terjemahan bahasa Inggris yang tertulis persis dengan yang ada di buku. Barangkali ada yang kesusahan dalam menemukan Buku Rasyid,
berikut contoh dari soal soal tersebut. Penjelasan selengkapnya (gambar, rumus, dll) dapat dilihat pada buku Muhammad H. Rasyid secara
langsung
%%%%%%%%%%%%%%%%%
%%%%%%%%%%%%%%%%%
Dioda pada single-phase-full wave rectier memiliki reverse recovery time of trr = 50s dan nilai rms dari input voltage adalah Vs = 120 V.
Tentukan efek dari reverse recovery time pada rata rata output voltage jika supply frequency adalah (a) fs = 2KHz, and (b) fs = 60Hz.
Solusi : Reverse recovery time memberikan efek pada output voltage rectier. Di dalam full-wave rectier, dioda D1 akan tidak o pada t =
; selanjutnya, dia akan berlanjut untuk terkonduktasi hingga t = / +trr. Sebagai hasil dari reverse recovery time, rata rata output voltage
akan berkurang.
1 of 6 4/4/2013 3:18 PM
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor- #2 | Laura... http://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semico...
Jika input voltage is v = Vm sin t = 2 V, sin t, maka pengurangan rata rata output voltage adalah
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-
daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture/)
Tanpa reverse recovery time, diberikan rata rata output voltage Vdc = 0.6366Vm = 108.03V.
(a) Untuk trr = 50s and fs = 2000 Hz, pengurangan rata rata output voltage adalah
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-
daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture2/)
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-
soal-elektronika-daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture3/)
Note, Efek dari trr adalah signikan untuk high frequency dan untuk kasus normal sumber 60-Hz, efeknya dapat dinilai diabaikan.
Sebuah rangkaian chopper dioperasikan pada frekuensi fs = 2KHz dan duty cycle k = 50%. Beban adalah highly inductive dan diserikan pada
arus I0 = 400A. Dalama keadaan bebas diode Dm adalah tipe IR R232AF, 300A, 800V. Jika di/dt limiting inductor adalah Ls = 4H, dc input
voltage adalah Vs = 200V, dan junction temperature adalah dipertahankan pada Tf= 125oC, hitunglah (a) puncak arus switch , Ip; (b) nilai dari
Cs hingga limit dari puncak reverse voltage diode Dm hingga 350V; dan (c) rata rata daya hilang pada dioda Dm d, PD
Solusi : Vs = 200V, Ls = 4H, fs = 2000Hz, k = 0.5, Vc = 350V, dan Io = 400A. di/dt = Vs/Ls = 200/4 = 50A/s.
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semiconductor-
2 of 6 4/4/2013 3:18 PM
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor- #2 | Laura... http://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semico...
diodes-dan-power-transistor-2/capture4/)
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-
daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture5/)
(c) Untuk keadaan bebas arus I0 = 400A, diberikan segera forward voltage drop, vF = 1.25V. Forward power loss yang segera manjadi 1.25 x
125 = 500 W. Rata rata daya hilang adalah PD = k x 500 = 0.5 x 500 = 250 W.
%%%%%%%%%%%%%%%%%
-Power Transistor-
%%%%%%%%%%%%%%%%%
Bipolar transistor secara spesikasi memiliki pada rentang 8 hingga 40. Resistansi beban adlah Rc = 11 . Dc cupply voltage adlaah Vcc =
200V dan input voltage pada rangkaian dasar adalah VB = 10V. Jika VCE(sat) = 1.0V dan VBE(sat) = 1.5V. Tentukan (a) nilai dari RB yang
menhasilkan pada saturasi dengan overdrive factor 5; (b) forced ; dan (c) power loss pada transistor,PT
Solusi : VCC = 200V, min = 8, max = 40, RC = 11 , ODF = 5, VB = 10 V, VCE(sat) = 1.0V, dan VBE(sat) = 1.5V
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-
semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture6/)
3 of 6 4/4/2013 3:18 PM
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor- #2 | Laura... http://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semico...
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-
semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture7/)
(a) (h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-
2/capture7/) (h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-
semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture8/)
(b) (h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-
2/capture8/) (h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semiconductor-
diodes-dan-power-transistor-2/capture9/)
(h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-
2/capture9/) (h p://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-
soal-elektronika-daya-power-semiconductor-diodes-dan-power-transistor-2/capture10/)
Note. Untuk overdrive factor 10, IB = 22.265 A dan power loss akan menjadi PT = 1.5 x 22.265 +18.1 = 51.5 W. sekali transistor saturasi,
collector-emi er voltage akan tereduksi pada hubungan menaikkan arus. Walaupun demikian, power loss naik. Pada nilai tinggi dari
overdrive factor, transistor bisa jadi rusak karena suhu tinggi. Di sisi lain, jika transistor underdriven (IB < ICS), bisa jadi dioperasikan pada
daerah aktif dan VCE akan naik, yang akan menghasilkan naiknya power loss.
4 of 6 4/4/2013 3:18 PM
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor- #2 | Laura... http://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semico...
Aku hanya mahasiswa biasa yang berusaha menjadi manusia dewasa yang luar biasa.. sometimes good, sometimes bad.... Im who I wanna be.
View all posts by Laura Yuliardhilla
Posted on December 23, 2012, in Pengetahuan. Bookmark the permalink. Leave a Comment.
Leave a Comment
Comments (0)
5 of 6 4/4/2013 3:18 PM
Contoh Soal Elektronika Daya Power Semiconductor Diodes dan Power Transistor- #2 | Laura... http://laurayuliardhilla.wordpress.com/2012/12/23/contoh-soal-elektronika-daya-power-semico...
Follow
Powered by WordPress.com
6 of 6 4/4/2013 3:18 PM