Bab 7

PENGANTAR

Istilah semikonduktor dipergunakan untuk zat dengan tahanan jenis dalam

selang harga antara 10-5 sampai 105 ohm-meter.
Penggolongan zat menurut tahanan jenis disertakan dalam tabel:
Kategori

Tahanan jenis
Ohm-meter

Isolator

105 - 1017

Semikonduktor

10-5 - 105

Logam dan semi-logam

10-8 10-5

Setelah piranti elektronik dasar terbuat dari kristal semikonduktor yang

dikenal sebagai transistor yang dibuat oleh Bardeen dkk (1954), minat
ilmuwan untuk mempelajari sifat semikonduksi bahan padat meningkat
tajam.

Ciri fisik utama bahan semikonduktor antara lain:

Selang harga tahanan jenis 10-5 105 ohm-meter

Tahanan jenis menurun dengan kenaikan suhu, menurut persamaan
1; sedang tahanan jenis logam meningkat dengan kenaikan suhu,
menurut persamaan 2.
Tahanan
jenis
semikonduktor
sangat
dipengaruhi
oleh
ketidakmurnian kimiawi di dalamnya, cahaya yang menyinarinya,
medan listrik, dan medan induksi magnetik.
Pengukuran koefisien Hall dan tahanan jenis memberikan pembawa
muatan yang berpolaritas negatif (elektron) dan positif.
T o exp .( T ), 0

T 273 1 a(T 273)., a 0

2

Pengukuran untuk mengetahui sifat dasar bahan semikonduktor

menyangkut:

Tahanan jenis (atau konduktivitas listrik )

Konsentrasi, polaritas, dan mobilitas pembawa muatan listrik, (melalui
pengukuran koefisien Hall dan hasil pengukuran konduksi).
Penentuan jurang energi.

Struktur Kristal dan Muasal Sifat Semikonduksi pada Germanium dan

Silikon
Germanium (Ge) dan Silikon (Si) berstruktur intan. Tetangga terdekat setiap
atom berjumlah empat buah (bilangan koordinat: 4). Ditunjukkan dalam
sketsa di bawah.

(lanjutan)

Ikatan kovalen antara atomnya membentuk kristal Ge dan Si. Setiap

atom saling berbagi & menerima 4 elektron kulit terluarnya dengan
4 tetangga yang terdekat.
Bilamana suhu kristal ditingkatkan maka akan naik pula
kebolehjadian terlepasnya elektron ikatan. Artinya konsentrasi
elektron bebas naik. Hal ini menerangkan mengapa tahanan jenis
menurun apabila suhu kristal dinaikkan.
Dalam diagram energi, ionisasi elektron ikatan dipresentasikan
dengan perpindahan satu elektron dari pita valensi ke pita konduksi.
Tempat kosong yang ditinggalkan di pita valensi merupakan suatu
hole.
Dalam proses de-ionisasi elektron bebas, elektron bergabung
kembali dengan hole di pita valensi. Energi sebesar 1,8 eV hilang
diserap kristal. Karena proses itu, satu elektron bebas di pita
konduksi dan satu hole di pita valensi sirna.

Semikonduktor Intrinsik dan Ekstrinsik

Teknologi dan penelitian ilmiah semikonduktor mempersyaratkan

bahan yang sangat murni. Bahan baku harus memiliki kemurnian
99,99% yang kemudian harus diproses lebih lanjut menjadi
sekurang-kurangnya 10 kali lebih murni.
Bahan semikonduktor bersifat intrinsik bilamana konduktivitasnya
tidak ditentukan oleh konsentrasi ketidakmurnian kimiawi dalam
kristal.
Semikonduktor bersifat ekstrinsik bilamana konduktivitas bahan
ditentukan oleh ketidakmurnian kimiawi dalam kristal.
Bahan semikonduktor yang sama dapat bersifat ekstrinsik pada
suhu rendah, namun bersifat intrinsik pada suhu yang lebih tinggi.
Konduktivitas dipengaruhi suhu kristal

Semikondukor yang Dibubuhi Atom Donor atau Atom Aseptor

Bila unsur As (gol.V) dibubuhkan pada kristal silikon yang murni

dengan berikatan seacara kovalen, satu elektron terionisasi
menjadi elektron bebas. Karena menyumbang elektron apabila
terionisasi, maka dinamakan donor.
Pada suhu yang lebih tinggi, akan lebih banyak elektron di pita
valensi akan tereksitasi ke pita konduksi.
Kontribusi elektron oleh atom donor terhadap konduktivitas
dapat diabaikan terhadap kontribusi dari hasil perpindahan
elektron dari pita valensi ke pita konduksi.
Pada suhu yang relatif lebih tinggi, bahan yang dibubuhi atom
donor merupakan bahan semikonduktor intrinsik.

(lanjutan)

Pada suhu yang agak tinggi (1/T berharga rendah) bahan semikonduktor
bersifat intrinsik; pada suhu yang agak lebih rendah (1/T berharga agak
lebih rendah) semikonduktor bersifat ekstrinsik.
Pembubuhan unsur B pada silikon menyumbang hole pada kristal Si,
atom B dinamakan atom aseptor, dan kristalnya merupakan
semikonduktor tipe p, karena menyumbang pembawa muatan
berpolaritas positif.
Presentasi peredaran hole mengelilingi ion B- dan kedudukan acceptor
state dalam diagram pita energi ditampilkan dalam 2 sketsa di bawah

Rapat Pembawa Muatan dalam Semikonduktor

Pada umumnya semikonduktor mengandung atom donor dan

atom aseptor
Elektron tercipta dalam pita konduksi karena ionisai donor oleh
getaran termal (suhu rendah) atau karena rangsangan termal
yang mengakibatkan elektron pindah dari pita valensi ke pita
konduksi.

Daerah Intrinsik

Karena atom donor maupun aseptor tidak terlalu menentukan konduktivitas intrinsik, maka dapat
dianggap bahwa untuk daerah ini berlaku: ne nk, ne adalah jumlah pembawa muatan negatif (elektron)
per satuan volume, sedangkan nk jumlah pembawa muatan positif (hole) per satuan volume.

Jumlah pembawa muatan per satuan volume disebut konsentrasi.

Syarat bagi keadaan intrinsik adalah bahwa ne nk << |Nd - Na| dengan Nd dan Na masing-masing
konsentrasi donor dan akseptor dalam bahan.

(lanjutan)

Fungsi fermi-Dirac

( E EF
f ( E ) 1 exp .

k BT

menjadi

E
E

f ( E ) exp . F exp .
k
T
k
T
B
B

Ec, EV, E, adalah masing-masing harga energi terendah pita konduksi,

energi tertinggi pita konduksi, dan energi Fermi

(lanjutan)

Jumlah electron states per satuan volume per satuan energi untuk
E>Eg adalah :
mk T
ne 2 e 2B 2
2 h

3
2

Hukum Aksi Massa

k T
ne nh 4 B 2
2h

E
Eg
exp . F exp .
k BT
k BT

3
h 2

me m

Eg

exp .
k BT

Tahanan jenis semikonduktor elemental di daerah intrinsik (suhu

rendah) adalah:

Eg

A T exp .
2k BT
1

Eg
3

ln ln A ln T
2
2 k BT

Pengaruh Atom Bubuhan

Kehadiran atom reseptor dalam bahan tidak mungkin dihindari, karena

sangatlah mustahil untuk membuat kristal yang betul-betul murni.
Dengan mengukur konduktivitas listrik dan koefisien Hall sebagai fungsi T
padatan dan unsur bubuhan dapat diperoleh gambaran tentang prilaku
semikonduktor.

1
ne per volume.
e muatan elektron dan n jumlah elektron konduksi
RH

Sambungan P-N
Batas tipis antara bagian kristal semikonduktor dengan pembawa muatan
mayoritas tipe-n dan bagian lainnya dengan pembawa muatan tipe-p,
dinamakan sambungan p-n.
Umumnya tebal batas antara dua daerah tersebut adalah sekitar 10 -8 meter.

Sambungan p-n dengan voltage bias

Sambungan p-n dengan voltage bias adalah sambungan p-n dengan

medan listrik luar yang berasal dari beda potensial sebesar V dari suatu
baterei.
Arus total yang dihasilkan dengan reverse dan forward bias voltage yang
melintas sambungan adalah

eV
I I1 exp .
1

k BT

eV

I I s exp .
1

k BT

Berikut adalah sketsa reverse dan forward bias voltage.

(lanjutan)

Untuk reverse bias voltage arus

diode p-n menuju ke suatu harga
jenuh apabila beda potensial
yang meningkat
Sedangkan untuk forward bias
voltage arus diode p-n meningkat
secara eksponensial dengan
kenaikan beda potensial
Lengkung
hasil
pengukuran
eksperimental
menunjukkan
sesuainya hasil pengukuran dan
teori tentang efek penyearahan
pada
sambungan
p-n.
Sambungan
seperti
itu
berperilaku sebagai diode.

Diagram Pita Energi Germanium dan Silikon

Sumbu vertikal menyatakan
energi elektron (eV) dan
sumbu horizontal vektor
gelombang K (pseudo
momentum, 2/a).
Dari grafik terlihat bahwa
pita valensi terdiri dari dua
bagian terpisah karena ikatan
spin-garis edar elektron.
Jurang energi terkecil
antara puncak pita valensi dan
dasar lembah pita konduksi
adalah Eg = 0,66eV,

(lanjutan)

Suatu elektron dapat melakukan transisi dari electron state yang

pertama ke electron state yang kedua.
Umpamanya, karena interaksi dengan foton berenergi Ev
bermomentum linier KV yang diikuti oleh penciptaan fonon berenergi
hq, dan vektor gelombang hq.
Hukum kekekalan energi dan dan momentum linier menurut:
EV = Eg + hq
hkV + hko = hq + hk1

dengan ko = 0 dan k1 = 2/a (1/2, 1/2, 1/2 ), adalah masing-masing

vektor gelombang elektron sebelum dan sesudah transisi.
Hukum kekekalan untuk transisi tak-langsung yang menyangkut
penyerapan fonon adalah :
EV + hq = Eg, dan hkV + hq = hk1

Silikon

Berikut adalah sketsa pita energi untuk

Silikon.

Energi transisi terkecil untuk

pindah dari puncak pita valensi ke
lembah paling rendah di pita
konduksi memerlukan foton
berenergi Ev = 1,08 eV.
Untuk silikon, permukaan dengan
energi elektron yang konstan di
kedudukan energi terendah pada
pita konduksi, terletak pada
permukaan sferoid dalam ruang
(k1, k2, k3).

Energi elektron dinyatakan dengan

k g2

E (k ) h
2

2m 2
t

k y2 k z2
2
t

2m

Proses Lain Absorpsi Foton

Proses lain yang kemungkinan terjadi
pada semikonduktor: absorpsi eksiton,
absorpsi pembawa muatan bebas, dan
absorpsi ketidakmurnian kimiawi.
Abs. elektron menjelaskan pasangan
elektron di pita konduksi dan hole di pita
valensi tidak bebas satu dari yang lain,
melainkan tetap merupakan satu sistem
yang saling tarik-menarik.
Abs.pembawa muatan bebas
menjelaskan elektron di pita konduksi
ataupun hole di pita valensi dapat
menyerap foton tanpa mengalami transisi
ke pita yang lain.