LAPORAN LABOLATORIUM

Karakteristik Dioda
D
I
S
U
S
U
N
OLEH :
CYNTIA PANJAITAN
KELOMPOK III
EL 3E
1205032117

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI TEKNIK LISTRIK
POLITEKNIK NEGERI MEDAN
2013

LEMBAR PENGESAHAN

Judul Laporan

: Karakteristik Dioda

Kelompok

:3

Nama Praktikan

: Cyntia Panjaitan

Nama Partner

: 1. Bastian Tampubolon
2. Widya Simarmata

Nama Instruktur

: 1. Darwis Tampubolon, MT
2. Drs. Masrul

Tanggal Praktek

: 21 Oktober 2013

Tanggal Pengumpulan

: 28 Oktober 2013

Nilai

Daftar Isi
Lembar Pengesahan ............................................................................................................ i
Daftar Isi ............................................................................................................................ ii
Bab I Pendahuluan .............................................................................................................. 1
1.1. Tujuan Percobaan...................................................................................... 1
1.2. Dasar Teori................................................................................................ 1
Bab II .................................................................................................................................. 2
2.1. Alat dan Bahan ......................................................................................... 2
2.2. Diagram Rangkaian ................................................................................. 2
2.3. Prosedur Percobaan .................................................................................. 4
2.4. Rumus ...................................................................................................... 5
Bab III ................................................................................................................................. 7
3.1. Data Percobaan ........................................................................................ 7
Bab IV .................................................................................................................................
4.1. Pertanyaan ................................................................................................
4.2. Jawaban Pertanyaan .................................................................................
4.3. Analisa .....................................................................................................
Bab V ..................................................................................................................................
5.1. Kesimpulan ..............................................................................................

ii

BAB I
PENDAHULUAN
1.1 Tujuan Percobaan
Setelah selesai percobaan mahasiswa diharapkan dapat:

- Menggunakan dioda untuk keperluan praktek.

- Menggambarkan karakteristik dioda.

1.2 Dasar Teori

Salah satu penggunaan dioda adalah untuk penyearah dan lain sebagainya dioda zener digunakan
untuk menstabilkan tegangan. Kemudian, sebelum kita menggunakan komponen tersebut haruslah
mengetahui lebih dahulu karakteristiknya. Pertama, berdasarkan percobaan akan kita gambar grafik
karakteristik dioda silicon dan germanium, kemudian akan kita bandingkan karakteristik dari dioda
(silicon, germanium dan zener) dengan Oscilloscope.
Simbol dioda

Terminal positif untuk bias arah maju

IF
Terminal negatif untuk bias arah mundur

Katoda (N-Type)
Anoda (P-Type)
IF = I arah maju
IR = I arah mundur

BAB II
2.1

Alat dan Bahan

Power supply DC 0 60 V

Power supply AC 0 48 V

Multimeter Sanwa CX 505

: 2 buah

Digital Multimeter

: 1 buah

Dioda Ge In 60

: 1 buah

Dioda Si In 4007

: 1 buah

Variabel Resistor 1K

: 1 buah

Resistor 100

: 2 buah

Dioda Zener 6V8

: 1 buah

Oscilloscope

: 1 buah

2.2 Diagram Rangkaian

+
-

12V

VR
1K

mA
100
Si/
Ge

Gambar 4.1

+
-

12V

VR
1K

A
100
Si/
Ge

Gambar 4.2

Si

Ge

Z
X

5V

S1

S2

100

Gambar 4.3

S3

Y
X

2.3 Langkah Kerja

1. Sediakan alat dan bahan ditempat kerja.
2. Buatlah rangkaian seperti gambar dibawah ini :

+
-

12V

VR
1K

mA
100
Si/
Ge

3. Onkan power supply, atur nilai IF, lakukan pengukuran lalu lihat besarnya nilai VF pada
dioda Si dan VF pada dioda Ge (Tabel 1).
4. Buatlah rangkaian seperti gambar dibawah ini :

+
-

12V

VR
1K

A
100
Si/
Ge

5. Onkan power supply, atur nilai VR, lakukan pengukuran lalu lihat besarnya nilai IR pada
dioda Si dan IR pada dioda Ge (Tabel 2).

6. Buatlah rangkaian seperti gambar dibawah ini:

Si

Ge

Z
X

5V

S1

S2

S3

Y
X

100

7. Lakukan pengamatan lalu gambarkanlah pada kertas grafik gambar yang tampak pada layar
oscilloscope.
8. Setelah selesai melakukan percobaan, kembalilakan alat alat pada tempatnya masing masing.

2.4 Rumus

Untuk mencari nilai R pada dioda Si:

Dimana:
R = besar nilai tahanan pada dioda Si ()
V = besar nilai V pada dioda Si (Volt)
I = besar nilai I (mA)

Untuk mencari nilai R pada dioda Ge:

Dimana:
R = besar nilai tahanan pada dioda Ge ()
V = besar nilai V pada dioda Ge (Volt)
I = besar nilai I (mA)

BAB III
DATA PERCOBAAN
3.1 Tabel Data Percobaan
1. Tabel 1
Tabel percobaan circut diagram 4.1.
IF

Dioda Si

Dioda Ge

R dioda Si

(mA)

VF (volt)

VF (volt)

0.25

0.5

0.15

2000

600

0.5

0.55

0.2

1100

400

0.6

0.35

600

350

0.62

0.45

310

225

0.65

0.62

130

124

10

0.75

75

IF dioda

15

0.75

50

Ge

20

0.8

40

melebihi

25

0.8

32

batas

30

0.85

28,33

maksimal.

()

R dioda Ge
()

Keterangan

2. Tabel 2
Tabel percobaan circuit diagram 4.2.
VR

Dioda Si

Dioda Ge

R dioda Si

(V)

IR (A)

IR (A)

0.5

1,3

384,61 x 103

1,5

666,67 x 103

1,9

1052,6 x 103

()

1
2

R dioda Ge
()

Keterangan

Besar nilai R
0

2,2

2,6

1538,46x 103

1875 x 103

3
4
0

3,2

1363,6 x 10

pada dioda Si

terhingga
karena nilai
IR = 0 A
3

3,6

2222,22 x 10

3.7

2702,7 x 103

3,8

3157,89 x 103

8
10
12
15

adalah tak

Nilai VR melebihi nilai VS

Hasil Pengamatan Rangkaian 4.3

Dioda Si In 4007

Dioda Ge In 60

Dioda Zenner 6V8

Dioda Si In 4002

Dioda Zenner 5V6

BAB IV
4.1 Pertanyaan
1. Rangkaikan sesuai rangkaian 4.1 dan 4.2 di atas, amati pengukuran dan hasil pengukuran
masukkan dalam tabel.
2. Gambarkan pada kertas grafik gambar yang tampak pada layar oscilloscope pada percobaan
rangkaian 4.3.
3. Prangkaian 4.1. berapa besar tegangan threshold (Vf) dioda Si dan Ge pada IF = 1 mA ?
4. a. Pada arus yang besar dioda mana yang mempunyai tahanan lebih kecil (dioda dibias arah maju)
b. Bila dibias arah mundur, dioda mana (Ge/Si) yang mempunyai arus bocor lebih besar.
c. Pada bias arah mundur, apakah tegangan VR (V reverse) 15 V sudah merupakan tegangan
breakdown.
5. Gambarkan karakteristik kedua dioda berdasarkan hasil pengukuran pada tabel.
Catatan:
Untuk skala arah maju: 1 cm = 100 mV
1 cm = 5 mA
Untuk skala arah mundur: 1 cm = 1 A
1 cm = 2 V
6. Pada tegangan arah maju berapa volt dioda zener akan break down.