LAPORAN PRAKTIKUM

DASAR ELEKTRONIKA
Dosen Pengampu : Ir. Lela Nurpulaela,M.T

Nama : Denaneer Inez Aprilia

NPM : 18106311160047

Jurusan Teknik Elektro

Fakultas Teknik
Universitas Singaperbangsa Karawang
2020
 KATA PENGANTAR

Segala puji dan syukur tidak henti-hentinya kita panjatkan kehadirat Allah SWT
yang telah memberikan rahmat, nikmat dan anugerah-Nya sehingga Laporan
Praktikum Dasar Elektronika ini dapat terselesaikan dengan baik, meski jauh dari
kata sempurna.
Kami mengucapkan terima kasih kepada semua pihak yang telah membantu dan
terlibat dalam proses pembuatan Laporan Praktikum Elektronika ini, terkhusus
kepada:
1. Ibu Ir. Lela Nurpulaela,M.T selaku dosen pengampu mata kuliah Dasar
Elektronika.
2. Akang Fikri Ika selaku asisten labolatorium mata kuliah Dasar
Elektronika.
3. Orang tua, sahabat, kerabat, dan pihak-pihak lainnya yang tidak bisa
penyusun sebutkan satu persatu.
Demikianlah Laporan Praktikum Dasar Elektronika ini kami buat dengan sepenuh
hati. Tidak lupa kritik dan saran kami harapkan agar kedepannya laporan ini dapat
menjadi lebih baik lagi. Semoga laporan ini bisa bermanfaat bagi semua dan
terkhusus bagi selaku penulis. Terima Kasih.

Karawang, 27 April 2020

Penyusun
 Daftar Isi
Kata Pengantar..................................................................................................
Daftar Isi..........................................................................................................
BAB I : Karakteristik Dioda, Penyearah dan Filter
1.1 Tujuan Percobaan.................................................................................
1.2 Pendahuluan..........................................................................................
1.3 Data Hasil Percobaan............................................................................
1.4 Analisa..................................................................................................
1.5 Kesimpulan...........................................................................................
BAB II : Karakteristik Transistor Bipolar
2.1 Tujuan Percobaan.................................................................................
2.2 Teori Dasar...........................................................................................
2.3 Data Hasil Percobaan............................................................................
2.4 Analisa .................................................................................................
2.5 Kesimpulan...........................................................................................
BAB III : Dasar Penguat dan Penguatan
3.1 Tujuan Percobaan.................................................................................
3.2 Teori Dasar...........................................................................................
3.3 Data Hasil Percobaan............................................................................
3.4 Analisa..................................................................................................
3.5 Kesimpulan...........................................................................................
BAB IV : Transistor sebagai Switch
4.1 Tujuan...................................................................................................
4.2 Teori Dasar...........................................................................................
 BAB I
KARAKTERISTIK DIODA, PENYEARAH DAN
FILTER

1.1 Tujuan Percobaan

1. Memahami serta mempelajari karakteristik dioda biasa dengan bahan
silikon dan germanium serta diioda zener dan aplikasi penggunaan dari
dioda-dioda tersebut di atas.
2. Memahami serta mempelajari rangkaian penyearah setengah
gelombang dan gelombang penuh.
3. Memahami serta mempelajari tapis (filter) yang digunakan pada
rangkaian penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh pada
sumber tegangan arus searah (DC).

1.2 Teori Dasar

Salah satu kegunaan dioda adalah untuk penyearah, yaitu mengubah
arus AC (bolak-balik) menjadi arus DC (searah). Persamaan penyearah
tegangan DC yang dihasilkan oleh rangkaian penyearah dioda adalah:

dimana Vm adalah tegangan puncak (maksimum) AC (Volt), f adalah

fekuensi dari sinyal AC [Hz], dan C adalah besarnya kapasitor yang
terpasang dan berfungsi sebagai filter dikeluaran penyearah [F, farad].
Proses penyearah menghasilkan tegangan DC yang masih mengandung
riak atau ripel (ripple), yaitu tegangan AC yang masih menumpang di atas
sinyal DC. Sebuah sumber tegangan DC ideal memiliki resistansi keluaran
Ro=0. Dari persamaan di atas, kondisi ini dapat didekati dengan nilai C
sebesar mungkin. Dengan C besar, diharapkan mendekati kondisi sumber
tegangan DC ideal : Ro mendekati 0, menekan ripel serendah mungkin
(filter), dan berfungsi sebagai regulator (penyetabil) tegangan DC yang
keluar.

Dalam percobaan ini akan kita amati karakteristik Id terhadap Vd dari

tiga dioda yaitu: dioda Si, dioda Ge, dan dioda Zener. Dioda pertama dan
kedua adalah dioda umum yang berbeda berdasarkan bahannya
(Germanium dan Silicon). Dioda kedua adalah dioda zener yang dibuat
khusus yaitu sebagai penyetabil tegangan-tegangan DC. Dengan
menggunakan rangkaian kit praktikum yang tersedia, amati dan pahami
tegangan nyala dioda (cut-in) dan tegangan rusak (breakdown). Dari kurva
karakteristik yang diperoleh dapat juga kita hitung besarnya resistansi
dinamis dioda pada suatu titik kerja di kurva. Terakhir adalah mempelajari
penggunaan dioda berdasarkan karakteristik tersebut.
Dalam percobaan ini akan diamati dua jenis penyearah yaitu
penyearah setengah gelombang (Half Wave), penyearah gelombang penuh
(Full Wave) dengan menggunakan rangkaian jembatan.
Menggunakan kit praktikum yang tersedia kita akan dapat memahami:
1. Perbedaan penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh.
2. Bentuk karakteristik dioda pada keluaran.
3. Pengaruh beban untuk masing-masing jenis penyearah.
1.3 Data Hasil Praktikum

1. Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Junction Forward Bias

Tabel 1-1.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Junction Forward Bias
No Tegangan Arus Dioda Tegangan Dioda Tegangan Resistor
Supply Id Vd (Volt) VR
(volt) (mA) (Volt)
1 0,2
2 0,4
3 0,6
4 0,8
5 1
6 2
7 4
8 6
9 8
10 10

Tabel 1-2.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Junction Reverse Bias

Tegangan Arus Dioda Id Tegangan Dioda Tegangan Resistor

Supply (mA) Vd (Volt) VR
(volt) (Volt)
1 2
2 5
3 10
4 15
5 20
6 30

Gambar Kurva Karakteristik V-I Dioda junction

2. Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Forward Bias
Tabel 1-3.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Forward Bias
No Tegangan Arus Dioda Tegangan Dioda Tegangan Resistor
Supply Id Vd (Volt) VR
(volt) (mA) (Volt)
1 0,2
2 0,4
3 0,6
4 0,8
5 1
6 5
7 10
8 15
9 20
10 25

Tabel 1-4.
Data Hasil Percobaan Karakteristik Dioda Zener Reverse Bias

Tegangan Arus Dioda IZ Tegangan Dioda Tegangan Resistor

Supply (mA) VZ (Volt) VR
(volt) (Volt)
 1 1
2 2
3 4
4 6
5 8
6 10
7 12
8 14
9 16
10 18

Gambar Kurva Karakteristik V-I Dioda Zener

3. Hasil Percobaan Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor

Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

 Bentuk gelombang Output pada beban

4. Hasil Percobaan Penyearah ½ Gelombang dengan kapasitor filter

Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

Bentuk gelombang Output pada beban

Observasi :
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________

[2] Penyearah ½ Gelombang dengan kapasitor filter

Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
 Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________

5. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang Penuh diode jembatan tanpa

kapasitor
Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

Bentuk gelombang Output pada beban

6. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang penuh diode jembatan dengan

kapasitor filter
Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

Bentuk gelombang Output pada beban

Observasi :
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________

[2] Penyearah ½ Gelombang dengan kapasitor filter

 Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________

7. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang penuh dengan transformator

CT tanpa kapasitor

Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

Bentuk gelombang Output pada beban

8. Hasil Percobaan Penyearah Gelombang penuh dengan transformator
CT dengan kapasitor

Bentuk gelombang input pada sekunder transformator

Bentuk gelombang Output pada beban

Observasi :
[1] Penyearah ½ Gelombang tanpa kapasitor filter
Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________

[2] Penyearah ½ Gelombang dengan kapasitor filter

Tegangan Input AC (rms) Vrms= ___________
Tegangan output DC VDC = ___________
Arus DC: IDC =______________
Tegangan Output AC (Ripple voltage) Vr: __________
Ripple factor: (Vr/VDC) = ______________
1.4 Analisa
1.5 Kesimpulan
 BAB II
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

2.1 Tujuan
o Memahami dan mempelajari karakteristik Ic-VCE pada transistor bipolar.
o Memahami dan mempelajari pengertian tentang garis beban dan titik kerja
pada transistor bipolar.

2.2 Dasar Teori

Transistor merupakan sebuah komponen semikonduktor yang banyak
dipergunakan pada berbagai rangkaian elektronik sebagai penguat, saklar, dan
lain-lain. Asas kerja dari dari transistor adalah akan ada arus di antara
terminal terminal kolektor-emitor (Ic) hanya apabila ada arus yang mengalir
diantara terminal basis-emitor (IB). Jadi transistor harus dioperasikan didaerah
linier agar diperoleh sinyal keluaran yang tidak cacat (distorsi). Untuk dapat
mengoperasikannya secara tepat maka pengertian tentang karakteristik, titik
kerja, disipasi daya transistor dan rangkaian bias (ada yang menyebutnya
dengan prategangan, tegangan kerja awal) amatlah penting dan harus
dipahami dan dimengerti secara benar.
a) Disipasi Kolektor
Pada gambar 2.1 di bawah ini ditunjukkan karakteristik besar arus
yang mengalir di kolektor pada sebuah transistor bipolar yang disebut I C,
terhadap perubahan tegangan kolektor-emitor (VCE). Karakteristik ini
disebut dengan karakteristik keluaran IC-VCE dimana transistor akan
bekerja dengan aman di daerah sebelah kiri bawah dari kurva disipasi
daya kolektor. Besar daya yang didisipasikan di kolektor transistor
tersebut merupakan hasil kali tegangan kolektor-emitor dengan arus
kolektor.
 Daya disipasi maksimum dari transistor tersebut tidak boleh
dilampaui karena hal ini telah ditentukan oleh pabrik pembuat transistor
tersebut yang dapat kita lihat pada lembar data atau data sheet dari buku
data tentang transistor.

Gambar 2.1 Karakteristik Ic-Vce Sebuah Transistor Bipolar

b) Garis Beban
Perilaku penguat transistor dapat dianalisa secara grafis dimana
dengan bantuan karakteristik IC-VCE di atas dan sebuah garis beban yang
kita tarik di kurva tersebut dapat kita tentukan besar sinyal masukan Vi
yang dapat diberikan ke transistor. Garis beban dapat digambar melalui
persamaan garis beban. Persamaan garis tersebut diperoleh dari hukum
persamaan Kirchoff.

Dari persamaan (1) maka tempat kedudukan dapat ditentukan

dengan menghitung sepasang koordinat (IC, VCE) yang dengan mudah
diperoleh dengan memasukkan nilai istimewa, yaitu IC=0 dan VCE=0
diperoleh koordinat (VCE, IC) yang pertama = (VCC, 0) dan koordinat yang
kedua = (0, Vcc/Rc).
Kedua titik tersebut merupakan titik potong garis beban dengan
sumbu datar VCE dan sumbu tegak IC. Garis beban kemudian dapat kita
pakai untuk menentukan besar sinyal masukan Vi ke transistor. Besar
simpangan maksismum Vi bergantung kepada faktor kemiringan garis
 beban = - 1/RL . Kemiringan garis beban dapat diatur dengan mengubah
tegangan sumber VCC dan nilai resistor kolektor RC.
c) Titik Kerja
Garis beban akan memotong sekelompok kurva arus basis konstan
IB. Dengan IB tertentu (yang diatur rangkaian bias), garis beban akan
memotong kurva IB tersebut di Titik Q yang disebut Titik Kerja
Transistor. Titik Kerja ini menjadi kondisi awal dari pengoperasian
transisitor kelak
dimana transistor tersebut mempunyai tiga daerah kerja yaitu aktif
(active), jenuh (saturation), dan tersumbat (cut-off). Gambar 3.2 berikut
ini akan menjelaskan tentang titik kerja dan garis beban dari suatu
transistor bipolar.

Gambar 3.2 Garis Beban Dc & Titik Kerja Sebuah Transistor

Bipolar

Titik dimana garis beban memotong kurva Ib=0 dikenal sebagai titik
sumbat (cut-off) . Pada titik ini arus kolektor (Ic) sangat kecil (hanya arus
bocor) sehingga dapat diabaikan , di sini transistor kehilangan kerja
normalnya. Dapat dikatakan bahwa tegangan kolektor-emitor sama
dengan ujung dari garis beban tersebut.
 Perpotongan garis beban dengan kurva IB=IB sat disebut jenuh
(saturation). Pada titik ini arus kolektor maksimum atau dapat dikatakan
bahwa arus kolektor sama dengan ujung dari garis
beban.

Jika arus basis IB lebih kecil dari IB (sat) maka transistor akan
beroperasi pada daerah aktif, yaitu titik kerjanya terletak disepanjang
garis beban. Jadi dapat disimpulkan bahwa transistor bipolar bekerja
sebagai suatu sumber arus dimana saja sepanjang garis beban, kecuali
titik jenuh (saturation) atau titik sumbat (cut-off) dimana transistor tidak
lagi bekerja sebagai sumber arus melainkan sebagai sakalar.
2.3 Data Hasil Percobaan

Ib = 0 Ib = 10A Ib = 20A Ib = 30A

No Vcc
Vce Ic Vce Ic Vce Ic Vce Ic
1 0 0V 0mA 0V 0mA 0V 0mA 0V 0mA

2 0,3 0,30V 0mA 0,07V 0,22mA 0,06V 0,24mA 0,05V 0,25mA

3 0,5 0,50V 0mA 0,09V 0,40mA 0,07V 0,42mA 0,06V 0,43mA

4 0,8 0,80V 0mA 0,12V 0,68mA 0,09V 0,70mA 0,08V 0,72mA

5 1 1V 0mA 0,14V 0,86mA 0,11V 0,89mA 0,09V 0,91mA

6 2 2V 0mA 0,81V 1,19mA 0,16V 1,84mA 0,13V 1,87mA

7 4 4V 0mA 2,77V 1,23mA 1,64V 2,36mA 0,53V 3,47mA

8 8 8V 0mA 6,74V 1,26mA 5,54V 2,46mA 4,40V 3,60mA

9 10 10V 0mA 8,70V 1,30mA 7,49V 2,51mA 6,33V 3,67mA

10 15 15V 0mA 13,6V 1,35mA 12,4V 2,62mA 11,2V 3,84mA

11 20 20V 0mA 18,6V 1,42mA 17,3V 2,73mA 16V 4mA

2.4 Analisis
2.5Kesimpulan