TINJAUAN PUSTAKA
2.1 SnO2
adanya cacat titik berupa kelebihan atom logam Sn (Stannic). SnO2 banyak
biaya pendeposisiannya yang relatif murah, dan sifat physicochemical yang baik.
Material Oksida SnO2 disebut juga keramik. Kata keramik berasal dari kata
Yunani “keramos” yang berarti tembikar (pottery) atau peralatan terbuat dari
tanah (earthenware). Bahan keramik adalah bahan dasar penyusun kerak bumi,
yaitu: SiO2, Al2O3, CaO, MgO, K2O, Na2O dst. Dari unsur-unsur tersebut dapat
dilihat terdapat paduan dua unsur yaitu logam dan non logam, sehingga dapat
dikatakan keramik adalah bahan padat anorganik yang merupakan paduan dari
unsur logam dan non logam yang berikatan ionik dan atau ikatan kovalen.
(Wikipedia.com ;2009)
6
7
dibandingkan dengan logam atau bahan organik. Biasanya lebih keras dan tahan
sebagaimana pula dengan bahan organik. Pada suhu tinggi dengan energi termal
yang tinggi keramik dapat menghantarkan listrik meskipun daya hantarnya rendah
bahan keramik tembus cahaya dan merupakan penghantar panas yang buruk. (Van
Vlack)
sebagai salah satu metode sintesis nanopartikel yang cukup sederhana dan mudah.
Metode ini merupakan salah satu “wet method” karena pada prosesnya
namanya larutan mengalami perubahan fase menjadi sol (koloid yang mempunyai
padatan tersuspensi dalam larutannya) dan kemudian menjadi gel (koloid tetapi
polyvinyl alkohol atau asam sitrat. Secara sederhana proses metode sol gel dapat
Endapan) untuk pembuatan bahan (biasanya metal oksida) mulai dari yang baik
kimia solusi (sol pendek untuk solusi) atau partikel koloid (sol untuk nanoscale
polycondensation reaksi untuk membentuk sebuah koloid, yang terdiri dari sistem
partikel solid (ukuran mulai dari 1 ke 1 nm, μm) dilarutkan dalam larutan. Sol
jaringan yang berisi fase cair (gel). Formasi yang melibatkan logam oksida logam
Proses pengeringan yang berfungsi untuk menghapus fase cair dari gel sehingga
Tanda-tanda sol dapat di deposit baik pada substrat untuk membentuk sebuah film
pendekatan yang menarik di saat ini telah menjadi murah dan teknik- suhu rendah
dopants dalam jumlah kecil, seperti Pewarna organik dan logam langka bumi,
dapat diperkenalkan pada sol dan berakhir pada akhir produk halus menghilang.
Hal ini dapat digunakan di keramik proses manufaktur, sebagai investasi lemparan
bahan, atau sebagai alat produksi sebagai film tipis dari logam oxides untuk
berbagai keperluan. Sol-gel berasal dari bahan yang memiliki beragam aplikasi di
9
optik, elektronik, energi, ruang, (bio) sensor, obat-obatan (misalnya obat dikontrol
2.3 Gas CO
Karbon monoksida, rumus kimia CO, adalah gas yang tak berwarna, tak
berbau, dan tak berasa. Ia terdiri dari satu atom karbon yang secara kovalen
berikatan dengan satu atom oksigen. Dalam ikatan ini, terdapat dua ikatan kovalen
dan satu ikatan kovalen koordinasi antara atom karbon dan oksigen.
dioksida mudah terbakar dan menghasilkan lidah api berwarna biru, menghasilkan
terdapat karbon yang berlebih. Dalam sebuah oven, udara dialirkan melalui kokas.
CO2 yang pertama kali dihasilkan akan mengalami kesetimbangan dengan karbon
predominan:
10
O2 + 2 C → 2 CO
ΔH = -221 kJ/mol
Kerugian dari metode ini adalah apabila dilakukan dengan udara, ia akan
menyisakan campuran yang terdiri dari nitrogen. Gas sintetik atau gas air
H2O + C → H2 + CO
ΔH = 131 kJ/mol
dengan karbon:
MO + C → M + CO
ΔH = 131 kJ/mol
Salah satu jenis sensor gas yang sangat populer adalah sensor gas
film tebal. Sensor gas berbasis teknologi film tebal yang dikembangkan sekarang
sepasang elektroda pararel yang masing masing mempunyai semacam jari sisir
periodik yang keduanya saling berhadapan dan saling bertaut yang dicetak pada
printing. Pada dasarnya sensor gas teknologi thick film adalah sensor gas yang
berubah dengan adanya unsur- unsur kimia (dari gas) yang bekerja pada lapisan
sensitif dari bahan semikonduktor (dalam hal ini SnO2 dan In2O3). Perubahan
pada atom-atom material sensor akibat adanya reaksi dengan gas-gas reaktan
tersebut. Reaksi yang terjadi antara material sensor dan gas-gas reaktan itu bisa
2.4.1 Sensitivitas
Salah satu masalah dalam pembuatan sebuah sensor adalah sensor harus
mempunyai sensitivitas yang cukup memadai. Dalam sensor gas ini, yang nilai
Ro Ro
S atau S .............................................................................. (2.1)
Rg Ro Rg
Rg Rg Ro
S atau S ........................................................................... (2.2)
Ro Ro
dengan : S : Sensitivitas
sebaliknya. (Cirera,2000:8)
a. Kepekaan/ Sensitivitas
sebagai akibat dari perubahan dalam Gap antara target dan sensor kapasitif. Nilai
sensitivitas umum adalah 1V/0.1mm. Ini berarti bahwa untuk setiap 0.1mm
perubahan dalam gap maka tegangan output akan berubah 1V. Ketika tegangan
output diplot terhadap ukuran gap dalam mm, kemiringan garis adalah sensitivitas.
13
b. Sensitivity Error
sensitivitas menyimpang dari nilai ideal ini disebut sensitivitas kesalahan, kesalahan
gain, atau kesalahan scaling. Karena sensitivitas adalah kemiringan garis, kesalahan
c. Offset Error
Offset Error terjadi ketika nilai konstan ditambahkan ke tegangan output dari
setiap penyimpangan offset dari kalibrasi asli. Namun, perubahan offset error untuk
Gambar 2.6 Offset Error - Sebuah nilai konstan ditambahkan ke semua pengukuran.
d. Linearity Error
Sensitivitas dapat sedikit berbeda diantara dua titik data. Variasi ini disebut
output bervariasi dari garis lurus. Untuk menghitung kesalahan linearitas, data
kalibrasi dibandingkan dengan garis lurus yang terbaik sesuai dengan Titik. Garis
lurus dihitung dari data kalibrasi dengan menggunakan teknik yang disebut kuadrat
terkecil pas. Jumlah kesalahan titik pada kurva kalibrasi yang terjauh dari garis yang
persen dari skala penuh. Jika kesalahan pada titik terendah adalah 0.001mm dan
kisaran skala penuh dari kalibrasi adalah 1mm, kesalahan linieritas akan menjadi
dalam sensitivitas. Ini hanya ukuran kelurusan garis dan tidak kemiringan garis.
Gambar 2.7 Linearitas Error - Pengukuran data tidak pada garis lurus.
Pada dasarnya, respon sensor gas teknologi thick film ini adalah perubahan
dinyatakan sebagai:
G
S .............................................................................................. ...(Barsan:5) (2.3)
G0
dengan
S : Sensitivitas
eVs
G 1 en e kT
................................................................ (Barsan:5) (2.4)
R
V0
VS 2
....................................................................... (Barsan:5) (2.5)
p
1
V0 adalah barrier height pada saat tidak ada gas pereduksi, didefinisikan sebagai :
2 e N S2
V0 ............................................................................. (Barsan:5) (2.6)
ND
2
p
Sedangkan 1 merupakan parameter kondisi gas pada konsentrasi,
dengan :
3
2
2 mkT
kT ........................................................................ (Barsan:5) (2.7)
h2
dengan :
eV0
G0 e ne kT ................................................................................... (Barsan:5) (2.8)
G eV0 1
exp 1 .................................................. (Barsan:5) (2.9)
G0 kT p
1
Pada saat tidak ada gas (p=0), persaman sensitifitas menjadi bernilai 1 (G/G0=1).
Pada konsentrasi gas tinggi (tekanan tinggi), yaitu ketika (p/ )>>1, maka
eV0
G
e kT ................................................................................. (Barsan:5) (2.10)
G0 sat .
18
1
1
1 c
G G
....................................................................(Barsan:5) (2.11)
G0 G0 sat .
Dengan c adalah konsentrasi gas (dalam ppm), (G/G0)sat dan adalah parameter
(Barsan:5).
adanya proses chemisorption yang mengarah pada transfer muatan dari partikel
Evac after
e Vs
(Ec-EF)b Evac before
before Ec after
Ec before
EF e- Xgas
Ess Xads
Ev
dapat dipahami dengan mengamati skema pita energi seperti pada gambar 2.8
Pada gambar tersebut diperlihatkan terjadinya interaksi antara partikel tipe aseptor
= e( b,nN + b,pP).....................................................(2.12)
rata-rata s,n dan s,p dari elektron dan hole dengan konsentrasi N dan P
persatuan luas dalam lapisan ruang muatan yang terbentuk akibat adanya proses
Jika struktur elektronik dari bulk dengan konsentrasi elektron bebas, hole
dan muatan –muatan cacat titik diketahui, maka dengan menggunakan persamaan
poisson kita dapat menentukan band bending e Vs dan muatan per satuan luas Qsc
menggunakan persamaan :
= Qsc/ens............................................................(2.15)
20
= - e Vs + + (Ec-EF)b...................................(2.16)
Asalkan variasi posisi level Fermi dalam bulk (Ec-EF)b dapat diabaikan,
jika difusi atom atau ion pada bulk diabaikan. Dengan mengetahui momen dipole
ad
, kita dapat mengetahui perubahan afinitas elektron dengan persamaan:
-1 ad
= e( s 0) ns..........................................................(2.17)
dengan gas dipengaruhi oleh reaksi atom – atom oksigen di udara dengan atom –
atom oksigen di permukaan lapisan sensor. Reaksi ini merubah potential barrier
Reaksi diawali ketika lapisan material sensor mengikat oksigen dari udara,
yang disebut Schottky barrier. Ketika ada gas (misal: gas CO), maka gas ini akan
bereaksi dengan oksigen yang telah terikat pada permukaan lapisan sensor
mengacu pada persamaan reaksi kesetimbangan antara gas CO dan SnO 2, yang
SnO2+2CO 2Sn+2CO2+2e
21
resistans) ditentukan menurut jenis material sensor dan gas yang disensor. Untuk
gas, digolongkan menjadi gas pengokidasi dan gas pereduksi, sedangkan untuk
material sensor dapat diklasifikasikan menjadi material tipe–p atau tipe-n sesuai
dengan respon sinyalnya. Pada material tipe-p, nilai resistans akan bertambah
ketika bereaksi dengan gas pereduksi., dan resistansi akan berkurang terhadap gas
permukaannya. Lapisan ini terbuat dari bahan SnO2, yaitu bahan metal oxide tipe-
Terjadinya akses oleh partikel metal oksida bagian dalam terhadap gas.
Hal ini bisa dipahami dengan menganggap terjadinya reaksi antara gas dengan
permukaan metal oksida sebagai sebuah proses difusi ke arah substrat (bulk) dari
22
Sumber : Weimar,2003
Secara garis besar, sensor gas teknologi thick film ini tersusun atas
sepasang elektroda, pemanas dan sensitive layer yang peka terhadap rangsangan
gas, yang kesemuanya dicetak pada kepingan substrat dari bahan alumina (Al 2O3)
Substrat
Material utama yang digunakan dalam teknologi film tebal adalah substrat
proses pencetakan. Substrat yang digunakan biasanya adalah dari Alumina yang
memiliki keunggulan dalam hal kekuatan fisik, sifat-sifat listrik, serta sifat-sifat
terbentuknya ikatan antara substrat dengan thick film. Alumina dengan kemurnian
99% jarang digunakan karena permukaannya terlalu halus, sedangkan adhesi yang
A. Kekuatan mekanik
Karena itu substrat yang digunakan harus tahan pada suhu tersebut tanpa
mengalami perubahan.
C. Inert
Selain suhu tinggi, pada proses pabrikasi film tebal, substrat berhadapan dengan
berbagai bahan kimia, baik yang berasal dari pasta atau efek samping
D. Resistivitas
Substrat harus merupakan isolator elektrik yang baik, dengan kata lain harus
E. Konstanta dielektrik
kapasitas parasitik yang mungkin timbul antar penghantar atau antar komponen.
F. Konduktifitas termal
Substart yang baik harus bersifat konduktor panas untuk mengurangi pemanasan
Elektroda
Elektroda yang digunakan pada sensor gas film tebal pada umumnya
penentuan nilai resistans. Penentuan nilai resistans pada elektroda ini sama dengan
penentuan nilai resistans resistor pada teknologi film tebal pada umumnya. Karena
konstruksi yang mempunyai sudut, maka cara perhitungan nilai reistansi dapat
Sumber : Haskard,1988:102
25
l1 l2
RAB 0.56 Rs ...................................................(Haskard:102) (2.18)
w w
Adapun stuktur yang biasa digunakan adalah seperti dalam Gambar 2.12
Heater
sesuai akan mempengaruhi tingkat selektifitas dan sensitifitas dari elemen sensor
ini.
Dalam pemanas (heater) teknologi film tebal untuk sensor gas, umumnya
dibuat dari pasta konduktif atau resistif (Au,Pt), namun ada juga yang memakai
sensor) sangatlah tergantung dari distribusi suhu, hal ini juga ditunjang oleh sifat
Salah satu contoh bentuk dari heater teknologi film tebal dapat dilihat
dibutuhkan, dan luasan daerah yang ingin dipanasi, serta karakter dari bahan
heater itu sendiri (TCR, disipasi arus maksimum yang mampu melewati, dll).
RH RC 106
TCR .................................................................................. (2.20)
RC TH TC
dengan :
RH V ................................................................................................... (2.21)
I
Selanjutnya dengan menentukan nilai TCR dari data sheet, suhu acuan TC
dan suhu operasi TH, serta memasukkan hasil persamaan (2.20) ke persamaan
l
RC RS ................................................................................................ (2.22)
w
juga total area l x w yang menentukan nilai power density dari heater (Electro-
Science Laboratory.com;2004).
Sebagai catatan nilai maksimum power density yang diijinkan adalah 40 W/mm2,
Lapisan Sensitif
permukaan lapisan ini. Lapisan ini terbuat dari bahan SnO2, yaitu bahan metal
oxide tipe-n yang mempunyai celah energi yang relatif lebar (3.6 eV)
(Hann,2003:15).
Sumber: Hann,2003:15
29
Hal pertama adalah menentukan jangkauan pengukuran maksimal dari dari sensor
dalam satuan ppm. Karena pada proses ini yang terjadi adalah reaksi gas, maka
Dengan menganggap gas adalah gas pada kondisi ideal, persamaan yang
mol 1mol
ppm ...................................(www.scottecatalog.com) (2.23)
L 24 ,15 L
Dengan mengacu pada persamaan reaksi kesetimbangan antara gas CO dan SnO2,
Dengan mengacu pada persamaan (2.21) maka mol SnO2 akan didapat.
m
n ..................................................................................................... (2.24)
M
dengan :
n : molalitas ( mol )
m: massa ( gram )
M: Molaritas ( gram/mol )
30
m
...................................................................................................... (2.25)
V
dimana :
Dengan menentukan tebal lapisan, maka luas dari lapisan sensor akan diperoleh.
berulang-ulang mulai dari cetak sablon, pengeringan dan pembakaran pada suhu
tinggi. Proses pembakaran dengan suhu tinggi menghasilkan struktur yang stabil
dan kuat dengan daya kerja elektris dan termis yang sempurna
[http://www.elektroindonesia.com].
Teknologi film tebal terdiri atas sejumlah proses yang diulang beberapa
kali dengan urutan tertentu. Prosesnya meliputi pembuatan screen, pencetakan dan
rahasia pabrik. Tetapi pada umumnya pasta konduktor disusun dari tiga senyawa
Logam yang digunakan harus tahan terhadap suhu tinggi. Untuk itu, digunakan
logam mulia.
b. Senyawa Gelas
substrat. Senyawa gelas yang sering digunakan antara lain, yaitu: Bismuth Oksida,
c. Senyawa Organik
Senyawa organik dalam pasta berfungsi sebagai senyawa yang memberikan sifat
fluida pada partikel-partikel logam dan senyawa gelas. Dengan terbentuknya sifat
fluida, maka pasta dapat dicetakan pada substrat dengan metode screen printing.
Senyawa organik yang biasanya digunakan antara lain, yaitu: terpenten dan resin.
teknologi film tebal dibedakan menjadi dua jenis berdasarkan sistem logam
Sistem logam tunggal yang digunakan dalam pembentukan pasta konduktor ini
merupakan sistem yang pertama kali dibuat oleh pabrik pada awal kemunculan
teknologi ini. Logam yang pertama kali dipergunakan dalam membentuk pasta
adalah logam Perak dan hingga kini masih banyak dipergunakan karena harganya
murah, daya lekatnya tinggi dan mudah disolder. Dan kelemahan Perak adalah
Untuk mendapatkan sistem pasta dengan harga yang lebih murah dan kemampuan
yang tidak kalah dari sistem logam tunggal, maka diusahakan pembuatan pasta
dengan sistem logam paduan. Sistem logam paduan yang hingga kini telah
dan lain-lain.
Pencetakan Konduktor
Perak. Logam Perak dipergunakan karena harganya murah, daya lekatnya tinggi
dan mudah disolder. Kelemahan Perak adalah ion-ion Perak dapat mengalami
dengan Palladium. Dengan pencampuran Palladium, maka sifat migrasi ion Perak
dapat dikurangi dan harga pasta yang dihasilkanakan lebih murah. Tetapi sebagai
akibat buruk pencampuran Palladium dalam Perak adalah semakin besarnya harga
menekan pasta pada screen. Tegangan permukaan akan menahan pasta pada
substrat saat posisi screen kembali ke keadaan semula. Karena itu bentuk, bahan
dan tekanan penyaput sangat penting untuk menjamin umur penyaput dan screen.
Bahan yang digunakan sebagai penyaput adalah neoprene, polyrethane, dan viton.
Posisi penyaput harus menjadikan sisi tajam membentuk sudut 45° sampai
a. Jalur Interkoneksi
Biasanya konduktor berfungsi untuk memindahkan sinyal dari bagian yang satu
ke bagian yang lain. Untuk melakukan fungsi tersebut maka konduktor harus
Dalam suatu sistem elektronika yang kompleks biasanya terdiri atas gabungan
antara sistem yang satu dengan sistem yang lain. Untuk menghubungkan antara
sistem yang satu dengan sistem yang lain tersebut, maka diperlukan kaki(lead).
Dalam suatu sistem yang dibuat dengan teknologi hibrida film tebal, maka kaki
34
ini dilekatkan pada konduktor yang terletak di tepian substrat. Konduktor tempat
Dalam suatu sistem elektronika yang kompleks biasanya terjadi jalur konduktor
yang satu harus bersilangan dengan jalur konduktor yang lain tanpa ada kebocoran
e. Elektroda Kapasitor
Kapasitor dalam teknologi film tebal dapat dibuat dengan jalan membuat lapisan
konduktor sebagai lapisan dasar atau lapisan pertama, kemudian diikuti dengan
membuat lapisan dari bahan dielektrik dan kemudian dilapisi lagi dengan
Komponen aktif dalam bentuk chip seperti transistor, dioda atau IC seringkali
Untuk membuat resistor film tebal dengan harga rendah, maka dapat digunakan
Salah satu cara untuk melindungi rangkaian hybrids-IC dari kondisi lingkungan
ialah dengan menutup rangkaian tersebut dengan tutup yang terbuat darilogam.
Tutup logam disolderkan pada substrat yang terlebih dahulu diberi lapisan
konduktor di sekelilingnya.
[http://www.elektroindonesia.com] :
e. Meningkatkan densitas
Screen
Fungsi screen adalah sebagai tempat pembentukan pola yang akan dicetak dan
membentuk jaring-jaring suatu screen terbuat dari berbagai macam bahan. Tiga
jenis bahan yang sering digunakan adalah polyester, nylon,dan stainless steel.
c. Bagian rangka screen yang bertemu dengan gasa screen harus halus dan licin.
f. Rangka screen tidak berubah dalam keadaan basah atau dalam keadaan kering.
Screen Mask
1. Screen mask terdiri dari kerangka, dan screen mask yang ditarik dan dilekatkan
pada kerangka.
emulsi akan hilang dari bagian yang tertutup film sablon. Sinar yang digunakan
4. Dalam proses pencetakan, pasta melewati screen melalui daerah yang tidak
panjang (l) serta berbanding terbalik dengan luas penampang (A) yang tegak lurus
l
R ................................................................................................... (2.26)
A
37
R : resistans ( )
Luas penampang (A) yang tegak lurus arah aliran arus resistor merupakan
perkalian ketebalan film (t) dengan lebar (w). Pernyataan tersebut dapat ditulis
dengan persamaan:
A t w ................................................................................................... (2.27)
berikut:
l
R ................................................................................................ (2.28)
t w
l
R Rs ................................................................................................. (2.30)
w
38
t : ketebalan (mm)
Sumber: Haskard,1984:140
39
Untuk menentukan ukuran butir maka digunakan metode Hein yaitu dengan
nL
L
v pk
.......................................................................(2.31)
Keterangan:
n = Banyaknya garis
L = Panjang garis
v = Perbesaran SEM
pk
= Banyaknya butir