1

DASAR ELEKTRONIKA
[Elektronika 1, Elektronika Dasar ~ Elkadas]

Kode Mata Kuliah :

Jumlah SKS

:2

Prasyarat

: Rangkaian Listrik 1, Bahan-bahan Listrik, dan

Fisika 2.

Tujuan

: Mahasiswa memahami prinsip kerja komponen

aktif

elektronika

dan

aplikasinya

di

dalam

rangkaian elektronika.

Pokok Bahasan

: Pengenalan beberapa komponen aktif elektronika,

rangkaian penyearah dioda, transistor bipolar,
transistor efek medan, penguat operasional, dan
thyristor.

Buku Referensi

1. Boylestad, Robert dan Louis Nashelsky, Electronic Devices & Circuit

Theory 6th Edition, Prentice-Hall, Inc., 1996.
2. Hassul, Michael dan

Don Zimmerman, Electronic Devices &

Circuits : Conventional flow version, Prentice-Hall, Inc., 1997.

3. Malvino, Albert Paul, Electronic Principles, The McGraw-Hill Co.,
1999.
4. Malvino, Albert Paul, Semiconductor Circuit Approximations : An
Introduction To Transistors & Integrated Circuits 4th Edition, The
McGraw-Hill Co., 1985.
5. Malvino, Albert Paul, Electronic Principles 2nd Edition, The
McGraw-Hill Co., 1979.

2
Sistematika Penilaian :
1. Presensi Kuliah

= 0% (mahasiswa harus hadir minimal 75%).

2. Tugas-tugas Kuliah

= 30% (individual ~ groups).

3. Test / Quiz / Mid Smt = 30% (closed ~ opened books).

4. Tentament / UAS

= 40% (closed ~ opened books).

FISIKA SEMIKONDUKTOR

ISOLATOR :

Konduktifitas terendah, sekitar 107. Misalnya Mica 1012 cm.

Pada isolator, struktur pita energinya terdiri atas : pita valensi, pita
terlarang (EG cukup lebar, sekitar 6 eV), dan pita konduksi.

SEMIKONDUKTOR :

Konduktifitas di antara 107 s.d. 1028. Misalnya Ge 50 - 60 cm,

dan Si 50 . 103 200 . 103 cm.

Semikonduktor intrinsik merupakan semikonduktor yang belum

diberi tambahan tak-murnian (doping) dari luar.

Semikonduktor ekstrinsik merupakan semikonduktor yang sudah

diberi tambahan tak-murnian (doping) dari luar, yang kemudian akan
mempengaruhi lebar pita terlarang dan proses konduktifitas.

Semikonduktor tipe p memiliki pembawa muatan sebagian

terbesar berupa lubang-lubang (holes) yang dihasilkan oleh takmurnian (doping), dan sebagian terkecil berupa elektron-elektron
bebas yang dihasilkan oleh energi termal.

Semikonduktor tipe n memiliki pembawa muatan sebagian

terbesar berupa elektron-elektron bebas dan sebagian terkecil
berupa lubang-lubang (holes).

Ion positif terdapat pada atom yang memiliki kelebihan satu muatan
positif, karena kekurangan satu elektron.

Ion negatif terdapat pada atom yang memiliki kelebihan satu muatan
negatif.

Atom donor tersedia pada atom tak-murnian yang memiliki 5 elektron

valensi, misalnya Phosphor (P), Arsenicum (As), Antimony (Sb).
Energi yang diperlukan untuk melepaskan elektron kelima (elektron
valensi) adalah 0,1 eV untuk Ge dan 0,05 eV untuk Si, dimana 1 eV =
1,6 . 10-19 CV = 1,6 . 10-19 J.

Atom akseptor tersedia pada atom tak-murnian yang memiliki 3

elektron valensi, misalnya Galium (Ga), Aluminium (Al), Boron (B),
Indium (In).

Persambungan (junction) merupakan batas antara bahan tipe p dan

tipe n dalam satu kristal padat.

Karena adanya gaya tolak-menolak antar elektron, maka elektron

bebas di sebelah n dari persambungan cenderung untuk menyebar
(berdifusi) ke segala arah penjuru. Sebagian elektron akan
berdifusi melintasi persambungan.

Apabila suatu elektron memasuki daerah p, elektron ini sebagai

pembawa minoritas yang dikelilingi oleh lubang-lubang (holes) dalam
jumlah yang besar, maka pembawa minoritas tidak akan berumur
panjang dan dengan cepat akan masuk (terjatuh) ke dalam satu
lubang di sekitarnya, sehingga lubang ybs. akan hilang lenyap dan
elektron bebas tersebut menjadi elektron valensi.

Bersamaan dengan penyebaran elektron melalui persambungan dan

proses rekombinasi yang menyusul, maka ion-ion negatif akan
dihasilkan di sebelah kiri dan ion-ion positif akan tertinggal di sebelah
kanan.

Dengan jumlah ion yang bertambah, maka semakin banyak pula

elektron

bebas

dan

lubang

yang

menghilang

di

sekitar

persambungan.

Lapisan pengosongan (depletion layer) merupakan daerah yang

mengalami penipisan kadar atau pengosongan dari pembawapembawa muatan.

Beda potensial barier terjadi pada daerah persambungan sebagai

akibat pembentukan lapisan pengosongan dan sebagai akibat
kehadiran ion-ion negatif di sebelah kiri dan ion-ion positif di sebelah
kanan.

Beda potensial barier ini cukup besar untuk menghalangi proses

penyeberangan difusi selanjutnya dari elektron-elektron bebas. Pada
suhu kamar (25 C), beda potensial barier untuk Si sekitar 0,7 V dan
Ge sekitar 0,3 V.

KONDUKTOR LOGAM :

Konduktifitas tertinggi, dengan jumlah lebih dari 10 28.

Sebagai contohnya adalah Cu, dengan memiliki karakteristik Cu

1,7 . 10-6 cm dan 1023 pembawa arus / cm3.

DIODA PENYEARAH

PENGANTAR :

Dioda berasal dari kata di (dua) dan elektroda.

Dioda dapat bekerja (sebagai konduktor), apabila diberi beda

potensial dalam arah tertentu (bias forward atau prategangan maju).
Demikian sebaliknya, dioda akan dapat bekerja sebagai isolator (bias
reverse atau prategangan balik).

Lambang atau simbul atau skema dioda :

Pada awalnya, dioda berupa piranti tabung dengan filamen panas

(disebut katoda) yang memancarkan elektron bebas (bahan tipe n)
dan suatu plat dari logam bermuatan positif (disebut anoda, bahan
tipe p) yang mengumpulkan elektron tersebut.

Dioda merupakan piranti nonlinear (nonlinear device), dimana

besarnya arus listrik tidak berbanding lurus dengan tegangannya.

APROKSIMASI DIODA :
1. Aproksimasi Pertama

Merupakan aproksimasi paling sederhana, dimana dioda

dianggap sebagai ideal dan hanya pemodelan secara teoritis
(dalam angan-angan akal pikiran manusia).

Dioda dianggap sebagai saklar (switch), dimana jika di bias

forward, maka saklar dalam posisi on (short circuit), dan
saklar dalam posisi off (open circuit), apabila di bias reverse.

Grafik karakteristik dan rangkaian ekuivalennya adalah :

Contoh soal :
Tentukan tegangan keluaran Vo dan arus keluaran I dari
gambar rangkaian di bawah ini ! (Penyelesaian : Vo = 20 Volt
dan I = 4,25532 mA).

2. Aproksimasi Kedua

Dioda tidak akan menghantar, apabila dioda sebelum diberi

tegangan sebesar tegangan lutut (Knee Voltage, VK). Untuk
dioda Si, VK sekitar 0,7 V dan dioda Ge, VK sekitar 0,3 V.

Grafik karakteristik dan rangkaian ekuivalennya adalah :

Contoh soal :
Tentukan tegangan keluaran Vo dan arus keluaran I dari
gambar rangkaian di bawah ini, jika menggunakan dioda Si !
(Penyelesaian : Vo = 19,3 Volt dan I = 4,106383 mA).

3. Aproksimasi Ketiga

Aproksimasi

ketiga

ini

dimaksudkan

untuk

memperbaiki

ketelitian dalam memperhitungkan penurunan tegangan maju

dioda.

Dioda akan mulai menghantar di atas tegangan V K dan dioda

juga akan berfungsi sebagai penghambat kecil karena
perubahan arus dioda berbanding lurus dengan perubahan
tegangannya. Hambatan kecil itu disebut hambatan limbak
(bulk resistance, rB) dari dioda.

Grafik karakteristik dan rangkaian ekuivalennya adalah :

Contoh soal :
Tentukan tegangan keluaran Vo dan arus keluaran I dari
gambar rangkaian di bawah ini, jika menggunakan dioda Si !
(Penyelesaian : Vo = 19,218220 Volt dan I = 4,088983 mA).

HAMBATAN DC DIODA :

10

Hambatan maju dc dioda (RF) berkurang apabila arus maju (I F)

bertambah besar. Ukuran hambatan maju dc dari suatu dioda
terhitung relatif kecil (hanya orde puluhan Ohm).

Hambatan balik dc dioda (RR) berkurang apabila kita mendekati

tegangan dadal. Ukuran hambatan balik dc dari suatu dioda terhitung
relatif besar (orde ratusan kilo Ohm atau orde Mega Ohm).

Kenaikan temperatur lingkungan akan mempengaruhi lebar lapisan

pengosongan, dan ini ekuivalen dengan penurunan beda potensial
barier (- VK).

Tegangan dadal (breakdown voltage) merupakan tegangan balik

yang menyebabkan terjadinya kelongsoran (avalanche), dimana hal
ini biasanya dihindari dalam rangkaian dioda.

11

DIODA-DIODA KHUSUS

DIODA LED :

Pada saat dioda di-bias forward, elektron dari pita konduksi ke pita
valensi melewati junction dan jatuh ke dalam hole, maka akan
disertai dengan pemancaran energi.

Untuk dioda penyearah (rectifier), berupa energi panas. Sedangkan

untuk LED (Light Emitting Diode), berupa energi cahaya. Warna
cahaya LED tergantung unsur-unsur penambahnya.

LED memiliki beberapa keuntungan dibandingkan dengan lampu pijar

biasa, antara lain :
1. Umurnya lebih panjang (> 20 tahun),
2. Konsumsi tegangan dan arus listriknya lebih rendah (maksimal
sekitar 2 V / 20 mA), dan
3. Saklar nyala-matinya lebih cepat (dalam orde nano / pico detik).

Lambang atau simbul atau skema LED :

12

Penerapan LED adalah untuk tampilan (display) instrumen, mesin

hitung (calculator), jam digital, alarm infra red, dsb.

DIODA PHOTO :

Energi termal menghasilkan pembawa minoritas dalam dioda.

Semakin tinggi temperatur, semakin besar pula arus dioda yang di
bias reverse.

Energi cahaya juga dapat menghasilkan pembawa minoritas. Apabila

cahaya luar mengenai junction dioda photo yang di-bias reverse,
maka akan dihasilkan pasangan elektron-lubang pada lapisan
pengosongan.

Lambang atau simbul atau skema dioda photo :

Semakin kuat cahaya yang dikenakan, semakin banyak jumlah

pembawa yang dihasilkan oleh cahaya, dan semakin besar pula arus
reverse-nya, sehingga dioda photo merupakan detektor cahaya yang
baik sekali.

DIODA SCHOTTKY :

13

Dioda Schottky ini tidak memiliki lapisan pengosongan atau

penyimpan muatan, karena menggunakan piranti unipolar elektron
bebas dari logam sebagai pembawa mayoritas pada kedua sisi
junction, sehingga dapat di switch nyala dan mati lebih cepat
daripada dioda bipolar biasa.

Dioda Schottky juga dapat digunakan untuk mengatasi pengaruh

waktu pemulihan balik (reverse-recovery time, trr) dalam orde nano /
pico detik, sehingga dioda ini khusus untuk penyearah frekuensi
tinggi.

Lambang atau simbul atau skema dioda Schottky :

Pada arah maju, dioda Schottky bertegangan offset sekitar 0,25 V,

bukan 0,7 V.

DIODA STEP-RECOVERY (DIODA SNAP) :

Selama konduksi (bias forward), dioda step-recovery (dioda snap) ini

berlaku sebagai dioda biasa. Apabila di-bias reverse, dioda ini
konduksi sementara waktu dan lapisan pengosongan sedang diatur.
Kemudian secara mendadak saja arus reverse menjadi nol, sehingga
seolah-olah dioda tiba-tiba terbuka menjepret (snaps open) seperti
saklar. Dengan switching kurang dari 1 ns, dioda ini banyak
digunakan pada rangkaian pulsa, digital, dan multiplier frekuensi.

14

DIODA VARACTOR :

Dioda varactor ini memanfaatkan perubahan kapasitansi peralihan

dari suatu dioda, dimana kapasitansi dioda akan berkurang apabila
tegangan reverse bertambah.

Lambang atau simbul atau skema dioda varactor :

Disebut juga dioda tertala, dioda epicap, dioda varicap, dioda

kapasitansi variable-tegangan.

Banyak digunakan pada perlengkapan transceiver (pemancar dan

penerima) radio dan televisi, khususnya pada tangki resonansi.

DIODA ZENER :

Daerah operasi normal dari dioda Zener ini terletak di dalam daerah
dadal, sehingga dapat digunakan sebagai regulator tegangan.

Kedadalan dapat terjadi karena 2 macam efek, yaitu efek

kelongsoran (avalanche effect) dan efek Zener (efek emisi medan
tinggi).

Pada efek kelongsoran (avalanche effect), dioda diberi prategangan

balik, pembawa-pembawa minoritasnya akan menimbulkan arus balik
yang sangat kecil di bawah titik dadal. Apabila tegangan balik ini
melampaui tegangan dadal, maka pembawa-pembawa minoritas

15
tersebut akan memperoleh energi yang

cukup besar untuk

melepaskan elektron-elektron valensi dari orbitnya. Elektron-elektron

yang telah dibebaskan itu dapat melongsorkan / melepaskan
elektron-elektron valensi yang lainnya, sehingga jumlah elektron
bebas yang besar ini menimbulkan arus balik yang besar pula.

Lambang atau simbul atau skema dioda Zener :

Pada efek Zener (efek emisi medan tinggi), apabila suatu dioda
memiliki tak-murnian yang besar pula jumlahnya, maka medan listrik
pada persambungan dioda yang diberi prategangan balik itu akan
menjadi sangat kuat. Jika medan ini diperbesar terus, pada akhirnya
akan menjadi cukup kuat untuk membebaskan elektron valensi dari
orbitnya, sehingga menimbulkan arus balik yang besar.

Ada 2 aproksimasi dioda Zener, yaitu aproksimasi dioda Zener ideal

(VZ) dan aproksimasi dioda Zener dengan internal resistance (RZ).

16

PENERAPAN DIODA

PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG :

Pada tipe ini disebut juga half wave rectifier, kita dapat dengan
menggunakan trafo dan tanpa menggunakan trafo.

Skema rangkaiannya adalah :

Bentuk gelombang tegangan keluarannya (V out , VRL ) pada titik-titik A

dan B ybs. di atas adalah :

17

Vin
Vp
Vdc
0

Vout

Vp
Vdc
0

Diperoleh hubungan matematis bahwa :

1.

2.

Vrms

VDC

Vp
2

VP

3.

fout = fin

4.

PIV = VM = V2 (peak)

5.

V1 N1 I1

V2 N 2 I 2

18

Catatan bahwa untuk harga efektif (root means square, rms) power
lines di Indonesia = 220 V AC / 50 Hz, di USA = 115 V AC / 60 Hz,
dan di Eropa = 230 V AC / 50 Hz.

Contoh soal :
Dari gambar (skema) rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :
tegangan masukan puncak (maksimum) di bagian primer trafo
(Vin (peak) ),
tegangan keluaran puncak (maksimum) di bagian sekunder
trafo (VM atau V2 (peak) ),
tegangan balik puncak (Peak Inverse Voltage, PIV),
tegangan dc pada beban RL (Vdc atau VRL ),
arus beban dc (Idc atau IRL ), dan
arus dioda (Idioda),

apabila :
o tegangan masukan efektif (rms) dari power lines ke bagian
primer trafo adalah sinusoidal 220 V AC / 50 Hz,
o rasio N1 : N2 = 5,5 : 1,0,
o dioda penyearah dianggap tidak ada
voltage dropped),
o hambatan beban RL = 1,5 K.

tegangan jatuh (no

19
Penyelesaian :
Dari data-data keterangan di atas, diperoleh bahwa :
Vin (peak)

= 220 .

VM atau V2 (peak)

PIV = VM atau V2 (peak)

Vdc = VRL

Idc = IRL

V AC;

1,0

. 220 . 2
5,5

V AC;

1,0

. 220 . 2
5
,
5

V;

1,0 220 .
5,5 .

1,0
220 .
.

5
,
5

1,5 . 103

V;

A ; dan

Idioda = Idc = IRL

1,0
220 .
.

5
,
5

1,5 . 103

Penyearah

ini

masih

jauh

dari

A.

sempurna,

sehingga

perlu

disempurnakan dengan tipe penyearah yang lainnya.

PENYEARAH GELOMBANG PENUH :

Pada tipe ini disebut juga full wave rectifier, kita menggunakan trafo
biasa, atau bisa juga menggunakan trafo khusus dengan sadapan
tengah (center tap).

Skema rangkaiannya adalah :

20

Bentuk gelombang tegangan keluarannya (V out , VRL ) pada titik-titik A

dan B ybs. di atas adalah :

Vin
Vp
Vdc
0

Vout

Vp
Vdc
0

Diperoleh hubungan matematis bahwa :

21
1. V
rms

2. V

DC

Vp
2

4. PIV = VM = V2 (peak)

2. V P

5. V N I

V1

N1

I1

3. fout = 2 . fin

Contoh soal :
Dari gambar (skema) rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :
tegangan masukan puncak (maksimum) di bagian primer trafo
(Vin (peak) ),
tegangan keluaran puncak (maksimum) di bagian setengah
sekunder trafo (VM atau V2 (peak) ),
tegangan balik puncak (Peak Inverse Voltage, PIV),
tegangan dc pada beban RL (Vdc atau VRL ),
frekuensi keluaran (fout ),
arus beban dc (Idc atau IRL ), dan
arus dioda (Idioda),

apabila :
o tegangan masukan efektif (rms) dari power lines ke bagian
primer trafo adalah sinusoidal 220 V AC / 50 Hz,
o rasio N1 : N2 = 5,5 : 1,0,
o dioda penyearah dianggap tidak ada
voltage dropped),

tegangan jatuh (no

22
o hambatan beban RL = 1,5 K.

Penyelesaian :
Dari data-data keterangan di atas, diperoleh bahwa :
Vin (peak)

= 220 .

VM atau V2 (peak)

= 0,5 .

1,0

. 220 . 2
5,5

V AC;

PIV = VM atau V2 (peak)

= 0,5 .

1,0

. 220 . 2
5,5

V;

Vdc = VRL

1,0 220 . 2
2 . 5,5 .

V;

f out = 2 f in

= 100 Hz,

V AC;

Idc = IRL

1,0
220 .
.
2.
5
,
5

1,5 . 103

A ; dan

Idioda = Idc = IRL

1,0
220 .
.
2.
5
,
5

1,5 . 103

A.

Penyearah tipe ini memiliki unjuk kerja yang lebih baik dibandingkan
dengan penyearah setengah gelombang.

PENYEARAH DENGAN SADAPAN TENGAH (CENTER TAP) :

Pada tipe ini, kita menggunakan trafo khusus dengan sadapan

tengah dan 2 buah dioda. Apabila menggunakan 4 buah dioda
(bridge diodes), trafo ini bisa digunakan untuk catu daya (power

23
supply) simetris, yang terdiri atas positif, nol atau ground, dan
negatif.

Skema rangkaiannya adalah :

Diperoleh hubungan matematis bahwa :

1. V
rms

2. V

DC

Vp

3. fout = 2 . fin

2. VP

4. PIV = 2 . VM
V1

N1

I1

5. V N I

PENYEARAH JEMBATAN :

Pada tipe ini, kita menggunakan sebuah trafo dan 4 buah dioda
(bridge diodes).

Skema rangkaiannya adalah :

24

Bentuk gelombang tegangan keluarannya (V out , VRL ) pada titik-titik A

dan B ybs. di atas adalah :

Vin
Vp
Vdc
0

Vout

Vp
Vdc
0

Diperoleh hubungan matematis bahwa :

25
1. V
rms

2. V

DC

Vp
2

4. PIV = VM

2. V P

5. V N I

V1

N1

I1

3. fout = 2 . fin

Penyearah jembatan ini juga memiliki unjuk kerja yang lebih baik
dibandingkan dengan penyearah setengah gelombang, sehingga
sering digunakan dalam aplikasi praktis, meskipun masih memiliki
komponen ac (riak, kerut, atau ripples) yang cukup besar.

TAPIS MASUKAN INDUKTOR KAPASITOR :

Pada tipe ini, kita menggunakan sebuah trafo dan 2 atau 4 buah
dioda (bridge diodes).

Penambahan tapis (filter) masukan induktor-kapasitor dimaksudkan

untuk mengurangi seminimal mungkin komponen ac (riak, kerut, atau
ripples) yang dihasilkan oleh suatu penyearah (rectifier).

Skema rangkaiannya adalah :

26

Bentuk gelombang tegangan keluarannya (V out , VRL ) pada titik-titik A

dan B ybs. di atas adalah :

27

Vin
Vp
Vdc
0

Vout
Vp
Vdc
0

Vp
Vdc
0

Ada juga tipe penyearah yang hanya menggunakan tapis (filter)

masukan kapasitor saja, tanpa menggunakan tapis (filter) masukan
induktor-kapasitor.

28
TAPIS TIPE L dan TIPE :
1. Tipe L :

Skema rangkaiannya adalah :

Tapis tipe L ini dapat diperluas sampai menjadi beberapa seksi.

2. Tipe :

Skema rangkaiannya adalah :

29

Dengan menggunakan komponen tapis LC atau RC, tapis tipe

ini juga dapat diperluas sampai menjadi beberapa seksi.

PENGALI PELIPAT (MULTIPLIER) TEGANGAN :

1. Ide Dasar :

Merupakan susunan dari dua, atau lebih dari dua penyearah

puncak, yang menghasilkan tegangan keluaran sebesar
kelipatan tegangan masukan puncaknya (2Vp , 3VP , 4Vp , 5Vp ,
dsb. ).

Rangkaian ini digunakan pada penerapan-penerapan tegangan

tinggi / arus rendah, seperti tabung sinar katoda, tabung
gambar penerima TV, osiloskop, komputer, dsb.

2. Pen-double tegangan :

Skema rangkaiannya adalah :

3. Pen-triple tegangan :

30

DIODA ZENER REGULATOR TEGANGAN :

PEMOTONG
TEGANGAN :

(CLIPPER)

DAN

PENGEPIT

(CLAMPER)

31
IC REGULATOR TEGANGAN :
1. IC Regulator Tegangan Tetap :

2. IC Regulator Tegangan Variabel (Adjustable) :

TRANSISTOR SAMBUNGAN BIPOLAR

[ Bipolar Junction Transistor, BJT ]

STRUKTUR KONSTRUKSI :

Transistor merupakan devais semikonduktor yang terdiri atas 2

lapisan bahan n dan 1 lapisan bahan p (npn), atau 2 lapisan bahan p

32
dan 1 lapisan n (pnp). Transistor memiliki 2 persambungan, yaitu :
emitor-basis (dioda emitor) dan basis-kolektor (dioda kolektor).

Emitor menyalurkan elektron ke basis, dimana emitor mengandung

tak-murnian yang berkadar tertinggi.

Basis memiliki daerah yang sangat tipis [yang juga memiliki

hambatan penyebaran basis

rb'

yang bervariasi besarnya, 50 150

, dan ini sangat berpengaruh pada frekuensi tinggi,

serta

rb'

dilewati oleh arus rekombinasi I B] dengan mengandung tak-murnian

yang berkadar terendah dan meneruskan sebagian besar elektron
suntikan dari emitor.

33
Kolektor memiliki daerah yang terbesar dan menangani disipasi
energi (panas) yang terbesar.

OPERASI KERJA :

Pada gambar di bawah ini, menunjukkan bahwa sebuah transistor

npn dengan hubungan (konfigurasi) basis sekutu CB (common
base atau grounded base) diberi prategangan pada kedua
diodanya.

Apabila pada sebuah transistor npn diubah menjadi ke dalam

hubungan (konfigurasi) emitter sekutu CE (common emitter atau
grounded emitter) dan diberi prategangan pada kedua diodanya,
maka tidak mengubah cara operasi kerja transistor.

Ada beberapa hal yang perlu diingat pada operasi kerja transistor di
atas :

34
1. Kedua gambar a dan b di atas, tidak menunjukkan sesuatu hal
yang luar biasa, kecuali gambar c.
2. Arus kolektor IC hampir sama dengan arus emitor I E dan arus
basis IB sangat kecil sekali, sehingga :

I E I C I B ( dc 1) I B I C

dc

dan
dengan

dc

IC
IE

dc
dc 1

dc 1

dc hFE

atau

IC
IB

dc

VBE ( Si ) 0,7V

;
;

dc
1 dc

VBE (Ge) 0,3V

Secara grafis VCE IC (selanjutnya disebut dengan garis beban dc),

ada 4 daerah operasi kerja transistor, yaitu :
1. Daerah Jenuh, atau Saturasi (Saturation Region)
Merupakan bagian kurva yang hampir tegak lurus di dekat titik
pangkal. Arus kolektor IC sama dengan nol apabila V CE
berharga nol,

karena dioda kolektor

tidak memperoleh

prategangan balik. Jika VCE mulai bertambah, maka I C akan

bertambah dengan cepat.
Pada daerah ini, dioda kolektor memperoleh prategangan maju
yang kecil, karena VCE berharga sedikit di bawah 0,7 V. Sedikit
di atas 0,7 V (harga tepatnya bergantung pada harga arus
kolektor, IC dan harga resistansi limbak Bulk, rB), VCE akan

35
menghasilkan prategangan balik pada dioda kolektor. Bila ini
terjadi, IC akan menjadi hampir tetap dan kurva I C VCE menjadi
datar.

2. Daerah Dadal (Breakdown Region)

Apabila tegangan kolektor dibuat terlalu tinggi, dioda kolektor
akan menjadi dadal, yang ditandai dengan kenaikan I C yang
sangat

cepat.

Seorang

designer

rangkaian

elektronika

menghindari operasi kerja daerah dadal ini, karena disipasi

daya yang berlebihan pada daerah ini dapat merusak transistor.

3. Daerah Aktif (Active Region)

Merupakan daerah selang interval V CE dengan IC yang hampir
konstan atau daerah titik-titik operasi kerja yang terletak di
antara daerah jenuh dan daerah dadal.

4. Daerah Putus, Mati, atau Pancung (Cut-off Region)

Merupakan daerah kurva paling bawah untuk I B = 0. Pada
daerah ini masih terdapat IC yang kecil berhubungan dengan
kebocoran yang ada pada dioda kolektor. Untuk transistor
silikon, arus kebocoran ini biasanya cukup kecil (nA) dan dapat
diabaikan untuk aplikasi praktis.

36

Semua titik yang terletak di antara titik putus dan titik jenuh
merupakan titik-titik operasi kerja daerah aktif suatu transistor.
Pada daerah operasi aktif ini, dioda emitter berprategangan maju,
dan dioda kolektor berprategangan balik. (lihatlah point nomor 3 di
atas !!).

Biasanya seorang designer rangkaian elektronika akan memilih

komponen-komponen yang menghasilkan akan suatu titik operasi di
sekitar titik tengah dari garis beban dc (grafis VCE IC), yang
kemudian disebut dengan titik tenang atau titik Q (Quiescentpoint, atau Q-point, Quiet-point, Inactive-point, Still-point).

KONFIGURASI PRATEGANGAN DC (DC-Biasing) :

1.

Prategangan Basis atau Bias Tetap (Fixed-Bias)

Skema gambar rangkaian :

37

Rumus-rumus penting :

VCC VBE

RB

I BQ

I CQ dc . I BQ

VCEQ VCC I C RC

Jika VBE VB VE dan

maka VB VBE
I C ( Sat )

VCC
RC

VCE 0

I B ( Sat )

VE 0

I C ( Sat )

dc

VCE VC VE

dan VC VCE
VCE (Cut ) VCC

VE 0

;
;

IC 0

Contoh Soal :
Dari gambar rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :
a.

I BQ

38
b.

d.

f.

I CQ

VB

VBC

c.

e.

g.

VCEQ

VC

I C (Sat )

h.

I B (Sat )

i.

VCE (Cut )

j.

Gambarl
ah garis beban dc !

jika diketahui VCC = 12 Volt; RB = 240 K; RC = 2,2 K; C1 = C2 =

10 F / 25 Volt; dan dc = 50.

Penyelesaian :

I BQ =

a.

e.
f.

47,083 A.
I CQ

b.

VCEQ

VB = 0,7

V.

VBC =

- 6,12087

I C (Sat ) =

g.

6,82087 V.
d.

6,82087 V.

V.

2,35415 mA.
c.

VC =

5,454545 mA.
I B (Sat ) =

h.

0,10909

mA.
i.

VCE (Cut ) =

j.

Silakan

12 V.
Anda

sketsa sendiri !!

2.

Prategangan Emitter yang Distabilkan (Emitter-Stabilized

Bias)

Skema gambar rangkaian :

39

Rumus-rumus penting :

VCC VBE

IB

RB ( dc 1) . RE

VCE VCC I C . ( RC RE )
VCE VC VE

Ri ( dc 1) . RE

VE I E . RE

;
;

atau VC VCE VE

atau VC VCC I C . RC ;
dan

VB VCC I B . RB

I C ( Sat )

VCC
RC RE

VCE 0

atau
;

VB VBE VE

VCE ( Sat ) VCC

VCE 0

40

Contoh soal :

Dari gambar rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :

a.

c.

e.

I BQ

VCEQ VE

h.

I C (Sat )

i.

I B (Sat )

b.

d.

f.

j.

VCE (Cut )

I CQ

VC

VB

k.

Gambarla

g.

h garis beban dc !

VBC

jika diketahui VCC = 20 Volt; RB = 430 K; RC = 2 K; RE = 1 K;

C1 = C2 = 10 F / 25 Volt; CE = 47 F / 25 Volt; dan dc = 50.

Penyelesaian :

a.

e.

I BQ =

2,006237 V.

40,12474 A.
b.

I CQ

VCEQ

13,981289 V.
d.

VC =

15,987526 V.

f.

VB =

2,706237 V.

2,006237 mA.
c.

VE =

g.

VBC =

13,281289 V.
I C (Sat ) =

h.
6,66667 mA.

41
I B (Sat ) =

i.

k.

0,13333 mA.
VCE (Cut ) =

j.

Silakan
Anda sketsa sendiri !!

20 V.

3.

Prategangan Pembagi Tegangan (Voltage Devider-Bias)

Skema gambar rangkaian :

42

Rumus-rumus penting :

Analisis Eksak :
R

2
; ETh VR2 R R . VCC ;
1
2

RTh R1 R2

IB

ETh VBE
; VCE VCC I C . ( RC RE )
RTh ( dc 1) . RE

Analisis Aproksimasi :
VB

R2
. VCC
R1 R2

Ri ( dc 1) . RE dc . RE

Recheck Syarat : dc . RE 10 . R2 ;
VE VB VBE

VCEQ VCC I C . ( RC RE )

IC

VCC
RC RE

VCE 0

IE

VE
RE

I CQ I E

I C ( Sat ) I C ( Max )

VCE (Cut ) VCC

VCC
RC RE

IC 0

Contoh soal dan penyelesaiannya, silakan

Anda lihat di buku referensi.

43

4.

Prategangan Umpan Balik Tegangan (Voltage FeedbackBias)

Skema gambar rangkaian :

Rumus-rumus penting :

IB

VCC VBE
RB dc . ( RC RE )

VCEQ VCC I C . ( RC RE )

I CEQ dc . I B

I C ( Sat ) I C ( Max)

;
VCC
RC RE

Contoh soal dan penyelesaiannya, silakan

Anda lihat di buku referensi.

44

5.

Konfigurasi yang lainnya

Skema gambar rangkaian dan rumus-rumus

penting :

IB

VCC VBE
RB dc . RC

I CQ dc . I B

VCEQ VCC I C . RC

VC VCEQ

VB VBE 0,7V

VE 0

;
;

VBC VB VC

VEE VBE
RB

I C dc . I B

VC I C . RC

VB I B . RB

IB

45
I E ( dc 1) . I B

IB

VEE VBE
RB ( dc 1) . RE
I C dc . I B

VCEQ VEE ( dc 1) . I B . RB

IE

VEE VBE
RE

IC I E

VCB VCC I C . RC

RTh R1 R2

;
IC
dc

IB

VCC VEE
R1 R2

ETh I . R2 VEE

I E ( dc 1) . I B

IB

VEE ETh VBE

RTh ( dc 1) . RE
I C dc . I B

VC VCC I C . RC
VB ETh I B . RTh

46

I C ( Sat )

IB

VCC
RC

Vi 0,7V
RB

I B ( Max)

;
;

RCut

RSat

VCC
I CEO

TRANSISTOR EFEK MEDAN

I C ( Sat )

dc

VCE ( Sat )
I C ( Sat )

;
;

47
[ Field-Effect Transistor, FET]

PERBEDAAN POKOK BJT dan FET :

1. BJT : Penemu : William Shockley, John Bardeen, Walter H. Brattain
(23121947).
2. Merupakan suatu devais yang dikontrol arus listrik.
3. Pembawa muatan : 2 jenis muatan bipolar (holes & elektron)
4. Ada 2 tipe : npn dan pnp
5. Simbul :
6. Tiga kaki : BCE
7. Basis berprategangan maju.
8. Impedansi masukan lebih rendah. Sensitifitas lebih besar terhadap
perubahan sinyal tegangan masukan. Konstruksi lebih besar.
9. Bati tegnagan lebih besar.
10.

Persamaan matematis :

11.
12.

FET :
1. Penemu : Ian Munro Ross, G.C. Dacey (1955)
2. Merupakan suatu devais yang dikontrol tegangan listrik.

48
3. Pembawa muatan : 1 jenis muatan unipolar (holes saja ataukah
elektron saja)
4. Ada 2 tipe : JFET (tipe single dan dual gates) dan MOSFET (tipe
depletion dan tipe enhancement) masing-masing dengan n channel
dan p channel
5. Simbul :
6. Tiga kaki : GDS
7. Gerbang berprategangan balik.
8. Impedansi masukan lebih tinggi 10 M. Lebih stabil terhadap
perubahan temperatur. Konstruksi lebih kecil. Kurang sensitive
terhadap tegangan masukan.
9. Bati tegangan lebih kecil.
10.

Persamaan Matematis :

11.
12.
13.

No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.

Item
Penemu
Pengendali devais
Pembawa muatan
Tipe / jenis
Simbul / lambang
Prategangan / bias
Konstruksi
Sensitifitas
Kestabilan
Impedansi masukan
Bati tegangan

BJT

FET

49
12.

Persamaan matematis

13.

KONFIGURASI PRATEGANGAN DC (DC-Biasing) :

1. Prategangan Tetap (Fixed-Bias)

Skema gambar rangkaian :

Rumus-rumus penting :

50

Contoh Soal :

Dari gambar rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :

a.

c.

e.

I BQ

VCEQ VC

g.

I C (Sat )

h.

I B (Sat )

b.

d.

f.

i.

VCE (Cut )

I CQ

VB

VBC

j.

Gambarl
ah garis beban dc !

jika diketahui VCC = 12 Volt; RB = 240 K; RC = 2,2 K; C1 = C2 =

10 F / 25 Volt; dan dc = 50.

Penyelesaian :

I BQ =

a.

e.
f.

47,083 A.
I CQ

b.

VCEQ

c.
6,82087 V.
d.

VB = 0,7

V.

VBC =

5,454545 mA.
I B (Sat ) =

h.

0,10909

mA.
i.

VCE (Cut ) =

j.

Silakan
sketsa sendiri !!

2. Prategangan Sendiri (Self-Bias)

- 6,12087

I C (Sat ) =

g.
=

6,82087 V.

V.

2,35415 mA.

VC =

Skema gambar rangkaian :

12 V.
Anda

51

Rumus-rumus penting :

Contoh Soal :
Dari gambar rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :
a.

c.

e.

I BQ

VCEQ VC

g.

I C (Sat )

h.

I B (Sat )

b.

d.

f.

i.

VCE (Cut )

I CQ

VB

VBC

j.

Gambarl
ah garis beban dc !

jika diketahui VCC = 12 Volt; RB = 240 K; RC = 2,2 K; C1 = C2 =

10 F / 25 Volt; dan dc = 50.

Penyelesaian :

52
I BQ =

a.

e.

47,083 A.

f.
I CQ

b.

2,35415 mA.
VCEQ

c.
d.

- 6,12087

V.
I C (Sat ) =

5,454545 mA.

I B (Sat ) =

h.

0,10909

mA.

VB = 0,7

V.

6,82087 V.

VBC =

g.

6,82087 V.

VC =

i.

VCE (Cut ) =

j.

Silakan
sketsa sendiri !!

3. Prategangan Pembagi Tegangan (Voltage Devider-Bias)

Skema gambar rangkaian :

Rumus-rumus penting :

12 V.
Anda

53

Contoh Soal :

Dari gambar rangkaian di atas, tentukanlah besarnya :

a.

c.

e.

I BQ

VCEQ VC

g.

I C (Sat )

h.

I B (Sat )

b.

d.

f.

i.

VCE (Cut )

I CQ

VB

VBC

j.

Gambarl
ah garis beban dc !

jika diketahui VCC = 12 Volt; RB = 240 K; RC = 2,2 K; C1 = C2 =

10 F / 25 Volt; dan dc = 50.

Penyelesaian :

I BQ =

a.

e.
f.

47,083 A.
I CQ

b.

VCEQ

I C (Sat ) =

I B (Sat ) =

h.

0,10909

mA.
i.

VCE (Cut ) =

j.

Silakan
sketsa sendiri !!

MOSFET
MOSFET handling

- 6,12087

5,454545 mA.

VB = 0,7

V.

VBC =

g.

6,82087 V.
d.

6,82087 V.

V.

2,35415 mA.
c.

VC =

12 V.
Anda

54
VMOSFET
CMOS

PENGUAT OPERASIONAL
[ Operational Amplifier, Op-Amp ]

PENDAHULUAN :

Penguat

Operasional

(Op-amp)

merupakan

suatu

rangkaian

elektronik yang dirancang dan dikemas secara khusus, sehingga

dengan

menambahkan

beberapa

komponen

luar,

rangkaian

elektronik tersebut akan dapat digunakan untuk berbagai keperluan.

Seiring dengan perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi

mikroelektronika, op-amp sekarang ini dikemas dalam bentuk
rangkaian terpadu (IC).

Op-amp IC secara umum memerlukan catu daya simetris ( - ,

0/Ground, dan +), dan dibagi menjadi tiga bagian rangkaian dasar,
yaitu :
1. Penguat diferensial impedansi masukan tinggi,
2. Penguat tegangan dengan penguatan (gain) tinggi, dan
3. Penguat diferensial impedansi keluaran rendah.

55

Karakteristik op-amp yang terpenting adalah :

1. Impedansi masukan sangat tinggi, sehingga secara praktis,
arus masukan dapat diabaikan,
2. Penguatan (gain) kalang (loop) terbuka sangat tinggi, dan
3. Impedansi keluaran sangat rendah, sehingga secara praktis,
keluaran penguat tidak terpengaruh oleh pembebanan.

56

PENGUAT OPERASIONAL
(Operational Amplifier, Op-Amp)

PENDAHULUAN :

Penguat operasional merupakan suatu penguat diferensial

dengan : gain yang sangat tinggi (karena terdiri atas
sejumlah tahapan penguat diferensial), impedansi masukan
tinggi, & impedansi keluaran rendah.

Simbul op-amp :

Simbul op-amp

Rangkaian ekuivalen ac op-amp :

57

a. Secara praktis

b. Secara ideal

Diagram blok op-amp :

Penerapan op-amp adalah untuk menyediakan perubahan2

amplitudo tegangan (amplitudo & polaritas / fase), osilator,
rangkaian filter, & sejumlah tipe rangkaian instrumentasi.

Beberapa mode operasi op-amp digambarkan sebagai

berikut :

58

a. Ujung masukan tunggal

b. Ujung masukan ganda (diferensial)

c. Ujung keluaran ganda

d. Ujung keluaran ganda dengan ujung masukan tunggal

e. Masukan diferensial & keluaran diferensial

59

f. Operasi mode bersama (common-mode operation)

g. Penolakan mode bersama (common-mode rejection)
MODE OPERASI BERSAMA & DIFERENSIAL :

Common-Mode Rejection Ratio (CMRR) merupakan nilai

angka yang menggambarkan kemampuan suatu op-amp
untuk memperkuat sinyal diferensial sambil menindas sinyal
mode bersama.

Apabila tegangan yang sama fasenya diumpankan ke dalam

masukan2 op-amp, maka keluarannya akan sama dengan
nol.

Masukan diferensial (Vd), merupakan perbedaan di antara

2 sinyal masukan Vi1 Vi2 , apabila pada kedua masukan opamp itu diterapkan 2 sinyal secara terpisah.

Masukan bersama (Vc), merupakan jumlah rata2 dari 2

1

sinyal masukan 2 Vi1 Vi2 , apabila pada kedua masukan op-

amp itu diterapkan 2 sinyal yang sama.

Tegangan keluaran (Vo), dituliskan dlm pers. matematik

Vo AdVd AcVc ,

dengan

mengingat

bahwa

sinyal

yang

diterapkan pada op-amp secara umum memiliki 2 komponen

yaitu satu fase & berbeda fase.

Masukan polaritas berlawanan, 2 sinyal masukan dengan

polaritas yang berlawanan diterapkan pada op-amp, secara

60
ideal

juga

berlawanan.

Apabila

Vi1 Vi2 Vs

akan

menghasilkan :
a. beda tegangan, Vd Vi1 Vi2 2Vs
1

b. tegangan bersama, Vc 2 Vi1 Vi2 0

c. tegangan keluaran, Vo AdVd AcVc 2 AdVs

Masukan polaritas yang sama, 2 sinyal masukan dengan

polaritas yang sama diterapkan pada op-amp,

Vi1 Vi2 Vs

akan menghasilkan :
a. beda tegangan, Vd Vi1 Vi2 0
1

b. tegangan bersama, Vc 2 Vi1 Vi2 Vs

c. tegangan keluaran, Vo AdVd AcVc AcVs

Mode penolakan bersama :

a. Mengukur Ad , diperoleh dengan cara mengeset :
Vi1 Vi2 Vs 0,5V

b. Mengukur Ac , diperoleh dengan cara mengeset :

Vi1 Vi2 Vs 1V

Rasio mode penolakan bersama (CMRR), diperoleh

Ad
Ac

atau dlm satuan dB menjadi :

CMRR log 20 log10

Ad
Ac

dB .

Hubungan persamaan2 di atas dapat dituliskan kembali

menjadi :

1 Vc
Vo AdVd 1
CMRR Vd

61
DASAR- DASAR OP-AMP :

Op-amp dasar :

a. Pengganda gain tetap.

b. operasi op-amp pengganda gain

tetap.

c. Rangkaian ekuivalen ac. d. Penggambaran ulang rangkaian

ekuivalen ac dari sebuah op-amp.

d. Ground semu pada sebuah op-amp.

RANGKAIAN OP-AMP PRAKTIS :

Penguat membalik :

62

Penguat tak membalik (& rangkaian ekuivalennya) :

Pengikut unitas (& rangkaian ekuivalennya) :

Penguat Penjumlah (& rangkaian ekuivalennya) :

63

Integrator (& rangkaian ekuivalennya) :

Vo
1

V1
sCR
vo (t )

Penjumlah integrator :

Diferensiator :

vo (t ) RC

dv1 (t )
dt

1
v1 (t ) dt
RC

64

65

PENERAPAN OP-AMP

PENGALI GAIN TETAP :

Digambarkan :

GAIN MULTI-TAHAP :

Digambarkan :

66

Gain

rangkaian

secara

keseluruhan

(multiple-stage)

diperoleh dengan cara mengalikan gain pada masing2

tahapan, yaitu :

ATotal A1 A2 A3 ... An

PENJUMLAH TEGANGAN :

Digambarkan :

Rf
Rf
Rf
Vo
V1
V2
V3
R2
R3
R1

PENGURANGAN TEGANGAN :

Digambarkan :

Rf Rf
Rf
Vo
V2
V1
R3 R1
R2

67

Vo

R3 R2 R4
R
V1 4 V2
R1 R3 R2
R2

PENYANGGA TEGANGAN :

Digambarkan :

SUMBER-SUMBER TERKENDALI :

Sumber tegangan terkendali oleh tegangan (VCVS) :

68

Sumber arus terkendali oleh tegangan (VCCS) :

a. VCCS secara ideal. b. VCCS secara praktis.

Sumber tegangan terkendali arus (CCVS) :

a. VCCS secara ideal. b. VCCS secara praktis.

Sumber arus terkendali oleh arus (CCCS) :

69

a. CCCS secara ideal.

I o I1 I 2 I1

b. CCCS secara praktis.

I1R1
R
1 1 I1 kI1
R2
R2

RANGKAIAN INSTRUMENTASI :

Milivoltmeter DC :
Rf
Io

V1
R1

Rs

Io R f

V1
R1

Rs

Milivoltmeter AC :

Penggerak tampilan (display driver) :

70

Penguat instrumentasi :

2R
Vo 1
V1 V2
R p

k V1 V2

TAPIS (FILTER) AKTIF :

Tapis lewat bawah (LPF) :

Av 1

Rf
R1

fOH

1
2 R1C1

71

Tapis lewat atas (HPF) :

Av 1

Tapis lewat pita (BPF) :

Rf
R1

f OL

1
2 R1C1

72
fOL

1
2 R1C1

THYRISTOR
[SCR, DIAC, TRIAC]

PENDAHULUAN :

fOH

1
2 R2C2

73

Thyristor berasal dari bahasa Romawi, yang berarti pintu, membuka

pintu dan membiarkan sesuatu melewatinya. Thyristor adalah suatu
devais konduktor yang menggunakan umpan balik internal untuk
menghasilkan aksi pensaklaran.

Beberapa contoh thyristor a.l. : penyearah yang dikendalikan oleh

silicon (Silicon Controlled Rectifier, SCR), diac, dan triac.

Penerapan thyristor adalah untuk on-off switching dengan arus yang

besar, yang dapat digunakan untuk overvoltage protector, pengatur
motor, heater, lighting system, dsb.

DIODA EMPAT LAPIS :

Dioda empat lapis, dioda Shockley, dioda pnpn, atau Saklar

Unilateral Silicon (SUS) merupakan devais yang hanya mengijinkan
arus mengalir dalam satu arah saja.

Transistor pnp dan transistor npn dapat digunakan untuk mengetahui

cara bekerjanya dioda Shockley.

Operasi thyristor dapat dijelaskan dengan rangkaian ekuivalen

seperti pada gambar di bawah ini.

Kolektor Q1 menggerakkan basis Q2, demikian pula kolektor Q2

menggerakkan basis Q1.

Setiap perubahan pada arus basis Q 2 diperkuat dan diumpanbalikkan

melalui Q1 untuk memperbesar perubahan awal. Umpan balik
positif mengubah arus basis Q2 sampai kedua transistor menuju ke

74
arah titik jenuh (saturation point) ataukah menuju ke arah titik
putus (cut-off point).

Rangkaian akan tetap dalam keadaan terbuka sampai adanya suatu

keadaan yang dapat menaikkan arus basis Q2 , demikian pula
sebaliknya rangkaian akan tetap dalam keadaan tertutup sampai
adanya suatu keadaan yang dapat menurunkan arus basis Q2.

Karena rangkaian tetap berada pada salah satu keadaan (kondisi)

secara terus-menerus, maka rangkaian ini disebut gerendel (latch).

Apabila diasumsikan bahwa rangkaian gerendel transistor dalam

keadaan terbuka, maka tidak ada arus yang mengalir melalui beban,
dan tegangan pada gerendel sama dengan tegangan catu. Dengan
demikian, titik operasinya adalah pada bagian bawah garis beban
(cut-off point).

Breakover merupakan tegangan catu yang cukup besar yang

digunakan untuk menutup gerendel. Ini berarti arus kolektor Q 1
menaikkan arus basis Q2 dan umpan balik positif dimulai, serta akan

75
mendorong kedua transistor ke dalam keadaan jenuh, sehingga
kedua transistor seperti rangkaian hubung singkat dan gerendel
tertutup. Secara ideal, gerendel memiliki tegangan nol ketika
tertutup). Dengan demikian, titik operasinya adalah pada bagian atas
garis beban (saturation point).

Breakover juga terjadi apabila Q2 breakdown. Meskipun breakover

mulai dengan breakdown dioda kolektor, ini akan berakhir dengan
kedua transistor berada pada kondisi jenuh. Inilah mengapa istilah
breakover digunakan ketimbang breakdown untuk menggambarkan
jenis penutupan gerendel ini.

Low-current drop-out adalah terjadinya pembukaan gerendel yang

tergantung pada penurunan arus latch pada nilai yang cukup rendah,
sehingga transistor keluar dari kondisi jenuh.

SILICON CONTROLLED RECTIFIER (SCR) :

Metode Menghidupkan (membakar atau memacu) thyristor :

1. Menaikkan tegangan arah biasa s.d. di atas V BO. Metode ini
tidak digunakan.
2. Menaikkan tegangan arah biasa pada kecepatan yang (sangat)
tinggi. Hal ini dapat ditunjukkan bahwa kecepatan

dV
dt

thyristor

maksimum dapat menimbulkan munculnya transien pada suplai

sebelum pembakaran palsu terbentuk.

76
3. Mensuplai arus ke gerbang secara benar polaritasnya, yaitu
positif untuk arus input gerbang, dan lebih besar dari ukuran
minimum untuk waktu yang lebih banyak daripada waktu
minimum. Ukuran yang menyatakan nilai-nilai minimum ini
dapat dilihat pada datasheet dan digunakan untuk menentukan
lebar dan ketinggian pulsa tegangan minimum yang dibutuhkan
untuk memicu tiristor. Arus ini dapat disuplai :
a. Secara langsung dari positif suplai melalui resistor.
Metode ini dapat dilakukan, akan tetapi boros karena
tidak akan diperlukan setelah thyristor hidup.
b. Dari kapasitor yang diisi. Diperlukan pengaturan untuk
mengisi kapasitor kembali untuk waktu pembakaran
selanjutnya.

Metode

ini

dapat

diterapkan

dengan

menggunakan Uni Junction Transistor (UJT) pada osilator

relaksasi.

Metode Mematikan (komutasi) Thyristor :

1. Mengurangi arus arah biasa di bawah ukuran pokoknya. Arus
pokok lebih kecil daripada arus kancing. Thyristor terkancing
sesudah terpicu. Apabila dioerasikan pada supali dc tetap,
nampaknya thyristor tidak dapat dimatikan. Kalau arus arah
biasa itu dapat dikurangi s.d. di bawah ukuran arus pokok,
thyristor akan kembali ke keadaan non-konduksi. Hal ini dapat
dicapai dengan memutuskan hubungan suplai, akan tetapi

77
fungsi tiristor sebagai saklar (switching) akan hilang, karena
diperlukan saklar lain untuk mengontrolnya.
2. Memberikan tegangan arah terbalik ke thyristor dengan cara
menghubungkan kapasitor komutasi yang terisi ke thyristor.
3. Memakai suplai yang diperbaiki. Apabila suplai tidak diperbaiki
sampai dapat menghasilkan gelombang penuh yang tidak
diperhalus, dia akan jatuh ke nol sebanyak dua kali per siklus
dan thyristor sering kali mati.
4. Memakai thyristor pada suplai ac. Thyristor akan mati pada
akhir setiap setengah siklus positif dan tidak akan berkonduksi
dalam setengah siklus negatif.

Pemicuan Gerendel :
Seperti pada gambar di awal sebelumnya, dengan menambah
terminal masukan pada basis Q2 , kita dapat membuat cara lain untuk
menutup gerendel. Teori operasinya adalah bahwa pada saat
gerendel terbuka, titik operasinya berada pada ujung garis bawah
beban dc. Untuk menutup gerendel, kita dapat memberi pemicu
pada Q2 . Ini akan memulai umpan balik positif, yang akan
mendorong kedua transistor ke keadaan jenuh.
Pada saat jenuh, kedua transistor secara ideal akan terlihat seperti
rangkaian terhubung singkat, dan gerendel akan tertutup. Idealnya
gerendel memiliki tegangan nol pada saat tertutup, dan titik
operasinya berada pada bagian atas garis beban dc.

78

Pemicuan Gerbang :
SCR terdiri atas masukan gerbang (Gate, G), elektroda bagian atas
(Anoda, A), dan elektroda bagian bawah (Katoda, K). SCR lebih
berguna daripada dioda empat lapis, karena pemicuan gerbang lebih
mudah dibandingkan dengan pemicuan breakover.
Tegangan pemicu gerbang VGT dan arus pemicu gerbang IGT masingmasing adalah tegangan dan arus minimum yang dibutuhkan untuk
menghidupkan SCR.

Tegangan Masukan Yang Dikehendaki :

Vin = VGT + IGT.RG

Crowbar SCR dapat digunakan untuk mempersingkat terminal beban

pada saat pertama kali ada kelebihan tegangan. Penambahan gain

79
tegangan (dari BJT, FET, atau IC komparator) dapat diteruskan ke
bagian Crowbar SCR.

Sudut penyalaan (firing angle) adalah sudut tempat SCR tersulut,

sedangkan sudut penghantaran (conduction angle) adalah sudut
diantara awal dan akhir penghantaran. Untuk menghindari pemicuan
palsu, maka angka perubahan tegangan tidak boleh melebihi angka
kritis perubahan tegangan.

RC snubber merupakan suatu alat yang berfungsi untuk mengurangi

pengaruh transien pensaklaran.

Transien pensaklaran adalah penyebab kelebihan angka kritis

kenaikan tegangan.

Angka kritis kenaikan arus adalah batas tertinggi yang diijinkan

untuk terjadinya kenaikan arus pada anoda agar tidak terjadi
kerusakan SCR.

THYRISTOR DUA ARAH :

80

Devais unidirectional yang telah dibahas a.l. : dioda empat lapis dan
SCR. Sedangkan contoh devais bidirectional adalah DIAC atau yang
disebut sebagai saklar dua arah dari silicon (Silicon Bidirectional
Switch, SBS), dan TRIAC.

THYRISTOR YANG LAINNYA :

Beberapa thyristor yang lainnya a.l. : Photo SCR, saklar yang

dikendalikan oleh gerbang, saklar yang dikendalikan oleh silicon, dan
transistor satu sambungan (Uni Junction Transistor, UJT).