17.
Perhatikan gambar JFET kanal-n di
samping, sebutkan bagian-bagian yang
ditunjuk dengan abjad a, b dan c
a) a : Drain ; b : Gate ; c :
Source
b) a : Source ; b : Gate ; c :
Drain
c) a : Drain ; b : Source ; c :
Gate
d) a. Gate ; b : Source ; c :
Drain
18.
Gambar di samping adalah
symbol.
a)
b)
c)
d)
symbol
symbol
symbol
symbol
JFET kanal-p
source
JFET kanal-n
gate
19.Pada JFET kanal-n, tegangan bias antara gate dan source adalah
a)
b)
c)
d)
Tegangan
Tegangan
Tegangan
Tegangan
besar
kecil
forward bias
reverse bias
Lapisan
Lapisan
Lapisan
Lapisan
deplesi
hole
netral
positif
simbol ...
a. SCR
b. PUT
c. UJT
d. DIAC
27.Berapakah lapisan layer pada PUT
a. 2
b. 3
c. 4
d. 5
28.Dimanakah posisi anoda pada PUT
a. Lapisan pertama
b. Lapisan kedua
c. Lapisan ketiga
d. Lapisan terakhir
29.Berkut ini yang bukan aplikasi dari PUT adalah
a.. Oscillators
b.. Timing Circuits
c. Thyristor triggering
d. Ampermeter
30.Dimanakah posisi katoda pada PUT
a. Lapisan pertama
b. Lapisan kedua
c. Lapisan ketiga
d. Lapisan terakhir
31.Di
a.
b.
c.
d.
b.
c.
d.
a)
b)
c)
d)
e)
JFET
MOSFET
PUT
THYRISTOR
DIODA
a)
b)
c)
d)
e)
b.
c.
d.
b.
c.
d.
a.
b.
c.
d.
b.
c.
d.
b.
c.
d.
66.
a.
b.
c.
d.
67.
a.
b.
c.
d.
Bias Maju
Reverse Bias
Forward Bias
Semua Benar
68.
b. Kapasitor
d. Induktor
b. Positif
d. Tengah
b. Ekuivalen
d. Sudut Penyulutan
90.
b. Penyearah
d. Menyimpan energi
a. SCR
c. Thyristor
b. TRIAC
d. DIAC
b.
c.
d.
d. Diode zener
e. Kapasior
99.
I, IV, V
I, III, IV
III, IV, V
I, II, III
103.
JFET kanal-p
Mosfet kanal-p
JFET kanal-n
Mosfet kanal-n
104.
105.
JFET kanal-p
Mosfet kanal-p
JFET kanal-n
Mosfet kanal-n
106.
a.
b.
c.
d.
107.
adalah
a. PUT memiliki berat yang lebih daripada UJT
b. Pada PUT, parameter seperti rasio intrinsik kebuntuan (),
tegangan puncak (Vp) dll dapat diprogram dengan bantuan dua
resistor eksternal. Dalam UJT, parameter seperti Vp, dll tetap
dan kita tidak bisa mengubahnya
c. Jawaban a dan b benar
d. Semua jawaban salah
108.
Yang merupakan simbol dari PUT adalah
a.
c.
b.
d.
109.
a.
b.
c.
d. PUT tidak memiliki kurva.
110.
a.
b.
c.
d.
111.
SCR merupakan alat semikonduktor empat lapis yang
menggunakan
a. 1 kaki
b. 3 kaki
c. 5 kaki
d. 2 kaki
112.
a.
b.
c.
d.
113.
a.
b.
c.
d.
114.
SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar
dari
a. Tegangan awal
b. Hambatan
c. Arus penahan
d. Tegangan sumber
115.
a.
b.
c.
d.