PENDAHULUAN

Tidak semua fenomena fisis dapat diamati di dalam sebuah kegiatan eksperimen.
Hal ini melatarbelakangi berkembangnya kegiatan simulasi berbasis metode numerik
tertentu, didukung oleh penggunaan bahasa pemrograman yang sesuai. Salah satu
fenomena fisis yang menarik untuk disimulasikan adalah pemodelan distribusi pembawa
muatan di dalam bahan semikonduktor.
Di dalam modul ini, anda akan dipandu untuk mempelajari bagaimana
memodelkan kinerja sebuah divais elektronik, berdasarkan persamaan dasar bahan
semikonduktor, yaitu persamaan Poisson,

. = ( + + ) = ( + + )
(1)

Keterangan:

= permitivitas bahan (F/cm)

= medan listrik (volt/cm)
p = konsentasi hole (cm-3)
n = konsentasi elektron (cm-3)
+ = konsentrasi atom donor (cm-3 )
= konsentrasi atom akseptor (cm-3 )

dan persamaan Kontinuitas,

1
. =
(2)

1
. = (3)

Jika persamaan di atas diaplikasikan dalam dioda sel surya dan dikhususkan untuk
persambungan p-n, maka perlu diperhatikan komponen R dan G yang digunakan.
Dalam persamaan tersebut, R merupakan laju rekombinasi Shockley-Read-Hall,

2
= (4)
( + 1 ) + ( + 1 )

dan G adalah laju generasi pembawa muatan akibat iluminasi foton datang,

= 1 ( + ) (5)

Keterangan:
G = Laju generasi (cm-3s-1)
F = Rapat fluks foton (cm-2s-1)
P = koefisien transmisi cahaya
= koefisien absorpsi (cm-1)
y = posisi dalam dioda sel surya yang ditentukan dari tepi teratas tipe-p (cm)
 Faktor G, P dan akan bernilai unik pada pemilihan jenis dan sifat bahan yang
digunakan. Demikian juga untuk komponen F akan bergantung pada panjang gelombang
dari foton datang menurut persamaan,

= (19,7 4,7)1015 2 1 untuk 0,24 m 0,4 m (6)

= (2,5 + 5,7)1015 2 1 untuk 0,48 m (7)

Untuk memperoleh karakteristik arus-tegangan dari sebuah divais, kita harus

hitung berapa arus yang dihasilkan oleh pembawa muatan dalam divais, di bawah variasi
beberapa sumber tegangan. Persamaan yang digunakan berdasarkan jumlah pembawa
muatan yang dimodelkan melalui persamaan mekanisme transport.

= (8)

= (9)

Adapun tujuan dari kegiatan pemodelan yang akan dijabarkan dalam modul ini adalah
mengetahui bentuk karakteristik I-V dari dioda sel surya di bawah variasi panjang
gelombang dari foton datang.

PROSEDUR KERJA

A. Membuat Fungsi Konsentrasi Dopan Menggunakan MATLAB

1. Buka MATLAB
2. Pada kotak dialog Command Window klik FileNewM-File
3. Ketikkan listing program berikut:

function N=fldoping(x,y,C0)
x1=0.5; y1=0.7;
ju=0.1; ac=0.2;
NApmax = 1e17/C0;
NDn = 1e15/C0;
NDnmax = 1e17/C0;
ch=ju/sqrt(log(NApmax/NDn));
N=NDn+NDnmax*exp(-((y+y1)/ch).^2)-...
NApmax*exp(-(y/ch).^2).*...
((x<ac)+(x>=ac).*exp(-((x-ac)/ch).^2));

4. Kemudian simpan dengan cara mengklik FileSave

5. Simpan dengan nama fldoping
6. Klik save
B. Memulai Simulasi dengan FEMLAB
1. Buka FEMLAB
2. Pada Dimension pilih 2D
3. Klik PDE Modes General Nonlinear Stationary
4. Pada No. Of dependent variables isika angka 3
5. Klik More
6. Ketik phi u v pada kolom dependent variables
7. Klik Ok

C. Option and Setting

1. Klik Option Axis and Grid Setting
2. Atur sebagai berikut
axis Grid
X min 0 X spacing 0.1
X max 1 Extra X
Y min -0.8 Y spacing 0.1
Y max 0 Extra Y

3. Klik Option Add/Edit Variables

4. Atur sebagai berikut
Variable Value
Q 1.602e-19
epsilon 8.854e-14
T 300
K 1.38e-23
Epsilonr 11.8
y1 0.7
x0 1e-3
Phi0 k*T/q
C0 max(abs(fldoping(0,0,1)),abs(fldoping(0,-y1,1)))
D0 max(k*T/q*800,k*T/q*200)
Ni 1.45e10/C0
Mun 801*Phi0/D0
Mup 331*Phi0/D0
Dn k*T/q*801/D0
Dp k*T/q*331/D0
Taun 350e-6*D0/x0^2
Taup 1e-6*D0/x0^2
lambda2 Phi0*epsilon*epsilonr/(x0^2*q*C0)
Nsa (fldoping(0,0,C0))/2+sqrt((fldoping(0,0,C0))^2/4+ni^2)
(fldoping(0,-
Nsc
y1,C0))/2+sqrt((fldoping(0,y1,C0))^2/4+ni^2)
Va 0
P 0.023
lamda 0.5
alpha 1.1e4*x0
C 1
 F C*(-2.5*Lamda+5.7)*1e15*x0^2/(D0*C0)

D. Membuat Geometri Dioda Sel Surya

1. Klik Draw Draw Mode
2. Klik tombol pilihan Draw Rectangle yang ada di samping kiri layar Gambar
persegi panjang dari (0,0.7) ke (0.5,0)
3. Gambar garis dari (0,-0.1) ke (0.2, -0.1) dengan cara mengklik tombol pilihan
Draw line yang ada di samping kiri layar, dilajutkan dengan membuat busur dari
(0.3,-0.1) ke (0.3-0) dengan cara mengklik tombol pilihan Draw arc yang ada di
samping kiri layar.
4. Pilih persegi panjang, garis, dan titik yang telah dibuat
5. Klik zoom extends pada tombol toolbar

E. Pengaturan Kondisi Batas

1. Klik Boundary Specify Boundary Condition
2. Beri tanda centang pada enable border
3. Atur G coefficient dan R coefficient dengan aturan berikut
Boundary 1,3,4,6,7,8,9 2 5
R1 0 -phi+log(nsc/ni) -phi+Va+log(nsa/ni)
R2 0 -u+1 -u+exp(-Va)
R3 0 -v+1 -v+exp(Va)
G1 0 0 0
G2 0 0 0
G3 0 0 0

4. Klik Ok

F. Entry Persamaan Poisson dan Kontinuitas

1. Klik PDE PDE Specification
2. Pada subdomain selection pilih 1
3. Pada kolom Gamma coefficient masukkan persamaan berikut:
Subdomain 1
ga1 lambda2*phix lambda2*phiy
ga2 Dn*ni*exp(phi).*ux Dn*ni*exp(phi).*uy
ga3 Dp*ni*exp(-phi).*vx Dp*ni*exp(-phi).*vy

4. Pada subdomain selection pilih 2

5. Pada kolom Gamma coefficient masukkan persamaan berikut:
Subdomain 2
ga1 lambda2*phix lambda2*phiy
ga2 Dn*ni*exp(phi).*ux Dn*ni*exp(phi).*uy
ga3 Dp*ni*exp(-phi).*vx Dp*ni*exp(-phi).*vy

6. Pilih tombol pilihan F

 7. Pada subdomain selection pilih 1
8. Pada kolom F coefficient masukkan persamaan berikut:
Subdomain 1
f1 ni*(exp(phi).*u-exp(-phi).*v)-fldoping(x,y,C0)
(ni*(v.*u-1)./(taun*(exp(-phi).*v+1)+taup*(exp(phi).*u+1)))-
f2 (F*alpha.*(exp(-alpha.*y)+P.*exp(alpha.*y))/(1-P))
(ni*(v.*u-1)./(taun*(exp(-phi).*v+1)+taup*(exp(phi).*u+1)))-
f3 (F*alpha.*(exp(-alpha.*y)+P.*exp(alpha.*y))/(1-P))

9. Pada subdomain selection pilih 2

10. Pada kolom F coefficient masukkan persamaan berikut:
Subdomain 2
f1 ni*(exp(phi).*u-exp(-phi).*v)-fldoping(x,y,C0)
(ni*(v.*u-1)./(taun*(exp(-phi).*v+1)+taup*(exp(phi).*u+1)))-
f2 (F*alpha.*(exp(-alpha.*y)+P.*exp(alpha.*y))/(1-P))
(ni*(v.*u-1)./(taun*(exp(-phi).*v+1)+taup*(exp(phi).*u+1)))-
f3 (F*alpha.*(exp(-alpha.*y)+P.*exp(alpha.*y))/(1-P))

11. Klik Ok

G. Pengaturan Mesh
1. Klik mesh parameter
2. Pilih more
3. Pada kolom isian Max element size for edges isikan 2 0.005 4 0.005
4. Klik Ok
5. Klik mesh initialize mesh

H. Penyelesaian Persamaan Poisson dan Kontinuitas

1. Klik Solve Specify Initial Conds
2. Pada subdomain selection pilih 1
3. Pada kolom isian Initial value isikan pengaturan berikut
Variable Value
Phi log((fldoping(x,y,C0)/2+sqrt(fldoping(x,y,C0).^2/4+ni^2))/ni)
U 1
V 1

4. Pada subdomain selection pilih 2

5. Pada kolom isian Initial value isikan pengaturan berikut
Variable Value
Phi log((fldoping(x,y,C0)/2+sqrt(fldoping(x,y,C0).^2/4+ni^2))/ni)
U 1
V 1

6. Klik Ok
7. Selanjutnya klik Solve Parameters
 8. Pilih Nonlinear pada kotak dialog Solver Parameters
9. Pada kotak isian Nonlinear tolerance isikan 1E-7
10. Klik Ok
11. Simpan File dengan cara Klik FileSavesimpan file dengan nama
Rancanganklik save
12. Klik Solve Solve Problem

I. Menampilkan Profil Distribusi Pembawa Muatan dan Potensial Elektrostatik

1. Klik Plot Parameters
2. Pada kotak dialog Plot Parameters pilih surface
3. Untuk menampilkan profil distribusi potensial elektrostatik isi kotak isian
surface expression dengan phi lalu klik ok
4. Untuk menampilkan profil distribusi hole isi kotak isian surface expression
dengan log10(ni*exp(-phi).*v*C0) lalu klik ok
5. Untuk menampilkan profil distribusi elektron isi kotak isian surface expression
dengan log10(ni*exp(phi).*u*C0) lalu klik ok

J. Menyimpan Hasil Eksekusi FEMLAB

1. Klik File Save as simpan dengan nama Hasil
2. Untuk menyimpan hasil eksekusi FEMLAB dalam bentuk M-File agar bisa
dibuka pada MATLAB
Klik File Save as Model M-File Simpan dengan nama HasilOk

K. Memvariasikan Tegangan Keluaran

1. Buka MATLAB
2. Klik File Open Hasil
3. Untuk memvariasikan tegangan keluaran dari 0 volt sampai 0.4 volt dengan
rentang 0.025 volt, hapus semua perintah plot solution, lalu pada bagian paling
bawah dari m-file Hasil ketikkan listing program berikut:

pos=42;
Phi0=fem.variables{16};
fem.sol.u=[fem.sol.u zeros(size(fem.sol.u,1),18)];
fem.sol.tlist=0:0.025:0.45;
for i=2:19
Va=fem.sol.tlist(i)
fem.init=fem.sol.u(:,i-1);
fem.variables{pos}=Va/Phi0;
fem.sol.u(:,i)=...
femnlin(fem,'toln',1e-7,'report','on','out','u');
[Phi,n,p] = posteval(fem,'phi*Phi0',...
'ni*exp(phi).*u*C0',...
'ni*exp(-phi).*v*C0','solnum',19);
end

L. Membuat Listing Program untuk Menghitung arus dan membuat karakteristik

I-V
 Untuk menghitung arus dan membuat grafik karakteristik I-V, setelah langkah K,
pada bagian bawah dari M-File Hasil ketikkan listing program berikut:
for i=1:19, for b=1:9;
In(i,b) = posteint(fem,...
'Dn*ni*nx.*exp(phi).*ux+Dn*ni*ny.*exp(phi).*uy',...
'Bdl',b,'solnum',i);
Ip(i,b) = posteint(fem,...
'-Dp*ni*nx.*exp(-phi).*vx-Dp*ni*ny.*exp(-phi).*vy',...
'Bdl',b,'solnum',i);
end, end
q=1.602e-19;
C0=1.01e+017;
D0=20.7;
I0 = q*D0*C0*1e-4;
In = In*I0;
Ip = Ip*I0;
Itotal = abs(In(:,[2])+Ip(:,[2]))
semilogy(fem.sol.tlist,Itotal,'-x');
axis([0 0.45 1e-11 1e-10]);
ylabel('Current Density [A/\mum]');
xlabel('Voltage [V]');
title('IV-characteristics');

M. Mengeksekusi Hasil
1. Buka MATLAB Command window
2. Ketikkan Hasil
3. Tekan Enter
N. Memvariasikan Panjang Gelombang foton Datang
1. Pada jendela FEMLAB klik FileOpenMAT-FilePilih file Rancangan Open
2. Klik Option Add/Edit Variables
3. Ganti nilai value pada variabel Lamda sesuai dengan nilai panjang gelombang
yang diinginkan
4. Klik Ok
5. Klik Solve Solve Problem
6. Ulangi langkah J sampai M (Simpan hasil yang didapatkan dengan nama yang
berbeda-beda)
 HASIL YANG DIPEROLEH

A. Distribusi pembawa muatan

A.1 5 Profil distribusi konsentrasi elektron untuk beberapa tegangan keluaran (V)
A.1 5 Profil distribusi konsentrasi hole untuk beberapa tegangan keluaran (V)

B. Karakteristik I-V
 WORKSHOP METODE KOMPUTASI FISIKA

MODUL PELATIHAN

Pemodelan Material Semikonduktor Menggunakan Femlab

Oleh:
Endhah Purwandari, SSi., MSi.