SOLUSI QUIZ III : EL-3012 MATERIAL TEKNIK ELEKTRO (Kelas 01)

Program Studi Teknik Elektro STEI ITB

Semester I 2015 2016
Dosen : Basuki R Alam

1. Diketahui wafer Si (diameter 8 tebal 1mm) di dop dengan Phosphor dengan konsentrasi ND = 1016
cm-3. Diketahui scattering rate total electron pada temperatur kamar, n = 4.55ps. Mobilitas
elektron dengan hole pada konsentrasi tersebut perbandingannya 3 : 1. Temperatur kamar 27C.
Massa efektip electron=0.8; mo = 9.1 x 10-31 kg

a. Tentukan konduktivitas Si
b. Tentukan, mobilitas elektron (n ) dan hole, (p)
c. Bila kemudian antara permukaan atas dan bawah dipasang batere dengan tegangan VB = 2V
, tentukan rapat arus drift (tentukan oleh hole atau/dan electron) Jdrift
d. Bila kemudian batere VB dilepas, dan wafer Si disinari cahaya secara merata, dengan
populasi photon : Nph = 1015 [cm-3] , tentukan quasi Fermi level untuk electron dan hole .
e. Plot model ban enerji sebelum dan sesudah disinari cahaya .
Solusi :

(a) Konduktivitas :
1
= ( n + ) = 1,6 1019 (104 . 11016 + 1.21 104 ) 16 [ ]

(b) Mobilitas elektron (n ) dan hole, (p) :

Pada temperatur kamar 27C : di-dop Phosphor (Donor) : n = ND= 1016 [cm-3]
2 1,21 1020
( ) =
= 1016
= 1,21 104 [3 ]
Mobiltas electron :

1,6 1019 4,55 x 1012 1,6 1019 4,55 x 1012 m2 m2

=
= 0,8 9,1 1031
= 0,8 9,1 1031
= 1 [] = 104 []

1 cm2
= 3
x = 3.333 []

(c) Bila antara permukaan atas dan bawah dipasang batere dengan tegangan VB = 2V ,

tentukan rapat arus drift (tentukan oleh hole atau/dan electron) Jdrift

Silinder Si dipasang tegangan V = 2V :

 = 8

Skala tidak
L=1mm proporsional

E ax
V
2
Medan listrik antara kedua permukaan silinder Si : E = = 101
= 20 [ ]

Kecepatan elektron : vn = = 104 20 = 2. 105 [
]

Kecepatan hole : vp = = 3,33 x 103 20 = 6,66 104 [
]

Rapat arus drift : - electron :

16 5
= = = 1.6 1019 10 2. 10 = 3,2 102 [ ]
2

Rapat arus drift hole :

4 4
= = = 1.6 1019 1.21. 10 6,66. 10 = 12.89 1011 [ 2 ]

Rapat arus drift total :

= + = 3,2 102 [ ]
2

Arus drift total :

2 2
2.53 8"
= = 3,2 102 ( ) = 3,2 102 [ ] ( ) [2 ] = 10,96 104 []
2 2 2

(d) Wafer Si disinari cahaya merata, populasi photon : Nph = 1015 [cm-3] :
Konsentrasi elektron dan hole sebelum disinari :

Konsentrasi elektron : n = no = ND = 1016 [cm-3] ;

2
2 (1.11010 ) 1.211020
Konsentrasi hole : = =
= 1016
= 1016
= 1.21104 [3 ]

Konsentrasi elektron dan hole setelah disinari :

Konsentrasi elektron : = + = 1016 + 10 15 = 1.1 1016 [3 ]

Konsentrasi hole : = + = 1.21 04 + 10 15 1 1015 [3 ]

 Pada keadaan disinari (non- thermal equilibrium ) :

Level enerji quasi-Fermi :

+ 1016 + 1015
= + = = ( ) = 0,0256 ( )
1.11010
= 0,354

+ 1,2104 +1015
= + = = (
) = 0,0256 ( 1.11010
)

= 0,292

(e) Level enerji Fermi dalam keadaan setimbang (thermal equilibrium) :

1016
= = = ( ) = 0,0256 ln ( ) = 0,3512eV
1,1.1010

C
F
0,3512eV
g=1,1eV i

Setelah disinari terjadi photogenerasi, konsentrasi excess elektron-hole pair :

= = 10 15 [3 ]

Level enerji quasi-Fermi :

+ 1016 + 1015
= + = = ( ) = 0,0256 ( ) = 0,354
1.11010

+ 1,2104 +1015
= + = = ( ) = 0,0256 ( ) = 0,292
1.11010

= 0,292
C
Fn
0,354eV
g=1,1eV i
0,292eV
Fp
V
2. Diketahui semikonduktor tipe-p homogen). Medan listrik terpasang : E = 0
Disinari cahaya di x = 0, dengan injeksi rendah. Excess pembawa muatan Kemudian berdifusi ke
dua arah +x dan x .
a. Tentukan konsentrasi excess pembawa muatan minoritas sebagai fungsi x (x-positip)
b. Skets profil excess pembawa muatan minoritas sebagai fungsi-x
c. Turunkan persamaan arus difusi ,
()
Solusi : Steady state, =0
E=0

2 () () ()
+ =
2

2 ()
Pada x = 0, + = 0
2

2 ()
Pada x 0 , = 0
2

2 ()
= 0
2

Panjang difusi pembawa muatan minoritas :

2 =

Solusi persamaan diferensial excess elektron di semikonduktor tipe-p tersebut :

+
Solusi umum : () = +

() = (0) , 0
+
() = (0) , 0
 (b) Profil excess pembawa muatan minoritas

Komsentrasi (skala log)

Tipe p m
Skala log

()

( c ) Persamaan arus difusi :

( + )
= ; = + = = =

Arus Difusi :

0 () = (0) = = () :

+
0 : () = (0) , = = ()