BAB II

GEJALA TRANSPORT

Dalam semikonduktor arus disebabkan oleh hasil gerak elektron dan hole.
2.1 Simbol Konsentrasi Pembawa
Untuk semikonduktor intrinsik pn=nn dan pp= np konsentrasi keduanya sering dinyatakan
sebagai ni.
Tabel Notasi Konsentrasi Pembawa
Pembawa mayoritas Pembawa minoritas
Tipe
Simbol Simbol
Semikonduktor Nama pembawa Nama pembawa
konsentrasi konsentrasi
Tipe-p Hole pp Elektron np
Tipe-n Elektron nn Hole pn

2.2 Kerapatan Jumlah Elektron

Tinjau semikonduktor intrinsik.

Fungsi distribusi Fermi-Dirac fFD(E) yaitu probabilitas pada suatu tingkat energi E ditempati oleh
elektron, bentuknya :
1
f FD ( E)=
E− E F
1+exp { kT } (2.3)
dimana :
EF = tingkat Fermi
k = konstanta Boltzmann (1,38 x 10-23 J K-1)
T = temperatur mutlak
Contoh :
Carilah probabilitas hunian tingkat 0,045eV di atas tepi pita konduksi, jika tingkat Fermi = 0,7
eV di atas pita valensi, celah energi sebesar 1,11eV dan pada temperatur 300 K.
Penyelesaian :
Jarak antara tingkat atas dan tingkat Fermi adalah :
E 1,1 – 0,7 + 0,045 = 0,445 eV
0,045eV
EC atau E – EF =0,445 x 1,6 x 10-19 J
0,4eV = 7,12 x 10-20 eV
Probabilitas tingkat hunian :
EF FFD = {1 + exp[(E – EF)/kT]}-1
= 1/{1 + exp[7,12 x 10-20/1,38 x 10-23 x 300]= 3,4 x 10-8

1,1eV 0,7eV

EV
Gambar 2.2 Diagram pita energi
Pada 300 K besarnya Nc sekitar 1019 cm-3. Maka rapat keadaan elektron pada pita konduksi ditulis :
E F −EC
n=N C exp (
kT cm-3
) (2.9)
b) Rapat seluruh hole pada tingkat pita valensi yang ditempati :
EV −E F
p=N V exp (kT ) (2.15)
27
2.3 Menentukan Tingkat Fermi
Pada suhu 300 K, energi E > E F + 0,06 eV.
Perkalian kerapatan elektron dan hole didapat:
E C −EV
pn=N C N V exp-
kT ( )
Besaran celah energi (band gap) :
E g = Ec – E v eV (2.17)
Karena dalam semikonduktor intrinsik p dan n sama , sehingga :
1
−E g
ni =( N C N V ) 2 exp
cm-3 2 kT (2.18)
Secara umum tingkat Fermi dicari dengan:
N n
E F = 12 ( EC + EV )+ kT ln V + ln ( )
2 NC p (2.20)
atau :
E F =¿E F + kT ln n ¿
i 2 p (2.21)
Tingkat Fermi dekat pita konduksi dalam semikonduktor tipe-n dan dekat pita valensi dalam
semikonduktor tipe-p.

2.4 Semikonduktor Tipe-p dan Tipe-n

Hukum aksi massa:
p + ND = n + NA (2.24)
Jika NA , ND dan ni diketahui, maka dapat dapat dihitung :
1
n= 2 ( N D −N A ) + √( N A −N D )2 + 4 n 2i
[ ] cm -3 (2.25)

p= 12 ( N A −N D ) + √( N D−N A )2 + 4 n2i
[ ]
(2.26) cm-3
Contoh :
Carilah rapat jumlah elektron dan hole dalam sebuah semikonduktor jika ni = 1010 cm -3 ,
ND = 1014 cm -3 dan NA = 0.
Penyelesaian :
Dengan menggunakan persamaan (2.25) :
1
n= 2 [ 1014 + √ 1028 +4 . 1020 ]
= 12 [ 10 14+ 1, 00000002 . 1014 ]
14
=1,00000001×10
cm-3
Kemudian digunakan persamaan (2.23) untuk mencari p :
n 2i 1020
p= =
n 1 ,00000001×1014
1 x 106 cm-3
Jika digunakan persamaan (2.26) hasil akuratnya :
p = 999999990000,000199999995000012441
1 x 106 cm -3

Masalah batas yang penting :

 1. NA > ND : NA – ND adalah dopan akseptor efektif NA’
2. ND > NA : ND – NA adalah dopan donor efektif ND’ .
3. ND = NA :dopan saling meniadakan dan n = n,
Ini disebut semikonduktor terkompensasi.
4. NA’  ni : didapat semikonduktor tipe-p:
p≈¿ ¿ NA’ ; n = ni2 / NA’ (2.27)
Dalam semikonduktor tipe-p , hole pembawa mayoritas dan elektron pembawa
minoritas.
1. ND’  ni : didapat semikonduktor tipe-novel :
n≈¿ ¿ N D’ ; p = n i2 / N D’ (2.28)
Dalam semikonduktor tipe-n, elektron pembawa mayoritas dan hole pembawa
minoritas.
Jika tidak satupun batas (4) atau (5) diterapkan, penyelesaian kuadrat penuh harus
digunakan.

Contoh :
Carilah n , p , E F dan EFi pada 300 K jika Nc = 1019 , NV = 6 x 10 18 , Eg = 0,67 eV, NA =
1014 dan ND = 8 x 1014 cm-3 . Gambarlah diagram pita energinya !
Penyelesaian :
1
−E g
ni =( N C N V ) 2 exp
2 kT cm -3
1
19 −(1,6×10−19 ×0 , 67)
18 2
=(10 ×6×10 ) exp
2×1, 38×1023×300
= 1,85 x 10 13 cm-3.
Tingkat Fermi intrinsik:
N
E F = 12 ( E C + E V )+ kT ln V
i 2 NC
Jika tepi pita valensi diambil sama dengan nol untuk energi (E V =0) persamaan menjadi :
N
E F = 12 E g + kT ln V
i 2 NC
= ½(1,6 x 10 x 0,67) + (1,38 x 10 -23 x 300/2) x ln (6 x 10 18/1019)
-19

= 5,25 x 10 -20 J atau 0,33 eV di atas pita valensi.

Untuk mencari n dan p, harus mencari dopan efektif. Karena ND > NA :
ND’ = ND – N A = 8 x 1014 – 10 14
= 7 x 10 14 cm-3
Ini lebih dari sepuluh kali ni , sehingga bisa dikatakan bahwa bahan bertipe-n dan :
n≈¿ ¿ N D’ = 7 x 10 14 cm -3
p = ni2 / ND’ = 4,89 x 10 11 cm-3
Tingkat Fermi dicari:
E F =¿E F + kT ln n ¿
i 2 p
= 5,25 x 10 -20 + (1,38 x 10 -23 x 300/2) x ln (7 x 10 14/4,89 x 10 11)
= 6,75 x 10 -20 J atau 0,42 eV.
Diagram pita energi bahan ini diberikan dalam Gambar 2.5.
Ec

EF
EFi
0,67 eV 0,42 eV
0,33 eV
 EV

2.5 Persamaan Aliran Arus Gabungan

Arus difusi
Kerapatan arus difusi elektron
dn
J n diff =qD n
dx mA cm -2 (2.31)
dan untuk hole
dp
J p diff =−qD p
dx (2.32)
2 -1
D = konstanta difusi dengan satuan cm s

Arus drift (hanyut)

J drift = q (np + pp ) mA cm -2 (2.40)

Dari persamaan Jdrift =  didapat konduktivitas dari semikonduktor homogen adalah :
 = q (np + pp ) -1m-1 (2.41)
dan didapat resistivitas :
1
ρ=
σ m (2.42)
Contoh :
Carilah resistansi dari resistor silikon, panjang 100 m dan tampang lintang 5 m, jika ini
adalah tipe-n yang didopan homogen dengan
ND = 1014 cm-3 , ni = 1010 cm -3 , n = 1016 cm 2V-1s-1, dan p = 5 x 104 cm 2V-1s-1.
Penyelesaian :
Bahan diberi dopan seragam sehingga tidak ada arus difusi.
Karena ND  ni , dapat didekati :
n  ND = 1014 cm-3
p  ni 2/ ND = 106 cm -3
Konduktivitas:
 = 1,6 x 10 -13 (1014 x 0,135 + 10 6 x 0,05)
= 2,16 -1m-1
Resistansi :
ρn L L 100×10−6
R= = =
A σA 2 , 16×5×10−12
= 9,26 M

2.6 Hubungan Einstein

D n kT
=
μn q (2.53)

Contoh :
 Kerapatan jumlah elektron dalam sebuah semikonduktor bervariasi linier dari 10 14 cm-3
sampai 10 6 cm -3 melalui jarak 4 m. Carilah J n diff dan medan listrik pada titik tengah jika
tidak ada aliran arus, n = 0,135 m 2V-1s-1, dan T = 300 K.
Penyelesaian :
Arus difusi elektron, dengan hubungan Einstein :
dn dn
J ndiff =qDn =μ n kT
dx dx
14 6
10 −10
J ndiff =0 , 135×1 , 38×10−23 ×300×
sehingga : 4×10−6
= 1,40 x 10 4 A m -2
dengan persamaan (2.33), jika Jn = 0 :
1
ε= J
qn μ n ndiff
pada daerah titik tengah n = 0,5 x 10 14 cm-3 , sehingga :
 = 1,4 x 10 4 /( 1,6 x 10 -14 x 5 x 10 14 x 0,135)
= 1,29 x 10 4 V m-1

Persamaan Poisson
Hukum Gauss dalam satu dimensi ditulis
dε ρ( x )
=
dx ∈ (2.56)
Hukum Gauss dihubungkan dengan gradien potensial didapat Persamaan Poisson:
2
d V −ρ (x )
=
dx 2 ∈ (2.57)
dε
J DIS= ∈
dt (2.58)

Gambar diagram pita energi

Gambarlah diagram pita sambungan pn+ dalam keseimbangan

(a) Digambar bersebelahan dengan tingkat vakum segaris

(b) Tingkat Fermi disegariskan

 (c) Gambarlah bagian lengkung berkaitan dengan muatan
Gambar 2.19 Menggambar diagram pita sebuah sambungan

Tabel 2.2 Harga mobilitas dalam Si dan Ge

n (cm2/V.S) p (cm2/V.S)
Si 13500100 48050
Ge 3900100 190050

Soal Latihan
1. Hitunglah tingkat Fermi intrinsik dari silikon pada temperatur 195 K, 300 K, dan 573 K.
Masih beralasankah untuk menganggap tingkat ini berada di tengah celah energi ?
2. Sebuah silikon didopan dengan boron 3 x 1016 atom/cm3. Gambarlah diagram pita energi :
a. pada 195 K,
b. pada temperatur kamar, dan
c. pada 573 K. Tunjukkan tepi pita energi, tingkat Fermi intrinsik, dan tingkat Fermi
setelah dopan.
3. Sampel silikon diberi pengotoran boron 1016 atom/cm3. Hitunglah arus yang mengalir jika
panjang sampel 100m, dan luas tampang lintang 10–3 cm-3 (ambil T = 300 K).
4. Hitunglah kerapatan elektron dan hole, mobilitas, dan resistivitas dari silikon pada 300 K,
diberi kerapatan pengotoran sbb:
a) boron 3 x 1015 atom/cm3
b) boron 1,0 x 1016 atom/cm3 + fosfor 1,3 x 1016 atom/cm3
c) boron 3 x 1016 atom/cm3 + fosfor 1,3 x 1016 atom/cm3 + arsen fosfor 1,0 x 1016 atom/cm3
5. Silikon pada 300 K, mempunyai celah energi 1,12 eV, dan ni = 1,5 x 1010 atom/cm3. Dengan
menganggap Nc dan Nv konstan terhadap temperatur, pada temperatur berapakah ni menjadi 1014
atom/cm3
6. Gambarlah diagram pita energi untuk germanium tipe-p yang didopan homogen dengan NA
= 1022, ND = 1021 atom/m3, dengan kerapatan arus drift 3 x 106 A/m2.

===================