BAB VI

KONTAK LOGAM-SEMIKONDUKTOR

Sampai sejauh ini kita telah mempelajari semikonduktor tipe-p dan tipe-n
yang masing-masing mempunyai celah energi dan tingkat Fermi yang berbeda.
Kita asumsikan keduanya dapat disambungkan dengan bebas tanpa memikirkan
alamiah kontak.
Tetapi bagaimana jadinya jika sebuah logam yang tentunya tidak ada celah
energi, disambungkan dengan semikonduktor ? Tentunya ada potensial kontak
dan resistansi kontak pada permukaan kontak sambungan keduanya. Pada bab ini
akan dipelajari dua tipe kontak : kontak ohmik dan dioda barir Schottky. Kontak
ohmik adalah kontak hanya mempunyai resistansi kecil dan arus dapat mengalir
dalam arah manapun, sedangkan dioda barir Schottky adalah kontak yang hanya
dapat mengalirkan arus dalam satu arah saja.dalam bab ini diperkenalkan terlebih
dahulu kontak logam dan logam, kemudian logam dan semikonduktor.

6.1 Sambungan Logam-logam

Sebagai pendahuluan kita perhatikan sambungan antara dua logam
taksejenis seperti dilukiskan dalam Gambar 6-1. Tidak ada celah energi, karena
kebanyakan status di bawah tingkat Fermi terisi dan kebanyakan di atas EF
kosong. Elektron-elektron dengan energi beberapa kT saja dari tingkat Fermi akan
mempunyai status kosong dan akan bebas berpindah sebagai akibat dikenai medan
listrik. Pada kondisi ini, untuk satu elektron per atom, mengarah ke kerapatan
jumlah elektron bergerak dengan orde 1022 cm-3, setidaknya 1000 kali lebih tinggi
daripada semikonduktor diberi dopan paling berat.
Fungsi kerja  adalah sejumlah energi (eV) diantara EF dan tingkat energi
vakum, Evac yang merupakan energi yang dibutuhkan untuk membebaskan sebuah
elektron dari logam, dengan cara eksitasi termal, serapan foton atau penembakan
partikel (disini kita abaikan kebergantungan  terhadap cara pembebasan
elektron)

157
 158

Gambar 6-1. Diagram pita energi sebuah logam

Fungsi kerja beberapa zat umum diberikan dalam Tabel 6.1 Umumnya berada
dalam rentang 4 – 5 eV.
Tabel 6.1 Fungsi kerja () zat umum
Bahan Fungsi kerja , eV
Alumunium, Al 4,1
Caesium, Ce 1,9
Karbon, C 4,8
Tembaga, Co 4,3
Emas, Au 4,8
Besi, Fe 4,6
Platina, Pt 6,3
Perak, Ag 4,7
Thorium 3,5
Tungsten 4,5
Sumber: Cooke, M.J. (1994), “Semiconductor
Devices”, Prentice Hall.

Cara menggambar diagram pita sambungan dua logam dengan fungsi kerja
1 dan 2 (1 > 2):
1. Gambarlah diagram pita energi dua bahan itu secara bersebelahan dengan
tingkat vakum yang disejajarkan (Gambar 6.2a). Sebuah elektron yang
baru terlepas dari logam 1 mempunyai energi sama dengan elektron yang
terlepas dari logam 2, sehingga Evac1 = Evac2. Sekarang pikirkan keadaan
elektron dekat tingkat Fermi dalam logam 2 untuk menepatkan kontak.
Dalam logam 1 terdapat banyak tingkat energi rendah yang mengarah
hunian menurut distribusi Fermi-Dirac, elektron mengarah ke EF1.
 159

2. Gambar tingkat Fermi konstan dan letakkan kedua tingkat vakum di

atasnya (Gambar 6-2b). terbentuk beda potensial kontak Vcon pada
sambungan
Vcon  1   2 (6.1)

3. Perhatikan detil daerah sambungan, logam 1 telah mendapat elektron dan

logam 2 kehilangan elektron. Gaya tarik elektrostatika akan menjaga
muatan mendekati sambungan. Kedua muatan membentuk lembar muatan
yang sangat sempit (Gambar 6.2c). ini berlawanan dengan semikonduktor
dimana muatan per volume dalam daerah deplesi dibatasi tingkat dopan
yang sempit, kurva tingkat energi yang ketat, naik di kiri dan di kanan.
4. Daerah sambungan sempit dan bermuatan tinggi ini bergeser menjadi
kurva tingkat-tingkat energi, yang melengkung naik di kiri pada logam 1
dan turun di logam 2 (Gambar 6.2d).

(a)

(b)

(c)
 160

(d)
Gambar 6.2. Susunan sambungan logam-logam.

Keadaan sifat konduksi dalam sambungan itu ditentukan sebagai berikut.

Jika tidak ada potensial barir pada tingkat energi Fermi, maka elektron-elektron
yang bergerak tersisa. Jika potensial luar diberikan kepada sambungan, maka akan
terdapat medan listrik di masing-masing logam yang menggerakkan elektron
menuju potensial yang lebih positif.

6.2 Dioda Barir Schottky

Dalam pembahasan semikonduktor dikenal :
– Tingkat Fermi EF, yang bergantung dopan,
– Fungsi kerja , jarak antara tingkat Fermi dan tingkat vakum (sama seperti
definisi dalam logam), dan
– Afinitas elektron (q), yaitu lebar pita konduksi (dalam eV), arti fisisnya
adalah energi minimum yang dibutuhkan untuk membebaskan sebuah
elektron dari semikonduktor (Gambar 6.3)
Kita ingat bahwa bahkan dalam semikonduktor tipe-p pun terdapat beberapa
elektron dalam pita konduksi. Elektron itu berada dalam tingkat-tingkat energi
terendah, sehingga hanya memerlukan energi lebih besar dari q eV untuk
membebaskan diri.

Gambar 6.3. Fungsi kerja S dan afinitas elektron  dalam semikonduktor

 161

6.2.1 Sambungan logam-semikonduktor tipe-n, m > s

Kita perhatikan sambungan antara sebuah logam dengan fungsi kerja m
dan sebuah semikonduktor tipe-n dengan fungsi kerja s , dengan m > s .
Diagram pita energi sesaat sebelum kontak diberikan dalam Gambar 6.4a, dengan
tingkat vakum disejajarkan.

(a) Sebelum kontak

(b) Dalam kontak

(c) Kerapatan muatan

Gambar 6.4 Sambungan antara logam-semikonduktor tipe-n, m > s

Kita perhatikan dua pengalihan muatan:

1. Elektron dalam pita konduksi semikonduktor bergerak turun ke tingkat
Fermi dalam logam.
2. Elektron dalam logam bergerak turun ke tingkat pita valensi kosong dalam
semikonduktor.
 162

Dalam semikonduktor tipe-n, elektron adalah pembawa mayoritas sehingga

pergerakan cara pertama yang mendominasi. Logam bermuatan negatif sedangkan
semikonduktor menjadi terdeplesi terpisah dari elektron pita konduksi,
menyebabkan tingkat Fermi segaris (Gambar 6.4b). Distribusi muatan dalam
sambungan ditunjukkan oleh Gambar 6.4c, daerah akumulasi elektron tipis dalam
logam diimbangi oleh daerah deplesi yang lebih luas dalam semikonduktor.
Elektron dalam pita konduksi logam dan dalam semikonduktor keduanya
menghadapi potensial barir yang mencegah elektron selanjutnya untuk
menyeberang. Tinggi potensial barir pada semikonduktor (m – s) Volt,
sedangkan dalam logam, elektron menghadapi barir setinggi Vb :

Vb = m –  (6.2)

Beberapa elektron energi tinggi tentunya menyeberang dari pita konduksi

kedalam logam menggantikan beberapa hole yang akan berdifusi menaikkan
gradien potensial dalam logam.
Kita perhatikan apa yang terjadi ketika potensial luar diberikan melintasi
sambungan. Dari hasil pada pemberian bias sambungan pn. umumnya potensial
turun sisi yang diberi dopan lebih ringan. Semikonduktor mempunyai nilai
akumulasi kerapatan muatan/volume yang jauh lebih rendah daripada logam. Kita
perhatikan Gambar 6.5. Potensial yang diberikan cenderung menurunkan
potensial kontak, karenanya akan sangat membantu menurunkan tegangan jatuh
melintasi daerah deplesi semikonduktor. Akibatnya akan mengurangi lebar daerah
deplesi. Sepertinya potensial diberikan yang memperkuat potensial kontak akan
memperluas daerah deplesi.
Sekarang kita perhatikan apa yang terjadi terhadap barir akibat gerakan
elektron. Dalam hal bias maju seperti terlukis dalam Gambar 6.5(a), barir yang
mencegah elektron pita konduksi untuk memasuki logam, turun sebesar qVA.
Elektron-elektron dapat menyeberang dalam jumlah besar dan mengalir menuju
kutub positif baterai. Kasus bias balik seperti terlukis dalam Gambar 6.5(b),
elektron ditarik dari logam menuju semikonduktor, tetapi tinggi barir Vb kelihatan
tak berubah sebab kebanyakan potensial berkurang menyeberangi daerah deplesi
 163

semikonduktor. Dalam hal ini arus yang mengalir sangat kecil. Sambungan ini
memiliki sifat penyearah dan disebut dioda barir Schottky.

(a) Bias maju

(b) Bias balik

Gambar 6.5 Pengenaan potensial melintasi sambungan
logam-semikonduktor tipe-n (m > s)
6.2.2 Sambungan logam-semikonduktor tipe-p, m < s
Dioda barir Schottky yang lain dibentuk dari sambungan antara logam-
semikonduktor tipe-p, jika m < s. Diagram pita energi diturunkan dengan cara
yang sama, dengan cara menggambar bahan tepat sebelum kontak dengan tingkat
energi vakum disejajarkan (Gambar 6.6a). Elektron akan cenderung berpindah
dari pita konduksi semikonduktor memasuki logam, tetapi elektron ini hanyalah
pembawa minoritas dalam bahan tipe-p. Pergerakan elektron dari logam
memasuki pita valensi kosong menjadikan muatan dalam semikonduktor negatif
dan mengakibatkan tingkat Fermi sejajar (Gambar 6.6b). Ada daerah deplesi lagi
dalam semikonduktor, terhadap waktu kehilangan hole dekat antarmuka. Hole
dalam semikonduktor tipe-p menghadapi barir setinggi q(s – m) yang mencegah
 164

hole melintas logam. Keadaan-keadaan kosong dalam logam hanya ada di dekat
dan di atas EF, dan bahkan menghadapi barir lebih besar setinggi

qVb = Eg + q – qm Joule (tipe-p) (6.5)

yang mencegah pemindahan menuju semikonduktor. Sejumlah kecil hole yang

tentunya melintas dari semikonduktor untuk mengimbangi aliran elektron
minoritas. Distribusi muatan dalam sambungan ditunjukkan dalam Gambar 6.6c.

(a) Tepat sebelum kontak (tingkat vakum sejajar)

(b) Dalam kontak (tingkat Fermi sejajar)

(c) Distribusi muatan pada sambungan

Gambar 6.6 Sambungan logam-semikonduktor tipe-p (m < s)
 165

Jika sambungan ini diberi bias maka sebagian besar tegangan turun
melintasi daerah deplesi yang bermuatan kurang rapat, sehingga mengubah barir
yang dihadapi oleh hole dalam pita valensi:
1. Logam negatif: barir turun, dan hole mengalir menuju logam.
2. Logam positif: barir naik dan tidak ada arus mengalir.
Dalam bias maju, dioda barir Schottky mempunyai tegangan hidup lebih
rendah daripada dioda sambungan pn, hanya membutuhkan 0,2 – 0,3 V sedangkan
sambungan pn membutuhkan 0,6 – 0,7 V. Dioda Schottky dapat digunakan
sebagai klem tegangan, khususnya paralel dengan sambungan pn (Gambar 6.7).
Dengan pemilihan logam yang tepat, misalnya alumunium dengan semikonduktor
silikon, memungkinkan untuk hanya salah satu dari sambungan logam-
semikonduktor menjadi dioda barir Schottky, sedangkan lainnya adalah kontak
ohmik. Kepingan logam tidak menghubung-singkatkan dioda pn tetapi membuat
rangkaian paralel. Ketika sisi dibias maju, maka dioda Schottky pertama jenuh
dan mencegah penimbulan banyak muatan pembawa minoritas injeksi dalam
sambungan pn. Ini berarti bahwa waktu saklar mati sambungan pn dapat
diturunkan dengan seksama.

Gambar 6.7 Sambungan pn diklem Schottky

Waktu mati yang dimiliki dioda barir Schottky sangat pendek hanya
beberapa nanosekon. Hal ini karena pembawa yang diinjeksikan pada barir
tereduksi dalam bias maju cepat jatuh menjadi tingkat energi Fermi dalam logam
(Gambar 6.8). Jika diberi bias balik, pembawa ini menghadapi barir besar yang
 166

mencegah pembawa melintas lagi, sebaliknya sambungan pn dimana pembawa

minoritas yang diinjeksikan dapat melintas balik ke sisi rumah mereka, yang
menunda matinya dioda.

Gambar 6.8 Elektron injeksi cepat jatuh ke EF dalam logam

Tinggi barir pada permukaan semikonduktor riil berbeda dengan yang

diramalkan dari pengukuran balok. Ini karena retak dalam kristal menimbulkan
sejumlah besar tingkat diijinkan ekstra keseluruh celah energi yang disebut status
permukaan. Status permukaan ini dibawah tingkat Fermi terhuni sedangkan di
atas tingkat Fermi hampir kosong (Gambar 6.9). Status ini banyak dan bertindak
seperti suatu lapisan tipis dopan berat: suatu perubahan kecil posisi EF
mengakibatkan sejumlah besar status permukaan untuk terisi atau kosong.
Karenanya efek status permukaan adalah untuk menetapkan EF dekat dengan nilai
tertentu, sekitar sepertiga jarak celah energi.

Gambar 6.9 Permukaan semikonduktor riil

 167

6.2.3 Pemilihan logam untuk barir Schottky

Barir Schottky dapat dibentuk dari unsur logam dalam Tabel 6.2 dan
silisida dalam Tabel 6.3, tetapi hanya beberapa yang rutin digunakan. Pada logam,
alumunium secara umum. Silikon, sebagai bahan utama untuk integrated circuit
(IC), telah luas dipelajari. Sayangnya, perubahan mendasar tampilan tinggi barir
(dari nilai rendah 0,6 V sampai tinggi 0,8 V) bergantung pada perlakuan panas
setelah deposisi. Perubahan ini bergantung pada ketebalan oksida antarmuka yang
yang mungkin ada dan pada efek silikon diberi dopan alumunium yang
berekristalisasi di bawah barir, sehingga alunumium tidak digunakan. Ketika
stabilitas dan kontabilitas dengan sandaran sistem metalisasi dipertimbangkan,
hanya PtSi dan Pd2Si yang biasa digunakan.
Dalam hal GaAs permasalahannya agak berbeda karena galium itu akan
berdifusi keluar GaAs dan masuk beberapa bahan yang mungkin. Al, Mo, W dan
Ti adalah bahan yang paling sering digunakan. Pd2Si dan PtSi telah digunakan,
tetapi juga mungkin untuk mengubah dopan langsung di bawah barir dengan
implantasi ion dan memberi efek tinggi barir naik beberapa persepuluh volt

Tabel 6.2 Tinggi Barir Schottky Logam-Semikonduktor

Tinggi Barir dalam Volt
Logam n –Si p –Si n – GaAs p – GaAs
Ag – – 0,93 0,44
Al 0,72 0,58 0,8 0,63
Au 0,8 0,35 0,95 0,48
Cr 0,61 – – –
La 0,4 0,7 – –
Mo 0,68 0,42 – –
Pt 0,9 – 0,94 0,48
Ti 0,50 0,61 – –
W 0,67 0,45 0,77 –
Y 0,4 0,7 – –
Sumber: Runyan, W.R., Bean, K.E. (1994), “Semiconductor Integrated Circuit Processing
Technology”, Addison_Wesley Publishing Company, Reading, Massachusett, h. 254

Tabel 6.3 Tinggi Barir Silisida Logam pada silikon tipe-n

 168

Silisida Struktur Temperatur Temperatur

B (V)
Logam Kristal Pembentukan (0C) Peleburan (0C)
CoSi 0,68 Kubus 400 1460
CoSi2 0,64 Kubus 450 1326
CrSi2 0,57 Heksagonal 450 1475
HfSi2 0,53 Orthorhombic 550 2200
IrSi 0,93 – – –
MnSi 0,76 Kubus 400 1275
a
Mn11Si19 0,72 Tetragonal 800 1145
MoSi2 0,55 Tetragonal 1000a 1980
NbSi2 0,62 – – –
Ni2Si 0,7 – 0,75 Orthorhombic 200 1318
NiSi 0,66 – 0,75 Orthorhombic 400 992
NiSi2 0,7 Kubus 800a 993
Pd2Si 0,72 - 0,75 Heksagonal 200 1330
PtSi 0,84 Orthorhombic 300 1229
RhSi 0,69 Kubus 300 –
a
TaSi2 0,59 Heksagonal 750 2200
TiSi2 0,60 Orthorhombic 650 1540
VSi2 0,55 – – –
WSi2 0,65 Tetragonal 650 2150
ZrSi2 0,55 Orthorhombic 600 1520
a
Dapat  700 C dibawah kondisi antarmuka bersih
0

Sumber: Sze, “Physics of Semiconductor Devices”, dan

Runyan & Bean, “Semiconductor Integrated Circuit Processing Technology”

6.3 Kontak Ohmik

Kontak ohmik adalah sambungan antara logam dan semikonduktor yang
mematuhi hukum Ohm dan mengijinkan arus untuk mengalir dalam arah
manapun. Resistansi total dari suatu kontak terdiri dari dua komponen dalam
hubungan seri. Pertama adalah resistansi sebaran balok rs dari semikonduktor di
bawah kontak, dan yang kedua adalah resistansi kontak rc dari antarmuka logam-
semikonduktor. Karenanya resistansi total dari kontak diberikan oleh
RT = rs + rc (6.6)
Dengan kesepakatan, “resistansi kontak” hanya berarti rc. Resistansi sebaran rs
selalu ohmik, tetapi resistansi kontak rc seringkali tidak. Alamiahnya, resistansi
kontak harus serendah mungkin, hanya beberapa miliohm.
 169

6.3.1 Resistansi sebaran

Untuk bidang datar, kontak melingkar pada benda semitakhingga yang
mempunyai resistivitas serbasama  (lihat Gambar 6.10a), resistansi sebaran rs
diberikan oleh

rs  (6.7)
4a
dimana a adalah jari-jari kontak.

(a) (b) (c)

Gambar 6.10 Geometris yang digunakan dalam perhitungan resistansi sebaran

Jika kontak terbenam setengah bola (Gambar 6.10b) maka


rs  (6.8)
2a
Untuk kasus lebih umum kontak datar pada lapisan ketebalan terbatas  dan
resistivitas , persamaan (6.7) menjadi
 2
rs  tan 1 (6.9)
2a a
untuk kasus   a,

rs  (6.10)
a 2
atau terkenal dengan pernyataan R    / A
6.3.2 Resistansi kontak
Resistansi kontak timbul dari kenyataan bahwa suatu logam dalam kontak dengan
permukaan semikonduktor membentuk dioda Schottky barir arus. Hubungan I– V,
seperti hubungan sambungan pn, adalah kasus ideal diberikan oleh
 170

 
I  I o e qV / kT  1 (6.11)
dimana Io adalah sebuah konstanta (arus jenuh dioda). Kurva arus I adalah
nonlinier, tetapi resistansi diferensial dioda untuk tegangan sebarang dapat
didefinisikan sebagai dV/dI. Suatu kontak ohmik harus mempunyai tegangan drop
rendah dan menjadi berguna untuk memutar arus dalam segala arah. Karenanya,
dV/dI dievaluasi pada tegangan nol adalah cukup. Jika arus diganti dengan J, yaitu
kerapatan arus per satuan luas kontak A, perbandingan dV/dJ disebut sebagai
resistansi kontak spesifik Rc (-cm2). Maka resistansi kontak menjadi
Rc
rc  (6.12)
A
Gambar 6.11a menunjukkan grafik I – V, untuk pemutaran beberapa volt,
sedangkan Gambar 6.11b adalah skala diperbesar yang mencakup kurang dari
100 mV dan menunjukkan bahwa pada dekat titik asal, kontak adalah ohmik.
J(V) mempunyai bentuk sama seperti I(V) dalam persamaan 6.11 sehingga
dV kT
Rc   pada V = 0 (6.13)
dJ qJ o

(a) (b)
Gambar 6.11 (a) Kurva I – V bias maju dan balik dioda ideal. (b) Bagian tengah
(sekitar titik asal) kurva (a) dengan kedua skala diperbesar 50 x. (Kurva masih
linier untuk – 3kT/q < V < 3kT/q )

Arus yang mengalir melintasi antarmuka logam-semikonduktor terutama oleh

emisi termionik saat tingkat dopan ND  1017 atom/cm3 dan rentang kurang dan J
diberikan oleh
 171

 q    qV  
J  A**T 2 exp  B    exp   1 (6.14)
 kT    kT  
dimana B adalah tinggi potensial barir ( Vn + Vbi) dan A** adalah konstanta
Richardson efektif, besarnya

f p f Q A*
A **  (6.15)
1  f p f Q vR / vD

dengan masing-masing nilai peluang emisi elektron di atas potensial maksimum

f p  exp(  x m /  ) , rasio fQ dari arus total yang mengalir, kecepatan termal vR =

A*T2/qNc , dan vd = kecepatan difusi efektif, dan

4qm * k
A* 
h3
(6.16)

untuk elektron bebas, konstanta Richardson A adalah 120 A/cm2/K2. Nilai A*/A
diberikan dalam Tabel 6.4.

Tabel 6.4 Rasio Nilai Konstanta Richardson A*/A

Semikonduktor Ge Si GaAs
Tipe-p 0,34 0,66 0,62
0,068 (medan rendah) 1,2 (medan tinggi)
Tipe-n <111> 1,11 2,2
0,068 (medan rendah) 1,2 (medan tinggi)
Tipe-n <100> 1,19 2,1

Sumber: Sze, S.M. (1981), “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley

& Sons, Canada, 2nd edition, h. 257

Pada suhu kamar, untuk medan listrik 10 4    2  105 V/m, Nilai A** sekitar 110
A/cm2/K2 (Si tipe-n), 30 A/cm2/K2 (Si tipe-p).

Selanjutnya pada tingkat dopan rendah, resistansi kontak spesifik Rc untuk V0
diberikan oleh
dV  k   q 
Rc    **  exp B  (6.17)
dJ  qA T   kT 
 172

Karenanya semakin tinggi barir, akan semakin besar Rc. tinggi potensial barir
untuk beberapa logam telah diberikan dalam Tabel 6.2 dan 6.3. Nilai Rc terhitung
untuk silikon diberikan dalam Tabel 6.5.
Ketika tingkat dopan ND 1019 atom/cm3, nilai Rc perbandingannya menjadi

dV  k   B B 
Rc    exp  (6.18)
dJ  qA**T   N
 D



dengan nilai B  ( 4 / h)  m * dimana  adalah permitivitas dielektrika, dan m*

adalah massa efektif pembawa muatan.

Tabel 6.5 Nilai Rc terhitung untuk Dioda

Schottky tipe-n dekat V = 0
B (V) Rc (-cm2)
0,85 4,7  105
0,70 1,4  103
0,55 4,3
0,40 1,3  10-2
0,25 4  10-5
Sumber: Runyan, W.R., Bean, K.E. (1994), “Semiconductor Integrated
Circuit Processing Technology”, Addison_Wesley Publishing
Company, Reading, Massachusett, h. 524

6.3.3 Sambungan Logam-semikonduktor tipe-n, m < s

Kita perhatikan diagram pita energi pada Gambar 6.12a yaitu bahan sesaat
sebelum kontak, dan Gambar 6.12b diagram pita keseimbangan dengan tingkat
Fermi disegariskan. Dengan proses difusi, dari logam elektron mengalir masuk
kedalam semikonduktor. Meskipun elektron-elektron pita konduksi sangat
energetik untuk masuk logam, mereka sangat dilebihi jumlah oleh elektron yang
berdifusi dalam arah berlawanan sampai beda potensial kontak mantap (sama).
Distribusi muatan dalam Gambar 6.12c menandakan bahwa daerah bermuatan
negatif dalam semikonduktor (ditunjukkan oleh pita energi kelengkungan naik)
karena akumulasi elektron pada antarmuka.
 173

(a) sesaat sebelum kontak

( b) Tingkat Fermi disegariskan

(c) Daerah bermuatan negatif

Gambar 6.12 Kontak ohmik antara logam – semikonduktor tipe-n, m < s

Selanjutnya, jika logam diberi bias positif terhadap semikonduktor maka tidak ada
barir pada semua aliran elektron. Diagram pita terdiri dari pita-pita yang miring
dan tingkat Fermi yang miring (Gambar 6.13a) berkaitan dengan arus yang
mengalir, dengan semakin banyak potensial yang diturunkan semakin resistif
semikonduktor. Elektron dalam logam menghadapi potensial barir yang
membatasi jumlah elektron yang berdifusi masuk pita konduksi. Jika
semikonduktor diberi bias positif menjungkirkan keseimbangan dinamis dengan
menurunkan barir sedikit dan mengijinkan elektron meluap menyeberang. Arus
 174

mengalir dan sekali lagi kebanyakan tegangan digunakan untuk menggerakkan

arus melintasi resistansi semikonduktor (Gambar 6.13b).

(a) Logam diberi bias positif, semikonduktor negatif

(b) Semikonduktor diberi bias positif, logam negatif

Gambar 6.13 Diagram pita untuk kontak ohmik diberi bias

6.3.4 Sambungan Logam-semikonduktor tipe-p, m > s

Kontak ini dilukiskan dalam Gambar 6.14. Saat energi Fermi dalam logam berada
di bawah tepi pita valensi Ev, elektron-elektron pita valensi mendapati dirinya
energetik untuk masuk logam, atau dalam istilah transport hole, hole-hole
bergerak dari logam menuju pita valensi. Untuk menyejajarkan dua tingkat Fermi
membutuhkan lebih banyak hole yang mengalir dari logam ke dalam
semikonduktor. Sejumlah besar hole mendekati tingkat Fermi dalam logam
memberikan gradien konsentrasi yang cukup kuat bagi hole untuk berdifusi ke
dalam pita valensi, bahkan saat energi hole ditingkatkan dengan cara ini. Proses
ini serupa dengan pembentukan sambungan pn, dimana difusi ditahan oleh barir
potensial. Lagi pula ada akumulasi pembawa mayoritas dalam semikonduktor.
 175

Dengan memberi bias negatif pada logam menarik hole secara langsung kedalam
logam, dan bias positif pada logam menurunkan barir bagi difusi hole dari logam
menuju semikonduktor. Kontak ini juga tidak memperkuat.

(a) Sebelum kontak

(b) Dalam kontak

(c) Distribusi muatan

Gambar 6.14 Sambungan Logam-semikonduktor tipe-p, m > s

6.3.5 Kontak ohmik dopan berat

Permukaan semikonduktor yang diberi dopan sangat berat, nilai penguatan
sambungan logam–semikonduktor dapat menjadi kontak ohmik. Hal ini terjadi
karena daerah deplesi dibuat sedemikian tipis sehingga proses penerowongan
 176

elektron melalui barir lebih mendominasi daripada melampaui energi barir. Pada
prakteknya kontak tidak rata karena ada sedikit logam yang menembus
semikonduktor. Karenanya emas yang mengandung sedikit timah dapat
membentuk kontak ohmik dengan silikon tipe-n, meskipun m > s. Timah adalah
dopan donor dalam silikon, dan dapat meningkatkan ND permukaan silikon yang
cukup untuk membuat barir daerah deplesi transparan bagi elektron.
Rapat arus terowongan dinyatakan

J t ~ exp( q BN / E 00 ) (6.19)
dimana
q N D
E 00  (6.20)
2  S m*

persamaan (6.20) di atas menandakan bahwa arus tembusan akan meningkat

secara eksponensial dengan N D . Maka resistansi kontak seperti diberikan

dalam persamaan (6.18)

 q   2  m*   BN 
Rc ~ exp BN   exp  S   (6.21)
 E 00     N 
 D 

Dengan cara memberikan konsentrasi dopan tinggi, barir yang rendah,

atau keduanya tentunya digunakan untuk mencapai nilai Rc rendah. Dan ini
hampir digunakan pada semua kontak ohmik (Gambar 6.15).

(a) Barir rendah

 177

(b) Dopan tingkat tinggi

Gambar 6.15 Ketinggian barir rendah dan/atau dopan

tingkat tinggi untuk kontak ohmik

Pembuatan kontak ohmik sulit dilakukan pada semikonduktor dengan

celah energi yang besar (wide-gap) karena umumnya tidak ada logam dengan
fungsi kerja yang cukup rendah untuk menghasilkan barir rendah. Dalam hal ini
teknik umum untuk membuat kontak ohmik mencakup pengenaan lapisan
permukaan yang diberi dopan berat, misalnya kontak logam–n+–n atau logam–p+–
p dengan beraneka metode, misalnya difusi dangkal, penumbuhan ulang campuran
(alloy regrowth), difusi masuk (in-diffusion) dopan dalam bahan kontak, epitaksi
ganda, dan penanaman ion (ion implantation).
Alumunium adalah dopan tipe-p dan membuat kontak ohmik yang baik
dengan silikon tipe-p, meskipun m < s. Sering terjadi, jika perlu lapisan
alumunium untuk membuat kontak ohmik dengan silikon tipe-p dan maupun –n,
perlu sebelumnya untuk memberi dopan berat daerah tipe-n, sehingga permukaan
semikonduktor tetap tipe-n ketika logam masuk permukaan. Dengan memberi
dopan berat bagian permukaan dan ringan pada bagian lain sebelum deposisi
lapisan logam, kedua kontak yakni ohmik dan dioda barir Schottky dapat dibentuk
secara serempak.
Kontak ohmik untuk GaAs dan semikonduktor senyawa III–V, beragam
cara telah dikembangkan. Rangkuman diberikan dalam Tabel 6.6
 178

Tabel 6.6 Teknologi Kontak Ohmik untuk Semikonduktor Senyawa III – V

dan Senyawa Campuran III – V
Temperatur
III – V Eg (eV) Tipe Bahan kontak Teknik
campuran
AlN 5.9 Semi-i Si Preform
Semi-i Al, Al – In Preform 1500 – 1800
Semi-i Mo, W Sputter 1000
AlP 2,45 n Ga – Ag Preform 500 – 1000
AlAs 2,16 n, p In – Te Preform 150
n, p Au Preform 160
n, p Au – Ge Preform 700
n Au – Sn Preform
GaN 3,36 Semi-i Al – In Preform
GaP 2,26 p Au – Zn (99 : 1) Preform,
evap. 700
p Au – Ge Preform
n Au – Sn (62 : 38) Preform 360
n Au – Si (98 : 2) Evap. 700

GaAs 1,42 p Au – Zn (99 : 1) Elektroless, 600

evap.
p In – Au (80 : 20) Preform
n Au – Ge (88 : 12) Evap.
n In – Au (90 : 10) Evap. 350 – 450
n Au – Si (94 : 6) Evap. 550
n Au – Sn (90 : 10) Evap. 300
n Au – Te (98 : 2) Evap. 350 – 700
GaSb 0,72 p In Preform 500
n In Preform
InP 1,35 p In Preform
n In, In – Te Preform 350 – 600
n Ag – Sn Preform, 350 – 600
evap. 600
InAs 0,36 n In Preform
Sn – Te (99 : 1) Preform
InSb 0,17 n In Preform
n Sn – Te (99 : 1) Preform
GaAs1 – x Px 1,42 – 2, 31 p Au – Zn Evap. 500
p Al Evap. 500
n Au – Ge – Ni Evap. 450
n Au - Sn Evap. 450
AlxGa1 – x As 1,42 – 2,16 p Au – In Electroplate 400 – 450
p Au – Zn Evap.
p Al Evap. 500
n Au – Ge – Ni Evap. 500
n Au – Sn Evap., 450 – 485
electroless 450
n Au – Si Evap.
Ga1 – xInxSb 0,70 – 0,17 n Sn – Te Evap.
AlxGa1 – x P 2,31 – 2,45 n Sn Preform
Ga1 – xInxAs 1,47 – 0,35 n Sn Preform
InAsxSb1 – x 0,17 – 0,35 n In – Te Preform

Sumber: Sze, S.M. (1981), “Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley & Sons, Canada, 2nd ed., h. 307
 179

Contoh 1:
Suatu sambungan ideal antara tungsten dan silikon yang diberi dopan akseptor10 23
m-3. Dengan menggunakan data semikonduktor yang diberikan dalam Tabel 3.1.
a) Tipe apakah kontak sambungan yang terbentuk ?
b) Berapakah lebar daerah deplesi semikonduktor pada bias nol untuk kontak
diatas ?
Penyelesaian:
a) Fungsi kerja tungsten 4,5 eV (dari Tabel 6.1). Tingkat Fermi dalam
semikonduktor dicari dengan pers (2.19) dan (2.20):
1
E Fi   Ec  EV   kT ln N c Joule
2 2 NV

1,38  10 23  300

 ( tengah celah energi)  ln 2,8
2
 2,13  10 21 J atau 0,013 eV diatas pusat celah
maka:
kT n
E F  E Fi  ln Joule
2 p
2
Bahan bertipe-p, dengan p  N A dan n 
ni :
NA
2
kT n
E F  E Fi  ln i 2
2 NA
= – 6,5 x 1020 Joule
atau – 0,406 eV
Sehingga
EF = 0,406 – 0,013 = 0,393 eV dibawah tengah celah.
Eg = 1,12 eV dan  = 4,05 eV,
Didapat fungsi kerja semikonduktor:
1,12
 S  4,05   0,393
2
 5,003 eV

Semikonduktor adalah tipe-p, dan s >m, sehingga sambungan abrupt ideal

akan menjadi dioda barir Schottky.
 180

b) Potensial kontak turun drastis melintasi daerah deplesi, dalam diagram pita
energi. Logam dalam hal ini bertindak seperti daerah tipe-n berat, sehingga
rumus untuk sambungan pn satu sisi dapat digunakan (dari pers 4.49):
1
 2 V  2
d   
 qN A 
1
 2  11,9  8,85  10 12  (5,003  4,5)  2
  
 1,6  10 19  10 23 
= 8,14 x 10–8 m

Contoh 2:
Carilah tinggi barir penghalang elektron untuk menyeberang antara emas dan
silikon dalam kontak takdibias, jika tingkat Fermi adalah 0,2 eV dibawah tepi pita
konduksi semikonduktor.
Penyelesaian :
 Fungsi kerja emas m = 4,8 eV
Fungsi kerja silikon s =  + ( E c  E F ) q eV
= 4,05 + 0,2 = 4,25 eV.
Silikon adalah bertipe-n, sebab EF > ½ Eg, dan fungsi kerja m > s,
sehingga kontak adalah dioda barir Schottky.
Tinggi barir dapat dicari dari diagram pita Gambar 6.6b.
Untuk elektron dalam semikonduktor: Barir = m – s = 0,55 eV
Untuk elektron dalam logam: Barir = m –  = 0,75 eV
 181

Soal Latihan
1. Apakah diagram pita keseimbangan itu ?
2. Gambarlah diagram pita keseimbangan untuk sambungan emas, tembaga,
alumunium, dan emas. Berapa beda potensial kontak antara kedua ujung ?
Gunakan data fungsi kerja dalam Tabel 6.1.
3. Berikan definisi tinggi barir sambungan logam-semikonduktor. Dapatkah
tinggi barir negatif ? Jelaskan!
4. Berikah definisi potensial built-in. Berikan juga persamaan untuk potensial
built-in dan nyatakan asumsi implisitnya.
5. Sebutkan tiga alasan mengapa tinggi barir terukur eksperimen dapat berbeda
dari nilai yang dihitung menggunakan persamaan.
6. Mengapa diagram pita energi sambungan logam-semikonduktor berubah
untuk tegangan maju dan mundur ? Bagaimana lebar lapisan deplesi berubah
terhadap kondisi bias.
7. Apakah mekanisme yang menyebabkan arus dalam sambungan logam-
semikonduktor ?
8. Carilah fungsi kerja silikon pada 300 K yang diberi dopan (a) atom donor ND
= 1017 cm-3; (b) atom akseptor NA = 1016 cm-3. Afinitas elektron  = 4,05 eV,
celah energi Eg = 1,12 eV, Nc = 2,8 x 1019 cm–3 , Nc = 1,0 x 1019 cm–3, ni = 2,8 x
1019 cm–3. Berapakah energi foton minimum untuk membebaskan beberapa
elektron dan banyak elektron dengan fotoemisi ?
9. Sambungan dibuat antara silikon seperti soal 8 (a) dan (b), dan logam (c)
emas, (d) alumunium (total empat sambungan). Gambarlah diagram pita
energi ideal untuk masing-masing kontak dalam keseimbangan, dan tentukan
tipe karakteristik arus-tegangan (I/V). Nyatakan dengan jelas yang manakah
polaritas bias adalah bias maju dalam sambungan penguat yang ada.
10. Pikirkan dioda barir Schottky emas-GaAs dengan dengan luasan 10-5 cm2,
kapasitansi 1 pF pada –1 V. Berapakah dopan GaAs ? Juga hitung lebar
lapisan deplesi pada bias nol dan medan listrik pada permukaan
semikonduktor pada tegangan bias – 10 V.
 182

11. Dengan fungsi kerja semikonduktor Tabel 6.1, prakirakan sambungan logam-
semikonduktor mana sajakah yang diharapkan menjadi kontak ohmik.
Gunakan model antarmuka ideal.
12. Carilah lebar daerah deplesi dalam dioda barir Schottky yang diberi bias balik
7 V jika m = 5,1 eV, s = 4,7 eV, ND = 1014 cm-3, r = 12.
13. Kontak logam-semikonduktor dalam soal (12) dapat menjadi ohmik jika
ketebalan daerah deplesi turun dibawah 10 nm pada bias nol. Berapakah harga
kerapatan dopan yang diperlukan untuk mencapainya ?

14. Gambarlah diagram pita energi untuk kontak ideal antara logam dan
semikonduktor tipe-p dengan logam diberi bias (a) positif; (b) negatif terhadap
semikonduktor, dengan m >s . Tunjukkan bahwa kontak tidak memperkuat.

15. Gambarlah diagram pita energi untuk kontak ideal logam-semikonduktor jika
m =s, untuk semikonduktor tipe-p maupun tipe-n. Perkirakan diagram arus-
tegangan (I/V) untuk kedua kontak.

16. Nilai arus jenuh balik dan faktor idealitas dari dioda barir Schottky masing-
masing 1nA dan 1,02 nA, sedangkan nilai untuk dioda sambungan pn masing-
masing 1 pA dan 1,4 pA. Tunjukkan bahwa tegangan bias maju semi-ideal
dioda Schottky lebih kecil dari dioda pn.

17. Rancanglah dioda platina-silikon dengan kapasitansi 1 pF dan medan

listrik maksimum lebih kecil dari 104 V/cm pada bias –10 V. Berikan
kemungkinan kerapatan dopan dan luasan dioda. Pastikah dioda mempunyai
luasan antara 10-5 and 10-7 cm2. Mungkinkah untuk memenuhi semua
kebutuhan jika kerapatan dopan sama dengan 1017 cm-3 ?

18. Sebuah dioda platina-silikon (luasan = 10-4 cm-2, ND = 1017 cm-3) adalah bagian
dari rangkaian penala LC yang terdiri induktansi 100nH. Tegangan yang
dipakai harus kurang dari 5 V. Berapa rentang penala arus ? Frekuensi

1
resonansi sama dengan v  , dimana L adalah induktansi dan C
2 LC
adalah kapasitansi dioda.
 183

19. Karakteristik arus-tegangan sebuah dioda Schottky diberikan oleh :

 qVb   qV A  
I  CT 2 exp exp   1
kT    kT  
pada 300 K dengan konstanta C = 3 x 10–6 A K–2 , tinggi barir Vb = 0,5 V, dan
faktor idealitas  = 1,04. Carilah arus jenuh balik.
20. Perhatikan dua dioda barir Schottky dengan potensial built-in i = 0,6 V.
Kedua dioda dirangkai seri dan diberi bias balik. Kedua dioda identik tetapi
luasan dioda pertama empat kali dioda kedua. Hitunglah tegangan pada titik
tengah Vout, sebagai fungsi tegangan yang dipakai Vin. Anggap tidak ada arus
DC yang mengalir melalui kedua dioda sehingga muatan pada titik tengah
takbergantung tegangan yang dipakai.
21. Terdapat sambungan logam-semikonduktor terdiri platina-GaAs dengan
ND = 1017 cm-3. Tegangan yang digunakan sama dengan -3 V. Hitunglah
medan listrik dalam semikonduktor pada antarmuka logam-semikonduktor.
Gunakan i = 0,8 V.
22. Dioda Schottky alumunium-silikon mempunyai tegangan breakdown 5 V.
Silikon mempunyai tipe-p dengan dopan NA = 1018 cm-3. Hitunglah medan
listrik breakdown dan lebar lapisan deplesi. (m = 4,0 V)
23. Sebuah sambungan logam-semikonduktor diberi tegangan bias tidak
diketahui, mempunyai kerapatan dopan 1017 cm-3 dan kapasitansi 1 pF.
Semikonduktor adalah germanium tipe-p, potensial built-in sambungan 0,5 V
dan luasan dioda 10-4 cm2. Hitunglah lebar lapisan deplesi dan tegangan yang
digunakan.
24. Sebuah sambungan logam-semikonduktor diberi tegangan bias tidak
diketahui, mempunyai medan listrik maksimum 105 V/cm dan kapasitansi 1
pF. Semikonduktor adalah GaAs tipe-n, potensial built-in sambungan 0,7 V
dan luasan dioda 10-4 cm2. Hitunglah kerapatan dopan dan tegangan yang
digunakan.

===============