1. Diketahui semikonduktor Si di dop dengan Phosphor (donor) ND = 1016 cm-3. Temperatur kamar
27C.
a. Tentukan konsentrasi pembawa muatan mayoritas dan minoritas
b. Tentukan level enerji Fermi, F
c. Plot level Fermi dalam model ban enerji
d. Bila sekarang Si di-dop dengan Boron (B) dengan konsentrasi NA=1017 [cm-3],
berapa konsentrasi pembawa muatan mayoritas sekarang (tentukan pembawa muatan
mayoritas , electron atau hole ).
3. Suatu bahan GaAs intrinsik di doping dengan Arsen dengan konsentrasi 1 x 1012 cm-3,
kemudian didoping dengan bahan phospor sampai 5 x 1016 cm-3; keduanya sampai
terdistribusi homogen dalam bahan.
a. Apakah jenis pembawa muatan mayoritas bahan tersebut, dan berapakah
konsentrasinya? Asumsikan kondisi ionisasi sempurna.
b. Hitunglah level energy intrinsik (Ei) dan Fermi (Ef) bahan tersebut, relatif
terhadap level energy konduksi atau valensi (Ec atau Ev),jika diketahui pada
GaAs, Nc= 4.7 x 1017 cm-3 dan Nv = 7 x 1018 cm-3
c. Buatlah sketsa diagram band energy bahan tersebut, yang memperlihatkan level
energi konduksi (Ec), level energi valensi (Ev), level energi intrinsik (Ei), level
energy Fermi (Ef), dan tunjukkan letak pembawa muatan mayoritas pada
diagram tersebut. Anggaplah bahwa Ev menjadi dasar diagram anda, dan
diketahui energy bandgap bahan GaAs adalah 1.42eV
Contoh solusi untuk soal no 1
n = ND = 1016 [cm-3]
εF − εi
𝑛 = ni exp ; ni = pi = 1.1 x 1010 [cm−3 ]
kT
Konsentrasi electron :
𝑛 = 1016 [cm−3 ] → 1 x 1016
εF − εi 1 x 1016
= ni exp ⟶ 𝜀𝐹 − 𝜀𝑖 = ln 𝑥 0,0256𝑒𝑉
kT 1.1 x 1010
∴ 𝜀𝐹 − 𝜀𝑖 = 0,35𝑒𝑉
C
F
F - C = 0,2eV
I
F - i = 0,35 eV
V
Soal nomor 2 dan 3, buat latian sendiri yaa (udah dibahas di responsi kemarin)