LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA I

KARAKTERISASI LED

oleh

Nita Juli Yanti, Ikhsanul Agusti, M. Zhafran Yudistira

10217007, 10217031, 10217066

LABORATORIUM FISIKA LANJUT

PROGRAM STUDI FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG
2018-2019
 ABSTRAK

Praktikum ini bertujuan untuk menentukan tegangan threshold, energi bandgap,

panjang gelombang, dan nilai parasitic resistance pada LED percobaan yang
berjumlah 8 LED. LED adalah dioda yang dapat memancarkan cahaya. Dioda
berasal dari semikonduktor yang terdiri dari tipe P dan tipe N. Ketika diberi
tegangan forward bias, arus dapat mengalir sehingga dapat mengakibatkan
rekombinasi dan LED menyala. Praktikum diawali dengan merangkai alat
kemudian menyalakan IV Meter dan mengatur besaran masukan. Setelah itu
dilakukan pengolahan data yang kemudian akan didapat besaran-besaran yang
diperlukan beserta nilai error. Didapatkan bahwa nilai tegangan threshold, energi
bandgap, panjang gelombang, dan nilai parasitic resistance pada LED ditentukan
oleh doping yang dipengaruhi oleh jenis semikonduktor.

Kata Kunci : LED, Dioda, Semikonduktor

 DAFTAR ISI

Bab I Pendahuluan .......................................................................................... 1

Bab II Dasar Teori ............................................................................................ 3
II.1 Semikonduktor ........................................................................................ 3
II.2 LED (Light Emiiting Diode) ................................................................... 6
II.3 I-V Meter Elkahfi 100 ............................................................................. 7
Bab III Hasil dan Pembahasan.......................................................................... 9
III.1 Hasil Eksperimen.....................................................................................9
III.2 Pembahasan ........................................................................................... 17
III.2.1 Pertanyaan ............................................................................... 17
III.2.2 Analisis .................................................................................... 18
III.2.3 Open Problem .......................................................................... 19
DAFTAR PUSTAKA .......................................................................................... 21

ii
 Bab I Pendahuluan

LED adalah sejenis dioda semikonduktor istimewa. Seperti sebuah dioda normal,
LED terdiri dari sebuah chip bahan semikonduktor yang diisi penuh, atau di-dop,
dengan ketidakmurnian untuk menciptakan sebuah struktur yang disebut p-n
junction. Panjang gelombang dari cahaya yang dipancarkan, dan warnanya,
tergantung dari selisih pita energi dari bahan yang membentuk p-n junction. Chip
LED mempunyai kutub positif dan negatif (p-n) dan hanya akan menyala bila
diberikan arus maju. Ini dikarenakan LED terbuat dari bahan semikonduktor yang
hanya akan mengizinkan arus listrik mengalir ke satu arah dan tidak ke arah
sebaliknya. Chip LED pada umumnya mempunyai tegangan rusak yang relatif
rendah. Karakteristik chip LED pada umumnya adalah sama dengan karakteristik
dioda yang hanya memerlukan tegangan tertentu untuk dapat beroperasi. Namun
bila diberikan tegangan yang terlalu besar, LED akan rusak walaupun tegangan
yang diberikan adalah tegangan maju.

Pada eksperimen ini, dilakukan dua percobaan. Percobaan pertama adalah

menentukan tegangan threshold pada masing-masing LED. Dimulai dengan
merangkai alat. Kemudian menyalakan IV Meter dan mengatur besaran-besaran
yang telah ditentukan. Lalu amati LED saat mulai menyala dan catat tegangannya.
Tegangan ini akan digunakan pada percobaan kedua. Untuk percobaan kedua
dilakukan hal yang sama namun dengan variasi besaran-besaran masukan.
Kemudian didapatkan data arus terhadap tegangan dan dilakukan pengolahan data
untuk mendapat besaran-besaran sesuai tujuan praktikum.

Tujuan pada eksperimen ini adalah :

1. Menentukan tegangan threshold pada LED yang digunakan

2. Menentukan energi bandgap pada LED yang digunakan
3. Menentukan panjang gelombang pada LED yang digunakan
4. Menentukan parasitic resistance pada LED yang digunakan

Batasan pada eksperimen ini adalah :

1
 1. Nilai voltage min adalah 0 V dan voltage max adalah 4 V untuk percobaan
pertama
2. Nilai voltage min dan voltage max untuk percobaan kedua adalah selisih
sedikit (± 0,2 V) dari tegangan threshold yang didapat pada percobaan
pertama
3. Nilai speed level speed level yang digunakan adalah 1 sampai 5
4. Percobaan dilakukan dengan mode forward bias

Asumsi yang digunakan dalam eksperimen ini adalah:

1. Tegangan threshold pada percobaan pertama berada pada rentang antara 0

V hingga 5 V
2. Nilai panjang gelombang pada LED hanya didapat dari energi bandgap
3. Pengaruh temperatur pada hasil pengukuran dapat diabaikan
4. Nilai hambatan dalam sangat besar sehingga pengaruhnya dapat diabaikan

2
 Bab II Dasar Teori

II.1 Semikonduktor

Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara

bahan isolator dan bahan konduktor. Disebut sebagai bahan semikonduktor, karena
bahan ini memang bukan konduktor murni. Elektron yang menempati lapisan
terluar disebut sebagai elektron valensi. Atom silikon dan germanium masing
mempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom
germanium disebut juga dengan atom bervalensi empat. Empat elektron valensi
tersebut terikat dalam struktur kisikisi, sehingga setiap elektron valensi akan
membentuk ikatan kovalen dengan elektron valensi dari atom-atom yang
bersebelahan. Untuk dapat menjadi konduktor, suatu atom dapat diberikan pengotor
yang dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi bebas dalam jumlah lebih
banyak dan permanen, yang diharapkan akan dapat menghantarkan listrik.

Jika bahan silikon dikotori dengan bahan yang ketidakmurniannya bervalensi lima,
maka diperoleh semikonduktor tipe-n. Bahan pengotor yang bervalensi lima ini
misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Apabila bahan semikonduktor murni
dikotori dengan bahan yang ketidakmurniannya bervalensi tiga, maka akan
diperoleh semikonduktor tipe-p. Bahan pengotor yang bervalensi tiga tersebut
misalnya boron, galium, dan indium. Salah satu contoh bahan semikonduktor yang
merupakan elemen dasar dari komponen elektronika adalah dioda. Bentuk dioda
yang lazim digunakan terdiri dari semikonduktor jenis-p yang dibuat bersambung
dengan semikonduktor jenis-n. Pada sambungan sisi-p terdapat hole bebas dan (-)
sebagai atom pengotor akseptor yang diionisasi dengan konsentrasi sama dan secara
keseluruhan bersifat netral. Pada sambungan sisi-n terdapat elektron bebas dan
sejumlah atom pengotor donor yang diionisasi. Pembawa mayoritas pada sisi-p
adalah hole dan sisi-n adalah elektron. Bias forward merupakan suatu keadaan pada
saat ujung bahan-p dan bahan-n dihubungkan dengan suatu sumber tegangan, yaitu
bahan-p dihubungkan dengan kutub positif dan bahan-n dengan kutub negatif.
Karena keadaan ini, maka arus akan dapat melewati dioda. Untuk selanjutnya, arus
yang mengalir melalui dioda adalah hasil penjumlahan dari arus injeksi dan arus

3
saturasi. Sehingga dari pengertian itu didapatkan rumus umum untuk penyelesaian
persamaan dioda adalah sebagai berikut:

𝐼𝑑 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑞𝑉𝑑 /𝜂𝑘𝑇 − 1), (II.1)

dengan Id adalah arus dioda (A), Is adalah arus saturasi (A), q adalah muatan listrik
(C), Vd adalah tegangan dioda (V), k adalah tetapan, dan T adalah temperatur (oC).

Dari persamaan diatas tersebut dapat digunakan untuk mencari nilai karakteristik
dioda yaitu hubungan antara tegangan dioda (Vd) dan arus dioda (Id). Karakteristik
dioda sendiri adalah grafik hubungan antara besar kuat arus yang melewati dioda
dan beda tegangan antara kedua ujung dioda. Berikut merupakan lengkung
karakteristik untuk dioda sambungan p-n.

Gambar II.1 Kurva karakteristik ideal dari dioda. (Gabriel, 2018)

Jika kurva karakteristik dilakukan plot menggunakan aplikasi matlab dan

melakukan fitting dengan menggunakan fitur curve fitting sesuai persamaan :

𝑦 = 𝑎 exp(−𝑏 + 𝑐𝑥) − 𝑑, (II.2)

𝐸𝑔 𝑒 𝐸𝑔
Dengan 𝑎 adalah konstanta, 𝑏 = 𝑘𝑇, 𝑐 = 𝑘𝑇, dan 𝑑 = 𝑎 exp (− 𝑘𝑇)

Dari persamaan 𝑏 dan 𝑐 didapatkan persamaan :

4
 𝑏
𝐸𝑔 = 𝑒, (II.3)
𝑐

Dengan 𝐸𝑔 adalah energi bandgap pada LED (J), 𝑒 adalah muatan elektron sebesar
1,6 × 10−19 C.

Dari nilai energi bandgap tersebut dapat dihitung nilai panjang gelombangnya
sesuai persamaan :

ℎ𝑐
𝜆= ,
𝐸𝑔 (II.4)

Sedangkan untuk persamaan energi bandgap dari tegangan threshold dapat

menggunakan persamaan :

𝐸𝑔 = 𝑒𝑉𝑇𝐻 , (II.5)

Dengan Eg adalah energi bandgap (J), e adalah muatan elektron sebesar

1,6 × 10−19 C, dan VTH adalah tegangan threshold (V).

Apabila kurva karakteristik tersebut hanya diambil pada bagian linier dan dilakukan
regresi linier akan didapat persamaan :

𝐼 = 𝑚𝑉 + 𝑃, (II.6)

Dan dapat diturunkan menjadi :

𝑑𝑉 1
= , (II.7)
𝑑𝐼 𝑚

Dengan I adalah arus yang mengalir pada dioda (A), V adalah tegangan antara
katoda dan anoda (V), m adalah gradien grafik, dan P adalah konstanta.

Sehingga didapat persamaan untuk nilai hambatan dalam dioda sebagai berikut.

1
𝑅𝑠 = , (II.8)
𝑚

Dengan Rs adalah hambatan dalam dioda (Ohm).

5
II.2 LED (Light Emiiting Diode)

LED adalah semikonduktor yang dapat mengubah energi listrik lebih banyak
menjadi cahaya, merupakan perangkat keras dan padat (solid-state component)
sehingga lebih unggul dalam ketahanan (durability). Selama ini LED banyak
digunakan pada perangkat elektronik karena ukuran yang kecil, cara pemasangan
praktis, serta konsumsi listrik yang rendah. Salah satu kelebihan LED adalah usia
relativ panjang, yaitu lebih dari 30.000 jam. Kelemahannya pada harga per lumen
(satuan cahaya) lebih mahal dibandingkan dengan lampu jenis pijar, TL dan SL,
mudah rusak jika dioperasikan pada suhu lingkungan yang terlalu tinggi, misal di
industri.

Cahaya pada LED adalah energi elektromagnetik yang dipancarkan dalam bagian
spektrum yang dapat dilihat. Cahaya yang tampak merupakan hasil kombinasi
panjang – panjang gelombang yang berbeda dari energi yang dapat terlihat, mata
bereaksi melihat pada panjang – panjang gelombang energi elektromagnetik dalam
daerah antara radiasi ultra violet dan infra merah. Cahaya terbentuk dari hasil
pergerakan elektron pada sebuah atom. Dimana pada sebuah atom, elektron
bergerak pada suatu orbit yang mengelilingi sebuah inti atom. Elektron pada orbit
yang berbeda memiliki jumlah energi yang berbeda. Elektron yang berpindah dari
orbit dengan tingkat energi lebih tinggi ke orbit dengan tingkat energi lebih rendah
perlu melepas energi yang dimilikinya. Energi yang dilepaskan ini merupakan
bentuk dari foton sehingga menghasilkan cahaya. Semakin besar energi yang
dilepaskan, semakin besar energi yang terkandung dalam foton.

6
 Gambar II.2. Perpindahan elektron pada LED. (Jimy, 2013)

II.3 I-V Meter Elkahfi 100

I-V Meter ELKAHFI 100 merupakan alat yang dirancang untuk mengukur
karakterisasi arus tegangan (I-V). Terdiri dari sebuah sumber tegangan dan
pikoamperemeter I-V Meter ELKAHFI 100 dapat mengukur arus mulai dari 100
pA sampai 3,5 mA. Dilengkapi dengan lima buah tombol tekan untuk navigasi
menu dan sebuah layar LCD 16 karakter dua baris untuk menampilkan menu dan
hasil pengukuran. Pengukuran dapat dilakukan dengan memilih menu yang sesuai
dan melihat hasil pengukuran pada layar LCD. Serta untuk memudahkan
pengolahan data pengukuran disediakan Software ELKAHFI-100. Untuk
kebutuhan praktikum disediakan DUT (Device Under Test), namun DUT yang lain
dapat langsung diukur dengan menggunakan konektor yang sesuai.

Gambar II.3. Panel depan Elkahfi 100. (Anonim, 2013)

7
1. Tampilan LCD

2. LED indikator proses

3. Port serial DB-9 untuk komunikasi dengan PC

4. Soket 220 VAC, untuk sumber listrik

5. Saklar Power

6. Tombol untuk mengoperasikan pengukuran I-V Meter ELKAHFI 100

7. Keluaran sumber tegangan (konektor TNC to DUT)

8. Masukan arus (konektor BNC)

9. Keluaran arus untuk pengukuran menggunakan soket DUT

10. Soket DUT, tempat bahan yang akan diukur

11. Terminal GND

8
 Bab III Hasil dan Pembahasan

III.1 Hasil Eksperimen

Data yang didapat adalah data berupa kurva karakteristik diode, yaitu arus terhadap
tegangan. Dari kurva tersebut didapatkan data berupa energi bandgap, panjang
gelombang, dan parasitic resistance atau hambatan dalam dari dioda.

1. Eksperimen Pertama

Eksperimen yang pertama kali dilakukan adalah mengukur tegangan threshold

dari LED, yaitu tegangan pada saat LED mulai menyala, yang akan digunakan
untuk melakukan ekspermen selanjutnya, serta menentukan warna nyala dari
masing-masing LED. Pada eksperimen ini digunakan 8 jenis LED dengan
besaran masukan seperti pada metode percobaan pada pendahuluan sehingga
dan didapatkan data sebagai berikut.

Tabel III.1. Warna selubung, warna nyala dan tegangan pada LED percobaan
No Warna Tegangan
Warna Selubung
LED Nyala (V)
1 Putih Putih 2.34
2 Putih Merah 1.49
4 Putih Hijau 1.75
5 Putih Biru 2.34
6 Putih (Infrared) Ungu 1.15
X Hijau Kuning 1.79
Y Kuning Oranye 1.69
Z Merah Merah 1.49

Kemudian, didapatkan juga nilai arus dan tegangan pada LED berdasarkan data
yang disimpan oleh software ELKAHFI 100. Lalu dapat dilakukan plot grafik
arus terhadap tegangan menggunakan aplikasi MATLAB. Pada grafik tersebut
dapat dilakukan fitting menggunakan fitur curve fitting pada aplikasi MATLAB
untuk mendapatkan besaran-besaran pada persamaan (III.2) sehingga didaptkan
data sebagai berikut.

Tabel III.2. Nilai konstanta a, b, c, d, dan R2 pada percobaan pertama

Nomor Led a B c d R2

9
 1 0,31 24,54 7,10 0,0000186 0,91
2 0,15 14,26 5,32 0,0000537 0,72
4 0,41 35,40 16,57 -0,0000088 0,75
5 0,07 17,12 4,51 0,0000296 0,78
6 0,77 12,54 5,60 0,0000921 0,66
X 1,72 19,78 6,76 0,0000309 0,79
Y 0,78 21,04 8,09 0,0000256 0,94
Z 0,62 16,54 5,76 0,0000473 0,78

2. Eksperimen Kedua

Pada eksperimen kedua dilakukan pengambilan data seperti pada percobaan

pertama namun dengan memvariasikan besaran masukan pada ELKAHFI 100.
Besaran yang divariasikan adalah nilai voltage min dan voltage max yaitu
rentang yang kecil (sekitar ± 0,2 V) dari tegangan threshold pada percobaan
pertama untuk masing-masing LED. Kemudian, nilai voltage step diubah
menjadi 0,01 dan speed level diubah menjadi 3. Selanjutnya dapat ditentukan
tegangan threshold pada saat LED mulai menyala. Data yang tersimpan pada
software ELKAHFI 100 berupa nilai arus dan tegangan dilakukan plot seperti
pada percobaan pertama. Kemudian diambil data kurva bagian linear dan
dilakukan regresi linear sesuai dengan persamaan (III.6). Kurva hasil regresi
linear dari masing-masing LED adalah sebagai berikut.

Data Regresi Linear

3.50E-05
y = 0.0007x - 0.0016
3.00E-05 R² = 0.9817
2.50E-05
Arus (A)

2.00E-05
1.50E-05
1.00E-05
5.00E-06
0.00E+00
2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6
Tegangan (V)

Gambar III.1. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED 1

10
 Data Regresi Linear
3.50E-04
3.00E-04 y = 0.0032x - 0.0051
R² = 0.9758
2.50E-04
Arus (A)

2.00E-04
1.50E-04
1.00E-04
5.00E-05
0.00E+00
1.15 1.25 1.35 1.45 1.55 1.65 1.75
Tegangan (V)

Gambar III.2. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED 2

1.60E-07
y = 2E-06x - 3E-06
1.40E-07
R² = 0.9508
1.20E-07
1.00E-07
Arus (A)

8.00E-08
6.00E-08
4.00E-08
2.00E-08
0.00E+00
1.45 1.55 1.65 1.75 1.85 1.95
Tegangan (V)

Gambar III.3. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED 4

11
 Data Regresi Linear
1.60E-05
1.40E-05 y = 0.0002x - 0.0004
1.20E-05 R² = 0.9783
1.00E-05
Arus (A)

8.00E-06
6.00E-06
4.00E-06
2.00E-06
0.00E+00
2.05 2.15 2.25 2.35 2.45 2.55
Tegangan (V)

Gambar III.4. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED 5

Data Regresi Linear

3.50E-03
3.00E-03 y = 0.0322x - 0.0336
2.50E-03 R² = 0.9445
Arus (A)

2.00E-03
1.50E-03
1.00E-03
5.00E-04
0.00E+00
0.88 0.93 0.98 1.03 1.08 1.13 1.18
Tegangan (V)

Gambar III.5. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED 6

12
 Data Regresi Linear
3.50E-03
3.00E-03 y = 0.0283x - 0.0506
2.50E-03 R² = 0.9514
Arus (A)

2.00E-03
1.50E-03
1.00E-03
5.00E-04
0.00E+00
1.47 1.57 1.67 1.77 1.87 1.97
Tegangan (V)

Gambar III.6. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED X

Data Regresi Linear

3.50E-03
3.00E-03 y = 0.024x - 0.0417
R² = 0.9639
2.50E-03
Arus (A)

2.00E-03
1.50E-03
1.00E-03
5.00E-04
0.00E+00
1.38 1.48 1.58 1.68 1.78 1.88
Tegangan (V)

Gambar III.7. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED Y

13
 Data Regresi Linear
3.00E-05
y = 0.0003x - 0.0005
2.50E-05 R² = 0.9744
2.00E-05
Arus (A)

1.50E-05

1.00E-05

5.00E-06

0.00E+00
1 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7
Tegangan (V)

Gambar III.8. Grafik arus terhadap tegangan beserta regresi linear pada LED Z

Dari persamaan (III.6) tersebut dapat ditentukan nilai m (gradien) dan P

(konstanta) dan R2 untuk masing-masing LED sebagai berikut.

Tabel III.3. Nilai gradien, konstanta P, dan R2 pada masing-masing LED

untuk percobaan kedua
Nomor LED M P R2
1 0,0007 -0,0016 0,9817
2 0,0032 -0,0051 0,9758
4 2,00E-06 -3,00E-06 0,9508
5 0,0002 -0,0004 0,9783
6 0,0322 -0,0336 0,9445
X 0,0283 -0,0506 0,9514
Y 0,024 -0,0417 0,9639
Z 0,0003 -0,0005 0,9744

Nilai tegangan threshold yang didapatkan pada saat LED mulai menyala (Vth
pengamatan) dapat dibandingkan dengan nilai tegangan hasil regresi linear pada
kurva linear yang didapatkan sebelumnya (Vth Perhitungan Linear). Hasilnya
dapat dilihat pada tabel berikut.

Tabel III.4. Nilai tegangan threshold dari pengamatan dan perhitungan

secara linear pada masing-masing LED untuk percobaan kedua
No LED Vth Pengamatan (V) Vth Perhitungan (V)

14
 1 2,34 2,29
2 1,46 1,59
4 1,63 1,50
5 2,22 2,00
6 1,06 1,04
X 1,71 1,79
Y 1,67 1,74
Z 1,45 1,67
Kemudian, dapat dilakukan perhitungan energi bandgap pada dioda
berdasarkan pengamatan, yaitu menggunakan persamaan (III.5), dan
berdasarkan perhitungan eksponensial, yaitu menggunakan persamaan (III.3)
dan didapatkan hasil sebagai berikut.

Tabel III.5. Nilai energi bandgap hasil pengamatan dan perhitungan

eksponensial pada masing-masing LED untuk percobaan kedua
No LED Eg Pengamatan Eg Perhitungan
1 3,744 × 10−19 5,52781 × 10−19
2 2,336 × 10−19 4,28711 × 10−19
4 2,608 × 10−19 3,41823 × 10−19
5 3,552 × 10−19 6,07092 × 10−19
6 1,696 × 10−19 3,58286 × 10−19
X 2,736 × 10−19 4,68096 × 10−19
Y 2,672 × 10−19 4,16273 × 10−19
Z 2,32 × 10−19 4,59205 × 10−19

Dari data energi bandgap tersebut dapat dilakukan perhitungan untuk mencari
nilai panjang gelombang dari masing-masing LED, yaitu menggunakan
persamaan (III.4) dan didapatkan data sebagai berikut.

Tabel III.6. Nilai panjang gelombang referensi, hasil pengamatan, dan

perhitungan eksponensial pada masing-masing LED untuk
percobaan kedua
λ referensi λ pengamatan λ perhitungan
No LED
(nm) (nm) (nm)
1 400 530,94 359,60
2 740 850,95 463,67
4 565 762,20 581,54
5 485 559,63 327,43

15
 6 700 1172,06 554,81
X 590 726,54 424,66
Y 635 743,94 477,53
Z 740 856,82 432,88

Jika dibandingkan dengan nilai panjang gelombang pada referensi, dapat

dihitung nilai kesalahan atau error pada nilai panjang gelombang berdasarkan
eksperimen. Nilai error tersebut adalah sebagai berikut.

Tabel III.7. Nilai error pada panjang gelombang hasil pengamatan dan
perhitungan eksponensial masing-masing LED untuk
percobaan kedua
No LED Error Pengamatan Error perhitungan
1 33% 10%
2 15% 37%
4 35% 3%
5 15% 32%
6 67% 21%
X 23% 28%
Y 17% 25%
Z 16% 42%

Selain itu, berdasarkan persamaan (III.8), dapat dihitung nilai parasitic

resistance atau hambatan dalam pada dioda, yaitu sebagai berikut.

Tabel III.8. Nilai parasitic resistanece pada masing-masing LED untuk

percobaan kedua
No LED Parasistic Resistance
1 1428,57
2 312,50
4 500000,00
5 5000,00
6 31,06
X 35,34
Y 41,67
Z 3333,33

16
3. Open Problem

Pada open problem, didapatkan data berupa tegangan threshold dengan variasi
speed level yang berbeda, yaitu sebagai berikut.

Tabel III.9. Tegangan threshold pada speed level yang berbeda

Speed Level V
1 2,3
2 2,3
3 2,25
4 2,24
5 2,22

Kemudian, didapatkan juga data tegangan threshold untuk variasi nilai

hambatan dan kenis rangkaian pada hambatan sebagai berikut.

Tabel III.10. Tegangan threshold pada variasi nilai dan rangkaian hambatan

Resistansi (ohm) V seri (V) V paralel (V)

1000 2,14 2,21
10000 2,22 2,21
11000 2,25 -
909,09 - 2,22

III.2 Pembahasan
Pada bagian ini akan dibahas mengenai pertanyaan dan analisis berdasarkan data
dan pengolahan yang telah dilakukan.

III.2.1 Pertanyaan
LED merupakan dioda yang terdiri dari tipe P dan tipe N yang membentuk P,N
junction. Tipe P terdiri dari hole yang bermuatan positif dan tipe N berisi elektron
valensi yang bermuatan negatif. Di antara keduanya terdapat daerah deplesi yang
memiliki tegangan barrier. Daerah deplesi adalah daerah pada p-n junction tanpa
muatan. Pada keadaan forward bias, tipe P akan dihubungkan dengan katoda yang
bermuatan positif sedangkan tipe N dihubungkan dengan anoda yang bermuatan
negatif. Saat diberikan tegangan, holes pada tipe P akan terdorong menuju tipe N
dan elektron valensi akan terdorong menuju tipe P sehingga daerah deplesi akan
menipis yang menurunkan tegangan barrier. Ketika tegangan yang diberikan
melebihi tegangan barrier, elektron akan dapat berdifusi dari tipe-n ke tipe-p dan
terjadi rekombinasi. Rekombinasi tersebut menghasilkan foton yang mengemisikan
cahaya, sehingga LED menyala. Diagram pita energi pada dioda dapat dilihat pada
gambar III.9. pada gambar tersebut, elektron pada pita valensi memiliki energi lebih
tinggi dibanding holes pada pita konduksi sehingga agar bisa terjadi rekombinasi

17
diperlukan energi yang sama dengan energi band. Dalam hal ini, energi tersebut
berasal dari tegangan antara katoda dan anoda.

Asumsi pada pengolahan data eksperimen ini diantaranya adalah tegangan

threshold pada percobaan pertama berada pada rentang antara 0 V hingga 5 V, nilai
panjang gelombang pada LED hanya didapat dari energi bandgap, pengaruh
temperatur pada hasil pengukuran dapat diabaikan, dan nilai hambatan dalam
sangat besar sehingga pengaruhnya dapat diabaikan

Saat p-n junction diberi reverse bias, holes pada tipe P akan tertarik ke arah anoda
dan elektron valensi pada tipe N akan tertarik ke katoda sehingga daerah deplesi
melebar yang meningkatkan tegangan barrier sehingga tidak ada perpindahan
elektron dan tidak terjadi rekombinasi. Hal tersebut menyebabkan tidak dihasilkan
foton yang mengemisikan cahaya, sehingga LED tidak menyala.

Parasitic resistance adalah hambatan dalam pada LED, yaitu hambatan yang
berasal dari karakteristik semikondukor pada LED yang dipengaruhi oleh massa
jenis, luas penampang, dan panjang dari semikonduktor. Hambatan dalam
berpengaruh pada arus listrik yang mengalir pada LED. Semakin besar hambatan
dalam, arus yang mengalir semakin kecil. Jika nilai parasitic resistance kecil maka
pengaruhnya dapat diabaikan. Berdasarkan percobaan, dapat dilihat pada Tabel
III.11. dimana nilai parasitic resistance berbeda untuk setiap LED.

Material esemikonduktor harus direct bandgap karena proses rekombinasi elektron

dan hole dapat terjadi secara langsung karena memiliki momentum yang sama.
Sedangkan pada indirect bandgap, diperlukan energi pada pita konduksi untuk
melawan energi maksimum pada pita valensi sehingga proses rekombinasi akan
terjadi lebih lambat.

III.2.2 Analisis
Arus pergeseran (drift) adalah perpindahan muatan akibat adanya medan listrik,
sedangkan arus difusi adalah perpindahan muatan akibat distribusi muatan yang
tidak uniform (gradien konsentrasi muatan). Saat grafik mulai linier adalah saat
terjadi rekombinasi sehingga arus yang lebih dominan adalah arus difusi.

Nilai panjang gelombang berdasarkan pengamatan maupun perhitungan

eksponensial berbeda dengan referensi dengan nilai error dapat dilihat pada Tabel
III.12. Panjang gelombang yang didapat adalah berdasarkan perhitungan
menggunakan energi bandgap. Energi bandgap pada pengamatan berasal dari
tegangan threshold sedangkan pada perhitungan eksponensial berasal dari kurva
hasil fitting curve menggunakan aplikasi MATLAB. Maka, dapat disimpulkan
bahwa nilai error pada panjang gelombang yang diperoleh berasal dati pengukuran
tegangan threshold saat pertama kali LED menyala. Pengukuran tersebut dapat
dipengaruhi oleh kondisi cahaya saat eksperimen, posisi pembacaan, dan selisih
waktu antara pembacaan saat LED menyala dan tegangan pada layar komputer.
Sedangkan untuk perhitungan eksponensial dapat terjadi karena kesalahan fitting
pada kurva yang diperoleh.

18
Pada percobaan ini diasumsikan bahwa energi bandgap dari LED sama dengan
foton yang dipancarkan oleh LED. Faktor yang mempengaruhi energi bandgap pada
LED diantaranya adalah jenis semikonduktor. Jenis semikonduktor mempengaruhi
doping pada semikonduktor, yaitu pemberian ketidakmurnian pada semikonduktor.
Doping inilah yang akan menentukan lebar pita konduksi dan pita valensi.

LED dapat menghasilkan warna yang berbeda-beda berdasarkan panjang

gelombang foton yang dipancarkan. Panjang gelombang dipengaruhi oleh energi
bandgap pada semikonduktor yang dipengaruhi oleh doping. Doping pada
semikonduktor bergantung pada bahan yang digunakan.

III.2.3 Open Problem

Kondisi speed level yang berbeda tidak memiliki pengaruh yang signifikan terhadap
nilai tegangan threshold pada LED. Dapat dilihat pada Tabel III.13. bahwa nilai
tegangan berbeda untuk setiap variasi speed level namun dengan galat yang cukup
kecil. Kondisi yang mungkin dapat membuat nilai speed level mempengaruhi kurva
karakteristik dari LED adalah jika nilai speed level sangat besar.

Dari percobaan dengan variasi jenis dan besar hambatan didapatkan bahwa nilai
tegangan threshold yang didapat berbeda untuk setiap variasi namun tidak
signifikan. Hal tersebut berdasarkan data pada Tabel III.14. jika dihubungkan
dengan parasitic resistance, maka nilai hambatan tersebut bisa dianggap sebagai
parasitic resistance yang bernilai cukup kecil sehingga dapat diabaikan.

Jika dilakukan perhitungan energi bandgap menggunakan tegangan threshold pada

Tabel III.15. didapatkan bahwa error semakin besar sehingga yang lebih baik adalah
perhitungan secara eksponensial.

19
 Bab IV Kesimpulan

1. Nilai tegangan threshold antara perhitungan dan pengamatan dapat dilihat pada
Tabel IV.1.. Nilai tegangan tersebut berbeda untuk setiap LED sehingga
dipengaruhi oleh jenis semikonduktor
2. Nilai energi bandgap dapat dilihat pada Tabel IV.2.. Nilai tersebut berbeda
untuk setiap LED sehingga dipengaruhi oleh jenis semikonduktor.
3. Nilai panjang gelombang dapat dilihat pada Tabel IV.3. Error yang terjadi pada
panjang gelombang yang didapatkan bisa dilihat pada .n error tersebut dapat
terjadi karena kesalahan fitting pada kurva dan kesalahan pada pengukuran
tegangan threshold.
4. Nilai parasitic resistance dapat dilihat pada Tabel IV.4. Parasitic resistance
tidak mempengaruhi kurva karakteristik LED secara signifikan.

20
 DAFTAR PUSTAKA

Harto, Jimmy H., Sukmadi, Tejo, dan Karnoto. (2013) : Analisa Penggunaan
Lampu LED pada Penerangan Dalam Rumah, Jurnal Transmisi, 15, 19 –
27.

Suhardi, Diding. (2014) : Prototipe Controller Lampu Penerangan LED (Light

Emitting Diode) Independent Bertenaga Surya, Jurnal Gamma, 10, 116 –
122.

Istichoroh, Nuzulul. (2013) : Simulasi Karakteristik Dioda Dengan Menggunakan

Bahasa Pemrograman Delphi 7.0, Jurnal Fisika, 2, 01-06.

Pustaka dari Situs Internet :

Sianturi, Gabriel. (2018): Dioda, https://slideplayer.info/slide/13168469/,

Download(diturunkan/diunduh) pada 2 Oktober 2019.

Elkahfi Instruments. (2013): ELKAHFI 100: IV Meter, User Manual , Versi 2.1
http://sites.google.com/site/elkahfii/products/analytical-instruments/-i-v-
meter-picoa, download(diturunkan/diunduh) pada 2 Oktober 2019.

21