KARAKTERISASI DAN UJI SIFAT PIEZOELEKTRIK BAHAN DARI

PEMROSESAN SILICA SCALING

SKRIPSI

Diajukan sebagai Salah Satu Syarat untuk Menempuh Ujian Akhir Tingkat

Sarjana pada Program Studi Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu

Pengetahuan Alam Universitas Padjadjaran

MUHAMMAD ILMAN HAJAR SOLEH NATSIR

140310150086

PROGRAM STUDI FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS PADJADJARAN

JATINANGOR

2019
 LEMBAR PENGESAHAN

JUDUL : Karakterisasi dan Uji Sifat Piezoelektrik Bahan Dari

Pemrosesan Silica Scaling

STUDI : Fisika Energi

PENYUSUN : Muhammad Ilman HSN

NPM : 140310150086

Sumedang, Oktober 2019

Menyetujui,

Pembimbing Utama Pembimbing Pendamping

Dr. Cukup Mulyana, MS. Dr. Ferry Faizal, S.Si., M.Si.

NIP. 19550209 198601 1 001 NIP. 19820531 201903 3 001

Mengetahui,

Ketua Program Studi Fisika

Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Universitas Padjadjaran

Dr. Lusi Safriani, S.Si, M.Si

NIP. 19730310 199803 2 001
 ABSTRAK

Banyaknya permintaan bahan piezoelektrik di berbagai sektor industri, mendorong

berbagai lembaga riset untuk meningkatkan performa dan mencari berbagai macam
bahan alternatif yang dapat digunakan sebagai bahan pezoelektrik. Untuk
menjawab tantangan ini, telah dilakukan penelitian tentang bahan piezoelektrik
terbuat dari limbah silika scaling di pembangkit listrik geothermal. Kristobalit
adalah salah satu bentuk dari polikristal silika asimetrik yang berpotensi untuk
dibuat sebagai bahan piezoelektrik. Untuk mendapatkan informasi lebih lanjut
terkait dengan karakter dan sifat piezoelektrik dari limbah silika, telah dilakukan
kalsinasi terhadap silika amorf pada suhu 9000C, 12000C, dan 15000C untuk
mendapatkan sifat polikristalnya. Dengan menggunakan electrochemical
impedance spectroscopy terindikasi terbentuknya polikristal yang bersifat
piezoelektrik dengan rentang frekuensi masing-masing 110 kHz-150, 60 kHz-200
kHz, dan 110 kHz-200 kHz. Kesimpulan dari penelitian ini bahwa bahan limbah
silica scaling menunjukkan hasil menarik karena ketiga suhu kalsinasi
menunjukkan sifat piezoelektrik. Namun, perlu dikembangkan kembali agar
menjadi bahan yang baik sehingga dapat digunakan diindustri dan mengurangi
limbah silica scaling.

Kata Kunci : Piezoelektrik, Silica scalling, EIS, kristal, amorf

iii
 ABSTRACT

The high demand for piezoelectric materials in various industrial sectors has
encouraged various research institutions to improve performance and look for
various alternative materials that can be used as pezoelectric materials. To answer
this challenge, research has been carried out on piezoelectric materials made from
silica scaling waste in geothermal power plants. Crystobalite is a form of
asymmetric silica polycrystalline which has the potential to be made as a
piezoelectric material. To obtain further information related to the character and
piezoelectric properties of silica waste, calcination of amorphous silica was carried
out at 9000C, 12000C, and 15000C to get the polycrystalline properties. By using
electrochemical impedance spectroscopy indicated the formation of piezoelectric
polycrystals with frequency ranges of 110 kHz-150, 60 kHz-200 kHz, and 110 kHz-
200 kHz, respectively. The conclusion of this study is that silica scaling waste
material shows interesting results because the three calcination temperatures show
piezoelectric properties. However, it needs to be developed further to be a good
material so that it can be used in industry and reduce silica scaling waste.

Keywords: Piezoelectric, Silica scaling, EIS, crystal, amorphous

iv
 KATA PENGANTAR

Bismillaahirrahmaanirrahiim,

Alhamdulillahirabbil’aalamin segala puji bagi Allah SWT yang telah

memberikan banyak nikmat kepada hamban-Nya yaitu nikmat iman, Islam dan

nikmat sehat. Shalawat serta salam semoga selalu tercurahkan limpahkan kepada

Nabi Muhammad S.A.W yang telah telah menerangi kehidupan umat manusia

sehingga penuh dengan ilmu pengetahuan. Berkat rahmat dan pertolongan dari

Allah SWT, sehingga penulis mampu menyelesaikan skripsi ini dengan judul

“Karakterisasi Dan Uji Sifat Piezoelektrik Bahan Dari Pemrosesan Silica

Scaling”.

Penelitian dan penyusunan skripsi ini merupakan salah satu syarat untuk

menepuh ujian tingkat akhir pada Program Studi Fisika Fakultas Matematika dan

Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Padjadjaran. Penulis mengucapkan terima

kasih kepada kedua orang tua yaitu Muh Natsir S Sirate dan Entin Martini serta

keluarga besar yang selalu memberikan doa, bantuan, dan motivasi kepada penulis.

Selain itu, penulis juga mengucapkan terima kasih kepada:

1. Prof. Dr. Sudrajat Supian, M.Sc. selaku Dekan Fakultas Matematika dan Ilmu

Pengetahuan Alam Universitas Padjadjaran beserta jajarannya.

2. Dr. Sahrul Hidayat, M.Si. selaku Ketua Departemen Fisika FMIPA Unpad

yang telah memberikan waktu, tenaga, pikiran, serta saran dalam

menyelesaikan tugas akhir ini.

3. Dr. Lusi Safriani, S.Si., M.Si. selaku Ketua Program Studi Fisika FMIPA

Unpad yang telah memberikan motivasi dan saran selama proses perkuliahan

berlangsung.

v
4. Dr. Cukup Mulyana, MS. selaku dosen pembimbing yang telah memberikan

saran dan bimbingan dalam menyelesaikan tugas akhir ini.

5. Dr. Ferry Faizal, S.Si, M.Si. selaku dosen pendamping yang telah memberikan

saran dan bimbingan dalam menyelesaikan tugas akhir ini.

6. Seluruh civitas Departemen Fisika Unpad atas segala bantuan yang telah

diberikan.

7. Bapak dan Ibu di Laboratorium PRINT-G atas segala bantuan yang telah

diberikan.

8. Keluarga SYMPNOIA Fisika 2015 yang tidak bisa disebutkan satu persatu

namanya yang telah berbagi suka dan duka selama duduk di bangku

perkuliahan.

Sumedang, Oktober 2019

Penulis,

Muhammad Ilman HSN

vi
 DAFTAR ISI

LEMBAR PENGESAHAN .................................................................................... ii

ABSTRAK ............................................................................................................. iii

ABSTRACT ............................................................................................................. iv

KATA PENGANTAR ............................................................................................ v

DAFTAR ISI ......................................................................................................... vii

DAFTAR GAMBAR .............................................................................................. x

DAFTAR TABEL ................................................................................................. xii

DAFTAR SIMBOL.............................................................................................. xiii

BAB I PENDAHULUAN .................................................................................... 1

1.1 Latar Belakang ................................................................................... 1

1.2 Rumusan Masalah .............................................................................. 3

1.3 Tujuan Penelitian ............................................................................... 3

1.4 Manfaat Penelitian ............................................................................. 4

1.5 Batasan Penelitian .............................................................................. 4

1.6 Sistematika Penulisan ........................................................................ 4

BAB II TINJAUAN PUSTAKA ........................................................................... 6

2.1 Kristal................................................................................................. 6

2.2 Silika ................................................................................................ 10

2.2.1 Struktur................................................................................. 10

2.2.2 Silika Kristalin ..................................................................... 12

2.2.3 Bentuk Silika ........................................................................ 16

2.2.4 Silica Scalling ...................................................................... 17

vii
 2.3 Piezoelektrik ..................................................................................... 19

2.3.1 Bahan Piezoelektrik ............................................................... 20

2.3.2 Aplikasi Piezoelektrik .......................................................... 22

2.3.3 Analisa Impedansi Piezoelektrik .......................................... 23

2.4 Perhitungan Magnitudo Aktual ......................................................... 25

2.5 Perhitungan Fasa Aktual ................................................................... 27

2.6 Intrumentasi ..................................................................................... 30

2.6.1 Spektoskopi Impedansi Elektrokimia .................................. 30

2.6.2 XRF (X-Ray Fluorescence) ................................................. 31

BAB III METODE PENELITIAN........................................................................ 33

3.1 Diagram Alir Penelitian ................................................................... 33

3.2 Alat dan Bahan .................................................................................. 34

3.3 Prosedur ........................................................................................... 34

3.3.1 Prosedur Pembuatan Bahan Kering dari Endapan Silika Alam

dan Pembentukan kristal ...................................................... 34

3.3.2 Prosedur Pembuatan Bahan Pelet Piezoelektrik .................... 2

3.3.3 EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy) ................... 2

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN................................................................. 5

4.1 Analisa Prosedur Pembuatan Bahan Kering dari Endapan Silika Alam

dan Pembentukan kristal .................................................................... 5

4.2 Analisa Pertumbuhan Serta Identifikasi Kristal Dari Bahan .............. 7

4.3 Hasil Pembentukan bahan pelet Piezoelektrik .................................... 8

4.4 Analisa Sifat dan Karakterisasi Piezoelektrik ..................................... 9

BAB V KESIMPULAN DAN SARAN............................................................... 20

viii
 5.1 Kesimpulan ...................................................................................... 20

5.2 Saran ................................................................................................ 20

DAFTAR PUSTAKA ........................................................................................... 21

ix
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 2. 1 (a). Susunan atom kristal, (b). Susunan atom amorf ...................... 7

Gambar 2. 2 Sumbu-sumbu dan sudut- sudut antar sumbu kristal ...................... 8

Gambar 2. 3 Silika tetrahedron .......................................................................... 10

Gambar 2. 4 Kristalografi silika pada tekanan atmosfer . .................................. 13

Gambar 2. 5 Grafik stabilitas kristal silika ........................................................ 14

Gambar 2. 6 Struktur kristal (a) β-quartz (b) α-quartz ...................................... 15

Gambar 2. 7 Penampang kristal kristobalit ....................................................... 16

Gambar 2. 8 Penampang kristal tridimit ........................................................... 16

Gambar 2. 9 Struktur quartz contoh bahan piezoelektrik .................................. 19

Gambar 2. 10 Efek Piezoelektrik ......................................................................... 20

Gambar 2.11 Representasi skematik a) Sentrosimetris, diberikan dan tidak

diberikan gaya mekanis tidak ada perubahan polarisasi listrik. b)

non-sentrosimetris diberikan dan tidak diberikan gaya mekanis

terjadi perubahan polarisasi listrik ............................................... 21

Gambar 2. 12 Resonansi dan anti resonansi frekuensi pada hasil frekuensi

impedance piezoelektrik ............................................................... 24

Gambar 2. 13 Impedansi piezoelektrik yang mnyatakan sifat piezoelektrik (red)

dan non piezoelektrik (blue) ........................................................ 25

Gambar 3. 1 Diagram Alir Penelitian ................................................................ 33

Gambar 3. 2 Desain sandwich elektroda dan bahan aktif piezoelektrik .............. 3

Gambar 3. 3 Set Up Bahan EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy) ..... 3

Gambar 4. 1 Respon Impedansi terhadap frekuensi pada bahan yang dibakar

dengan suhu 900 ℃, 1200 ℃, 1500 ℃ ......................................... 11

x
Gambar 4. 2 Bode Plot dengan rentang 110-150 kHz ....................................... 12

Gambar 4. 3 Respon fasa terhadap frekuensi pada bahan yang dibakar dengan

suhu 900 ℃, 1200 ℃, 1500 ℃ ..................................................... 15

Gambar 4. 4 Nyquist Plot bahan dengan kalsinasi pada suhu 900℃ ................ 16

Gambar 4. 5 Nyquist bahan dengan kalsinasi pada suhu 1200℃ ...................... 18

Gambar 4. 6 Nyquist bahan kalsinasi 1500℃.................................................... 19

xi
 DAFTAR TABEL

Tabel 2. 1 Tujuh sistem kristal dan empat belas kisi Bravais .............................. 9

Tabel 2. 2 Sifat fase silika amorf ........................................................................ 11

Tabel 2. 3 Sudut Fasa ......................................................................................... 29

Tabel 4. 1 Hasil karakterisasi XRF pada limbah endapan silika yang

dikeringkan ........................................................................................... 6

Tabel 4. 2 Hasil karakterisasi XRF pada bahan yang dibakar pada suhu 900C,

1200C, 1500C ................................................................................... 7

Tabel 4. 3 Hasil EIS untuk bahan yang dikalsinasi pada suhu 900℃ .................. 9

Tabel 4. 4 Hasil EIS untuk bahan yang dikalsinasi pada suhu 1200℃ .............. 10

Tabel 4. 5 Hasil EIS bahan yang dikalsinasi pada suhu 1500℃......................... 10

xii
 DAFTAR SIMBOL

SIMBOL DESKRIPSI

Z Impedansi (Ohm)

R Resistor (Resistansi, (Ohm))

Re Real device

|Z| Magnitudo Aktual (Ohm)

Z Sudut fasa Aktual (derajat)

I Arus Listrik (A) , Induktor,(Induktansi,(H))

V Tegangan Listrik (V)

Im Imajiner device

| Z REAL | Resistansi Aktual (Ohm)

| Z IMAJINER | Reaktansi Aktual (Ohm)

xiii
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Fenomena piezoelektrik ditemukan oleh Jacquez dan Pierre Curie pada tahun

1880. Dalam perkembangan industri saat ini, fenomena piezoelektrik dimanfaatkan

menjadi bahan dasar sensor/tranduser dan sumber energi alternatif karena sifatnya

yang menarik dan mudah diaplikasikan[1] [2] [3]. Salah satu aplikasi dalam

industry, yaitu sensor/tranduser berbasis resonansi[4] dan energy harvesting. Kedua

aplikasi tersebut memanfaatkan sifat/fenomena piezoelektrik, yaitu dapat

mengubah tegangan menjadi getaran dan sebaliknya. Penelitian tentang fenomena

dan bahan piezoelektrik saat ini menjadi lebih luas untuk dikembangkan. Penelitian

piezoelektrik umumnya terdapat pada kajian pengembangan teknologi dan kajian

pengembangan bahan baru piezoelektrik.

Tidak semua bahan memiliki fenomena piezoelektrik dan dapat digunakan di

industri saat ini. Fenomena piezoelektrik hanya terdapat pada bahan yang memiliki

struktur kristal asimetris menurut literatur yang ada [5]. Bahan piezoelektrik bisa

berupa bahan alami atau buatan manusia. Bahan piezoelektrik alami contohnya

seperti quartz (SiO2), garam Rochelle, Topaz, mineral kelompok Tourmaline dan

beberapa substansi organik seperti sutra, kayu, enamel, dentin, tulang, rambut, dan

karet. Bahan piezoelektrik buatan contohnya keramik, analog quartz, polimer, dan

komposit. Dalam dunia industri, karakter bahan piezoelektrik yang sedang

dibutuhkan, yaitu memiliki sensitivitas tinggi, generasi getaran dalam rentang

1
 2

frekuensi yang luas, efisiensi energi yang tinggi, penggunaan metode impedansi

elektromekanis, desain yang sederhana, dan dimensi yang ringkas [4].

Meningkatnya kebutuhan industri memengaruhi munculnya berbagai macam

permasalahan terkait dengan karakteristik bahan piezeoelektrik yang dibutuhkan

dalam dunia industri. Permasalahannya dapat berupa karakter sensor/trandunser

yang kurang luas frekuensi spesifiknya. Luas frekuensi spesifik memengaruhi

sensitifitas pada bahan piezeoelektrik dan kerja sensor tersebut, apabila bermasalah

dapat merugikan para pengguna dalam dunia industri. Selain itu, pada bidang

energy harvesting efisiensi energi yang dihasilkan oleh bahan belum maksimal.

Permasalhan tesebut memicu kurangnya produksi dan berakibat pada kurangnya

minat pengguna energi alternatif dari sumber piezoelektrik. Pemasalahan yang ada

memicu meningkatnya penelitian terkait piezoelektrik khususnya bahan dasar dari

piezeolektrik. Para peneliti mulai mulai mencari beberapa bahan alternatif baru

untuk diteliti sifat dan karakteristik piezoelektriknya.

Penelitian mengenai bahan piezoelektrik di Indonesia mulai berkembang.

Salah satu bahan yang belum tereksplor dan berpotensi sebagai bahan piezoelektrik

adala silica scalling. Silica scalling merupakan limbah silika dari Pembangkit

Listrik Tenaga Panas Bumi yang masih kurang dimanfaatkan. Sumber silika dari

limbah silica scalling di Indonesia tersebar luas karena Indonesia memiliki banyak

PLTP. Rata-rata PLTP di Indonesia bisa menghasilkan lebih dari 1000 ppm silica

scalling dengan kemurnian mencapai 80% dengan dominasi oleh silika amorf [6]

[7] [8]. Polomorfik Silika yang berpotensi menjadi piezeolektrik, yaitu kristobalit

dan quartz. Menurut kristalografi terbentuknya bentuk polikristal kristobalit dan

quartz terjadi pada rentang suhu 870℃ - 1470℃ [21].

 3

Dengan pertimbangan rentang suhu pembakaran pertumbuhan polikristal

krisobalit dan quartz, pada penelitian ini ditumbuhkan kristal pada suhu kalsinasi

900 ℃, 1200 ℃, 1500 ℃ dan diuji sifat dan karakter piezoelektriknya. Hal yang

mendukung penelitian ini menjadi menarik, yaitu pada pertumbuhan polikristal

silika. Bersumber dari data penelitian yang dilakukan oleh lab printG bahwa

penumbuhan kristal Silica scalling berbentuk polikristal kristobalit pada suhu 900

℃ yang seharusnya 1470℃ [21]. Oleh karena itu, diharapkan bahan piezoelektrik

dari limbah silica scaling dapat terus dikembangkan.

1.2 Rumusan Masalah

Dari uraian latar belakang tersebut, terdapat beberapa masalah yang dirumuskan

pada poin poin dibawah ini.

1. Bagaimana karakteristik piezoelektrik dari bahan Silica scaling pada tiap

suhu pembakaran 900 ℃, 1200 ℃, dan 1500℃ ?

2. Bagaimana perbandingan karakteristik piezoelektrik dari bahan Silica scaling

pada tiap suhu pembakaran yang ditentukan ?

1.3 Tujuan Penelitian

Tujuan penulis melakukan penelitian ini adalah untuk,

1. Membuat dan mengarakterisasi pertumbuhan kristal dari bahan amorf

2. Menguji sifat dan mengkarakterisasi piezoelektrik dari bahan silica scalling

 4

1.4 Manfaat Penelitian

Hasil penelitian ini diharapkan dapat:

1. Memanfaatkan limbah silika menjadi sensor piezoelektrik yang bernilai

ekonomis

2. Menghasilkan piezoelektrik yang dapat digunakan secara luas.

3. Mendapatkan informasi tentang perkembangan kristal silica scalling PLPT

dieng

4. Mendapatkan informasi tentang karakterisasi dan sifat piezoelektrik dari

bahan silica scalling

1.5 Batasan Penelitian

1. Silika yang digunakan dalam penelitian berasal dari limbah silika scalling

atau silica alam di PLTP Dieng

2. Mengetahui sifat dan karakteristik piezoelektrik pada rentang yang suhu yang

ditentukan menurut literatur

1.6 Sistematika Penulisan

Sistematika penulisan Skripsi ini tersusun dari lima bab. Bab I terdiri dari

latar belakang penelitian, identifikasi masalah, batasan masalah, tujuan penelitian,

manfaat penelitian, serta sistematika penulisan. Bagian ini disusun untuk memberi

gambaran awal tentang kegiatan pengambilan data yang dilakukan. Bab II berisi

tentang tinjauan pustaka yang digunakan sebagai acuan dalam penelitian

karakterisasi dan uji sifat piezoelektrik bahan dari silica scaling. Bab III

menjelaskan tentang metode penelitian dan skema penelitian yang akan dilakukan.
 5

Selanjutnya Bab IV berisi analisis dan pembahasan tentang data hasil penelitian

yang berkaitan dengan hasil pembuatan bahan, serta hasil pengujian dan

karakterisasi piezoelektrik. Terakhir Bab V berisi kesimpulan mengenai hasil yang

dicapai dalam penelitian dan saran untuk penelitian selanjutnya

 BAB II

TINJAUAN PUSTAKA

2.1 Kristal

Berdasarkan strukturnya, zat padat dapat dibedakan menjadi tiga jenis, yaitu

monokristal (kristal tunggal), polikristal, dan amorf [15]. Kristal merupakan suatu

zat padat yang mempunyai atom, molekul, atau ion penyusun yang terkemas secara

teratur dan polanya berulang melebar secara tiga dimensi. Pada kondisi ideal, zat

cair akan membentuk kristal melalui proses pemadatan. Hasilnya dapat berupa

kristal tunggal, yaitu kristal dengan semua atom penyusunnya tersusun pada kisi

atau struktur kristal yang sama. Selain itu, kristal juga dapat terbentuk secara

simultan sehingga menghasilkan padatan polikristal atau polimorf. Polikristal dapat

juga didefinisikan sebagai kumpulan monokristal dengan ukuran yang sangat kecil

dan saling menumpuk sehingga membentuk padatan. Apabila partikel-partikel

suatu zat padat tidak mempunyai bentuk tertentu dan permanen, zat itu disebut

amorf. Zat amorf tidak mempunyai struktur kristal [16]. Gambar 2.1 (a)

menunjukkan bentuk ion/molekul yang menempati kisi (warna hijau) antar ikatan

(garis biru) tersusun rapih. Berbeda dengan Gambar 2.1 (b) dengan struktur yang

tidak rapih.

Ada beberapa karakteristik yang khas pada kristal [17]:

1. Atom-atom atau molekul-molekulnya tersusun dalam suatu pola tiga dimensi

yang sangat teratur

6
 7

2. Tiap atom atau molekul berada pada kedudukan tertentu dalam ruang dan

mempunyai jarak dan arah sudut yang tetap terhadap atom atau molekul

lainnya (tersusun secara periodik).

3. Kristal mempunyai simetri translasional yang jika digerakkan secara translasi

oleh suatu vektor yang menghubungkan dua atom, bentuk kristal tetap sama

seperti semula.

Gambar 2. 1 (a). Susunan atom kristal, (b). Susunan atom amorf[18]

Kristal dapat terbentuk ketika atom-atom bergabung membentuk padatan,

lalu mengatur dirinya sendiri dalam pola tatanan tertentu [19]. Keteraturan susunan

atom penyusun kristal terjadi akibat kondisi geometris dengan adanya ikatan atom

yang berarah dan tersusun rapat. Susunan yang khas ini disebut struktur kristal.

Struktur kristal terbentuk dari gabungan sel-sel monokristal dalam suatu kisi kristal.

Kisi kristal merupakan ruang disusunnya basis kumpulan atom penyusun kristal

[20].

Pada satu sel satuan kristal, terdapat tiga buah sumbu yang merupakan sumbu

kristal teratur yang berhubungan dengan atom atau ion yang sama seperti yang

ditunjukan pada Gambar 2.2. Dimensinya ditentukan oleh perpotongan konstanta

ketiga sumbu tersebut. Ciri khas kristal adalah adanya pengulangan pola dari

ukuran, bentuk, dan susunan sel satuan kristal yang menyusun suatu kristal.
 8

Struktur kristal dinyatakan dalam sumbu-sumbu kristal yang dikaitkan dengan

parameter kisi dan sudut referensi [15].

Gambar 2. 2 Sumbu-sumbu dan sudut- sudut antar sumbu kristal [21].

Berdasarkan Gambar 2.2, sumbu a, b, dan c merupakan sumbu yang dikaitkan

dengan parameter kisi kristal, sedangkan α, β, dan γ merupakan sudut-sudut antara

sumbu-sumbu referensi kristal. Kristal lebih lanjut dikelompokkan menjadi tujuh

sistem kristal dengan empat belas kisi bravais (perbandingan antara sumbu-sumbu

kristal), Tabel 2.1 menjelaskan lebih lanjut tentang tujuh sistem kristal [16].
 9

Tabel 2. 1 Tujuh sistem kristal dan empat belas kisi Bravais[17]

Keterangan :

P : Simpel

C : Pusat Dasar

I : Pusat Badan

F : Pusat Muka
 10

2.2 Silika

Silika (SiO2) adalah material yang berdaya guna tinggi, aplikasinya sangat

luas baik dalam kegiatan industri maupun kehidupan sehari - hari. Berikut akan

dijelaskan lebih lanjut tentang struktur dan bentuk dari silika.

2.2.1 Struktur

Silika mempunyai bentuk kristalin dan amorf. Silika gel yang disebut juga

vitreous adalah SiO2 yang mempunyai struktur amorf. Silika tersebut mempunyai

kerangka Si-O tetrahedron yang berikatan pada ujung dengan ujung. Karena

banyaknya kemungkinan variasi yang terjadi dengan model tetrahedral yang

berikatan di ujung, silika dapat memiliki berbagai macam bentuk struktur kristal.

Tetrahedral berupa unit yang berasal dari atom silika dan atom oksigen dan dapat

membentuk kristal serta amorf silika seperti pada Gambar 2.3.

Gambar 2. 3 Silika tetrahedron [24]

Struktur dasar digambarkan sebagai elemen tetrahedron, ion silikon yang

dikelilingi oleh empat ion oksigen. Tingkat kekristalan suatu fase silika menentukan

seberapa reaktif fase spesifik itu. Sebuah fase yang bukan kristal akan memiliki luas
 11

permukaan spesifik yang lebih besar dan akibatnya akan memiliki reaktivitas yang

lebih besar daripada fase yang lebih kristal. Selain itu, semakin banyak fase amorf

artinya semakin banyak cacat yang dimilikinya serta semakin besar kemungkinan

untuk membentuk ikatan silanol yang rentan terhadap reaksi alkali-silika [24].

Tabel 2.2 menampilkan sifat yang dimiliki fase amorf silika.

Tabel 2. 2 Sifat fase silika amorf[24]

Sifat SiO2

Struktur Amorf

Kerapatan (g/cm3) 2,27

Konstanta dielektrik 3,9

Kekuatan dielektrik (V/cm) ≈ 107

Afinitas elektron, 𝜒 (eV) 0,9

Energi gap, Eg (eV) 9

Pita Serapan Infrared (𝜇m) 9,3

Titik lebur (℃) ≈1700

Kerapatan molekul (cm-3) 2,3 x 1022

Berat molekul 60,08

Indeks refraktif 1,46

Resistifiti (Ω-cm) 1014- 1016

Panas spesifik (J/g-℃) 1

Konduktifitas termal (W/cm- K) 0,014

Pada temperatur kamar, bentuk kristalin silika terdapat dalam tiga macam

yaitu quartz (stabil hingga 870℃), tridimit (stabil 870℃ - 1470℃) dengan struktur
 12

kristal heksagonal, dan kristobalit (stabil 1470℃ -1710℃) dengan struktur kristal

kubus [14].

2.2.2 Silika Kristalin

Banyak mineral yang diketahui memiliki unsur SiO2 dalam komposisi

kimianya. Sedikitnya ada dua belas jenis mineral yang ditemukan. Mineral tersebut

antara lain quartz, tridimit, kristobalit, coesit, sitsofit, dan beberapa lainnya. Semua

mineral silika adalah tektosilikat dengan struktur keseluruhannya adalah SiO2

tertrahedral. Mineral silika adalah mineral yang berbeda dengan struktur, simetri,

dan sifat fisik yang juga berbeda, tetapi semua dengan komposisi yang sama, yaitu

SiO2. Dua mineral yang memiliki komposisi kimia yang sama tetapi struktur

kristalnya berbeda disebut polimorf. Dalam penelitian ini mineral yang akan

dibahas adalah yang memiliki struktur kristal asimetris, yaitu quartz, kristobalit,

dan beberapa bentuk dari tridimit [25]. Bentuk umum dari kristal silika tersebut bila

ditinjau berdasarkan kestabilannya terhadap kenaikan suhu tinggi dapat dibagi

menjadi tiga [26], yaitu:

a. Quartz, sampai pada suhu 870℃

b. Tridimit, pada suhu 870℃ sampai 1470℃

c. Kristobalit, pada suhu 1470℃ sampai 1730℃

Masing-masing dari ketiga bentuk di atas mengalami perubahan yang diawali

pada suhu tinggi β dan rendah α seperti terlihat pada Gambar 2.4. Gambar 2.4

menyatakan hubungan perubahan suhu terhadap kristal yang terbentuk. Perubahan

pada struktur ini terjadi pada orientasi dari SiO4 yang relatif tetrahedral satu sama

lain. Perubahan bentuk pada suhu tinggi memiliki simetri yang lebih tinggi atau
 13

memiliki unit sel yang lebih kecil daripada perubahan bentuk pada suhu yang

rendah [26].

Gambar 2. 4 Kristalografi silika pada tekanan atmosfer [21].

Pada batas temperatur stabilnya, bentuk kristal tersebut saling berubah.

Transformasi bentuk kristal ini melibatkan pemutusan dan penyusunan ulang ikatan

Si-O. Transformasi ini dinamakan transformasi polikristal rekonstruktif. Proses ini

berjalan lambat, bahkan polimorf suhu tinggi dapat bertahan diatas temperatur

stabilnya. Untuk mempercepat proses transformasi ini, biasanya ditambahkan

bahan aditif seperti oksida logam alkali. Pembentukan kristal sangat sulit dilakukan

tanpa menggunakan aditif. Selain transformasi rekonstruktif, strukturnya juga

berubah terhadap kenaikan suhu dalam rentang suhu stabilnya yang disebut

transformasi martensitik. Transformasi ini melibatkan perubahan relatif sedikit

pada struktur kristal seperti putaran gugus tetrahedral tanpa melibatkan pemutusan

ikatan dan bersifat reversibel. Untuk membedakan struktur tersebut, penamaannya

diberikan awalan yang berbeda. Awalan α untuk kristal yang terbentuk pada suhu

lebih rendah dan β untuk suhu yang lebih tinggi. Gambar 2.5 menunjukan hubungan

kenaikan suhu pada kaca silika, quartz, kristobalit, dan tridimit dengan kenaikan

tekanan secara logaritmik.

 14

Tekanan (Pa)

Temperatur (℃)

Gambar 2.5 Grafik stabilitas kristal silika [21]

Gambar 2.6 (b) menjelaskan quartz jenis α-quartz ditemukan di alam berupa

pasir quartz. Strukturnya berupa jaringan heksagonal 6 tetrahedral. Gambar 2.6 (a)

menjelaskan Heksagonal pada β-quartz membentuk segi enam sama sisi, sedangkan

pada α-quartz segi enam yang terbentuk tidak simetris. Panjang ikatan Si-O pada α-

quartz adalah 159,7 pm dan 161,7 pm sedangkan pada β-quartz adalah 162 pm.

Quartz bersifat optis aktif, dengan sudut dekstro atau levorotatornya α adalah 21,71

o/mm.
 15

Gambar 2. 6 Struktur kristal (a) β-quartz (b) α-quartz. [21]

Kristobalit terjadi dalam dua modifikasi (subpolimorf suhu rendah dan

tinggi). Modifikasi suhu rendah adalah tetragonal (grup titik 4 2 2), dan dengan

demikian memiliki 6 konstanta elastis independen (komponen tensor kekakuan),

sedangkan modifikasi suhu tinggi adalah kubik (grup poin 4 3 2) dengan hanya 3

elastis independen konstanta [23]. Kristobalit adalah polimorf bersuhu tinggi SiO,

umumnya terkait dengan tahap akhir kristalisasi pada batuan vulkanik. Secara

umum dengan tridimit (yang sering dikaitkan dengan alam), kristobalit dapat

dimetastabilkan dalam kondisi standar, transformasi rekonstruktif yang diharapkan

ke polimorf kesetimbangan, quartz, yang secara kinetik terhalang. Struktur kristal

kristobalit terdiri dari jaringan tiga dimensi dari ujung SiO4 tetrahedra. Gambar 2.7

memperlihatkan struktur kristobalit yang memiliki tiga sumbu a, b, dan c. Ketiga

sumbu menyatakan tiap orientasi dari ikatan antar atom.

 16

Gambar 2. 7 Penampang kristal kristobalit[5].

Konversi tridimit-quartz memerlukan zat tambahan seperti sodium tungsten,

oksida logam alkali, dan air bertekanan tinggi. Pada tekanan atmosfer tridimit stabil

pada suhu 870–147℃, tetapi pada temperatur atmosfer tridimit berada pada kondisi

metastabil dan bertransformasi menjadi quartz. Gambar 2.8 menunjukkan

penampang kristal tridimit.

Gambar 2. 8 Penampang kristal tridimit[22]

2.2.3 Bentuk Silika

Bentuk senyawa silika sangat kompleks dan sulit untuk diprediksi. Pada

sistem air panas bumi, silika dapat berada dalam tiga bentuk, antara lain [23]
 17

1. Monomer silika atau asam silikat (H4SiO4).

2. Polimer silika disamakan sebagai koloid silika yang tidak reaktif yang

dihasilkan dari polimerisasi asam silikat.

3. Granula atau partikulat silika (SiO2).

2.2.4 Silica Scalling

Silica scalling merupakan masalah paling umum pada pembangkit, beberapa

permasalahan yang dihadapi oleh pembangkit dari adanya silica scalling yaitu

dapat mengurangi diameter pipa, mengurangi produksi energi, dan merusak pipa.

Limbah silica scalling di lingkungan pembangkit listrik ini berasal dari perbaikan

pipa.

Fluida panas bumi adalah suatu larutan yang mengandung berbagai unsur

kimia. Proses pelarutannya terjadi pada kondisi reservoir, yaitu tekanan dan

temperatur yang tinggi. Pada saat fluida diproduksi, terjadi dua proses yang

kondusif untuk terjadinya silica scaling, yaitu penurunan temperatur dan flashing.

Penurunan temperatur menyebabkan kelarutan sebagian besar senyawa kimia

termasuk silika menjadi berkurang, sedangkan flashing yang terjadi akibat adanya

penurunan tekanan akan meningkatkan konsentrasi senyawa kimia yang terlarut

karena terjadinya perubahan fasa air menjadi uap. Faktor lain yang memengaruhi

pembentukan scale adalah besarnya laju alir fluida yang diproduksi.

Dalam reservoir panas bumi terdapat kesetimbangan silika dalam bentuk

quartz sesuai reaksi:

SiO2 (s) + 2H2O (quartz) ⇔ H4SiO4 (aq)

 18

Pengendapan silika yang terjadi pada permukaan dengan temperatur yang

lebih rendah dari temperatur reservoir dikontrol oleh kesetimbangan dengan silika

amorf yang bersifat lebih larut daripada quartz. Hubungan antara kelarutan silika

amorf dengan temperatur ditunjukkan oleh persamaan Fournier dan Rowe:

log C = 4,52 – (731/T)……………………….........(2.1)

dengan C dan T masing-masing adalah konsentrasi quartz (mg/kg) dan temperatur

(Kelvin).

Seperti quartz, kelarutan silika amorf juga dipengaruhi oleh salinitas dan pH.

Jika salinitas meningkat, kelarutan silika amorf menjadi turun. Pada konsentrasi

yang rendah (salinitas < 0,1 m), pengaruh salinitas menjadi kecil. Kelarutan silika

amorf meningkat tajam apabila fluida bersifat alkalis (pH tinggi), tetapi untuk fluida

yang bersifat netral dan asam pengaruh pH menjadi sangat kecil .

Parameter penting dalam hubungannya dengan pengendapan silika adalah

silica saturation index (SSI) yang merupakan perbandingan antara konsentrasi

silika dalam larutan dengan kelarutan silika amorf pada kondisi yang sama.

Parameter SSI dapat digunakan untuk memperkirakan kemungkinan terjadinya

silica scalling, yaitu dengan kriteria sebagai berikut :

 Bila SSI>1, fluida dalam kondisi supersaturasi dan pengendapan silika

dimungkinkan.

 Bila SSI=1, fluida dalam kondisi jenuh (tersaturasi)

 Bila SSI<1, fluida dalam kondisi tidak jenuh (undersaturasi), sehingga tidak

mungkin terjadi pengendapan silika.

 19

2.3 Piezoelektrik

Istilah piezoelektrik berasal dari bahasa Yunani, yaitu “piezo” atau “piezin”

yang berarti tekanan, sedangkan elektrik berarti arus listrik [29]. Efek piezoelektrik

adalah kemampuan bahan kristalin untuk mengembangkan muatan elektrik yang

proporsi dengan sebuah tegangan mekanik yang mengenainya [30]. Bahan

piezoelektrik pertama kali ditemukan oleh Jacquez dan Pierre Curie pada tahun

1880 yang menemukan bahwa tekanan menghasilkan muatan listrik di beberapa

bahan kristal, yang kemudian dinamakan efek piezoelektrik [27]. Gambar 2.9

menjelaskan bahwa sel unit quartz memiliki struktur atom yang spesifik yaitu

kisinya berbentuk tetrahedron, terdiri dari atom oksigen disekitar atom silika. Setiap

atom oksigen memiliki jarak yang sama dengan atom silika, dan jarak antara atom

oksigen semuanya sama. Sehingga apabila diberikan tekanan akan menyebabkan

polarisasi dan menghasilkan medan listrik [28].

Gambar 2. 9 Struktur quartz contoh bahan piezoelektrik[28]

Piezoelektrik merupakan peristiwa adanya muatan listrik di dalam bahan-

bahan padat sebagai bentuk respon terhadap tegangan mekanik. Prinsip yang sama

juga berlaku sebaliknya, jika medan listrik diterapkan pada suatu material, material

tersebut akan mengalami tegangan mekanik [29].

 20

Gambar 2. 10 Efek Piezoelektrik [29]

Terjadinya efek piezoelektrik ditunjukkan pada Gambar 2.10. Suatu keramik

dengan polaritas seperti gambar (a) dikenai tekanan mekanis seperti gambar (b)

menyebabkan beda tegangan dengan polaritas yang sama seperti keramik tersebut.

Kemudian keramik dikenai regangan mekanis seperti gambar (c) menyebabkan

beda tegangan dengan polaritas yang berkebalikan dengan polaritas asli keramik.

Sebaliknya, ketika keramik tersebut dihubungkan dengan sumber AC ketika

polaritas sumber berkebalikan dengan polaritasnya, keramik tersebut akan

meregang seperti yang terlihat pada gambar (d), dan ketika polaritas sumber sama

seperti polaritas keramik maka dimensi bahan tersebut akan mengecil [29].

2.3.1 Bahan Piezoelektrik

Bahan piezoelektrik hanya ada pada kristal zat yang termasuk dalam jenis

kristal non-sentrosimetri ditunjukan pada Gambar 2. 11 (b). Umumnya mineral

alam, mineral yang terbentuk secara antropogenik di dalam permukaan bumi,

memiliki struktur kristal centrosymmetric atau dengan kata lain tidak memiliki sifat
 21

piezoelektrik. Contohnya seperti kalsit, gipsum, halit, feldspar, hematit, dan rutil.

Quartz, kristobalit, dan beberapa bentuk tridimit adalah piezoelektrik karena

struktur mereka tidak memiliki pusat inversi simetri dan sisi permukaan yang lain

memiliki perbedaan struktur dan membawa muatan listrik yang berlawanan.

Gambar 2.11 a) Sentrosimetris, diberikan dan tidak diberikan gaya mekanis tidak

ada perubahan polarisasi listrik. b) non-sentrosimetris diberikan dan tidak

diberikan gaya mekanis terjadi perubahan polarisasi listrik [37]

Bahan dalam keadaan kristal biasanya tidak terbuat dari molekul. Biasanya

materi ada sebagai ion, partikel yang bermuatan negatif atau positif. Ketika tidak

ada gaya yang diterapkan di seluruh kristal, jumlah total muatan positif dan negatif

adalah sama sehingga kristal itu netral secara listrik.

Dalam bahan yang memiliki sifat piezoelektrik, ion bergerak dengan mudah

di sepanjang beberapa sumbu daripada yang lain. Gaya menghasilkan perpindahan

ion sedemikian rupa sehingga permukaan kristal yang berlawanan akan memiliki

muatan listrik yang berlawanan. Ketika kristal selesai melalui impedansi tinggi,

muatan ini mengalir dan menghasilkan arus listrik yang dapat diukur. Ketika

muatan diterapkan pada kristal dengan sifat piezoelektrik, tekanan listrik

menyebabkan perubahan bentuk kristal.

 22

2.3.2 Aplikasi Piezoelektrik

Aplikasi piezoelektrik dalam perkembangan zaman saat ini sudah mulai

banyak dieksplorasi, seperti halnya untuk menjawab permasalahan keterbatasan

energi piezoelektrik. Piezoelektrik dapat menjadi salah satu solusi terbaharukan

dengan menjadi sumber energi terbaharukan. Dalam dunia sensor, piezoelektrik

banyak berperan, dan aplikasi yang akan dibahas adalah sensor piezoelektrik

resonansi. Salah satu pemanfaatan sensor piezoelektrik resonansi adalah alat untuk

mengukur jaringan tipis (termasuk kulit manusia). Aplikasi ini memanfaatkan

getaran yang dihasilkan dari sifat piezoelektrik.

Kulit adalah organ yang paling penting dan yang paling sensitif di tubuh

manusia. Kulit adalah mode komunikasi pertama dan merupakan perlindungan

paling efektif. Selain itu, kulit adalah salah satu organ tubuh dengan permukaan dan

massa terbesar, yaitu untuk orang dewasa sekitar 2m2 dan 5kg. Sejak tahun 80-an,

kulit mulai banyak meningkatkan minat banyak peneliti, terutama di bidang berikut:

 penelitian medis untuk perawatan dan deteksi penyakit kulit dan kanker;

 penelitian bedah, baik dalam tujuan korektif atau kosmetik, yang

membutuhkan pemahaman yang lebih baik tentang perilaku mekanik;

 penelitian farmakologis untuk mengembangkan metode baru dalam

administrasi perawatan;

 penelitian dermo-kosmetik untuk lebih memfokuskan pada pengembangan

produk anti-penuaan [37].

Sensor sentuhan pegas dengan sensor perpindahan telah dilaporkan sesuai

untuk penilaian sifat fisik, kekakuan dan elastisitas non-invasif kulit manusia in

vivo. Instrumen ini mampu mendeteksi perubahan kekakuan dan sifat elastis terkait
 23

kulit manusia, terkait usia, variasi sehari-hari dan aplikasi kosmetik. Sensor taktil

terdiri dari vibrator piezoelektrik dengan pickup getaran dan elektronik yang

terhubung ke PC. Perubahan frekuensi ketika sensor terpasang ke objek diukur.

Sensor perpindahan terintegrasi menunjukkan kompresi pegas yang memuat

elemen sensor terhadap objek selama pengukuran. Untuk tekanan kontak tetap,

perubahan frekuensi untuk impedansi akustik objek yang diukur dapat dikaitkan

dengan kekakuan jaringan lunak. Hasil percobaan diperoleh pada permen karet dan

kulit wanita sehat [45].

2.3.3 Analisa Impedansi Piezoelektrik

Sifat penting bahan piezoelektrik dirangkum dalam frekuensi resonansinya,

dan cara paling efisien untuk menemukan spesifikasi dan sifat piezoelektrik adalah

dengan mempelajari respon frekuensi impedansinya [31-33]. Gambar. 2. 12

mengilustrasikan impedansi piezoelektrik sampel sebagai fungsi dari frekuensi.

Seperti yang ditunjukkan gambar, perangkat piezoelektrik biasanya memiliki dua

jenis resonansi listrik, yang pertama dikenal sebagai frekuensi resonansi (fr) dan

yang lainnya dikenal sebagai frekuensi anti-resonansi (fa) [33].

Dalam beberapa tahun terakhir, berbagai pendekatan telah diperkenalkan

untuk mendapatkan karakteristik impedansi piezoelektrik [31, 32, 34 -40].

Pengetahuan tentang karakteristik impedansi seperti itu penting untuk, pemantauan

struktur yang baik [40, 41] dan untuk pemodelan rangkaian listrik [36, 38] dari

perangkat piezoelektrik. Dalam hal aplikasi daya tinggi, pengetahuan tentang

karakteristik impedansi sangatlah penting sehingga kinerja transmisi maksimum

dapat dicapai [35, 42-34]. Dengan kata lain, pada frekuensi resonansi, elemen
 24

piezoelektrik yang mengubah energi listrik menjadi mekanik energi haruslah yang

paling efisien, sehingga perlu untuk secara akurat mengekstrak frekuensi yang

didapat dan menstimulasikan pada sistem dengan tepat.

fa
Impedansi (kΩ)

fr

Frekuensi (kHz)

Gambar 2. 12 Resonansi dan anti resonansi frekuensi pada hasil frekuensi

impedance piezoelektrik [43]

Impedansi listrik adalah karakteristik yang membedakan elemen

piezoelektrik. Ini berbeda secara substansial dari impedansi elemen dielektrik non-

piezoelektrik ketika didorong pada frekuensi yang cukup tinggi. Perbedaannya

berasal dari kopling input energi listrik ke output gerak mekanis.

Impedansi listrik didefinisikan sebagai penurunan tegangan pada suatu

elemen dibagi dengan arus melalui elemen. Untuk elemen piezoelektrik (geometri

sederhana), impedansi listrik pada rentang frekuensi yang diberikan akan tampak

serupa dengan Gambar 2. 12 dan Gambar 2. 13.

 25

Gambar 2. 13 Impedansi piezoelektrik yang mnyatakan sifat piezoelektrik (red)

dan non piezoelektrik (blue) [43]

Gambar 2. 13 menjelaskan impedansi untuk elemen non-piezoelektrik

(dengan bentuk dan sifat dielektrik yang sama) juga ditunjukkan dengan warna biru.

Kehadiran resonansi listrik dan anti-resonansi membuat impedansi piezoelektrik

unik. Hasil resonansi dari sinyal input listrik menarik resonansi mekanik dalam

elemen piezo. Untuk setiap resonansi mekanik dalam elemen piezo, pasangan

resonansi / anti-resonansi akan ada dalam impedansi [43].

2.4 Perhitungan Magnitudo Aktual

Tahap awal dalam pengukuran impedansi untuk setiap titik frekuensi dengan

chipset AD5933 adalah menghitung magnitudo dari DFT(Discrete Fourier

Transform) untuk titik frekuensi tersebut oleh mikrokontroller. Magnitudo

DFT(Discrete Fourier Transform) diberikan oleh Persamaan(2)

Magnitudo  Re2  Im2 ………….……………..(2.2)

Dengan:

Re : nilai real yang disimpan di pada chipset.

Im: nilai imajiner yang disimpan chipset.

 26

Perlu diketahui bahwa nilai real (Re) dan imajiner (Im) tersebut merupakan

hasil dari komputasi DFT (Discrete Fourier Transform) dan bukan merujuk pada

nilai dari komponen resistif dan nilai komponen reaktif dari device. Sebagai contoh,

kesalahpahaman tersebut sering kali terjadi apabila pengguna menganalisa

rangkaian RC seri maka nilai real pada register 0x94 dan 0x95 dan nilai imajiner

pada register 0x96 dan 0x97 adalah untuk nilai resistansi R dan reaktansi X c [45].

Untuk memperoleh nilai magnitudo aktual dari DEVICE (|Z|), perhitungan

magnitudo DFT yang dihasilkan harus dikalikan dengan faktor scalling atau disebut

dengan gain factor (GF). Gain factor dihitung selama proses kalibrasi sistem

terhadap impedansi device yang diketahui (rekomendasi : resistor) dan

dihubungkan ke pin VOUT dan pin VIN. [45]

Pengguna harus melakukan kalibrasi sistem AD5933 sebelum melakukan

pengukuran terhadap variasi DEVICE kompleks. Gain factor diperoleh dengan

menempatkan resistor kalibrasi yang diketahui nilai impedansi nya kemudian

menghitung magnitudo dari DFT(Discrete Fourier Transform). [45]

Sistem AD5933 perlu mengatur gain agar eksitasi sinyal pada ADC (Analog

to Digital Converter) di receive stage berada pada daerah yang linear sehingga

tidak terjadi saturasi. Saat nilai gain factor telah dihitung, maka perhitungan untuk

memperoleh nilai magnitudo aktual |Z| dari variasi sistem device dapat

dilakukan.[45]

Gain factor dihitung mengikuti Persamaan(3).

 1 
 
Gain Factor   RCAL  ……..…………………..(2.3)
Magnitudo DFT
 27

Dengan :

1
adalah nilai device yang diketahui (resistor kalibrasi).
RCAL

Magnitudo DFT (Discrete Fourier Transform) adalah hasil magnitudo dari

komputasi Re dan Im DFT (Discrete Fourier Transform).

Setelah perhitungan tersebut maka nilai Magnitudo aktual (|Z|) dari tiap

device mengikuti persamaan (4):

1
impedance  ……………….(2.4)
Gain factor x Magnitudo DFT

2.5 Perhitungan Fasa Aktual

Karena komputasi DFT (Discrete Fourier Transform ) mengembalikan

keluaran bilangan kompleks berupa nilai real (Re) pada register 0x94 dan 0x95 dan

nilai imajiner (Im) pada register 0x96 dan 0x97, pengguna (user) dapat pula

menghitung besaran fasa dari sinyal respon yang ditangkap kembali oleh chipset

AD5933 di receive stage tersebut. Besaran fasa dihitung mengikuti persamaan

(5)[45]

I
Fasa (rad )  tan 1  
 R  …………………………….(2.5)

Fasa yang dihitung menggunakan persamaan (5) diperoleh dari pergeseran

fasa antara keluaran eksitasi sinyal VOUT dari DDS yang melewati penguat internal

pada sisi pembangkitan dan sisi penerima AD5933, juga sistem device yang

terhubung diantara pin VOUT dan pin VIN. Parameter yang ingin diketahui oleh

banyak pengguna adalah magnitudo aktual (|Z|) dan fasa aktual (Z  ) dari deivce.

Pengukuran fasa aktual (Z  ) dilakukan dengan dua tahap. [45]

 28

Tahap pertama adalah menghitung fasa sistem dari AD5933. Fasa sistem

AD5933 diperoleh dengan menempatkan resistor kalibrasi pada pin VOUT dengan

pin VIN, kemudian fasa sistem dihitung mengikuti Tabel 2.3. Resistor kalibrasi

digunakan agar tidak menghasilkan fasa yang mendahului (lead) atau tertinggal

(lag) yang timbul pada internal AD5933. Sekali fasa sistem telah dikalibrasi oleh

resistor, tahap kedua adalah menghitung fasa untuk variasi device yang

dihubungkan di pin VOUT dengan pin VIN AD5933.

Kemudian menghitung kembali fasa yang baru (Fasa sistem dari variasi

DEVICE) mengikuti Tabel 2.3 Fasa aktual (Z  ) dari device kemudian dihitung

menggunakan persamaan (2.6) [45] :

Z  = unknown DUT  sistem  ……………..………(2.6)

Dengan :

unknown DUT : Merupakan fasa dari sistem akibat variasi device yang dihubungkan

antara pin VOUT dengan pin VIN.

sistem : Merupakan fasa dari sistem dengan resistor kalibrasi yang

dihubungkan antara pin VOUT dengan pin VIN.

(Z  ) : Merupakan fasa aktual dari sistem device yang diukur.

Saat menggunakan nilai real (Re) dan imajiner (Im) untuk menentukan fasa

pada setiap titik pengukuran, perlu diperhatikan ketika menggunakan fungsi tangen

invers pada persamaan (5). Fungsi tangen invers mengembalikan sudut fasa yang

sesuai dengan ketentuan trigonometri. Ketika tanda dari nilai real dan nilai imajiner

adalah positif, maka koordinat impedansi berada di kuadaran 1. Menurut kaidah

trigonometri, sudut fasa diambil berlawanan arah jarum jam dari sumbu-x positif
 29

real. Apabila tanda nilai real adalah positif dan nilai imajiner negatif, maka

koordinat impedansi berada di kuadran II , maka fungsi tangen invers bernilai

negatif dan perlu ditambahkan sejauh 1800 untuk menghitung nilai sudut yang

benar. [45]

Begitupula ketika nilai real dan nilai imajiner bernilai negatif , koordinat

impedansi berada di kuadran III , maka fungsi tangen invers dikembalikan ke dalam

nilai positif dan perlu ditambahkan sejauh 1800 untuk menghitung nilai sudut yang

benar. Terakhir, ketika nilai real positif dan nilai imajiner negatif, maka fungsi

tangen invers kembali bernilai negatif dan koordinat impedansi berada di kuadran

IV. Nilai tersebut perlu ditambahkan sejauh 3600 untuk menghitung nilai sudut yang

benar. Maka ketentuan trigonometri untuk sudut fasa yang benar bergantung kepada

nilai komponen real dan imajiner yang dirangkum dalam Tabel 2.3. Apabila

magnitudo aktual (|Z|) dan sudut fasa aktual (Z  ) telah diperoleh , maka dapat

dilakukan perubahan ke dalam bentuk rectangular sebagai nilai resistansi (R) dan

nilai reaktansi (X) dari device menggunakan analisa vektor dalam persamaan (7)

dan persamaan (8)[6].

Resistansi aktual device : | Z REAL || Z | x cos(Z ) …………………(2.7)

Reaktansi aktual device : | Z IMAJINER || Z | x sin(Z ) ………………(2.8)

Tabel 2. 3 Sudut Fasa[45]

Real Imajiner Kuadran Sudut Fasa

 I  180
0
Positif Positif I tan 1   x
R 
  I  180 
0
Negatif Positif II 1800   tan 1   x 
 R  
 30

  I  180 
0
Negatif Negatif III 1800   tan 1   x 
 R  

  I  180 
0
Positif Negatif IV 3600   tan 1   x 
 R  

2.6 Intrumentasi

2.6.1 Spektoskopi Impedansi Elektrokimia

Spektroskopi impedans elektrokimia (EIS) adalah teknik karakterisasi yang

banyak digunakan di berbagai bidang seperti energi, elektrokatalisis, dan

kedokteran. [44] Dua faktor membuat EIS sangat menarik. Pertama, data EIS dapat

digunakan untuk mendapatkan properti fisik, seperti koefisien difusi dan laju reaksi

kimia, dan karakteristik mikrostruktur dari sistem elektrokimia (EC) yang diteliti

[44] Kedua, implementasi EIS Eksperimen relatif sederhana. Dalam penelitian ini

EIS digunakan untuk menganalisa frekuensi impedansi dari bahan piezo elektrik

melalu bode plot dan Nyquist plot.

Plot Nyquist juga dikenal sebagai plot Cole-Cole adalah salah satu format

paling kritis dan populer untuk mengevaluasi parameter elektrokimia seperti

resistansi larutan elektrolitik (Rs), resistansi polarisasi elektroda (Rp) dan

kapasitansi lapis ganda (Cdl), dll. Parameter ini harus berupa dibahas secara rinci

di bagian berikut. Plot Nyquist mewakili Z ′ (ω) dan Z ″ (ω) dalam bidang

kompleks. Di antara beberapa keunggulan plot Nyquist; perhitungan resistensi

solusi dengan mengekstrapolasi kurva ke sumbu x; efek yang dapat diamati dari

resistensi solusi; penekanan pada rangkaian seri; perbandingan hasil dari dua atau

lebih percobaan terpisah, adalah beberapa keuntungan utama. Salah satu kelemahan
 31

utama plot Nyquist adalah bahwa informasi tentang frekuensi hilang yang membuat

perhitungan CDL menjadi rumit.

Bode plot mewakili Z mutlak (ω) dan sudut fase θ (ω) dalam domain

frekuensi. Karena frekuensi muncul di salah satu sumbu, efek spektrum pada

impedansi dan penyimpangan fasa jelas. Nilai Rs, Rp, Cdl dan frekuensi, di mana

pergeseran fasa θ (ω) maksimum / minimum, dapat dievaluasi menggunakan plot

Bode. Format ini diinginkan ketika data-scatter mencegah ftting yang memadai dari

plot Nyquist. Karena tepi ini, para peneliti menyatakan Bode plot sebagai deskripsi

yang lebih jelas dari perilaku bergantung frekuensi sel elektrokimia dibandingkan

dengan plot Nyquist.. Untuk memahami signifikansi dan metode untuk

mengekstraksi parameter sel elektrokimia, model sel elektrokimia Randle

digunakan untuk menyimpulkan rangkaian ekivalen untuk sel elektrokimia yang

sedang diuji. Teknik ftting curve Complex Nonlinear Least Square (CNLS)

diterapkan untuk mengekstrak parameter rangkaian dan komponen ekuivalen.

2.6.2 XRF (X-Ray Fluorescence)

X-Ray Fluorescence (XRF) merupakan teknik analisa non-destruktif yang

digunakan untuk identifikasi serta penentuan konsentrasi elemen yang ada pada

padatan, bubuk ataupun sample cair. XRF mampu mengukur elemen dari berilium

(Be) hingga Uranium pada level trace element, bahkan di bawah level ppm. Secara

umum, XRF spektrometer mengukur panjang gelombang komponen material

secara individu dari emisi flourosensi yang dihasilkan sampel saat diradiasi dengan

sinar-X [46].
 32

Metode XRF secara luas digunakan untuk menentukan komposisi unsur suatu

material. Karena metode ini cepat dan tidak merusak sampel, metode ini 39 dipilih

untuk aplikasi di lapangan dan industri untuk kontrol material. Tergantung pada

penggunaannya, XRF dapat dihasilkan tidak hanya oleh sinar-X tetapi juga sumber

eksitasi primer yang lain seperti partikel alfa, proton atau sumber elektron dengan

energi yang tinggi [47]. Apabila terjadi eksitasi sinar-X primer yang berasal dari

tabung X ray atau sumber radioaktif mengenai sampel, sinar-X dapat diabsorpsi

atau dihamburkan oleh material. Proses dimana sinar-X diabsorpsi oleh atom

dengan mentransfer energinya pada elektron yang terdapat pada kulit yang lebih

dalam disebut efek fotolistrik. Selama proses ini, bila sinar-X primer memiliki

cukup energi, elektron pindah dari kulit yang di dalam sehigga menimbulkan

kekosongan. Kekosongan ini menghasilkan keadaan atom yang tidak stabil.

Apabila atom kembali pada keadaan stabil, elektron dari kulit luar pindah ke

kulit yang lebih dalam dan proses ini menghasilkan energi sinar-X yang tertentu

dan berbeda antara dua energi ikatan pada kulit tersebut. Emisi sinar-X dihasilkan

dari proses yang disebut X Ray Fluorescence (XRF). Proses deteksi dan analisa

emisi sinar-X disebut analisa XRF. Pada umumnya kulit K dan L terlibat pada

deteksi XRF. Sehingga sering terdapat istilah Kα dan Kβ serta Lα dan Lβ pada

XRF.
 BAB III

METODE PENELITIAN

3.1 Diagram Alir Penelitian

Secara umum penelitian ini terdiri dari beberapa tahap yaitu tahap pembuatan

bahan kering dari endapan silika, tahap penumbuhan kristal dari silika amorf yang

telah dikeringkan, tahap karakterisasi kristal, tahap pembuatan pelet piezoelektrik

serta tahap uji sifat dan karakterisasi bahan piezoelektrik bahan dari endapan silika

silika. Alur penelitian ditunjukkan pada Gambar 3.1.

Gambar 3. 1 Diagram Alir Penelitian

33
 34

3.2 Alat dan Bahan

1. Oven 6. Neraca timbangan

2. Furnace 7. Cetakan Pelet Silinder r= 1mm

3. Press Hidraulik 8. Kuas

4. Spatula 9. Elektrode

5. Mesh 400 10. Cawan

Bahan yang digunakan pada penelitian yaitu limbah endapan silika di PLTP Dieng.

3.3 Prosedur

3.3.1 Prosedur Pembuatan Bahan Kering dari Endapan Silika Alam dan

Pembentukan kristal

Limbah silika dari PLTP Dieng dikeringkan menggunakan oven dengan suhu

60℃ dengan waktu 24 jam. Hasil pengeringannya kemudian di gerus sehingga

menjadi bubuk. Setelah itu bahan disaring menggunakan mesh 400. Hasil saringan

tersebut di analisa unsur yang terkandung dengan menggunakan XRF. Data unsur

dalam konsentrasi %masa yang di analisa adalah sebagai berikut:

1. Fe 8. Na 15. S

2. Mg 9. Ca 16. Ba

3. Cl 10. Ti 17. SiO2

4. P 11. Cr 18. Au

5. K 12. Mn 19. La

6. Zn 13. Co 20. A

7. Cu 14. Ni
 2

Setelah itu bahan di bakar dengan furnace dengan berat bahan pada tiga

cawan masing-masing 40 gram ( berat cawan + bahan maksimal rata-rata yang

didapatkan). Suhu kalsinasi 900℃ , 1200 ℃, 1500℃ dengan waktu penaikan

10℃/menit dan pemanasan selama 2 jam. Hasil dari pembakaran masing-masing di

analisa menggunakan XRF.

3.3.2 Prosedur Pembuatan Bahan Pelet Piezoelektrik

Pembuatan bahan pelet piezoelektrik dilakukan dengan menggunakan alat

tekan hidrolik. Rata-rata bahan piezoelektrik memiliki kerapatan sebesar 7800

kg/m3. Penelitian ini diusahakan mendekati kerapatan tersebut karena keterbatasan

alat. Untuk melakukan press hidroulik ini di lakukan dua perlakuan yaitu tebal

bahan sebesar 5 mm, dan volume sebesar 3,14 cm2 dengan geometri berbentuk

tabung/ seperti koin. Tekanan yang di berikan dari alat sebesar 10 TON.

3.3.3 EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy)

Sebelum dimulai untuk karakterisasi menggunakan EIS perlu disiapkan

bahan aktif piezoelektrik yang telah berbentuk pelet dengan menggunakan dua

elektroda yang telah di cek hambatan yang palling minimum. Untuk hambatan yang

minimum dari beberapa pemilihan elektroda yaitu elektroda dari kawat mesh

sebesar 0,425 ohm. Dua elektroda tersebut akan mengapit bahan aktif piezoelektrik

yang telah berbentuk pelet, yang terlihat seperti pada Gambar 3.2
 3

\
Gambar 3. 2 Desain sandwich elektroda dan bahan aktif piezoelektrik

Setelah desain dibentuk barulah karakterisasi dan uji sifat bahan piezoelektrik

dengan menggunakan EIS. EIS yang digunakan pada penelitian ini yaitu EIS yang

didalamnya terdapat chipset AD5933. Chipset AD5933 merupakan sistem

pengkonversi impedansi yang mengombinasikan pembangkit sinyal sinusoid

dengan mesin Digital Signal Processing (DSP) dalam satu perangkat.

Pada desain EIS terlihat pada Gambar 3.3 dengan 2 elektroda yaitu satu

elektroda adalah counter elecrtode dan yang satunya working elektrode. Ketika saat

dimulai alatnya maka data akan ditampilkan pada display dan di tuliskan nilai yang

didapatkan, nilai yang didapatkan berupa nilai yang dikeluarkan dari Chipse

AD5933, yaitu dua nilai konstanta yang telah di kalibrasi yaitu Real dan Imajiner.

Sesuai dengan definisa Chipset AD5933 mengonversi impedansi sehingga kedua

nilai tersebut dapat di hitung manual menggunakan rumus sehingga mendapatkan

|𝑍|, fasa, magnitute, Z’(real), dan Z’’(imajiner).

Gambar 3. 3 Set Up Bahan EIS (Electrochemical Impedance Spectroscopy)

 4

Data yang digunakan untuk rentang frekuensi 10- 200 kHz dengan masukan

sinyal sinusoidal. Plot data yang digunakan tiap kenaikan 10 kHz karena

keterbatasan dari alat tersebut. Hasil dari EIS tersbut baru di analisa untuk

menentukan apakah bahan yang diuji bersifatat piezo atau tidak. Untuk teori dasar

untuk menganalisa telah dijelaskan pada bab sebelumnya.

 BAB IV

HASIL DAN PEMBAHASAN

4.1 Analisa Prosedur Pembuatan Bahan Kering dari Endapan Silika Alam

dan Pembentukan kristal

Limbah pengendapan silika pada PLTP Dieng umumnya di dominasi dengan

silika amorf. Hal ini dapat terjadi karena adanya perbedaan suhu pada reserfoar dan

pipa uap. Limbah silica scaling dioven dengan suhu 60 C selama 24 jam. Sebelum

dikeringkan beratnya sekitar 400 gram setelah di keringkan berkurang 10 gram.

Gambar 4.1 memperlihatkan analisa XRF untuk bahan yang kering diakibatkan

pemanasan pada oven. Kadar air merupakan salah satu sifat dari bahan yang

menunjukkan banyaknya air yang terkandung di dalam bahan. Panas membuat

kadar air pada bahan berubah menjadi uap, pada saat pengeringan bahan silika pada

oven maka kelembaban bahan akan tergantung pada suhu dan waktu. Menurut hasil

percobaan, berat kadar air yang berkurang sebanyak 10 gram. Hasil dari pemanasan

pada oven membuat bahan menjadi kering dan padat dibandingkan sebelumnya

yang masih berupa koloid

5
 6

Tabel 4. 1 Hasil karakterisasi XRF pada limbah endapan

silika yang dikeringkan.

Pada Tabel 4.1 menunjukkan bahwa berat massa untuk SiO2 sebesar 85,9%.

Pada percobaan ini unsur Mg (Magnesium) dan Ba (Barium) tidak terdeteksi ini.

Hal ini dapat terjadi ketika ada pengotor yang terdeteksi ketika percobaan.

Persentase berat masa unsur Cl dan S masing-masing adalah 5,4 %. Dan 2,38%.

Dalam kenyataannya dalam silika alam memang bisa berubah ubah dalam

tiap sampel namun hal yang menjadi bahasan dapal penelitian ini untuk melihat

hubungan unsur dengan pertumbuhan kristal perlu kajian lebih lanjut, namun pada

hasil yang didapatkan untuk unsur silika pada bahan limbah silika dieng tingkat

kemurniannya tinggi.
 7

4.2 Analisa Pertumbuhan Serta Identifikasi Kristal Dari Bahan

Pada kristalisasi dilakukan penyaringan menggunakan mesh 400 terlebih

dahulu ukuran mesh 400 dapat membuat ukuran partikel bahan menjadi 37

mikrometer. Hal ini dilakukan untuk mempermudah proses kalsinasi. Ukuran

partikel yang tidak besar diharapkan membuat lebih efisien dalam pembakaran.

Bahan dengan ukuran partikel tersubut apabila dilakukan perlakuan untuk

dipanaskan dengan aktivator maupun tidak dapat lebih mudah bereaksi karena

volume tiap partikel tersebut dengan mudah dapat tercampur dengan bahan yang

menjadi aktivator atau yang dikenakan suhu berbeda. Untuk percobaanya sendiri

teknik shaker dilakukandengan kuas dan teknik pemukulan bahan dan penyebaran

sehingga penyebaran lebih merata.

Tabel 4. 2 Hasil karakterisasi XRF pada bahan yang dibakar

pada suhu 900C, 1200C, 1500C

 8

Tabel 4.2 menunjukkan kenaikan persenatase massa silika pada suhu 900C

dipengaruhi oleh suhu kalsinasi. Temperatur mempengaruhi ukuran partikel serta

struktur membuat lebih rapat dan berkumpul pada stu titik, sehingga ketika

dilalkukan analisa XRF terdeteksi persenatase yang tinggi. Prinsip kerja XRF

adalah menembakan sinar X pada bahan. Partikel yang besar dan struktur yang rapat

membuat respon dari tembakan sinar X menjadi tinggi, sehingga berakibat pada

nilai persentase massa pada bahan silika.

Tabel 2.2 menunjukkan peningkatan persentase massa pada bahan dengan

suhu kalsinasi 1200 ℃ sebesar 95,5% lalu tutun sebesar 8,5% pada suhu kalsinasi

1500℃ menjadi 87 %. Hal ini terjadi disebabkan oleh pengaruh suhu dapat

membuat partikel dan penyusunnya berubah. Pada suhu 1200℃ umumnya bahan

memiliki struktur yang rapih dan menyebar sehingga pada saat inilah peresentase

massa silika tinggi. Namun pada suhu 1500℃ penyusun kristal mulai berkelompok

kembali dengan teratur sehingga ketika sinar ray mengenai bahan maka akan ada

oengurangan persentase massa silika. Dari sifat fisis dari ketiga bahan tersebut

kepadatannya pun bertambah seiring dengan perlakuan suhunya bertambah ini

diakibatkan dengan struktur kristal yang menjadi lebih teratur

4.3 Hasil Pembentukan bahan pelet Piezoelektrik

Geometri berbentuk tabung/koin dengan jari-jari 1 cm dan tinggi 2 mm.

Pembuatan bahan piezoelektrik dengan kerapatan 7800 kg/m3 dibantu dengan alat

press hidrolik dengan tekanan lebih dari 14 kPa. Namun dalam pembuatannya,

tekanan tersebut tidak tercapai karena tekanan selama ini hanya sampai 0,7 kPa.
 9

Hasil dari pelet dengan tekanan 0,7 kPa sudah dapat mempertahankan

geometrinya tanpa ada tekanan tambahan, namun kerapatannya kurang optimal

sehingga tidak mampu mempertahankan geometrinya ketika diberikan tekanan

yang besar. Untuk menjadi bahan aktif piezoelektrik, dibutuhkan kerapatan 7800

kg/m3 agar struktur kristal dari bahan tersebut dapat berfungsi apabila diberikan

tekanan dari luar. Hal ini disebabkan oleh bentuk dan susunan struktur kristal dapat

bergerak bersamaan sehingga menimbulkan beda potensial.

4.4 Analisa Sifat dan Karakterisasi Piezoelektrik

Tabel 4.1, Tabel 4.2, Tabel 4.3 menunjukan hasil EIS masing-masing bahan

dengan suhu kasinasi 900℃, 1200℃, dan 1500℃ dalam rentang frekuensi 10-200

kHz. Seperti yang telah dijelaskan sebelumnya nilai dari cipset akan menjadi nilai

penting untuk konversi impedansi.

Tabel 4. 3 Hasil EIS untuk bahan yang dikalsinasi pada suhu 900℃
 10

Tabel 4. 4 Hasil EIS untuk bahan yang dikalsinasi pada suhu 1200℃

Tabel 4. 5 Hasil EIS bahan yang dikalsinasi pada suhu 1500℃

Hasil EIS tersebut terbagi menjadi tiga bagian bahasan, yaitu respon impedansi

terhadap frekuensi, fasa tehadap frekuensi, dan plot nyquist

 11

a. Impedansi terhadap frekuensi

Respon impedansi terhadap frekuensi dari bahan yang dibakar dengan suhu kasinasi

900℃, 1200℃, dan 1500℃ ditunjukan pada Gambar 4.1.

Gambar 4. 1 Respon Impedansi terhadap frekuensi pada bahan yang dibakar

dengan suhu 900 ℃, 1200 ℃, 1500 ℃

Apabila diamati respon impedansi setiap bahan pada Gambar 4.1 ketiga

bahan memiliki respon impedansi yang fluktuaktif artinya terdapat nilai impedansi

yang berkurang dan seketika nilainya bertambah. Hal tersebut adalah ciri dari
 12

rangkaian osilator dimana apabila kita kaitkan seolah-olah ketiga bahan tersebut

memiliki sifat rangkaian osilator. Rangkaian osilator memiliki komponen

R(Resitansi), L(Induktansi), C(Kapasitansi). Untuk rentang frekuensi masing-

masing pada tiap bahan yang memiliki respon osilator yaitu

 bahan 900 ℃ tanggapan frekuensi dari 110-150 kHz.

 Suhu 1200℃ pada rentang frekuensi 60 kHz-200 kHz.

 Suhu 1500℃ pada rentang frekuensi 110 kHz-200 kHz

Pada rangkaian osilator komponen L(Induktansi) dan C(Kapasitansi)

berperan aktif membuat respon osilator dan R(Resitansi) selaku peredam. Apabila

kita liat nilai impedansi pbahan yang dibakar dengan suhu 900 ℃ pada rentang

frekuensi 110 – 150 kHz akan terlihat seperti pada Gambar 4.2

RESPON
IMPEDANSI
5020 TERHADAP
5000
FREKUENSI
IMPEDANSI (OHM)

4980
4960
4940
4920
4900
4880
110 120 130 140 150
FREKUENSI KHZ

Gambar 4. 2 Bode Plot dengan rentang 110-150 kHz

Dimana mula-mula nilai impedansi berkurang ketika frekuensi dinaikan

hingga pada frekuensi 120 kHz, akibatnya dengan berkurangnya tahanan maka arus

semakin membesar seiring meningkatnya frekuensi. Ini sesuai dengan sifat

rangkaian kapasitor, apabila rangkaian kapasitor diberikan frekuensi tinggi maka

 13

sifat untuk charge and discharge dalam kapasitor jadi tidak sempat sehingga nilai

tegangan pada output akan mengecil dan arus membesar. Apabila frekuensi mula-

mula kecil dan mendekati 0 akibatnya reaktansi kapasitor (XC) menjadi dominan

menurut rumus (1/(𝜔C). Oleh karena itu, pada Gambar 4.2 pada rentang frekuensi

110 kHz hingga 120 kHz bersifat rangkaian kapasitor. Nilai impedansi ketika

frekuensi 120 kHz merupakan impedansi minimum. Titik dimana menjadi

peralihan antara impedansi yang berkurang dan meningkat itu disebut dengan

frekuensi resonansi seri atau frekuensi resonansi. Frekuensi resonansi ketika XL =

XC.

Pada frekuensi 120 – 130 kHz meningkat nilai impedansi. Dengan

meningkatnya nilai tahanan arus yang masuk menjadi kecil. Ini sesuai dengan sifat

rangkaian induktor. Rangkaian induktor jika diberikan frekuensi tinggi maka sifat

untuk mengumpulkan arus pada kumparannya menjadi kecil sehingga nilai arus

yang mengalir menjadi sedikit. Apabila frekuensi ditingkatkan hingga mendekati

∞ akibatnya reaktansi induktor (XL) menjadi dominan menurut rumus ((𝜔L). Oleh

karena itu, pada Gambar 4.2 pada rentang frekuensi 110 kHz hingga 120 kHz

bersifat rangkaian induktor. Nilai impedansi ketika rekuensi 130 kHz merupakan

impedansi maksimum. Peralihan ini disebut dengan Resonansi paralel atau

frekuensi anti- resonansi.

Tanda adanya resonansi dan anti resonansi pada tiap bahan mengindikasikan

bahan tersebut berosilator ketika diberikan sinyal AC dan menghasilkan polaritas

berbeda-beda tiap kenaikan frekuensi, hal ini sama dengan sifat piezoelektrik. Jika

terlihat pada Gambar 4.1 ketiga bahan yang memiliki banyak osilasi yaitu pada

bahan yang dikalsinasi dengan suhu 1200℃, suhu memengaruhi perubahan kristal
 14

dan kristal memengaruhi sifat bahan. Sepertihalnya rangkaian osilator RLC tiap

komponen mewakili sifat dari tiap bahan sehingga faktor suhu memengarhi sifat

piezoelektrik.

b. Fase terhadap frekuensi

Respon fasa terhadap frekuensi dari bahan yang dibakar dengan suhu kasinasi

900℃, 1200℃, dan 1500℃ ditunjukan pada Gambar 4.8.

 15

Gambar 4. 3 Respon fasa terhadap frekuensi pada bahan yang dibakar

dengan suhu 900 ℃, 1200 ℃, 1500 ℃

Apabila diamati respon fasa setiap bahan pada Gambar 4.3 ketiga bahan

memiliki respon fasa yang fluktuaktif artinya karena bahan memiliki tahanan yang

berubah begitu juga dengan fasanya. Sama seperti analisa impedansi fasa juga

diaalogikan memiliki rangkaian osilator dan memiliki komponen R(Resitansi),

L(Induktansi), C(Kapasitansi). Untuk rentang frekuensi masing-masing pada tiap

bahan yang memiliki respon osilator yaitu

 bahan 900 ℃ tanggapan frekuensi dari 110-150 kHz.

 Suhu 1200℃ pada rentang frekuensi 60 kHz-200 kHz.

 Suhu 1500℃ pada rentang frekuensi 110 kHz-200 kHz

Perubahan Fasa berarti perbedaan pergeseran arus dan tegangan, dan dapat

dicari nilainya dengan menghitung dengan persamaan(5). Apabila diperhatikan

pada setiap respon fasa, nilai awal fasanya bernilai negatif. Nilai negatif dari awal

fasa kemungkinan berasal dari sumber sinyal input AC yang berbentuk sinusoidal.

Apabila sinyal sinus yang bertemu dengan hambatan total (impedansi pada

rangkaian RLC) menurut kaidah sinyal sinus maka pergeseran fasanya bernilai

negatif. Pada frekuensi dengan nilai perbedaan fasa yang bernilai negatif

mengindikasikan sifat kapasitif. Pada rangkaian kapasitif arus mendahului

tegangan, yang artinya tengangan akan berubah ketika arus berubah nilainya.

Pada bahan yang dibakar dengan suhu 900 ℃ dan 1500 ℃ menampilkan

respon fasa yang hampir sama dimana awalnya fasa bersifat kapasitif. Kemudian

semakin bertambah frekuensi hingga 100 kHz perubahan fasa semakin mengecil.

Sifat kapasitif yang telah di tentukan pada pembahasan impedansi memperlihatkan

 16

arus membesar dan tegangan kecil. Seiringnya bertambah frekuensi maka sifat

induktansi bertambah berakibat pada perubahan arus dan tegangan. Perbedaan arus

dan tegangan mengakibatkan perubahan fasa yang semakin mengecil. Namun pada

frekuensi 100 kHz setiap bahan memiliki sifat yang sama yaitu perubahan fasa dari

negatif menjadi positif. Perubahan fasa menjadi positif kemungkinan diakibatkan

dari sifat bahan itu sendiri yang memengaruhi arus menjadi lebih besar sehingga

perbedaan dengan tegangan menjadi besar. Penjelasan ini dapat dibahas melalui

plot Nyquist pada Gambar 4.4. Pada Gambar 4.4 terlihat titik pertama pada kuadran

III yang artinya Z imajiner bernilai negatif apabila XL-XC bernilai negatif maka

yang dominan adalan reaktansi kapasitor jadi sesuai dengan respon impedansi pada

Gambar 4.1. Ketika frekuensi 120 kHz pada Gambar 4.4 berada pada kuadran IV

dan terdapat perpotongan garis impedansi yang artinya fasa di perpotongan tersebut

bernilai nol. Nilai nol artinya XL = XC atau titik resonansi dan mulai lah impedansi

imajiner dominan induktor.

Gambar 4. 4 Nyquist Plot bahan dengan kalsinasi pada suhu 900℃

 17

Gambar 4.3 memperlihatkan nilai respon fasa untuk bahan dengan kalsinasi

pada suhu 1200 ℃ sangatlah fluktuatif. Pada frekuensi 20 kHz- 90 kHz fasa bernilai

negatif dan mengindikasikan bersifat kapasitor, namun pada rentang tersebut nilai

fasa menjadi naik dan bertambah besar (nilai negatif menyatakan kuadran). Apabila

diliat pada Gambar 4.5 plot Nyquist pada titik pertama yaitu pada frekuensi 60 kHz

terdapat pada kuadran IV yang mengindikasikan imajiner negatif dan real positif.

Imajiner real adalah reaktansi dan sefasa dengan arus apabila diindikasi pada

quadran IV berarti arus mendahului tegangan. Sehingga pada frekuensi 60 kHz

terjadi sifat rangkaian kapasitor. Untuk frekuensi selanjutnya yaitu 70 pada Gambar

4.5 nyquist plot menunjukan pada kuadran I artinya sudah mulai bersifat induktor

ini sesuai dengan Gambar 4.1 pada bahan dengan suhu 1200℃ nilai dari respon

impedansi dari frekuensi 60 kHz – 70 kHz meningkat. Oleh karena itu sifat dari

rangkaian tersebut induktor.

Nyquist Bahan Silika Suhu 1200 ℃

400

300

200

100
Z Imajiner (kOhm)

-100

-200

-300

-400-350 -250 -150 -50 50 150 250 350

Z Real (kOhm)
 18

Gambar 4. 5 Nyquist bahan dengan kalsinasi pada suhu 1200℃

Nyquist Bahan Silika Suhu 900 ℃

8000

6000

4000
Z imaginer

2000

Series1
0
-6000 -4000 -2000 0 2000 4000 6000

-2000

-4000

-6000
Z real

Pada Gambar 4.3 terdapat nilai respon fasa untuk bahan dengan kalsinasi

dengan suhu 1500 ℃ . Nilai fasa tersebut sama dengan bahan yang dikalsinasi pada

suhu 900℃ . Pada frekuensi peningkatan impedansi nilai Nyquist berada pada

kuadrant I dan IV yang berarti stabil. Setiap nilai dalam imaginer positif belu tentu

bersifat induktor namun perlu dilihat arah laju frekuensi dan melihat apakah

tegangan didahulukan dengan arus atau sebaliknya.

 19

Nyquist Bahan Silika Suhu 1500 ℃

6

2
Z imaginer (kOhm)

-2

-4

-6

-8 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7

Z real (kOhm)

Gambar 4. 6 Nyquist bahan kalsinasi 1500℃

 BAB V

KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan

1. Pada prosedur pembentukan kristal didapatkan suhu kalsinasi yaitu 9000C

dengan penaikan suhu 100C/menit dan pembakaran selama 2 jam dan

penurunan 10 0C/menit hingga suhu 710C.

2. Ketiga bahan memiliki sifat piezzoelektrik karena terdapat respon impedansi

bersifat osilator. Bahan kalsinasi 9000C bersifat osilator dan piezoelektrik

pada rentang frekuensi 110 kHz-150 kHz memiliki 1 pasang resonansi dan

anti resonansi. Bahan kalsinasi 12000C bersifat osilator dan piezoelektrik

pada rentang frekuensi 60 kHz-200 kHz memiliki 4 pasang resonansi dan anti

resonansi. Bahan kalsinasi 15000C bersifat osilator dan piezoelektrik pada

rentang frekuensi 110 kHz-200 kHz memiliki 3 pasang resonansi dan anti

resonansi.

5.2 Saran

Percobaan ini mengenai tentang pertumbuhan kristobalit pada limbah silika

akibat silika skaling di PLTP dieng, dan bahan dari pertumbuhan tersebut di

manfaatkan menjadi bahan aktif piezoelektrik dengan harapan dasar pembuatan

piezoelektrik tersbut dapat menjadi alternatif bahan piezoelektrik. Penulisan ini

perlu dikembangkan lagi, mulai dari data serta perbandingan parameter yang sama

20
 DAFTAR PUSTAKA

[1] M. S. Vijaya: Piezoelectric Materials and Devices, CRC Press, 2013.

[2] M. Tanaka, C. Jiyon, Y. Chiba, Y. Tanahashi, S. Chonan: Development of a

tactile sensor for monitoring prostate conditions. Japan, 2004, pp.185-188

[3] O. A. Lindahl, S. Omata, K. A. Angquist: A tactile sensor for detection of

physical properties of human skin in vivo. Journal of Medical Engineering &

Technology 01/1998, 22(4), pp. 147 – 53

[4] K. S. Lukasz. 2016. Concept, Implementation And Analysis Of The

Piezoelectric Resonant Sensor/Actuator For Measuring The Aging Process

Of Human Skin. Tesis Doctorat De L'université De Toulouse.

[5] McWhan. D, 2012. Sand and Silicon: Science that Changed the World,

Oxford. OUP Oxford, hal. 15

[6] N. A. Pambudi, “Geothermal Power Generation in Indonesia, ACountry

Within The Ring of Fire:Current Status, Future Development and Policy,”

Renewable and Sustainable Energy Reviews., vol. 81, part 2, pp. 2893-2901,

2018.

[7] Mulyana, Cukup dkk. 2018. Eksperimen Pengkondisian Brine di Lingkungan

Basa Pada Skala Lab Untuk Pencegahan Silica Scaling di Sumur InjeksiPada

Kolam Penampungan di PLTP Dieng Jawa Tengah. Jurnal Ilmu dan Inovasi

Fisika, ISSN: 2549-0516

[8] Agustinus, E.T.S dkk.2014. Eknologi Rekayasa Untuk Peningkatan Durasi

Waktu Scalling Pipa Re‐Injeksi Pada Lapangan Panasbumi Dieng, Provinsi

Jawa Tengah. Seminar Nasional Fakultas Teknik Geologi, Bandung

21
 22

[9] U Nurbait and S Pratapa.2017. Synthesis of cristobalite from silica sands of

Tuban and Tanah Laut. International Conference on Mathematics, Science

and Education 2017 (ICMSE2017). doi :10.1088/1742-6596/983/1/012014

[10] Pagliari L, Dapiaggi M, Pavese A and Francescon F. 2013 J. Eur. Ceram. Soc.

33 3403

[11] Şan O and Özgür C. 2009 J. Alloys Compd. 484 920

[12] Dubrovinsky L S, Dubrovinskaia N A, Saxena S K, Tutti F, Rekhi S, Le

Bihan T, Shen G and Hu J. 2001. Chem. Phys. Lett. 333 264

[13] Breneman R C and Halloran J W. 2014. J. Am. Ceram. Soc. 97 2272

[14] Kazemi A, Faghihi-Sani M A and Alizadeh H R. 2013. J. Eur. Ceram. Soc.

33 3397

[15] Ariswan. (2008). Hand Out Semikonduktor. Yogyakarta: Universitas Negeri

Yogyakarta.

[16] Chairunnisa P.S , Wardhana Y.W. 2017. “Karakterisasi Kristal Bahan Padat

Aktif Farmasi : Review”. Farmaka Suplemen Volume 14 Nomor 1 hal 2

[17] Yoshapat Sumardi. (2008). “Fisika Zat Padat 1”. Handout Kuliah, Tidak

diterbitkan. Yogyakarta. Universitas Negeri Yogyakarta

[18] Smallman, R. E. & Bishop, R. J. (1999). Modern Physical Metallurgy and

Materials Engineering Science, process, applications Sixth Edition. New

York: Butterworth-Heinemann.

[19] Malvino. (1981). Prinsip-prinsip Elektronika. (Alih bahasa: Hanafi

Gunawan). Jakarta: Erlangga.

[20] Edi Istiyono. (2000). Fisika Zat Padat I. Diktat Kuliah, Tidak diterbitkan,

Yogyakarta. Universitas Negeri Yogyakarta.

 23

[21] Patterson, Robert E.(ed). “Silica (Introduction)”. Kirk-Othmer Encyclopedia

of Chemical Technology, vol 21, pp 977–1022. New York: Wiley –

Interscience Publication. 1997.

[22] Dutch, Steven. “Silica Polymorph”. http://www.uwgb.edu/dutchs/

PETROLGY/Silica%20Poly.HTM. (22 Februari 2007).

[23] Mutiarawati, Fadilla. “Cara Merancang dan Memproduksi Sebuah

Prosessor”. PC Media,02/2005, pp 79-82. Jakarta: PinPoint Publication. 2005

[24] Crucq, P.: Development of a method to measure the mechanical behavior of

ASR gels. Part I: Literature Study; Alkali-silica reaction, causes, effects and

prevention. TU Delft 55, (2005).

[25] B.JWilliamson, dkk. 2001. Piezoelectric properties of quartz and cristobalite

airborne particulates as a cause of adverse health effects B.J. Williamsona,*,

S. Pastiroffb, G. Cresseya. tmospheric Environment 35 (2001) 3539–3542

[26] McColm, I.J., 1983. Ceramic Science for Materials Technologists. Leonard

Hill, Glasgow. 357 pp.

[27] Harriyanto, A.R. Utomo. 2013. Studi Analisis Gelombang Tegangan

Piezoelektrik. Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia.

[28] Gross. D, Muller. R, Rangelov. T. 2014. Dynamic Fracture of Piezoelectric

Materials Solution of Time-Harmonic Problems via BIEM Dineva, P.S. ISBN

: 978-3-319-03960-2

[29] Harriyanto, A.R. Utomo. 2013. Studi Analisis Gelombang Tegangan

Piezoelektrik. Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia.

[30] Jaffe B. 2012. Piezoelectric Ceramics. Elsevier. Livingstone

 24

[31] A. L. Lopez-Sanchez and L. W. Schmerr, "Determination of an ultrasonic

transducer's sensitivity and impedance in a pulse-echo setup," Ultrasonics,

Ferroelectrics and Frequency Control, IEEE Transactions on, vol. 53, pp.

2101-2112, 2006.

[32] L. W. Schmerr, A. Lopez-Sanchez, and R. Huang, "Complete ultrasonic

transducer characterization and its use for models and measurements,"

Ultrasonics, vol. 44, pp. e753-e757, 2006.

[33] C. J. Steinem, Andreas Piezoelectric Sensors. New York: Springer, 2007.

[34] J. George K Lewis, George K Lewis, Sr, and William Olbricht, "Cost-

effective broad-band electrical impedance spectroscopy measurement circuit

and signal analysis for piezo-materials and ultrasound transducers,"

MEASUREMENT SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 19, 2008.

[35] D. Huijuan, W. Jian, Z. Hui, and Z. Guangyu, "Measurement of a

piezoelectric transducer's mechanical resonant frequency based on residual

vibration signals," in Information and Automation (ICIA), 2010 IEEE

International Conference on, 2010, pp. 1872-1876.

[36] J. S. Kim, K. Choi, and I. Yu, "A new method of determining the equivalent

circuit parameters of piezoelectric resonators and analysis of the piezoelectric

loading effect," Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, IEEE

Transactions on, vol. 40, pp. 424-426, 1993.

[37] V. Loyau and G. Feuillard, "Relationship between electrical impedance of a

transducer and its electroacoustic behavior: Measurement without primary

source," Journal of Applied Physics, vol. 100, pp. 034909-034909-7, 2006.

 25

[38] G. Mingjie and L. Wei-Hsin, "Studies on the circuit models of piezoelectric

ceramics," in Information Acquisition, 2004. Proceedings. International

Conference on, 2004, pp. 26-31.

[39] T. S. O. Märtens, M. Min, R. Land, M. Reidla, "Fast Impedance Spectroscopy

of Piezosensors for Structural Health Monitoring," Electronics And Electrical

Engineering”, vol. 7, pp. 31-34, 2010.

[40] T. Saar, O. Martens, M. Reidla, and A. Ronk, "Chirp-based impedance

spectroscopy of piezo-sensors," in Electronics Conference (BEC), 2010 12th

Biennial Baltic, 2010, pp. 339-342.

[41] L. Yee Yan and et al., "Structural identification and damage diagnosis using

self-sensing piezo-impedance transducers," Smart Materials and Structures,

vol. 15, p. 987, 2006.

[42] E. Dallago and A. Danioni, "Resonance frequency tracking control for

piezoelectric transformer," Electronics Letters, vol. 37, pp. 1317-1318, 2001.

[43] Charles, W. 2019. Piezoelectric ImpedanceI. EFunda inc. 94088 Sunnyvale

https://www.efunda.com/materials/piezo/electronics/elec_impedance.cfm.

(29 Juli 2019)

[44] Wilmer, D. 2018. Electrochemical Impedance Spectroscopy EIS.

Novocontrol Technologies Gmbh & Co. KgAubachstr. 156410

Montabaur / Germany. https://www.novocontrol.de/php/intro_eis.php.

Diakses pada tanggal (29 Juli 2019)

[45] 1 MSPS,12 Bit Impedance Converter, Network Analyzer AD5933 Datasheet,

Analog Devices, Mei 2013, rev E.

 26

[46] PANalytical, B. V. (2009). X-ray Fluorescence Spectrometry. Diakses dari

http://www.panalytical.com/index. Pada tanggal 29 Juli 2019 jam 13.07 WIB.

[47] Jamaluddin, dkk. (2016). ANALISIS KANDUNGAN LOGAM OKSIDA

MENGGUNAKAN METODE XRF (X-RAY FLOURESCENCE. Jurnal

Geofisika FMIPA Universitas Hasanuddin. Diakses dari

http://repository.unhas.ac.id/handle/123456789/17783. Pada tanggal 30 Juli

2019 jam 12.48 WIB.