BAHAGIAN TEKNIK DAN VOKASIONAL

KEMENTERIAN PENDIDIKAN MALAYSIA

ARAS 5 & 6, BLOK E14, KOMPLEKS E,
PUSAT PENTADBIRAN KERAJAAN
PERSEKUTUAN
62604 PUTRAJAYA     

NOTA PRAKTIKAL 1
SEMESTER SEMESTER 2 DVM SESI 2018
JABATAN JABATAN TEKNOLOGI ELEKTRIK DAN ELEKTRONIK
PROGRAM TEKNOLOGI ELEKTRONIK / DVM
KOD / KURSUS ETN 7052 POWER ELECTRONICS
KOMPETENSI 1.0 IDENTIFY POWER ELECTRONIC DEVICES
1.1-Explain characteristic of Silicon Controlled Rectifiers (SCR)
1.2-Describe the characteristic of Gate-Turn-Off (GTO)
KOMPETENSI
1.3- Define the characteristic of TRIAC
UNIT
1.4- Define the characteristic for Bipolar Junction Transistor (BJT)
1.5- Define the characteristic of enhancement-type of Metal Oxide (MOSFET)
Course Learning Outcomes (CLO):
HASIL CLO 1 – Identify power electronic semiconductor device and symbol. (C1,PLO1)
PEMBELAJARA
CLO 2 – Explain operation, principle of power electronic converter. (P2,PLO2)
N
CLO 3 – Identify waveform of the power electronics converters. (A1,PLO5)
TARIKH PENILAIAN KENDIRI
ETN7052/K 01/NP 01 SEDERHAN
NO KOD LEMAH BAIK
EDISI JANUARI/2018 A

KOD JPK

MAKLUMAT CALON

NAMA

ANGKA
GILIRAN MUKA : 01 DARIPADA 28
1.0 Pengenalan

Peranti elektronik kuasa adalah peranti elektronik yang bertindak sebagai suis dan boleh
dikendalikan pada kadaran kuasa yang tinggi. Antara peranti-peranti yang akan
dibincangkan dalam bab ini ialah seperti:-

 Penerus terkawal silikon (Silicon controlled Rectifier)

 Triak
 GTO-SCR ( Gate Turn-Off SCR)
 Diod Kuasa dan
 Transistor Kuasa

2.0 Penerus Terkawal Silikon (SCR)

Rajah 1.1(a) dan 1.1(c) menunjukkan struktur binaan dan rupa bentuk fizikal Tiristor
yang lazim digunakan. Manakala rajah 1.1 (b) merupakan rajah simbol Tiristor.

Rajah 1.1 : Struktur binaan dan bentuk fizikal SCR

2.1 Struktur dan Simbol SCR

SCR adalah peranti separa pengalir empat lapis seperti ditunjukkan di Rajah 1.1(a)
dan Rajah 1.1(b). Terdapat tiga terminal yang dipanggil Anod, Katod dan Get.

Anod adalah terminal positif peranti manakala katod adalah terminal negatif
peranti.

 Get merupakan terminal yang akan menerima voltan picuan yang digunakan
untuk mengawal ON/OFF peranti.
  Peranti ini adalah peranti satu arah yang mana ia akan membenarkan arus
mengalir pada satu arah sahaja.

2.2 Pemicuan SCR

SCR hanya akan ON apabila satu denyut arus positif dikenakan di terminal getnya
dan pada masa yang sama terminal anod adalah lebih positif berbanding katod.
Picuan ini akan menyebabkan arus pincang hadapan (foward current) mengalir dari
anod ke katod. Pada masa ini terminal anod-katod berada dalam keadaan litar
pintas. Arus pincang hadapan ini akan terus mengalir walaupun voltan picuan pada
get dihentikan selagi terminal anod-katod berada dalam keadaan pincang hadapan.
Operasi SCR ini boleh dihentikan beroperasi dengan salah satu cara berikut:
a. Arus yang mengalir kehadapan dikurangkan dari nilai arus pegang peranti(
IhIholding) yang boleh didapati dari helaian data pembuat.
b. Pintaskan terminal anod dan katod.
c. Alirkan arus dalam arah yang bertentangan ataupun terminal anod-katod
dipincang songsang.

Rajah 1.2 menunjukkan bagaimana SCR dapat dihidupkan pada sumber bekalan a.t.
dengan cara memberikan voltan picuan pada terminal getnya.

(a) SCR dalam keadaan OFF apabila tiada voltan get di kenakan

(b) SCR ON bila dikenakan voltan get

 Rajah 1.2 : Menghidupkan SCR pada sumber bekalan a.t.

Ketika S1 dibuka tiada arus yang mengalir pada beban RL (lampu) seperti yang
ditunjukkan di Rajah 1.2 (a) dan (b). Apabila suis S1 ditutup maka terminal get akan
menerima arus picuan dan memicu SCR. Picuan ini menyebabkan arus mengalir dari
anod ke katod SCR dan lampu akan menyala. Apabila suis S1 dibuka arus masih
mengalir ke beban atau lampu masih menyala. Untuk mematikan SCR, terdapat tiga
kaedah boleh dilakukan iaitu, dengan cara memintaskan terminal anod-katod,
memutuskan bekalan arus ke anod ataupan menterbalikkan punca bekalan voltan
supaya arus songsang mengalir dari katod ke anod.

Rajah 1.3 Rajah 1.4

Rajah 1.3 : Mematikan SCR dengan cara memintaskan terminal A-K.,
Rajah 1.4 : Mematikan SCR dengan cara memutuskan arus I A.

Rajah 1.3 menunjukkan bagaimana SCR dimatikan dengan cara memintaskan anod
dengan katod. Dengan ini tiada arus akan mengalir dari anod ke katod. Kaedah lain
untuk mematikan SCR adalah dengan meletakkan suis S2 seperti Rajah 1.4. Apabila
suis S2 dibuka maka tiada arus dapat mengalir dari anod ke katod atau arus pincang
hadapan adalah sifar iaitu kurang daripada I h. Untuk menghidupkan SCR ini maka
kedua-dua suis S1 dan S2 perlu ditutup. Pada keadaan normal SCR tidak akan hidup
jika arus mengalir dari katod atau pada arah yang bertentangan. Kebaikan SCR yang
nyata adalah dengan arus picuan yang kecil ia dapat mengawal arus beban yang
tinggi. Selain daripada itu SCR adalah sebagai peranti pensuisan yang laju. Dengan
hanya satu denyut lazimnya hanya satu mikrosaat hingga dua mikrosaat pada get ia
dapat menghidupkan SCR.
2.3 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Rajah 1.5 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi SCR.

IF

Arus Penahan
IG2>IG1 IG1=0 SCR”ON”
Voltan Pecah
Tebat SCR “OFF”
VF
VR VBRF2 VBRF1
Arus Sekat Arus Sekat
Songsang Rajah 1.5Depan
: Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

Lengkuk cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali
I R
terdapatnya sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arus
depan yang tersekat seketika.

Semasa pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan oleh SCR
itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun VF dinaikkan, IA tetap tiada melainkan sedikit
kenaikan arus bocor. Arus pada paras ini dinamakan Arus Sekat Depan ( Forward
Blocking Current ).

Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan, akan sampai pada suatu nilai
voltan di mana IA tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat. Nilai V F pada masa
itu khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover Voltage,
VBRF1). VBRF1 ialah ketika IG = 0.

Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam rajah itu
dilabelkan sebagai IG2, kejadian voltan pecah tebat depan akan berlaku lebih awal lagi
(VBRF2). Takat VBRF boleh direndahkan lagi dengan menambahkan nilai I G. Begitulah
seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup tinggi, SCR akan
berlagak seperti diod biasa.

Sewaktu SCR dipincang songsang (V R), SCR tidak akan mengalirkan arus kecuali
sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika VR terlalu tinggi, akan sampai ke
takat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti diod biasa dalam keadaan
pincang songsang.

Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah dari
keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
 Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan “OFF”
dan “ON” ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan “OFF”, SCR bertindak seperti litar
terbuka manakala semasa keadaan “ON” SCR bertindak seperti litar tertutup.

Semasa pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.

R
1 R
+Vcc +Vcc R +Vcc - Vcc 1
1

R1

S S
1 1
S -
+ 1 +
Vcc
Vcc 0V
+
- -

tanpa diberi
isyarat isyarat
picuan picuan SCR
pincang
songsang
SCR pincang depan

Rajah 1.6 : Keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang songsang

2.4 Operasi SCR

Seperti diod biasa, untuk membolehkan arus mengalir melalui SCR, anod mestilah
diberikan voltan pincang depan. Namun begitu, bagi SCR, voltan pincang depan itu
masih belum boleh mengalirkan arus. Hanya setelah get diberikan voltan positif yang
seketika ( denyut ) dengan magnitud yang cukup, barulah berlaku pengaliran arus
dari anod ke katod.

Sebaik saja SCR beroperasi, voltan denyut positif pada get tadi sudah tidak
diperlukan lagi, get telah hilang daya kawalannya. Walaupun denyut positif itu
kemudiannya dihapuskan, SCR masih boleh terus mengalirkan arus tinggi tanpa
henti.

Operasi SCR hanya boleh dihentikan dengan beberapa cara, di antaranya ialah
dengan:-
  memutuskan litar laluan arus SCR, misalnya dengan meletakkan alat
pemutus litar pada mana-mana tempat laluan arus.

 memintaskan anod dan katod.

 mematikan bekalan voltan positif pada anod.

 menukar kekutuban voltan kepada anod itu menjadi negatif.

2.5 Kegunaan SCR

Peranti ini sangat popular digunakan dalam pensuisan kuasa dan dalam sistem
pengawal kuasa tinggi. Ia boleh beroperasi dengan voltan yang bernilai sehingga
1000 volt dan beroperasi pada nilai arus sehingga kepada 1000A jika dibandingkan
dengan peranti diod biasa. Oleh kerana ia dinamakan penerus terkawal silikon
maka ia banyak terlibat dalam penukaran voltan dan arus au kepada voltan dan
arus at. Ia juga berfungsi untuk mengawal magnitud-magnitud gelombang keluaran
ini. SCR juga membolehkan pensuisan voltan dan arus beban yang besar dari
sumber arus dan voltan pensuisan yang kecil. Contoh penggunaan yang paling
mudah adalah seperti dalam litar kawalan statik yang boleh digunakan pada sistem
amaran penceroboh seperti yang ditunjukkan pada Rajah 1.7.

Rajah 1.7: Litar Kawalan Statik

Suis-suis S1 dan S2 adalah suis yang sentiasa tertutup. Jika salah satu suis tersebut
terbuka, SCR akan dihidupkan dan jika beban adalah mentol maka ia akan menyala.
Apabila S1 atau S2 ditutup semula SCR masih berfungsi. Untuk mematikan SCR suis
RESET perlu dibuka semula ini menyebabkan arus yang mengalir dari anod ke katod
kurang dari Ih. SCR juga boleh digunakan sebagai penerus terkawal di mana voltan
keluaran a.t. purata dapat dikawal kepada nilai-nilai tertentu. Rajah 1.8 di bawah
 menunjukkan bagaimana SCR digunakan pada sumber voltan a.u. untuk
menghasilkan voltan keluaran a.t. yang boleh dikawal pada beban R L. Manakala
Rajah 1.9 pula menunjukkan bentuk gelombang voltan merentasi beban R L, voltan
picuan pada terminal get dan juga voltan sumber bekalan V s. Perhatikan voltan
keluaran merentasi RL adalah merupakan voltan a.t dan nilai puratanya boleh
dikawal dengan mengawal sudut picuan α (iaitu dengan melaraskan nilai perintang
bolehubah RV)

Rajah 1.8 : SCR digunakan sebagai penerus terkawal satu fasa

Rajah 1.9 : Rupabentuk gelombang Vs, Vg dan VRL

3.0 Triak

Triak merupakan peranti dwi-arah iaitu ia boleh beroperasi ketika masukan positif
mahupun negatif. Triak adalah peranti tiga terminal dan boleh dianggapkan dua SCR
yang disambung secara selari berlawanan arah (anti-parallel).
3.1 Struktur Dan Simbol
Triak mempunyai lapisan NPNP selari dengan lapisan PNPN. Susun atur bahan
empat dan get (G). Jika keseluruhan struktur simpang P-N triak diteliti, arus dilihat
boleh melalui lapisan PNPN atau NPNP. Oleh kerana triak boleh mengalirkan arus
dalam kedua-dua hala, simbol triak mengandungi dua diod yang bersemuka dalam
arah yang berlawanan seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 1.10.

Rajah 1.10 : Struktur dan simbol Triak

MT2

A K

SCR 1 SCR 2

K A

MT1
Rajah 1.11 : Litar setara TRIAK menggunakan SCR

3.2 Ciri-ciri Triak

Graf dalam Rajah 1.12 mewakili pengendalian triak yang lazim tanpa pembekalan
arus get. Apabila voltan mara bertambah, arus kecil mengalir dalam triak. Arus yang
kecil ini ialah arus bocor. Apabila voltan mara mencapai titik pecah lampau, arus
pada triak mula mengalir. Perhatikan voltan telah jatuh melintangi triak. Voltan ini
dibekalkan kepada beban
 Rajah 1.12 : Graf ciri volt-ampiar untuk triak

3.3 Aplikasi Triak

Triak sesuai digunakan untuk mengawal litar yang menggunakan arus a.u. SCR
adalah merupakan peranti satu arah sahaja oleh itu ia hanya boleh beroperasi bagi
separuh kitar positif sahaja manakala Triak boleh beroperasi dalam kedua-dua kitar
iaitu pada kitar positif dan kita negatif. Rajah 1.13 menunjukkan salah satu contoh
sambungan litar penggunaan Triak untuk mengawal kuasa atau voltan a.u. pada
beban RL. Sekiranya perintang RL digantikan dengan lampu, maka kecerahan lampu
boleh dikawal dengan melaraskan perintang bolehubah R2.

Rajah 1.13 : Contoh Penggunaan Triak sebagai litar kawalan A.U.

 Rajah 1.14 : Rupabentuk gelombang VS, Vg dan VRL bagi litar kawalan A.U
seperti litar pada rajah 1.13.

Gabungan kapasitor C1 dan perintang bolehubah R1 akan menyebabkan voltan get

akan terlengah (delayed) sebanyak α darjah daripada voltan masukan. Pada
separuh kitaran positif, triak akan dipicu pada sudut α manakala pada separuh
kitaran negatif triak akan dipicu pada sudut (π + α). Nilai α ini boleh diubah dengan
melaraskan nilai perintang bolehubah R2. Voltan keluaran r.m.s. merentangi beban
akan berubah berkadar songsang dengan nilai sudut picuan α di mana semakin
besar nilai sudut picuan maka semakin kecil nilai r.m.s. keluaran. Rupabentuk
gelombang bagi voltan masukan VS, voltan picuan Vg dan voltan keluaran pada
beban RL, VRL adalah seperti yang ditunjukkan pada rajah 1.14 di atas.

4.0 GTO-SCR (Gate Turn-Off SCR)

GTO-SCR adalah satu peranti elektronik kuasa uni-kutub. Ia memerlukan picuan positif
pada terminal get untuk “ON”. Apabila terminal get dikenakan isyarat picuan negatif ia
akan bertukar kepada keadaan “OFF”. Sifat ini merupakan satu kelebihan bagi GTO-
SCR
berbanding dengan SCR.

4.1 Simbol dan Ciri-Ciri GTO-SCR

Rajah 1.15 menunjukkan simbol GTO-SCR dan rajah 1.16 pula menunjukkan
lengkung ciri I-V nya.
 Rajah 1.15 : Simbol GTO-SCR

Rajah 1.16 : Ciri-ciri I-V GTO

Rajah 1.17 : Lengkung Ciri I-V GTO-SCR

GTO boleh dihidupkan dengan memberikan denyut positif kepada kaki get. GTO
akan terus berfungsi walaupun tanpa denyut positif. GTO boleh dimatikan dengan
memberikan denyut negatif kepada kaki get dan ini menyebabkan Ig negatif
mengalir dalam jumlah yang banyak. Ig negatif ini akan mengalir dalam beberapa
mikrosaat sahaja. Kedua-dua keadaan ini dikawal oleh arus get ( Ig).
 Apabila Ig mencapai nilai maksimun, arus pada anod mula mengalami kejatuhan
manakala voltan, VAK yang melalui peranti ini mula meningkat. Keadaan ini boleh
dilihat pada ciri-ciri I-V dalam Rajah 1.17.

4.2 Aplikasi GTO-SCR

GTO juga berfungsi seperti SCR yang digunakan dalam pensuisan kuasa dan dalam
sistem pengawal kuasa tinggi. Ia mempunyai beberapa kelebihan jika dibandingkan
dengan SCR.

5.0 Bipolar Junction Transistor (BJT)

5.1 Pengenalan

Asas kepada sistem elektronik yang berbagai-bagai pada masa kini adalah peranti
separuh pengalir. Satu daripada peranti separuh pengalir yang banyak digunakan
adalah Transistor Simpang Dwikutub (Bipolar Junction Transistor) atau lebih dikenali
sebagai BJT. Ia digunakan sebagai penguat dan juga sebagai suis logic.

Tidak seperti diod yang terbentuk dari bahan separuh pengalir dua lapis ( simpang
pn),
BJT merupakan separuh pengalir tiga lapis. Oleh itu terdapat tiga terminal iaitu :
 Pemunggut (collector) :C
 Tapak (base) :B
 Pemancar (pemunggut) :E

BJT merupakan peranti “dwikutub” kerana kedua-dua pembawa arus majority dan
pembawa arus minority memainkan peranan di dalam aliran arus. Jumlah aliran arus
dari satu terminal terminal yang lain boleh dikawal. Terdapat dua jenis transistor BJT
iaitu jenis PNP dan NPN.
 Rajah 1.18 : Transistor BJT (a) jenis PNP dan (b) jenis NPN

Rajah 1.18 menunjukkan kedudukan setiap terminal dan juga symbol BJT jenis PNP
dan NPN. Tapak merupakan terminal ditengah-tengah dan ia lebih nipis daripada
lapisan pemancar dan pemunggut. Anak panah pada rajah 1.18 menunjukkan arah
pengaliran arus iaitu dari bahagian P ke N. Untuk transistor PNP adalah dari E ke B,
manakala dari B ke E untuk jenis NPN

Menggunakan analog diod, transistor adalah dua diod yang disambung seperti yang
ditunjukkan pada rajah 1.19. Oleh itu cara kerja transistor BJT adalah berasaskan
cara kerja diod.

Rajah 1.19 : (a) Transistor PNP dan (b) Transistor NPN

5.2 Kendalian Transistor

Transistor perlu dipincang dengan betul untuk membolehkannya berkendali.

Rajah 1.20 menunjukkan pincang yang betul bagi transistor NPN.

Rajah 1.20 : Pincangan transistor NPN

Bagi membolehkan elektron yang dipancarkan daripada pemancar diterima oleh

pemunggut, litar masukan iaitu simpang antara tapak dan pemancar perlu
dibekalkan dengan voltan pincang depan yang mencukupi supaya rintangan
simpang tersebut rendah. Keadaan ini membolehkan electron bergerak dari
pemancar ke tapak.
Litar keluaran iaitu simpang antara tapak dan pemunggut pula mestilah dipincang
songsang supaya kebanyakan electron yang sampai di tapak, akan ditarik ke
pemunggut yang bercas positif (kerana dipincang songsang). Voltan di litar
keluaran dinamakan voltan keluaran.

Pengedopan tapak yang sangat ringan memainkan peranan yang sangat penting
kerana hanya sedikit sahaja electron terserap dibahagian ini. Electron yang
selebihnya diterima di pemunggut.

Lazimnya 99% electron akan ke pemunggut dan hanya 1% diserap ke tapak. Rumus
yang menunjukkan hubungkait antara arus pemancar IE dan arus tapak IB dan arus
pemunggut IC ialah :

IE = IC + IB

Rajah 1.21 : Pengaliran arus dalam transistor NPN

Gandaan arus AT dari tapak ke pemunggut diberi dalam spesifikasi transistor.

Gandaan ini dikenali sebagai βAT atau hFE dan diwakili oleh formula

IC
β AT=
IE

Bagi transistor PNP, cara memberi pincang kepada adalah seperti rajah 1.22. Oleh
kerana kekutuban bekalan adalah berbeza arah arus juga berbeza seperti yang
ditunjukkan dalam rajah tersebut.
 Rajah 1.22 : Pincang dan pengaliran arus dalam transistor PNP

5.3 Tatarajah Transistor

Transistor BJT boleh disambung di dalam sesuatu litar elektrik menggunakan tiga
cara (tatarajah) atau konfigurasi iaitu :
 Pemancar sepunya : CE (common emitter)
 Tapak sepunya : CB (common base)
 Pemunggut sepunya : CC (common collector)

Cara sambungan ini menunjukkan terminal mana yang akan disambung dengan
isyarat masukan dan di terminal mana isyarat keluaran akan diambil, rujuk Jadual
1.1. Cara transistor BJT beroperasi bergantung kepada konfigurasi atau cara
sambungannya.

Jadual 1.1 : Penentuan konfigurasi sambungan BJT

Konfigurasi Terminal masukan Terminal keluaran
CE B C
CB E C
CC B E

Tatarajah yang berbeza memberikan kesan yang berbeza terhadap isyarat.

Perbezaan ini merangkumi aspek :
a) Gandaaan arus – nisbah arus keluaran kepada arus masukan.
b) Gandaan voltan – nisbah voltan keluaran kepada voltan masukan.
c) Gandaan kuasa – hasil darab gandaan voltan dengan gandaan arus.
d) Keadaan fasa.

Tatarajah sesuatu transistor ditentukan oleh tamatan sepunya litar masukan dan
litar keluaran.
 Rajah 1.23 menunjukkan tiga tatarajah transistor. Tatarajah ini adalah asas kepada
litar penguat dan litar suis.

Rajah 1.23 : Tatarajah transistor

5.4 Transistor Sebagai Penguat

Transistor berkeupayaan melakukan penguatan terhadap isyarat elektrik. Gandaan,

hasil daripada penguatan yang dilakukan oleh transistor, member kesan seperti
suara bertambah kuat dan nilai isyarat bertambah tinggi. Penguat terdapat dalam
bentuk tatarajah tapak sepunya, tatarajah pemancar sepunya dan tatarajah
pemunggut sepunya.

Jadual 1.2 menunjukkan gambarajah skema litar asas penguat untuk ketiga-tiga
tatarajah transistor serta perbezaan antara ketiga-tiganya dari aspek gandaan
arus, gandaan voltan, gandaan kuasa serta keadaan fasa.
 Jadual 1.2 : Tatarajah penguat

Penguat pemancar sepunya adalah penguat yang paling kerap digunakan kerana ia
dapat menghasilkan gandaan yang tertinggi seperti yang telah ditunjukkan dalam
Jadual 1.2. Litar seperti yang telah dibincangkan sebelum ini ialah litar asas
penguat. Untuk membolehkan penguat berfungsi dengan baik beberapa komponen
lain pelu ditambah kepada litar tersebut seperti ditunjuk dalam Rajah 1.24.

Nota :
Bekalan VBB tidak
dimasukkan dalam litar
pada rajah 1.7 kerana
voltan pincang yang
diperlukan oleh
transistor diperolehi
daripada VCC melalui
perintang R1.

Rajah 1.24 : Penguat pemancar sepunya

5.5 Transistor Sebagai Suis

Tatarajah yang lazim digunakan untuk tujuan pensuisan ialah tatarajah pemancar
sepunya. Rajah 1.25 menunjukkan transistor yang digunakan sebagai suis.
Dua bahagian litar suis ialah:
a) Bahagian litar kawalan – berperanan menentukan nilai arus tapak
b) Bahagian litar kuasa.

Jika suis S1 dalam Rajah 1.25 (a) terbuka (off), tiada arus mengalir dalam litar
kawalan. Ini bermakna rintangan antara tapak dan pemancar adalah tinggi. Ini
menyebabkan tiada arus mengalir ke litar kuasa dan lampu akan terpadam.

Apabila suis S1 ditutup (on), arus yang kecil mengalir dalam litar kawalan. Ini
menyebabkan simpang tapak pemancar dipincang depan dan membolehkan arus
yang besar mengalir dalam litar tersebut untuk menyelakan lampu.

Suis S1 dalam litar pada Rajah 1.25 (a) boleh diganti dengan komponen pengesan
seperti perintang peka cahaya (light dependence resistor, LDR) seperti yang
ditunjukkan dalam Rajah 1.25(b).

Rajah 1.25 : Transistor sebagai suis

5.6 Pengujian Transistor Dan Kerosakan Transistor

Oleh kerana kerosakan yang sering berlaku kepada transistor ialah kerosakan
terbuka dan terpintas, maka ujian asas menggunakan meter ohm boleh digunakan
untuk menguji kerosakan tersebut.

Transistor seolah-olah dua diod yang disambung terbalik. Jika ujian terhadap
kedua-dua diod ini positif, transistor itu berkeadaan baik. Rajah 1.26 menunjukkan
cara menguji transistor NPN menggunakan meter ohm.
 Rajah 1.26 : Cara menguji transistor

Meter ohm juga boleh digunakan untuk menentukan jenis transistor serta elemen
sesuatu transistor. Ini penting apabila maklumat berkaitan sesuatu transistor tidak
diketahui.

Rajah 1.27 menunjukkan langkah untuk menentukan elemen tapak dan seterusnya
jenis (sama ada NPN dan PNP) sesuatu transistor menggunakan meter ohm.
1. Tandakan kaki transistor
2. Set meter pelbagai analog ke fungsi pengujian rintangan pada julat R x 10.
3. Uji transistor mengikut langkah seperti yang ditunjukkan dalam contoh
dibawah.
 Rajah 1.27 : Cara menentukan elemen tapak transistor

4. Kenalpasti langkah apabila transistor berada dalam keadaan pincang ke

depan
[dalam contoh diatas, transistor berada dalam keadaan pincang ke depan
pada
langkah 1 dan langkah 6]
5. Kenalpasti kaki sepunya untuk kedua-dua keadaan dalam langkah 4. Kaki ini
ialah elemen tapak untuk transistor tersebut. [Dalam contoh diatas kaki
sepunya untuk kedua-dua keadaan ialah kaki 2].
6. Jenis transistor ditentukan berdasarkan kenyataan berikut :
a. Transistor PNP – Jika kaki sepunya disambung ke tamatan positif meter
pelbagai analog
b. Transistor NPN – Jika kaki sepunya disambung ke tamatan negative
meter pelbagai analog
 Rajah 1.28 : Cara untuk menentukan elemen pemancar dan pemungut sesuatu
transistor
1. Setkan meter pelbagai berdigit ke fungsi pengujian diod.
2. Lakukan ujian seperti ditunjukkan dalam contoh di bawah ini [dalam contoh
ini elemen tapak telah dikenalpasti iaitu kaki 2 menggunakan kaedah seperti
yang ditunjukkan dalam Rajah 1.28.
3. Kenalpasti langkah yang menunjukkan nilai susutan voltan tinggi.
4. Dalam contoh diatas langkah yang menunjukkan nilai susutan voltan tertinggi
ialah keadaan 2. Oleh itu kaki ialah elemen pemancar manakala kaki 3 ialah
elemen pemungut.

5.7 Langkah Keselamatan

Seperti diod, transistor juga perlu dikendalikan dengan berhati-hati. Langkah-

langkah keselamatan seperti berikut perlu dipatuhi supaya transistor tersebut
rosak.
a) Elakkan daripada mengenakan tekanan mekanikal kepada tamatan-tamatan
transistor supaya penyambungan antara dawai dengan bahan separuh
pengalir tidak terjejas.
b) Elakkan daripada mengenakan haba yang tinggi kepada transistor, haba yang
terlampau tinggi boleh merosakkan transistor. Apabila memateri transistor
ke papan litar, gunakan alat pemateri berkuasa rendah.
c) Apabila menguji transistor pada papan litar, pastikan transistor terlebih
dahulu dipisahkan daripada litar.
d) Untuk transistor kuasa, penenggelam haba perlu dipasang untuk
menyejukkan transistor tersebut.
6.0 MOSFET

6.1 Pengenalan

Transistor yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor dwipolar, iaitu
melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol. Transistor tersebut juga
tergolong di dalam jenis komponen atau alat terkawal arus (current controlled
device).

Satu lagi kategori transistor ialah transistor “unipolar” iaitu yang hanya melibatkan
salah satu pembawa arus majoriti. Salah satu transistor “unipolar” yang sering
digunakan ialah Transistor Kesan Medan (Field Effect Transistor) atau ringkasnya
dipanggil FET. Ia merupakan komponen atau alat terkawal voltan (voltage
controlled device).

FET adalah terdiri daripada dua kategori iaitu JFET ( Junction FET ) dan MOSFET
( Metal-oxide semiconductor FET ). Dalam bab ini kita akan membincangkan lebih
kepada komponen MOSFET.

MOSFET adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide semiconductor FET)
mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca, parit dan get. Yang
membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan dengan saluran
(channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO 2). Oleh sebab itu, arus get menjadi
semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai IGFET (insulated-get FET).

Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan peningkatan
(depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan sahaja
(enhancement-only mode).

6.2 MOSFET Ragam Susustan Dan Peningkatan (DE MOSFET)

E MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam peningkatan dengan
hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (V GS). Bila VGS adalah negatif,
DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan. Sebaliknya bila V GS adalah positif, DE
MOSFET beroperasi secara ragam peningkatan. Rajah 1.29 dan 1.30 menunjukkan
struktur binaan dan simbol DE MOSFET.
 Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) bersambung dari
parit ke punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) boleh mengalir walaupun VGS=0.

D
Rajah 1.29 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET

D
D
P
G
N G

P
S S

Rajah 1.30 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET

6.3 MOSFET Ragam Peningkatan (E MOSFET)

E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan sahaja. Ia beroperasi dengan

nilai VGS yang besar. Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET. Rajah
1.31 menunjukkan struktur binaan dan simbol E MOSFET. Merujuk kepada struktur
binaan, kita dapati saluran (channel) tidak bersambung antara parit dan punca. Ini
menyebabkan arus parit (ID) tidak boleh mengalir jika VGS=0.
 D
D
N
G
P G
N
S S

D
D
P
G
N G

P
S
S

Rajah 1.31 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik E MOSFET

6.4 Lengkuk Ciri I-V MOSFET

Rajah 1.32 : Simbol MOSFET

 Rajah 1.33 : Binaan MOSFET

Rajah 1.34 : Lengkuk Ciri I-V MOSFET

Ciri-ciri
• 3 terminal Salir (D), Get (G) & Sumber (S)

• Arus mengalir dari D ke S di kawal oleh VGS.

• Bila VGS +ve, transistor ON

6.5 Asas Prinsip Kendalian FET

Rajah 1.35 menunjukkan struktur binaan FET. Ia terbina daripada satu bar
semikonduktor bahan jenis N yang dari dua hujungnya diterbitkan elemen atau kaki
yang satunya bernama Punca (Source) dan satu lagi bernama Parit (Drain). Di
tengah-tengah bar tersebut terdapat dua bahan jenis P yang bersetentang, dan
darinya diterbitkan satu elimen bernama Pintu (Gate). Untuk kemudahan,
kadangkala huruf-huruf S, D dan G akan digunakan sebagai singkatan bagi punca,
parit dan pintu.

Oleh kerana bar yang digunakan di antara punca dan parit ialah dari semikonduktor
bahan jenis N, maka FET ini dikenali dengan nama FET Saluran N. Rajah 1.35
menunjukkan lukisan simbol skematik baginya. Perhatikan bahawa anak panah
pintu menunjuk ke dalam.

D
D

P P G
G

S
S

Rajah 1.35 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran N

Satu jenis FET lagi ialah FET Saluran P. Rajah 1.36 menunjukkan struktur binaannya,
di mana bar yang digunakan ialah bahan jenis P dan ditengah-tengahnya dua bahan
jenis N yang bersetentang. Namun demikian tidak ada perbezaan pada nama-nama
elemen. Cuma sedikti perubahan pada lukisan simbol skematiknya seperti yang
ditunjuk di Rajah 1.36 iaitu anak panah pintu menunjuk ke luar.

D
D

N N
G G

S
S
 Untuk mudah mengingati simbol skematik kedua-dua jenis ini, ingatkan saja
bahawaRajah
yang1.36 : Struktur
ditunjuk olehbinaan
anak dan Simbol
panah ialahSkematik bagi FET
bahan jenis saluran
N. Jika anakP panah
menunjuk ke dalam, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk saluran.

Jika anak panah menunjuk ke luar, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk
pintu. Perhatikan juga pada rajah struktur binaan bahawa di antara bahan untuk
saluran dan bahan untuk pintu terdapat cantuman P-N yang tentunya mempunyai
kesan-kesan keujudan kawasan kesusutan dan voltan sawar.

6.6 Perbandingan Antara FET Dengan Transistor Dwikutub

Jika dari segi bentuk fizikal, tidak banyak perbezaan yang ketara di antara kedua-dua
jenis transistor ini, malahan kedua-duanya agak sama. Tanpa merujuk kepada
nombor pengenalan dan buku manual, agak sukar untuk membezakannya. FET,
seperti juga transistor dwipolar biasa, mempunyai tiga kaki.

Dari segi penggunaannya di dalam litar-litar elektronik, FET juga boleh bertugas
sebagai amplifier. Cara sambungan dan pendawaiannya juga tidak banyak bezanya.
FET, seperti juga transistor biasa, disambungkan dengan tatarajah punca sepunya, di
mana litar pintu-punca menjadi terminal masukan dan litar parit-punca menjadi
terminal keluaran.

Namun, dari segi prinsip dan ciri-cirinya, perbezaan di antara FET dengan transistor
dwipolar biasa tetap ada, di antaranya ialah:

 FET tatarajah punca-sepunya mempunyai kerintangan masukan yang sangat

tinggi, lebih kurang 100M ohm ( kerana litar masukannya ialah di antara
pintu-punca yang dipincang songsang )
 FET ialah alat terkawal voltan, transistor biasa ialah alat terkawal arus.
 FET ialah transistor unipolar, iaitu melibatkan satu jenis pembawa arus
majoriti sahaja. Transistor biasa ialah dwipolar, kerana melibatkan kedua-dua
jenis pembawa arus.
 FET tidak terlalu sensistif kepada perubahan suhu sekitar. Pembawa arus
minoriti tidak meninggalkan kesan-kesan besar. Tiada pengaruh Beta.
 FET mempunyai tatalaku Hukum Kuasa Dua, di mana, arus keluaran berubah
dengan kuasa dua masukan. Ciri seperti ini tidak ada pada transistor biasa.
Ada beberapa litar elektronik yang memerlukan ciri seperti ini.
 FET mempunyai kadar bising dalaman yang rendah dari transistor biasa. Oleh
itu ia kerap digunakan dalam amplifier hi-fi dan alat terima radio FM.