Bandung, 30-09-2020

Research Proposal: Seminar of Electrical Engineering

Student
Name Revytanova Candra Ningrum 1702184 PTEK
Number

Prof. Dr. Hj. Budi Coordinator of Ir. Hj. Arjuni Budi

Supervisor
Mulyanti, M.Si KBK Pantjawati, M.T.
Sign Sign
Research Title
Desain dan Optimasi 2D Photonic Crystal (PhC) Nanocavities Si/SiO2 sebagai Sumber Cahaya Komunikasi Serat

Optik pada Panjang Gelombang 1310 nm dan 1550 nm

Research Aim
Tujuan Penelitian:

1. Mengetahui parameter-parameter yang optimal untuk 2D Photonic Crystal (PhC) Nanocavities Si/SiO2
yang sesuai sebagai sumber cahaya komunikasi serat optic pada panjang gelombang 1310 nm dan 1550
nm.

2. Menghasilkan disain 2D Photonic Crystal (PhC) Nanocavities sebagai sumber cahaya komunikasi serat
Research Background, Originality
Dalam telekomunikasi, salah satu media komunikasi untuk mentransmisikan data dengan menggunakan
serat optik. Pada sistem komunikasi serat optik, LED digunakan sebagai sumber cahaya yang berfungsi sebagai
carrier. LED merupakan semikonduktor p-n junction yang memancarkan cahaya ketika diberi forward bias [1].
Pada bahan semikonduktor, pita valensi dan pita konduksi berperan dalam proses emisi cahaya. Pita valensi
adalah pita energi yang terisi penuh oleh elektron-elektron, sedangkan pita konduksi adalah pita energi diatas pita
valensi yang kosong atau terisi sebagian oleh elektron-elektron. Perpindahan elektron dari pita valensi ke pita
konduksi akan menghasilkan hole pada pita valensi [2]. Saat semikonduktor tipe-p dan tipe-n dihubungkan dan
diberi forward bias, elektron dari tipe-n akan berdifusi ke tipe-p sehingga elektron dari pita konduksi turun
kembali ke pita valensi mengisi hole atau disebut rekombinasi [3]. Rekombinasi antara elektron dan hole dapat
melepaskan energi serta menghasilkan foton yang mengemisikan cahaya karena pada direct bandgap energi
minimum dari pita konduksi dan energi maksimum dari pita valensi memiliki momentum yang sama [4]. Panjang
gelombang yang dihasilkan dari emisi cahaya pada bahan semikonduktor tergantung pada celah pita (band gap)
antara pita valensi dan pita konduksi [5].
Berbagai semikonduktor direct bandgap digunakan untuk membuat LED karena dapat mengemisikan
cahaya secara langsung dan memberikan tingkat rekombinasi radiasi yang tinggi, seperti pada material InGaN,
AlGaInP, AlGaAs dan GaP [1][6][7]. Bahan semikonduktor indirect bandgap seperti silikon saat ini banyak
digunakan untuk pembuatan divais fotonik daripada material semikonduktor lainnya karena harganya murah dan
memiliki kristal dengan kualitas tinggi. Silikon merupakan semikonduktor yang sulit untuk mengemisikan
cahaya, karena proses rekombinasi energi minimum dari pita konduksi dan energi maksimum memiliki nilai
momentum yang berbeda maka diperlukan partikel lain yang disebut fonon [4]. Namun, berbagai pendekatan
telah dicoba untuk mengatasi batasan ini. Sehingga, silikon dapat mengemisikan cahaya walaupun memiliki celah
pita energi tidak langsung. Pendekatan yang pernah di lakukan seperti manipulasi pusat cacat titik optik-aktif [8]
[9][10][11], dislokasi atau teknik strain-induced [11], pengenalan elemen tanah jarang seperti Erbium [12][13],
1
Research Proposal
References
[1] P. Agrawal, Govind, Fiber-Optic Communications Systems, Third Edition., vol. 6. John Wiley & Sons,
Inc., 2002.
[2] B. Mulyanti, Teori & Teknologi Material Elektronik. PT. Refika Aditama, 2013.
[3] D. J. B. Albert Paul Malvino, Electronic Principles, 7th ed. McGraw-Hill Higher Education, 2007.
[4] M. J. Frederic P. Miller, Agnes F. Vandome, Direct and Indirect Band Gaps. VDM Publishing, 2010.
[5] M. Cardona and P. Y. Yu, “Optical Properties of Semiconductors,” Compr. Semicond. Sci. Technol., vol.
1–6, pp. 125–195, 2011, doi: 10.1016/B978-0-44-453153-7.00073-0.
[6] V. K. Khanna, Fundamental of Solid-state lighting, vol. 33, no. 4. CRC Press, 2008.
[7] J. S. Umesh Mishra, Semiconductor Device Physics and Design, Ilustrated. Springer Science & Business
Media, 2008.
[8] C. Beaufils et al., “Optical properties of an ensemble of G-centers in silicon,” Phys. Rev. B, vol. 97, no. 3,
pp. 69–71, 2018, doi: 10.1103/PhysRevB.97.035303.
[9] D. D. Berhanuddin, “Generation and characterisation of the carbon G-centre in silicon.,” Univ. Surrey, no.
March, 2015, [Online]. Available: http://epubs.surrey.ac.uk/808045/1/THESIS DILLA - HIGH
RESOLUTION.pdf.
[10]
PlannedD. D. Berhanuddin,
Research Schedule N. E. A. Razak, M. A. Lourenço, B. Y. Majlis, and K. P. Homewood, “G-centre

2
Research Proposal
The First Month
- Pengajuan Proposal Penelitian
- Pembelajaran Materi (Studi Literasi)
- Pelaksanaan penelitian : Simulasi PhC dengan Lumerical FDTD Solution®

The second Month

- Pembelajaran Materi (Studi Literasi)
- Pelaksanaan penelitian : Simulasi PhC dengan Lumerical FDTD Solution®

The Third Month

- Pembelajaran Materi (Studi Literasi)
- Pelaksanaan penelitian : Analisis data

The Fourth Month

- Penyusunan Laporan
- Seminar hasil Laporan

.Research Method

3
Research Proposal
Struktur Sistem

1. Input berupa parameter-parameter yang dibutuhkan dalam simulasi sebagai berikut:

Parameter Keterangan

Tipe kisi PhC Triangular

Tipe defect cavity H0, H1, H2

Indeks bias material Si = 3.47 SiO2 = 1.45

Kisi perioda (a) 460 - 520 nm

Radius hole (r) 0.24a – 0.30a

Ketebalan layer 1000 nm

2. Proses berupa simulasi dan disain struktur menggunakan software Lumerical FDTD Solutions ® dengan
melakukan berbagai proses seperti menentukan ukuran cavity, optimasi parameter kisi, Q-factor, dan
temperature dependence.
3. Output berupa hasil data dari desain optimasi yang diperoleh dari proses simulasi kemudian di plot
dalam bentuk kurva untuk selanjutnya dilakukan analisis.

Selanjutnya agar lebih jelas, dapat dilihat dalam diagram alir penelitian berikut.

4
Research Proposal
Remark (filled up by examiners in the seminar of research proposal)
The closing remark of final decision including of title revision, assigned supervisors, and research method.

5
Research Proposal