Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan

Politeknik Negeri Malang

BAB X
MEMORY

Capaian Pembelajaran
Setelah mempelajari materi ini, mahasiswa akan mampu :
• Menjelaskan pengertian penyimpan (memory) data digital.
• Menjelaskan pengertian dan perbedaan sistem memory RAM dan ROM.
• Menjelaskan pengertian pengorganisasian memory.

10.1 Pendahuluan
Kelebihan utama sistem digital adalah kemampuan menyimpan (atau
mengingat) data. Rangkaian atau sistem yang dirancang khusus untuk meyimpan
data dinamakan memory.
Memory dari sebuah komputer merupakan tempat untuk menyimpan
program dan data. Untuk meyimpan data yang sangat besar biasanya disimpan
pada memory magnetik seperti pita magnetik, hard disk, floppy disk, flashdisk
dan lain sebagainya.

10.2 Memory Semikonduktor

Memory semikonduktor tersusun dari sekumpulan sel memory. Sel
memory dasar adalah rangkaian yang meyimpan 1 bit informasi. Jumlah total sel
dalam memory menentukan kapasitasnya.
Pada aplikasi sederhana, memory bisa tersusun dari sejumlah Flip-flop
yang terangkai membentuk Register. Dalam sistem yang besar, seperti
mikrokomputer, memory tersusun dari keping (chip) memory semikonduktor.
Memory semikonduktor terbuat dari sambungan transistor bipolar (Bipolar
Junction Transistor / BJT) atau Metal Oxide Semiconductor / MOS dalam bentuk
rangkaian terintegrasi (Integrated Circuit / IC).
Dua kategori umum memory semikonduktor adalah Random Access
Memory (RAM) dan Read Only Memory (ROM), yang selanjutnya dibagi menjadi
seperti yang diilustrasikan dalam gambar 10.1.

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 164
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

RAM
(Random Access Memory)

SRAM DRAM
(Static RAM) (Dynamic RAM)
Bipolar MOS MOS

(a) Memory RAM

ROM
(Read Only Memory)

PROM EPROM EEPROM

(Programmable (Erasable (Electrically
ROM) PROM) Erasable PROM)
Bipolar MOS MOS MOS

(b) Memory ROM

Gambar 10.1 Dua Kategori Memory : RAM dan ROM

10.2.1 Random Access Memory (RAM)

Memory semikonduktor yang digunakan untuk meyimpan (operasi write)
dan bisa diambil kembali (operasi read) dinamakan memory read / write memory
(RWM) atau seringkali dinamakan RAM (Random Access Memory). Operasi
write adalah proses penyimpanan / peletakan data baru ke memory, sedangkan
operasi read adalah proses mengambil data yang disimpan di memory. Isi memory
tidak berubah oleh operasi read.
RAM digunakan di komputer untuk menyimpan data dan program secara
sementara (temporary). Isi beberapa lokasi RAM secara kontinyu akan berubah
sebagai hasil pengerjaan program komputer.
Kerugian utama memory RAM adalah bersifat volatile, yaitu datanya akan
hilang semua apabila dayanya dilepaskan / dimatikan dari keping (chip). Beberapa
RAM diperlengkapi dengan baterai cadangan (back-up), apabila terjadi catu daya
mati.

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 165
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

Catu daya dc diperlukan untuk mencatu memory semikonduktor. Pada

memory SRAM, data akan tetap selama catu daya diberikan. Sedangkan pada
memory DRAM, data yang disimpan harus diisi kembali (refresh) secara periodik.
Memory SRAM dan DRAM digunakan untuk menyusun memory didalam
mikrokomputer atau minikomputer. DRAM digunakan sebagai tumpukan memory
dan SRAM kecepatan tinggi digunakan cache memory. Cache memory untuk
menyimpan data sementara untuk memperbaiki kecepatan operasi.
Diagram blok keping RAM ditunjukkan pada gambar 10.2. Proses
penyimpanan bit-bit data pada sel memory dinamakan operasi write, sedangkan
proses pengambilan/pembacaan bit-bit data pada sel memory dinamakan operasi
read. Operasi write dan read pada sel RAM bisa acak (random). Sinyal kendali
(chip enable atau chip select) digunakan untuk pengaktifan RAM. Saluran alamat
(address line) menentukan lokasi sel memory untuk menyimpan (operasi write)
atau lokasi memory tempat data diambil/dibaca.
Enable
Read Write

Input Output
n-bit RAM n-bit
Data Data

Saluran
Alamat
Gambar 10.2 Diagram Rangkaian RAM

10.2.2 IC RAM 7489

Contoh memory SRAM adalah IC 7489 dengan kapasitas 64 bit, yang
tersusun dalam 16 word – 4 bit. Masukan ME aktif rendah untuk mengijinkan
operasi write atau read. Masukan WE aktif rendah, digunakan untuk operasi
write, sehingga data 4 bit (D1, D2, D3, D4) akan tersimpan pada alamat memory
yang dipilih, sebaliknya apabila masukan WE tinggi, data yang tersimpan dalam
memory akan muncul pada saluran keluaran data (Q1, Q2, Q3, Q4).

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 166
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

(a) Diagram Pin (b) Diagram Fungsional (c) Diagram Rangkaian

Gambar 10.3 Diagram IC Memory RAM 7489

10.2.3 Read Only Memory (ROM)

ROM digunakan untuk menyimpan data dan program yang tidak berubah
selama operasi sistem. Kegunaan utama ROM adalah menyimpan program pada
komputer. Semua ROM adalah nonvolatile, yaitu program tidak hilang apabila
catu daya dimatikan. Apabila komputer dihidupkan, maka komputer bisa segera
memulai mengerjakan program yang disimpan di ROM. Isi ROM diprogram
selama proses fabrikasi. ROM dibagi menjadi beberapa jenis tergantung
bagaimana informasi ditulis atau diprogramkan ke lokasi penyimpanan memory.
Enable

Output
ROM n-bit
Data

Saluran Alamat

Gambar 10.4 Diagram Rangkaian ROM

10.2.3.1 Programmable ROM (PROM)

PROM adalah ROM yang dapat dprogram oleh pengguna. PROM berisi
kawat yang berfungsi sebagai fuse, sehingga pengguna bisa membakar beberapa
fuse yang dipilih dengan arus pada pin IC, sehingga isi PROM sesuai dengan
keinginan pengguna.

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 167
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

10.2.3.2 Erasable Programmable ROM (EPROM)

EPROM bisa diprogram oleh pengguna dan bisa dihapus serta diprogram
kembali sesuai keinginan pengguna. Sekali diprogram, EPROM adalah non-
volatile yang akan tetap meyimpan data sampai waktu yang tak terbatas. Proses
pemrograman EPROM adalah dengan memberikan level tegangan tertentu (25 -
50 volt) ke masukan keping dengan waktu tertentu (50 mdetik per lokasi alamat).
Sekali sel EPROM diprogram, maka hanya bisa dihapus dengan
memberikan sinar ultra violet ke cendela yang ada pada keping.

10.3 Organisasi Memory

Keping IC memory menyimpan informasi biner yang dinamakan word.
Jumlah bit dalam satu word bervariasi, antara 4 sampai 32 bit. Satu keping
memory akan menyimpan data sejumlah N x M bit (N = jumlah word, M = jumlah
bit per word). Misalnya keping memory RAM mempunyai kapasitas 1K x 4, maka
memory memiliki 1024 word – masing-masing word berisi 4 bit, sehingga
kapasitas total memory adalah 4K bit = 4096 bit. Biasanya ukuran word per
keping adalah 64, 256, 512, 1024, 2048 atau 4096, sedangkan ukuran tiap word
adalah 1, 4, 8, 16, 32 atau 64 bit.

10.3.1 Pengalamatan (Addressing)

Tiap word data yang disimpan ditandai dengan angka dari 0 lalu naik
hingga nilai tertentu. Angka tersebut bersifat unik yang menentukan lokasi data
yang disimpan. Angka-angka tersebut dinamakan alamat (address).
Pengalamatan (addressing) memory adalah proses pemilihan salah satu sel
memory untuk diisi atau dibaca datanya. Pengalamatan memory ada 2, yaitu
pengalamatan matriks (matrix addressing) dan pengalamatan linier (linear
addressing). Pengalamatan memory matriks tersusun dari m baris dan n kolom
dalam bentuk larik (array), seperti yang ditunjukkan pada gambar 10.5a dibawah.
Contoh pengalamatan matriks sel memory diperlihatkan pada gambar
10.5b, yang menunjukkan pemilihan baris A dan kolom B dari sel memory, untuk
diisi atau di baca datanya. Sedangkan Pengalamatan linier sel memory memiliki
satu kolom dan n baris, seperti ditunjukkan pada gambar 10.6.

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 168
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

m kolom
1 2 3 n Kolom B Sel Memory AB

1
2
n baris 3 Sel n x m Baris A
m

(a)Larik Kotak sel m x n (b) Pengalamatan Matriks Sel Memory

Gambar 10.5 Pengalamatan Matriks Sel Memory

1 kolom
1

1
n 2
3 n
baris x
1
n

Gambar 10.6 Pengalamatan Linier

Beberapa contoh memory 16 sel dengan berbagai konfigurasi, yaitu 16 x 1,

1 x 16, 8 x 2, 2 x 8 atau 4 x 4 ditunjukkan pada gambar 10.7.
1 kolom 4 kolom
2 kolom
1 1 2 1 2 3 4

1 1 1
16 2 2 2
3 16 8 baris 3 4x4
baris x 8x2 3
1 4

16 8
4 baris

(a) Susunan Sel 16 x 1 (b) Susunan Sel 8 x 2 (c) Susunan Sel 4 x 4

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 169
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

16 kolom 8 kolom
1 2 3 8
1 2 3 16

1 x 16 1
1 baris 1 2x8
2
2 baris

(d) Susunan Sel 1 x 16 (e) Susunan Sel 2 x 8

Gambar 10.7 Beberapa Konfigurasi Memory 16 Sel

10.4 Penggabungan Keping Memory

Pada beberapa aplikasi IC memory, diperlukan kapasitas memory atau
ukuran word yang tidak cukup hanya dengan 1 keping memory, maka beberapa
keping memory digabung untuk memberikan kapasitas dan ukuran word yang
diinginkan.

10.4.1 Pengembangan Ukuran Word Memory

Satu keping memory RAM 16 x 4 seperti ditunjukkan pada gambar 10.8,
dikembangkan menjadi memory dengan kapasitas 16 x 8. Memory 16 x 8
mempunyai 4 saluran alamat dan masukan / keluaran 8 bit, untuk memperoleh
memory 16 x 8 tersebut maka kedua masukan CS dan R/W kedua keping
dijadikan satu, seperti ditunjukkan pada gambar 10.9.
Alamat
A3 A2 A1 A0

RAM
R/W 16 x 4
CS

I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

Masukan / Keluaran
Gambar 10.8 Memory RAM 16 x 4

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 170
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

AB3
AB2 Bus
AB1 Alamat
AB0
R/W
CS

A3 A2 A1 A0 A3 A2 A1 A0

RAM0 RAM1
16 x 4 16 x 4
I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

DB7
DB6
DB5
DB4
DB3 Bus Data
DB2
DB1
DB0

Gambar 10.9 Penggabungan Dua Memory RAM 16 x 4 menjadi Memory 16 x 8

10.4.2 Pengembangan Kapasitas Memory
Jika memory RAM 16 x 4 dikembangkan menjadi 32 x 4, maka diperlukan
5 saluran alamat yang diperoleh dari chip select sebagai alamat yang kelima.
AB4
AB3
AB2 Bus
AB1 Alamat
AB0
R/W

A3 A2 A1 A0 A3 A2 A1 A0

RAM0 RAM1
16 x 4 16 x 4
CS I/O3 I/O2 I/O1 I/O0 CS I/O3 I/O2 I/O1 I/O0

DB3
DB2
DB1 Bus Data
DB0

Gambar 10.10 Penggabungan Dua Memory RAM 16 x 4 menjadi Memory 32 x 4

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 171
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

10.5 Pertanyaan
5.1 Sebuah memory mempunyai kapasitas 8K x 32, berapakah kapasitasnya
dalam word ? Berapa banyak sel memory yang ada di memory ?
5.2 Apakah yang dimasukkan dengan memory volatile ?
5.3 Berapa banyak masukan alamat, masukan data dan keluaran data yang
diperlukan untuk memory 1K x 8 ?
5.4 Apakah keruguian utama semikonduktor RAM dibanding dengan ROM ?
5.5 Gambarkanlah diagram fungsi pin untuk keping RAM 1K x 4 yang
mempunyai pin masukan data terpisah dengan keluaran, dua masukan chips
select (satu aktif tinggi dan satunya aktif rendah) !
5.6 Keping memory dinamik 64K x 1 menggunakan masukan alamat
termultipleksi, berapa banyak masukan alamatnya ?
5.7 Tunjukkanlah bagaimana menggabungkan RAM 1K x 8 untuk
menghasilkan memory 1K x 8 !
5.8 Apakah IC 7489 termasuk memory volatile ?
5.9 Bagaimanakah IC 7489 untuk menyimpan data 128 bit ? gambarkanlah !
5.10 Gambarkanlah diagram fungsi pin ROM 2K x 8 yang mempunyai tiga
masukan chip select aktif rendah !
5.11 Tunjukkanlah bagaimana menggabungkan dua ROM 1K x 8 untuk
menghasilkan memory 2K x 8 ?
A9
A8
A7
Masukan A6
Alamat A5 ROM
A4 1Kx8
A3
A2 CS1
A1 CS2
A0 Keluaran akan aktif
apabila CS1 = 0 dan
CS1 = 1
O7 O6 O5 O4 O3 O2 O1 O0
Keluaran
Data

Gambar 10.11 Soal 5.11

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 172
 Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan
Politeknik Negeri Malang

5.12 Modifikasi memory PROM 256 x 8 sehingga mempunyai kapasitas 2K x 8 !

Tentukan jangkauan alamat untuk tiap PROM !
5.13 Gambarkanlah diagram lengkap untuk memory 4K x 4 yang menggunakan
keping RAM statik dengan spesifikasi sebagai berikut : kapasitas 1K x 1,
saluran masukan / keluaran bersama dan dua masukan chip select aktif
rendah (petunjuk : rangkaian dapat dirancang dengan hanya menggunakan
dua inverter plus keping memory)
5.14 Evaluasilah rangkaian memory pada gambar dibawah :
a. Tentukan kapasitas total dan ukuran word !
b. RAM manakah yang akan meletakkan data pada bus data apabila R/W =
1 dan bus alamat adalah 00010110 ?
c. Tentukan jangkauan alamat yang disimpan pada kombinasi RAM-0 /
RAM-1 ! Ulangi untuk kombinasi RAM-2 / RAM-3 !

TEKNIK
TEKNIK DI
DIGITAL DASAR 173