 Penyimpanan permanen  non-volatile

 Diprogram secara microprogramming (pemrogram

mikroprosesor)
 Biasanya untuk menyimpan :
 Library subroutines untuk fungsi-fungsi sistem yang
sering dipanggil
 System Programs (BIOS)
 Tabel Set Instruksi
 Program ditulis pada saat pembuatan (manufaktur) 
masks  tidak bisa diubah/dihapus
 Programmable (once)
 PROM (PROgrammable Memory) (OTP-ROM)
 Diprogram dengan alat khusus
 Programmable – Program bisa ditulis ulang
 Untuk menulis membutuhkan waktu lebih lama dari
membaca
 Erasable Programmable (EPROM)
 Dihapus dengan UV – semua isi memory
 Electrically Erasable (EEPROM)
 Dihapus secara elektrik dg field emission (Fowler-
Nordheim tunneling) – bisa per byte
 Flash memory
 Dihapus secara elektrik dg field emission – bisa semua
isi memory, bisa per blok
 Operasi: Baca & Tulis (Read & Write)
 Volatile (membutuhkan daya untuk menyimpan data)
 Sarana penyimpanan temporer
 Bersifat static atau dynamic
 Secara fisik terdiri atas sel-sel memory, satu sel dapat
menyimpan satu bit
 Menggunakan KAPASITOR  Bit data disimpan sebagai
tegangan (charge) di dalam kapasitor
 Tegangan cenderung bocor (berkurang)
 Membutuhkan refreshing, meskipun dalam kondisi ada
daya (power on)
 Membutuhkan adanya sirkuit untuk refresh
 Lebih lambat
 Konstruksi lebih sederhana, lebih murah
 Tempat yang dipakai per bitnya lebih kecil
 Metode penyimpanan analog
 Besar kecilnya tegangan menentukan nilai
 Paling umum dipakai sebagai main memory
 Refresh circuit terintegrasi dalam chip, melakukan
refresh tiap interval tertentu sebelum waktu simpan
kapasitor habis (biasanya tiap waktu paruh)
 Cara kerja:
1. Disable chip (chip dibuat tidak bisa diakses untuk sementara)
2. Count through rows (dilakukan per baris sel-sel memory):
 Read & Write back (Baca dan tulis lagi ke alamat yang sama)
 Hal ini membutuhkan waktu dan memperlambat
kinerja
 DIGITAL (Menggunakan rangkaian flip-flop)
 Bits disimpan sebagai switch on/off (secara logika)
 Tidak memakai tegangan yang dapat bocor
 Tidak membutuhkan refreshing selama ada daya
(powered)
 Tidak membutuhkan sirkuit untuk refresh
 Lebih cepat
 Konstruksi lebih rumit
 Tempat yang dipakai menyimpan per bit lebih besar
 Lebih mahal
 Biasanya untuk cache
 Keduanya volatile
Membutuhkan daya untuk menyimpan data
 Dynamic cell
 Lebih gampang dibuat dan lebih kecil
 Lebih padat (lebih banyak bit bisa disimpan)
 Memungkinkan dibuat keping memory bersatuan besar
 Murah
 Tapi butuh refresh
 Static cell
 Lebih cepat, tidak butuh refresh, tapi mahal
 Hanya untuk cache
 Akses disinkronisasikan dengan external clock
(biasanya system clock – clock CPU)
 Pada proses pembacaan data dari RAM:
1. RAM dikirim alamat yg akan dibaca
2. RAM mencari data
 Pada DRAM konvensional, CPU akan menunggu
 Pada SDRAM, karena proses perpindahan data sudah
dijadwalkan, CPU tahu kapan data siap, sehingga CPU
tidak harus menunggu, bisa mengerjakan hal lain
 Burst mode (kalau ada) membuat SDRAM dapat
stream data dan mengirimnya dalam bentuk blok
 DDR-SDRAM mengirim data dua kali per siklus clock
 Double Data Rate
 Dalam melaksanakan fungsi penyimpanan, memori
semikonduktor dimungkinkan mengalami kesalahan.
 Jenis Error: Hard Failure
 Bersifat permanen, fisik, disebabkan penggunaan yang
tidak semestinya, cacat
 pabrik atau usia
 Jenis Error: Soft Error
 Random, non-destructive
 Tidak permanen, disebabkan masalah power Supply,
berhubungan data yang disimpan.
 Kesalahan ringan dapat dikoreksi kembali.
 Koreksi kesalahan data yang disimpan diperlukan dua
mekanisme
 Mekanisme pendeteksian kesalahan
 Mekanisme perbaikan kesalahan
 Diciptakan Richard Hamming di Bell Lab 1950
 Mekanisme pendeteksian kesalahan dengan menambahkan
data word (D) dengan suatu kode, biasanya bit cek paritas
(C).
 Data yang disimpan memiliki panjang D + C.
 Kesalahan diketahui dengan menganalisa data dan bit paritas
tersebut untuk memeriksa apakah ada data yang berubah
 Pemikiran dasar: dari serentetan bit data pasti bisa
didapatkan sebuah ciri yang menunjukkan keterhubungan
antar data. Ciri tersebut disimpan sebagai check bit
 # Data Bits # Bit Paritas
SEC
8 4
16 5
32 6
64 7
128 8
512 9
Penambahan bit cek paritas untuk koreksi kode Hamming
 Aturan untuk menentukan C :
dengan exclusive-OR dijumlahkan:

C1 = D1 D2 D4 D5 D7
C2 = D1 D3 D4 D6 D7
C4 = D2 D3 D4 D8
C8 = D5 D6 D7 D8

 Kemudian check bits yang didapat saat data disimpan di

-kan dengan check bits saat pembacaan.
 Bilangan biner yang didapat menunjukkan letak bit data
yang salah, kemudian bit yang salah di NOT-kan
 masukkan data : 00111001 kemudian ganti bit data ke 3
dari 0 menjadi 1 sebagai error-nya.

 Bagaimanakah cara mendapatkan bit data ke 3 sebagai

bit yang terdapat error?
Jawab :
Masukkan data pada perumusan cek bit paritas :
C1 = 1 0 1 1 0 = 1
C2 = 1 0 1 1 0 = 1
C4 = 0 0 1 0 =1
C8 = 1 1 0 0 =0
Sekarang bit 3 mengalami kesalahan data menjadi:
00111101
C1 = 1 0 1 1 0 = 1
C2 = 1 1 1 1 0 = 0
C4 = 0 1 1 0 =0
C8 = 1 1 0 0 =0
Apabila bit – bit cek dibandingkan antara yang lama
dan baru maka terbentuk syndrom word :
C8 C4 C2 C1
0 1 1 1
0 0 0 1
0 1 1 0 =6

Sekarang kita lihat posisi bit ke-6 adalah data ke-3.

 Mekanisme koreksi kesalahan akan meningkatkan
realibitas bagi memori
 Menambah kompleksitas pengolahan data.
 Menambah kapasitas memori karena adanya
penambahan bit – bit cek paritas.
 Memori akan lebih besar beberapa persen atau dengan
kata lain kapasitas penyimpanan akan berkurang
karena beberapa lokasi digunakan untuk mekanisme
koreksi kesalahan
 Diadopsi Intel untuk seri Pentium keatas
 (Tadinya) Kompetitor SDRAM & DDR gagal karena
skandal
 Adalah DDR dengan Bus khusus DRAM, pertukaran
data lewat 28 kabel dengan panjang < 12 cm. CPU
request data ke controller RDRAM
 Bus mengalamati sampai 320 RDRAM chips dengan
kecepatan 1.6Gbps (480ns access time)