10.

Internal Memory

TRI WIDODO, ST., M.Kom

mas3wdd@gmail.com
085729883005
Tipe-tipe Memory
Semikonduktor

#
 Read Only Memory (ROM)
Penyimpanan permanen
Non-volatile
Diprogram secara microprogramming (pemrograman
mikroprosessor)
Biasanya untuk menyimpan:
- Library subroutines untuk fungsi2 sistem yang
sering dipanggil
- Systems programs (BIOS)
- Tabel Set Instruksi

#
 Jenis-jenis ROM
Program ditulis pada saat pembuatan (manufaktur) – masks
tidak bisa diubah/dihapus.
Programmable (once)
PROM (PROgrammable Memory) (OTP-ROM)
Diprogram dengan alat khusus – biasanya di pabrik MB
Programmable - Program bisa di tulis ulang
Untuk menulis membutuhkan waktu lebih lama dari
membaca
Erasable Programmable (EPROM)
Dihapus dengan UV – semua isi memory
Electrically Erasable (EEPROM)
Dihapus secara elektrik dg field emission (Fowler-
Nordheim tunneling) – bisa per byte
Flash memory
Dihapus secara elektrik dg field emission – bisa semua
isi memory, bisa per blok #
Jenis-Jenis ROM

EPROM

#
 Random Access Memory (RAM)
- Operasi: Baca & Tulis (Read & Write)
Volatile (membutuhkan daya untuk menyimpan data)
Sarana penyimpanan temporer saja
Bersifat static atau dynamic
Secara fisik terdiri atas sel-sel memory, satu sel dapat
menyimpan satu bit

Operasi pada
Sel-sel memory

#
 Dynamic RAM (DRAM)
Menggunakan KAPASITOR
Bit data disimpan sebagai tegangan (charge) di dalam
kapasitor
Tegangan cenderung bocor (berkurang)
Membutuhkan refreshing, meskipun dalam kondisi ada
daya (power on)
Membutuhkan adanya sirkuit untuk refresh
Lebih lambat
Konstruksi lebih sederhana, lebih murah biayanya
Tempat yang dipakai per bitnya lebih kecil
Metode penyimpanan analog
Besar kecilnya tegangan menentukan nilai
#
Paling umum dipakai sebagai main memory
 Refreshing DRAM
Refresh circuit terintegrasi dalam chip, melakukan
refresh tiap interval tertentu sebelum waktu
simpan kapasitor habis (biasanya tiap waktu
paruh)
Cara kerja:
1. Disable chip (chip dibuat tidak bisa diakses
untuk sementara)
2. Count through rows (dilakukan per baris sel-sel
memory):
Read & Write back (Baca dan tulis lagi ke
alamat yang sama)
Hal ini membutuhkan waktu dan memperlambat
kinerja #
 Static RAM (SRAM)
DIGITAL (Menggunakan rangkaian flip-flop)
Bits disimpan sebagai switch on/off (secara logika)
Tidak memakai tegangan yang dapat bocor
Tidak membutuhkan refreshing selama ada daya
(powered)
Tidak membutuhkan sirkuit untuk refresh
Lebih cepat
Konstruksi lebih rumit
Tempat yang dipakai menyimpan per bit lebih besar
Lebih mahal

Biasanya untuk cache #

 Kesimpulan SRAM vs DRAM
Keduanya volatile
Membutuhkan daya untuk menyimpan
data
Dynamic cell
Lebih gampang dibuat dan lebih kecil
Lebih padat (lebih banyak bit bisa disimpan)
Memungkinkan dibuat keping memory bersatuan
besar
Murah
Tapi butuh refresh
Static cell
Lebih cepat, tidak butuh refresh, tapi mahal
Hanya untuk cache #
 Synchronous DRAM (SDRAM)
Akses disinkronisasikan dengan external clock
(biasanya system clock – clock CPU)
Pada proses pembacaan data dari RAM:
1. RAM dikirim alamat yg akan dibaca
2. RAM mencari data
Pada DRAM konvensional, CPU akan menunggu
Pada SDRAM, karena proses perpindahan data
sudah dijadwalkan, CPU tahu kapan data siap,
sehingga CPU tidak harus menunggu, bisa
mengerjakan hal lain
Burst mode (kalau ada) membuat SDRAM dapat
stream data dan mengirimnya dalam bentuk blok
DDR-SDRAM mengirim data dua kali per siklus
#
clock
Contoh Kerja SDRAM

#
 Organisasi Memory
Sekeping memory 16Mbit bisa diorganisasikan
sebagai 1M kali 16 bit words
Sistem “A bit per chip” punya 16 lot x 1Mbit chip
dengan bit pertama tiap word ada di chip 1, bit
ke 2 ada di chip 2 dan seterusnya

#
 Organisasi Memory
Namun, sekeping memory 16Mbit juga dapat
diorganisasikan dalam 2048 x 2048 x 4bit array
(multiplexed)
Mengurangi jumlah pin alamat
Multiplex row address and column
address
11 pins to address (211=2048)
Adding one more pin doubles range of
values so x4 capacity

#
 A: Address Pin Vss: Ground pin
D: Data Pin Vpp: Program voltage pin
Packaging Vcc: Power Supply Pin
CAS: Column Address
CE: Chip enable pin
RAS: Row Address
Select Select

Organisasi “a bit per chip” Organisasi multiplexed #

 Error Correction
Error di memory: kerusakan data: macet di 0
atau 1, atau berubah-ubah antara 0 dan 1
Jenis Error: Hard Failure
Bersifat permanen, fisik, disebabkan
penggunaan yang tidak semestinya, cacat
pabrik atau usia
Jenis Error: Soft Error
Random, non-destructive
Tidak permanen, disebabkan masalah power
supply atau
Dideteksi dengan Hamming error correcting
code #
 Hamming Error Correcting Code
Diciptakan Richard Hamming di Bell Lab pada 1950
Mekanisme pendeteksian kesalahan dengan
menyimpan parity check bit (bit cek paritas)
bersama bit-bit data asli sebagai penanda pola data,
untuk memeriksa apakah ada data yang berubah
Pemikiran dasar: dari serentetan bit data pasti bisa
didapatkan sebuah ciri yang menunjukkan
keterhubungan antar data. Ciri tersebut disimpan
sebagai check bit

#
Hamming Error Correcting Code

#
 Implementasi Hamming
Untuk tiap 8 bit data D, pada posisi bit dimana posisi
angka biner 1 hanya sebuah, disisipkan satu check bit C
Data yang disimpan
menjadi 12 bit

#
~ Bit cek paritas ditempatkan dengan perumusan 2N
dimana
N = 0,1,2, ……, sedangkan bit data adalah sisanya.
Kemudian dengan exclusive-OR dijumlahkan:
~ Setiap cek bit (C) beroperasi pada setiap posisi bit data
yang nomor posisinya berisi bilangan 1 pada kolomnya
 Implementasi Hamming
Aturan untuk menentukan C:
C1 = D1  D2  D4  D5  D7
C2 = D1  D3  D4  D6  D7
C4 = D2  D3  D4  D8
C8 = D5  D6  D7  D8
Kemudian check bits yang didapat saat data
disimpan di -kan dengan check bits saat
pembacaan.
Bilangan biner yang didapat menunjukkan letak
bit data yang salah, kemudian bit yang salah
di NOT-kan #
CONTOH :

~ masukkan data : 00111001 kemudian ganti bit data ke 3

dari 0 menjadi 1 sebagai error-nya.
~ Bagaimanakah cara mendapatkan bit data ke 3 sebagai
bit yang terdapat error?

Jawab :
Masukkan data pada perumusan cek bit paritas :
C1 = 1 ⊕ 0 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 0 = 1
C2 = 1 ⊕ 0 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 0 = 1
C4 = 0 ⊕ 0 ⊕ 1 ⊕ 0 =1
C8 = 1 ⊕ 1 ⊕ 0 ⊕ 0 =0
Sekarang bit 3 mengalami kesalahan data menjadi:
00111101
C1 = 1 ⊕ 0 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 0 = 1
C2 = 1 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 0 = 0
C4 = 0 ⊕ 1 ⊕ 1 ⊕ 0 =0
C8 = 1 ⊕ 1 ⊕ 0 ⊕ 0 =0

 Apabila bit – bit cek dibandingkan antara yang lama

dan baru maka terbentuk syndrom word :
C8 C4 C2 C1
0 1 1 1
0 0 0 1
0 1 1 0 =6
 Sekarang kita lihat posisi bit ke-6 adalah data ke-3.
~ Mekanisme koreksi kesalahan akan
meningkatkan realibitas bagi memori
~ Menambah kompleksitas pengolahan data.
~ Menambah kapasitas memori karena adanya
penambahan bit – bit cek paritas.
~ Memori akan lebih besar beberapa persen atau
dengan kata lain kapasitas penyimpanan akan
berkurang karena beberapa lokasi digunakan
untuk mekanisme koreksi kesalahan
 Kode hasil Fungsi Error correction

f: fungsi error correction Sebenarnya disimpan di memory:

M: data sebanyak M-bit M-bit data + K-bit kode
K: K-bit kode hasil perhitungan fungsi #
 RAMBUS® RDRAM
Diadopsi Intel untuk seri Pentium keatas
(Tadinya) Kompetitor SDRAM & DDR gagal karena
skandal
Adalah DDR dengan Bus khusus DRAM, pertukaran data
lewat 28 kabel dengan panjang < 12 cm. CPU request
data ke controller RDRAM
Bus mengalamati sampai 320 RDRAM chips dengan
kecepatan 1.6Gbps (480ns access time)

#
 Informasi lebih mengenai
memory?

- http://bugclob.org/eric/memory/comp
utermemory.html
- Mahastama, S.Kom, Aditya Wikan.,
Slide Mata Kuliah Arkom UKDW,
http://lecturer.ukdw.ac.id/~mahas/dos
sier/arkom_04.pdf
#
Lampiran

#
Struktur Memory Cell DRAM

#
 Operasi pada DRAM
Address line aktif ketika sebuah bit dibaca/ditulis
Switch transistor ditutup (arus mengalir)
Write (Tulis)
Beri voltase (tegangan) ke bit line
Tinggi untuk 1, rendah untuk 0
Kemudian beri sinyal ke address line
Tegangan diteruskan ke kapasitor
Read (Baca)
Address line dipilih
transistor menjadi on
Tegangan dari kapasitor disalurkan ke sense amplifier
melalui bit line
Bandingkan dengan nilai referensi untuk menentukan
apakah tegangan termasuk 0 or 1
Setelah itu, tegangan kapasitor dipulihkan
#
Struktur Memory Cell SRAM

#
 Cara Kerja Static RAM
Penataan transistor menghasilkan sebuah kondisi
logika (logic state) yang stabil
State 1
C1 high, C2 low
T1 T4 off, T2 T3 on
State 0
C2 high, C1 low
T2 T3 off, T1 T4 on
Mau baca/tulis: Address line transistor T5 T6 di-on kan
Write – apply value to B & compliment to B
Read – value is on line B
#
Cara Akses 16 Mbit DRAM (4M x 4)
RAS: Row Address Select
CAS: Column Address Select
WE: Write Enable
OE: Output Enable

#
 Organisasi
Modul Memory
Seandainya sebuah chip RAM
hanya berkapasitas 1 bit per
wordnya, maka akan
dibutuhkan sejumlah n-chip
untuk menampung sebuah word
berukuran n-bit.

Jika 1 word berukuran 8-bit, maka

Dibutuhkan 8 buah chip dalam satu
modul

Contoh di kanan:
1 chip terorganisasi dalam 512 baris x
512 kolom x 1 bit
Untuk itu pengalamatannya
membutuhkan 18 bit (29 x 29)
256Kbyte memory #
(512 = 29)
Organisasi Modul Memory (2)

1Mbyte memory #