Anda di halaman 1dari 4

Nama: Berlian Ishma Zhafira Sujana

NIM: 225150207111008

Kelas: A

Program Studi: Teknik Informatika

Mata Kuliah: Arsitektur dan Organisasi Komputer

A. Arsitektur dan Fungsi Hardisk SSD


SSD adalah singkatan dari Solid State Drive, yaitu sebuah piranti penyimpanan yang
menggunakan flash memory untuk menyimpan datanya. Kita tentu telah mengenal USB memory
sebagai salah satu media yang memakai flash memory, untuk lebih mudahnya anggap saja SSD
ini sebagai versi lebih besar dan Tangguh dari USB memory.
Komponen utama SSD adalah pengontrol dan memori untuk menyimpan data.
Komponen memori utama dalam SSD dulunya adalah memori volatil DRAM, tetapi sejak 2009
lebih umum NAND flash memori non-volatil.

Wear leveling
Jika blok tertentu diprogram dan dihapus berulang kali tanpa menulis ke blok lain, blok
itu akan aus sebelum semua blok lainnya - dengan demikian mengakhiri masa pakai SSD secara
prematur. Karena alasan ini, pengontrol SSD menggunakan teknik yang disebut wear
leveling untuk mendistribusikan penulisan serata mungkin di semua blok flash di SSD.
Dalam skenario yang sempurna, ini akan memungkinkan setiap blok untuk ditulis ke
umur maksimum sehingga semuanya gagal pada saat yang sama. Proses untuk mendistribusikan
penulisan secara merata membutuhkan data yang ditulis sebelumnya dan tidak berubah (cold
data) untuk dipindahkan, sehingga data yang lebih sering berubah (hot data) dapat ditulis ke
dalam blok tersebut. Merelokasi data meningkatkan amplifikasi tulis dan menambah keausan
memori flash. Desainer berusaha meminimalkan keduanya.

Memori
Memori flash

Perbandingan arsitektur

Karakteristik perbandingan MLC : SLC NAND : NOR


Rasio persistensi 1 : 10 1 : 10

Rasio tulis berurutan 1:3 1:4

Rasio baca berurutan 1:1 1:5

Rasio harga 1 : 1.3 1 : 0.7

Sebagian besar produsen SSD menggunakan memori flash NAND non-volatil dalam
pembuatan SSD mereka karena biayanya lebih rendah dibandingkan dengan DRAM dan
kemampuan untuk menyimpan data tanpa catu daya yang konstan, memastikan persistensi data
melalui pemadaman listrik yang tiba-tiba. SSD memori flash awalnya lebih lambat daripada
solusi DRAM, dan beberapa desain awal bahkan lebih lambat daripada HDD setelah terus
digunakan. Masalah ini diatasi dengan pengontrol yang keluar pada tahun 2009 dan yang lebih
baru.
Drive dengan harga lebih rendah biasanya menggunakan memori flash triple-level
cell (TLC) atau multi-level cell (MLC), yang lebih lambat dan kurang reliabel dibandingkan
memori flash single-level cell (SLC). Ini dapat dikurangi atau bahkan dibalik dengan struktur
desain internal SSD, seperti interleaving, perubahan pada penulisan algoritma, dan penyediaan
berlebih yang lebih tinggi (lebih banyak kapasitas berlebih) yang dapat digunakan oleh algoritme
wear-leveling.
Solid-state drive yang mengandalkan teknologi V-NAND, di mana lapisan sel ditumpuk
secara vertikal, telah diperkenalkan.

DRAM
SSD yang didasarkan pada memori volatil seperti DRAM dicirikan oleh akses data yang
sangat cepat, umumnya kurang dari 10 mikrodetik, dan digunakan terutama untuk mempercepat
aplikasi yang jika tidak akan ditahan oleh latensi SSD flash atau HDD tradisional.
SSD berbasis DRAM biasanya menggabungkan baterai internal atau adaptor AC/DC
eksternal dan sistem penyimpanan cadangan untuk memastikan persistensi data saat tidak ada
daya yang disuplai ke drive dari sumber eksternal. Jika daya hilang, baterai memberikan daya
sementara semua informasi disalin dari memori akses acak (RAM) ke penyimpanan cadangan.
Saat daya dipulihkan, informasi disalin kembali ke RAM dari penyimpanan cadangan, dan SSD
melanjutkan operasi normal (mirip dengan fungsi hibernasi yang digunakan dalam sistem operasi
modern).

Cache atau Buffer


SSD berbasis flash biasanya menggunakan DRAM dalam jumlah kecil sebagai cache
yang mudah menguap, mirip dengan buffer di drive hard disk. Direktori penempatan blok dan
data leveling keausan juga disimpan dalam cache saat drive beroperasi. Satu produsen
pengontrol SSD, SandForce, tidak menggunakan cache DRAM eksternal pada desain mereka
tetapi masih mencapai kinerja tinggi. Penghapusan DRAM eksternal tersebut mengurangi
konsumsi daya dan memungkinkan pengurangan ukuran SSD lebih lanjut.

Baterai atau Superkapasitor


Komponen lain dalam SSD yang berkinerja lebih tinggi adalah kapasitor atau beberapa
bentuk baterai, yang diperlukan untuk menjaga integritas data sehingga data dalam cache dapat
dialirkan ke drive saat daya hilang; beberapa bahkan mungkin memiliki daya yang cukup lama
untuk mempertahankan data dalam cache sampai daya dilanjutkan. Dalam kasus memori flash
MLC, masalah yang disebut lower page corruption dapat terjadi ketika memori flash MLC
kehilangan daya saat memprogram upper page. Hasilnya adalah data yang ditulis sebelumnya
dan dianggap aman dapat rusak jika memori tidak didukung oleh superkapasitor jika daya tiba-
tiba hilang. Masalah ini tidak ada dengan memori flash SLC.
Sebagian besar SSD kelas konsumen tidak memiliki baterai atau kapasitor internal; di antara
pengecualian adalah seri Crucial M500 dan MX100, seri Intel 320, dan seri Intel 710 dan 730
yang lebih mahal. SSD kelas perusahaan, seperti seri Intel DC S3700, biasanya memiliki baterai
atau kapasitor bawaan.

Antarmuka Host

Sebuah SSD dengan MLC NAND 1,2 TB, menggunakan PCI Express sebagai antarmuka host

Antarmuka host secara fisik merupakan konektor dengan pensinyalan yang dikelola oleh
pengontrol SSD. Ini paling sering salah satu antarmuka yang ditemukan di HDD. Mereka
termasuk:

 Serial attached SCSI (SAS-3, 12.0 Gbit/s) – umumnya ditemukan di peladen


 Serial ATA dan varian mSATA (SATA 3.0, 6.0 Gbit/s)
 PCI Express (PCIe 3.0 ×4, 31.5 Gbit/s)
 M.2 (6.0 Gbit/s untuk SATA 3.0 antarmuka perangkat logis, 31.5 Gbit/s untuk PCIe 3.0 ×4)
 U.2 (PCIe 3.0 ×4)
 Fibre Channel (128 Gbit/s) – hampir secara eksklusif ditemukan di peladen
 USB (10 Gbit/s)
 Parallel ATA (UDMA, 1064 Mbit/s) – kebanyakan diganti dengan SATA
 (Parallel) SCSI (40 Mbit/s- 2560 Mbit/s) – umumnya ditemukan di server, sebagian besar
digantikan oleh SAS; SSD berbasis SCSI terakhir diperkenalkan pada 2004
SSD mendukung berbagai antarmuka perangkat logis, seperti Advanced Host Controller
Interface (AHCI) dan NVMe. Antarmuka perangkat logis menentukan kumpulan perintah yang
digunakan oleh sistem operasi untuk berkomunikasi dengan SSD dan host bus adapters (HBA).

B. Struktur Sel Memori


Larik Register
Larik reg menyimpan data yang telah diprogram ke dalam ROM. Setiap reg berisi banyak
sel-sel memori yang setara dengan ukuran word. Pada kasus ini, setiap reg menyimpan word 8-
bit
Kita dapat menetapkan posisi setiap register pd sebuah baris dan kolom khusus.
Misalnya, reg 0 ada dalam baris 0, kolom 0, dan reg 9 ada dalam bari 1, kolom 2.
Delapan keluaran data dari setiap reg dihubungkan ke bus data internal. Setiap reg
mempunyai dua saluran masuk enable (E), keduanya harus dalam keadaan HIGH supaya data reg
dapat ditempatkan pada bus.

Decoder Alamat
Kode alamat A3A2A1A0 yg digunakan menentukan isi register (8-bit) mana dalam larik
yang akan ditempatkan pada bus data (enable).
Bit-bit alamat A1A0 diumpankan ke decoder yg akan mengaktifkan atau memilih satu
saluran baris-pilih dan bit-bit alamat A3A2 diumpankan pada decoder kedua yg akan
mengaktifkan atau memilih satu saluran kolom-pilih.
Hanya ada satu reg yg terpilih pada baris dan kolom oleh masukan alamat, dan reg inilah
yang di-enable.

Penyangga Output
Reg yg di-enable oleh masukan alamat akan menempatkan data pd bus data. Data
ini diumpankan ke penyangga output, yg akan melewatkan data ke keluaran-keluaran data
eksternal, hal ini disediakan dgn =LOW. Jika = HIGH, maka penyangga output berada
dalam keadaan impendansi tinggi (tristate), dan D7 sampai D1 akan mengambang.

Anda mungkin juga menyukai