STRUKTUR KRISTAL

MATERIAL SEMIKONDUKTOR
• Material zat padat dapat diklasifikasikan menjadi 3 jenis, yaitu
isolator (10-18   10-8 S/m), semikonduktor dan konduktor
(104    106 S/m).
• Semikonduktor adalah grup material yang memiliki
konduktivitas antara logam dan isolator.
• Konduktivitas semikonduktor secara umum sensitif terhadap
temperatur, pencahayaan, medan magnet dan
pengotoranatom.
• Klasifikasi umum semikonduktor adalah material
semikonduktor elemental, terdapat pada grup IV tabel
periodik dan material senyawa (compound) semikonduktor,
yang dibentuk dari kombinasi elemen grup III dan V.
MATERIAL SEMIKONDUKTOR
MATERIAL SEMIKONDUKTOR
MATERIAL SEMIKONDUKTOR
MATERIAL SEMIKONDUKTOR
 JENIS ZAT PADAT
• Secara umum zat padat dapat dibagi menjadi 3
jenis, yaitu : amorf, polikristal dan kristal tunggal.
• Material amorf ditandai dengan keteraturan
susunan atom/molekul hanya beberapa dimensi
atom/molekul.
• Polikristal ditandai dengan tingkat keteraturan
susunan atom/molekul yang lebih tinggi.
• Kristal tungga ditandai dengan tingkat
keteraturan yang sangat tinggi atau periode
geometri yang sangat teratur.
JENIS ZAT PADAT
 KISI RUANG
1. Sel Primitif dan Sel Satuan
Kita dapat mewakili susunan atom tertentu dengan titik
yang disebut titik kisi. Setiap titik kisi dapat diterjemah-
kan sebagai jarak a1 dalam satu arah dan jarak b1 dalam
arah nonkolinier kedua untuk menghasilkan kisi dua
dimensi. Translasi nonkolinier ketiga akan menghasilkan
kisi tiga dimensi. Arah translasi tidak harus tegak lurus.
Sel satuan adalah volume kecil kristal yang dapat
digunakan untuk mereproduksi seluruh kristal. Sel satuan
bukan entitas yang unik. Gambar di bawah ini
menunjukkan beberapa sel unit yang mungkin dalam kisi
dua dimensi.
 KISI RUANG
1. Sel Primitif dan Sel Satuan
Sel satuan A dapat ditranslasikan ke arah a2 dan b2,
sel satuan B dapat ditranslasikan ke arah a3 dan b3,
dan seluruh kisi dua dimensi dapat dibangun
dengan translasi dari salah satu sel satuan ini. Sel-
sel satuan C dan D pada gambar juga dapat
digunakan untuk membangun seluruh kisi dengan
menggunakan translasi yang sesuai. Diskusi sel unit
dua dimensi ini dapat dengan mudah diperluas
hingga tiga dimensi untuk menggambarkan bahan
kristal tunggal yang nyata.
 KISI RUANG
1. Sel Primitif dan Sel Satuan
 KISI RUANG
1. Sel Primitif dan Sel Satuan
Sel primitif adalah sel satuan terkecil yang dapat diulang
untuk membentuk kisi. Dalam banyak kasus, lebih mudah
menggunakan sel satuan yang bukan sel primitif. Sel-sel
satuan dapat dipilih yang memiliki sisi ortogonal, misalnya,
sedangkan sisi-sisi sel primitif mungkin non ortogonal.
Sel unit tiga dimensi yang umum seperti yang ditunjukkan
pada gambar di bawah ini. Hubungan antara sel ini dan kisi
ditandai oleh tiga vektor a, b, c tidak perlu tegak lurus dan
yang panjangnya bisa sama atau tidak sama. Setiap titik kisi
setara dalam kristal tiga dimensi dapat ditemukan
menggunakan vektor.
R = 𝑝𝒂 + 𝑞𝒃 + 𝑠c
 KISI RUANG
1. Sel Primitif dan Sel Satuan
 KISI RUANG
2. Struktur Kristal Dasar
Gambar di bawah ini menunjukkan struktur
kubik sederhana (simple cubic), kubik pusat
badan (base center cubic), dan kubik pusat muka
(face center cubic). Untuk struktur sederhana ini,
dapat dipilih sel satuan sedemikian rupa
sehingga menjadi vektor umum, a, b dan c
adalah tegak lurus satu dengan yang lain dan
panjang masing-masingnya adalah sama.
 KISI RUANG
2. Struktur Kristal Dasar
 KISI RUANG
2. Struktur Kristal Dasar
Dengan mengetahui struktur kristal material dan dimensi
kisi, dapat ditentukan beberapa karakteristik kristal, seperti
rapat volume atom-atom.
Contoh :
 KISI RUANG
3. Bidang Kristal dan Indeks Miller
Karena kristal asli tidak terlalu besar, mereka akhirnya
berakhir di permukaan. Perangkat semikonduktor dibuat
pada atau dekat permukaan, sehingga sifat permukaan
dapat mempengaruhi karakteristik piranti. Kami ingin
menggambarkan permukaan ini dari segi kisi. Permukaan,
atau bidang melalui kristal, dapat dijelaskan dengan
terlebih dahulu mempertimbangkan memintas bidang di
sepanjang sumbu a, b dan c yang digunakan untuk
menggambarkan kisi.
 KISI RUANG
3. Bidang Kristal dan Indeks Miller
 KISI RUANG
3. Bidang Kristal dan Indeks Miller
 KISI RUANG
3. Bidang Kristal dan Indeks Miller
 KISI RUANG
3. Bidang Kristal dan Indeks Miller
 STRUKTUR BERLIAN
Kita mungkin mulai memahami kisi berlian dengan
memperhatikan struktur Tetrahedral yang ditunjukkan pada
gambar di bawah ini.
 STRUKTUR BERLIAN
Struktur ini pada dasarnya adalah kubik pusat-badan
dengan empat atom sudut yang hilang. Setiap atom dalam
struktur tetrahedral memiliki empat tetangga terdekat dan
struktur inilah yang menjadi dasar pembangun kisi berlian.
Ada beberapa cara untuk memvisualisasikan struktur
berlian. Salah satu cara untuk mendapatkan pemahaman
lebih lanjut tentang kisi berlian adalah dengan
mempertimbangkan Gambar 1.13. Gambar 1.13a
menunjukkan dua kubik yang berpusat pada tubuh, atau
struktur tetrahedral, berdampingan secara diagonal.
STRUKTUR BERLIAN
 STRUKTUR BERLIAN
Lingkaran putih mewakili atom dalam kisi yang dihasilkan
ketika struktur digerakkan ke kanan atau kiri, satu konstanta
kisi, a. Gambar 1.13b mewakili bagian atas struktur berlian.
Setengah bagian atas lagi terdiri dari dua struktur
tetrahedral bergabung secara diagonal, tetapi berada pada
90° terhadap stengah diagonal bagian bawah. Karakteristik
penting dari kisi berlian adalah bahwa setiap atom dalam
struktur berlian akan memiliki empat atom tetangga
terdekat.
Struktur zincblende, mirip dengan strukter berlian, pada
struktur berlian hanya ada satu jenis atom sedangkan pada
struktur zincblende terdapat 2 atom yang berbeda.
 STRUKTUR BERLIAN
Semikonduktor senyawa, seperti galium arsenide (GaAs),
memiliki struktur zincblende yang ditunjukkan pada
gambar. Fitur penting dari kedua berlian dan struktur
zincblende adalah bahwa atom bergabung bersama untuk
membentuk tetrahedron. Gambar 1.15 menunjukkan
struktur dasar tetrahedral dari GaAs di mana setiap atom
Ga memiliki empat tetangga As terdekat dan masing-masing
atom As memiliki empat tetangga Ga terdekat. Angka ini
juga mulai menunjukkan interpenetrasi dua subkisi yang
dapat digunakan untuk menghasilkan berlian atau kisi
zincblende.
STRUKTUR BERLIAN
STRUKTUR BERLIAN
 IKATAN ATOM
Hukum alam yang mendasar adalah bahwa energi total suatu
sistem dalam kesetimbangan termal cenderung mencapai nilai
minimum. Interaksi yang terjadi antara atom untuk
membentuk padatan dan untuk mencapai total energi
minimum tergantung pada jenis atom atau atom yang terlibat.
Jenis ikatan, atau Interaksi, antara atom, maka, tergantung
pada atom atau atom tertentu dalam kristal. Jika tidak ada
ikatan yang kuat antara atom, mereka tidak akan "bersatu"
untuk membuat padatan.
Interaksi antara atom dapat dijelaskan oleh mekanika
kuantum (dibahas pada bahasan selanjutnya). Namun
demikian, kita dapat memperoleh pemahaman kualitatif
tentang bagaimana berbagai atom berinteraksi dengan
mempertimbangkan valensi, atau atom terluar, elektron dari
suatu atom.
 IKATAN ATOM
Atom-atom pada dua keadaan ekstrim tabel periodik (kecuali
elemen lembam) cenderung kehilangan atau mendapatkan
elektron valensi, sehingga membentuk ion-ion. Elemen-elemen
dalam grup I tabel periodik cenderung kehilangan satu
elektronnya dan menjadi bermuatan positif, sedangkan elemen-
elemen dalam grup VII cenderung mendapatkan elektron dan
menjadi bermuatan negatif. Ion-ion yang bermuatan berlawanan
ini kemudian mengalami daya tarik coulomb dan membentuk
ikatan yang disebut sebagai ikatan ionik.
Jika ion terlalu dekat, gaya tolak akan menjadi dominan,
sehingga jarak kesetimbangan terjadi antara kedua ion ini. Dalam
kristal, ion bermuatan negatif cenderung dikelilingi oleh ion
bermuatan positif dan ion bermuatan positif cenderung
dikelilingi oleh ion bermuatan negatif, sehingga susunan atom
secara periodik dibentuk untuk membuat kisi-kisi. Contoh klasik
dari ikatan ion adalah natrium klorida.
 IKATAN ATOM
Interaksi atom-atom cenderung membentuk kulit valensi tertutup
seperti pada ikatan ionik. Ikatan atom lain yang cenderung mencapai
kulit energi valensi tertutup adalah ikatan kovalen. Contoh yang
ditemukan dalam molekul hidrogen. Atom hidrogen memiliki satu
elektron dan membutuhkan satu elektron lagi untuk menyelesaikan
kulit energi terendah. Skema dua atom hidrogen yang tidak
berinteraksi, dan molekul hidrogen dengan ikatan kovalen,
ditunjukkan pada Gambar 1.16.
Ikatan kovalen menghasilkan elektron
yang terbagi di antara atom, sehingga
pada dasarnya kulit energi valensi
masing-masing atom penuh.
 IKATAN ATOM
Atom dalam kelompok IV dari tabel periodik,
seperti silikon dan germanium, juga cenderung
membentuk ikatan kovalen. Masing-masing elemen
ini memiliki empat elektron valensi dan
membutuhkan empat elektron lagi untuk
melengkapi kulit energi valensi. Jika atom silikon,
misalnya, memiliki empat tetangga terdekat,
dengan masing-masing atom tetangga
menyumbang satu elektron valensi untuk dibagikan,
maka pusat atom akan memiliki delapan elektron di
kulit terluarnya.
 IKATAN ATOM
Gambar 1.17a secara skematis
menunjukkan lima atom silikon
yang tidak berinteraksi dengan
empat elektron valensi di
sekitar masing-masing atom.
Representasi dua dimensi dari
ikatan kovalen dalam silikon
ditunjukkan pada Gambar
1.17b. Atom pusat memiliki
delapan elektron valensi
bersama.
 IKATAN ATOM
Perbedaan yang signifikan antara ikatan kovalen hidrogen
dan silikon adalah bahwa, ketika molekul hidrogen
terbentuk, ia tidak memiliki elektron tambahan untuk
membentuk ikatan kovalen tambahan, sementara atom
silikon luar selalu memiliki elektron valensi yang tersedia
untuk ikatan kovalen tambahan. Susunan silikon dapat
membentuk kristal yang tak terbatas, dengan masing-
masing atom silikon memiliki empat tetangga terdekat
dan delapan elektron bersama. Empat tetangga terdekat
dalam silikon yang membentuk ikatan kovalen sesuai
dengan struktur tetrahedral dan kisi berlian, yang
ditunjukkan pada Gambar 1.12 dan 1.11 masing-masing.
Ikatan atom dan struktur kristal memiliki kaitan langsung.
 IKATAN ATOM
Skema ikatan atom utama ketiga disebut sebagai ikatan
logam. Elemen Grup I memiliki satu elektron valensi. Jika
dua atom natrium (Z =11), misalnya, didekatkan, elektron
valensi berinteraksi dengan cara yang mirip dengan ikatan
kovalen. Ketika atom natrium ketiga didekatkan dengan
dua atom pertama, elektron valensi juga dapat
berinteraksi dan terus membentuk ikatan. Natrium padat
memiliki struktur kubik yang berpusat badan, sehingga
setiap atom memiliki delapan tetangga terdekat dengan
masing-masing atom berbagi banyak elektron valensi.
Kita mungkin menganggap ion logam positif dikelilingi
oleh lautan elektron negatif, padatan disatukan oleh gaya
elektrostatik.
 IKATAN ATOM
Jenis ikatan atom keempat, disebut ikatan Van der Waals,
adalah ikatan kimia terlemah. Molekul hidrogen fluorida
(HF), misalnya, dibentuk oleh ikatan ionik. Pusat efektif
muatan positif molekul tidak sama dengan pusat efektif
muatan negatif. Ketidaksimetrisan dalam distribusi
muatan ini menghasilkan dipol listrik kecil yang dapat
berinteraksi dengan dipol molekul HF lainnya. Dengan
interaksi yang lemah ini, padatan yang dibentuk oleh
ikatan Van der Waals memiliki suhu leleh yang relatif
rendah — pada kenyataannya, sebagian besar material ini
berbentuk gas pada suhu kamar.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
Dalam kristal sebenarnya kisi tidaklah
sempurna, ketidaksempurnaan atau cacat ini
disebabkan oleh periodisitas geometris yang
sempurna terganggu dalam beberapa cara.
Ketidaksempurnaan cenderung mengubah sifat
listrik suatu material dan, dalam beberapa
kasus, parameter listrik dapat didominasi oleh
cacat atau kotoran ini.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
1. Ketidaksempurnaan dalam Zat Padat
Salah satu jenis ketidaksempurnaan yang dimiliki kristal
adalah getaran termal atom. Kristal tunggal yang sempurna
mengandung atom pada letak kisi tertentu, dengan jarak yang
atom dianggap konstan. Namun, atom-atom dalam kristal
memiliki energi panas tertentu, yang merupakan fungsi dari
temperatur. Energi panas menyebabkan atom bergetar secara
acak dititik kesetimbangan kisi. Gerakan termal acak ini
menyebabkan jarak antar atom berfluktuasi secara acak,
sedikit mengganggu susunan geometris atom yang sempurna.
Ketidaksempurnaan ini, yang disebut getaran kisi, yang
mempengaruhi beberapa parameter listrik, seperti dalam
diskusi tentang karakteristik bahan semikonduktor.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
1. Cacat Titik (Point Defect)
Dalam kisi kristal tunggal yang ideal,
atom-atom disusun dalam pengaturan
periodik yang sempurna. Namun, dalam
kristal nyata, atom mungkin “hilang” dari
letak kisi tertentu. Cacat ini disebut
sebagai kekosongan (vacancy) (lihat
gambar). Cacat kekosongan yang terjadi
karena tidak terisinya suatu posisi atom
pada kisi atau kekosongan sisi kisi, yaitu
sisi yang seharusnya ditempati atom,
kehilangan atomnya. Kekosongan
terbentuk selama proses pembekuan,
dan juga karena getaran atom
yangmengakibatkan perpindahan atom
dari sisi kisi normalnya.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
1. Cacat Titik (Point defect)
Dalam situasi lain, sebuah atom dapat ditempatkan di antara
letak kisi. Cacat ini disebut sebagai penyisipan (insertitial).
Penyisipan adalah “salah tempat", posisi yang seharusnya kosong
justru ditempati atom.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
1. Cacat Titik (Point Defect)
Difusi penyisipan secara umum lebih cepat daripada difusi
pengosongan karena ikatan dari penyisipan terhadap atom-
atom sekelilingnya lebih kuat dan terdapat beberapa posisi
penyisipan dibandingkan posisi kekosongan dalam hal
berdifusi.
Dalam kasus kekosongan dan cacat penyisipan, tidak hanya
susunan geometris atom yang sempurna terputus tetapi juga
ikatan kimia ideal antara atom terganggu, yang cenderung
mengubah sifat listrik material. Kekosongan dan penyisipan
mungkin cukup dekat untuk menunjukkan interaksi antara dua
titik cacat. Cacat kekosongan-penyisipan ini, juga dikenal
sebagai cacat Frenkel, menghasilkan efek yang berbeda dari
kekosongan sederhana atau penyisipan.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Cacat Garis (Line Dislocation)
Cacat yang menimbulkan distorsi pada
lattice yang berpusat pada suatu garis.
Seringpula disebut dengan dislokasi.
Secara umum ada % jenis dislokasi, yakni :
dislokasi ulir,dislokasi sisi+pinggir, dan
dislokasi campuran. Dislokasi ulir
terbentuk karena gaya geser
yangdiberikan menghasilkan distorsi
seperti yang ditunjukkan gambar daerah
depan bagian atas kristal tergeser sebesar
satu atom kekanan relatif terhadap bagian
bawah.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Cacat Garis (Line Dislocation)
Dislokasi sisi/pinggir adalah terdapatnya bidang atom ekstra atau
setengah bidang,dimana sisinya terputus di dalam kristal.
gambar % memperlihatkan skematik dari dislokasi sisi
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Cacat Garis (Line Dislocation)
Jika pada material dijumpai kedua jenis dislokasi diatas maka
disebut materialmempunyai dislokasi campuran. Contoh
dislokasi campuran bisa dilihat pada gambar
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Ketidakmurnian (Impurities)
Impurity (ketidakmurnian) adalah adanya atom “asing" yang
menggantikan tempat yang seharusnya diisi oleh atom. Atom
asing, atau atom pengotor, dapat hadir dalam kisi kristal. Atom
pengotor dapat ditempatkan di lokasi kisi normal, dalam hal ini
mereka disebut pengotor substitusi. Atom pengotor juga dapat
ditempatkan di antara lokasi normal, dalam hal ini mereka
disebut pengotor penyisipan. Kedua pengotor ini adalah cacat
kisi dan secara skematis ditunjukkan pada pambar. Beberapa
pengotor, seperti oksigen dalam silikon, cenderung bersifat
lembam; namun, pengotor lain, seperti emas atau fosfor dalam
silikon, dapat secara drastis mengubah sifat listrik material.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Ketidakmurnian (Impurities)
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Ketidakmurnian (Impurities)
Dalam bagian “Semikonduktor dalam kesetimbangan” akan dilihat
bahwa, dengan menambahkan sejumlah atom pengotor tertentu yang
dikontrol, karakteristik listrik dari bahan semikonduktor dapat diubah
secara menguntungkan. Teknik menambahkan atom pengotor ke
bahan semikonduktor untuk mengubah konduktivitasnya disebut
doping. Ada dua metode umum doping, yaitu difusi pengotor dan
implantasi ion.
Proses difusi yang sebenarnya tergantung pada materialnya tetapi
secara umum, difusi pengotor terjadi ketika kristal semikonduktor
ditempatkan dalam atmosfer gas suhu tinggi (1000oC) yang
mengandung atom pengotor yang diinginkan. Pada suhu tinggi ini,
banyak atom kristal secara acak dapat masuk dan keluar dari lokasi-
lokasi kisi kristal tunggal.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Ketidakmurnian (Impurities)
Pengosongan dapat dibuat dengan gerakan acak ini sehingga
atom pengotor dapat bergerak melalui kisi dengan melompat
dari satu kekosongan ke kekosongan lainnya. Difusi pengotor
adalah proses dimana partikel pengotor bergerak dari daerah
konsentrasi tinggi di dekat permukaan ke daerah konsentrasi
rendah di dalam kristal. Ketika suhu menurun, atom-atom
pengotor menjadi membeku secara permanen ke dalam lokasi-
lokasi kisi pengganti. Difusi dari berbagai pengotor ke daerah
tertentu semikonduktor memungkinkan kita membuat rangkaian
elektronik kompleks dalam kristal semikonduktor tunggal.
 KETIDAKSEMPURNAAN DAN
PENGOTORAN DALAM ZAT PADAT
2. Ketidakmurnian (Impurities)
Implantasi ion umumnya terjadi pada suhu yang lebih rendah daripada
difusi. Ion-ion pengotor dipercepat ke energi kinetik  50 keV dan
kemudian diarahkan ke permukaan semikonduktor. Ion pengotor
berenergi tinggi memasuki kristal dan diam di beberapa kedalaman
rata-rata dari permukaan. Satu keuntungan dari implantasi ion adalah
bahwa jumlah atom pengotor yang dimasukan dapat dikontrol ke
dalam daerah spesifik kristal. Kelemahan dari teknik ini adalah bahwa
atom pengotor bertabrakan dengan atom kristal, menyebabkan
kerusakan pemindahan kisi. Namun, sebagian besar kerusakan kisi
dapat dihilangkan dengan anil termal, di mana suhu kristal dinaikkan
untuk waktu yang singkat. Anil termal adalah langkah yang diperlukan
setelah implantasi.