SEL SURYA DYE-SENSITIZED DENGAN ELEKTRODA COUNTER BERBASIS GRAPHENE

Fitri A. Permatasari (10211087), Kelompok 6

Departemen Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Bandung
Email : fitri.aulia@students.itb.ac.id Abstrak. Sel surya dye-sensitized merupakan sel surya yang memanfaatkan molekul dye sebagai penghasil elektron. Pada umumnya DSSC menggunakan platina sebagai elektroda counternya. Pada jurnal ini, dibahas fabrikasi DSSC dengan menggunakan graphene sebagai elektroda counternya. Graphene dapat menggantikan fungsi platina sebagai katalis reaksi redoks karena sifat konduktivitasnya yang mencapai 5000 Wm.K -1. Lapisan graphene disintesis menggunakan metoda CVD, setelah itu lapisan graphene akan ditransfer ke lapisan substrat elektroda dengan menggunakan teknik bubbling. Teknik Bubbling ini, cukup sederhana dan murah karena hanya memanfaatkan gelembung hydrogen yang terbentuk dari elektrolisis untuk memisahkan lapisan graphene dengan lapisan substratnya. Dari hasil eksperimen diperoleh efisiensi konversi energi dari DSSC yang telah difabrikasi dengan elektroda counter Gr-10, Gr-15, dan Gr-20 adalah berkisar antara 3,12 - 3,98%. Kata Kunci : DSSC, elektrolit, Graphene , molekul dye

I. Pendahuluan
Meningkatnya kebutuhan energi di Indonesia menuntut adanya sebuah teknologi energi terbaharukan. Salahsatu energi terbarukan yang dapat dimanfaatkan adalah energi surya. Letak geografis Indonesia yang dilintasi oleh garis khatulistiwa menjadikan Indonesia kaya akan sinar matahari sehingga potensi memanfaatkan energi surya menjadi lebih besar. Sel surya sebagai piranti sel fotovoltaik mengalami perkembangan yang pesat mulai dari sel surya berbasis Si:a, sel surya p-n junction, sel surya polimer, dan sel surya dye-sensitized (DSSC). Penelitian dikembangkan dengan tujuan menghasilkan efisiensi sel surya yang tinggi namun dengan biaya fabrikasi yang murah sehingga teknologi ini dapat dimanfaatkan dengan mudah. DSSC dikenalkan pada tahun 1991 oleh ORegan and Grtzel[1,2]. Sejauh ini, penelitian efisiensi konversi daya (PCE) sampai 10~11% telah dicapai[3]. Meskipun efisiensi daya belum setinggi solar sel berbasis silicon, namun diantara sel surya lainnya, DSSC memiliki keunggulan biaya fabrikasi yang murah dan ramah lingkungan. Pada umumnya, struktur DSSC (gambar 1) terdiri dari fotoanoda yang transparan (misal FTO, dll), semikonduktor yang memiliki pita energi yang lebar (misal TiO2, dll), molekul dye, larutan elektrolit, dan elektroda counter (misal Platina)[4].

Gambar. 1 Struktur DSSC konvensional. Warna kuning menunjukan larutan elektrolit. Platina digunakan sebagai elektroda counter.[4]

DSSC bekerja seperti proses fotosintesis pada daun. Pada DSSC, foton akan mengenai fotoanoda transfaran, sehingga energi foton akan diserap oleh molekul dye. Energi yang diserap menyebabkan elektron dari level HUMO (High Occupied Molecular Orbitals) tereksitasi ke tingkat energi lebih tinggi, LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbitals) seperti yang ditunjukan pada persamaan 1. Molekul dye teroksidasi sehingga menghasilkan elektron (persamaan 2). Eksiton akan diinjeksikan ke pita konduksi TiO2 yang kemudian akan berpindah ke anoda transparan menuju katoda melalui jalur luar menghasilkan energi (persamaan 3). Sementara itu, molekul dye teregenerasi karena adanya donor proton dari larutan iodine (I-) yang teroksidasi menjadi triiodin (I3-) (persamaan 4). Larutan iodine teregenerasi kembali dengan cara tereduksi pada elektroda counter (persamaan 5).

Rangkaian reaksi kimia di dalam sel adalah sebagai berikut[5] : Sdye + hv S*dye (1) S*dye + TiO2 S*dye + e- TiO2 e-TiO2+elektroda TiO2+e-elektroda+energi S*dye + e- Sdye + I32e-elektroda + I3 3I + elektroda
-

II. Eksperimen
Adapun alur pembuatan DSSC dengan elektroda counter berbasis graphene ditunjukan pada gambar 2.

(2) (3) (4) (5)

Banyaknya elektron yang dpat diinjeksikan ke semikonduktor akan dipengaruhi oleh proses reaksi redoks yang terjadi pada larutan elektrolit. Semakin cepat reaksi redoks maka akan semakin cepat molekul dye menginjeksikan elektron. Oleh karena itu, electrode counter dipilih agar dapat memegang peranan katalis aktif untuk mempercepat reaksi. Platina memiliki sifat yang dapat memenuhi kebutuhan tersebut. Namun, platina relatif mahal. Disisi lain, material graphene berpotensi sebagai elektroda counter dengan harga relatif lebih murah dibanding platina. Graphene memiliki struktur dua dimensi yang merupakan susunan dari atom carbon sp2hibridisasi yang tipis, seperti susunan kisi pada sarang lebah[6]. Konduktivitas graphene yang tinggi (~5000 Wm-1K-1), dan sifanya sebagai senyawa inert memungkinkan graphene untuk digunakan sebagai elektroda counter pada DSSC. Penggunaan graphene mempengaruhi nilai efisiensi daya dan fill factor (FF) dari DSCC. Nilai efisiensi daya dan fill factor (FF) dapat dihitung dari hasil karakterisasi dengan menggunakan persamaan 6 dan persamaan 7. (6) (7) Imax (A) dan Vmax (V) merupakan arus dan tegangan saat daya maksimum pada kurva I-V. Jsc merupakan rapat arus short circuit (mA/cm2), Voc adalah tegangan saat open circuit (V), Pin adalah daya cahaya yang terjadi[10]. Pada jurnal ini, akan dibahas mengenai DSSC dengan elektroda counter berbasis graphene. Selain itu, akan dikenalkan metode penumbuhan graphene menggunakan CVD (Chemical Vapour Deposition) dengan metode transfer menggunakan teknik bubbling.

Gambar. 2 Skema pembuatan DSSC dengan elektroda counter berbasis graphene.

Preparasi Substrat Substrat yang digunakan adalah ITO-PET (Aldrich),yaitu substrat plastik berbahan polimer polyethelen terephtalate (PET) yang berlapis transparent conducting oxide (TCO) berupa indium tin-oxide (ITO). ITOPET ini memiliki ketebalan 0,1 mm dan resistansi 60/sq. Proses diawali dengan preparasi substrat melaluipencucian substrat menggunakan DI water, sabun cair dan IPA (isopropyl alcohol). Pencucian dilakukan menggunakan ultrasonic cleaner[8] Sintesis dan Transfer Graphene. Terdapat banyak metode yang dapat digunakan untuk penumbuhan graphene, namun pada jurnal ini penulis menggunakan metode CVD karena dapat menumbuhkan graphene pada area yang luas. lapisan graphene akan ditumbuhkan pada substrat berupa 25 m Cu. Substrat lain dapat dipilih asal golongan logam transisi agar mudah ditransfer ke elektroda[7]. Substrat ditempatkan di dalam tabung CVD

Gambar 3. Proses transfer lapisan Graphene dari substrat Cu ke substrat elektroda.

[9]

yang akan dialiri gas precursor berupa gas metana sebagai sumber karbon dan gas hydrogen. Penumbuhan berlangsung pada suhu 10000 C dibawah tekanan ambient selama 5-20 menit. Ikatan karbon pada gas metana akan terputus sehingga atom C akan larut pada substrat Cu. Setelah itu, suhu diturunkan perlahan sehingga kelarutan atom akan berkurang menyebabkan terjadi pengendapan karbon pada substrat. Selanjutnya, graphene akan ditransfer dari substrat Cu ke lapisan elektroda menggunakan teknik bubbling[9]. Proses transfer graphene ditunjukkan oleh gambar 3. Lapisan graphene akan dilapisi oleh PMMA (Polymethyl Methacrylate) dengan konstrentasi 46mg/mL (no.1). PMMA/graphene akan dipisahkan dari substrat Cu dengan mengikis Cu dalam 1 M larutan elektrolit NaOH. Sebuah tegangan DC 5 V dialirkan dengan bantuan sebuah kabel Fe sebagai anoda(no.2) agar terjadi elektrolisis. gelembung hydrogen yang dihasilkan dari proses elektrolisis akan mendesak lapisan Cu dengan graphene/PMMA agar terpisah. Kemudian lapisan PMMA/graphene ditransfer ke substrat elektroda dengan menggunakan scooping. Lapisan tersebut dipanaskan kemudian direndam dalam larutan aseton. PMMA akan terlarut dalam larutan aseton sehingga akan tersisa lapisan graphene diatas lapisan substrat elektroda[9].

Fabrikasi DSSC Pembuatan lapisan fotoanoda dilakukan dengan mencetakkan pasta TiO2 nanoxide D-L pada permukaan ITO-PET dengan teknik Doctor Blade Printing[8]. Teknik ini relatif mudahmurah dan dapat digunakan untuk skala produksi. Luas area aktif yang dibuat adalah 2 cm2.Pasta TiO2 yang telah dideposisi pada permukaan ITO-PET, kemudian diannealing dalam oven vakum pada suhu 120C selama 4 jam. Setelah proses annealing, dilanjutkan dengan proses pewarnaan. Proses pewarnaan dilakukan dengan cara perendaman lapisan TiO2 dalam larutan pewarna (dye-sensitized) pada suhu ruang selama 24 jam. Dye yang digunakan berbasis Ruthenium dye (N719, Solaronix). Elektroda counter dibuat dengan mentransfer lapisan graphene kedalam lapisan konduktor dengan area yang sama dengan lapisan TiO2. Pada lapisan elektroda dibuat dua buah lubang untuk memasukan larutan elektrolit kedalam lapisan tersebut. Setelah itu, kedua lubang tadi ditutup menggunakan epoksi lem resin. Karakterisasi Kualitas dan keseragaman lapisan graphene akan dikarakterisasi menggunakan Raman Spectroscopy karena spectrum yang dihasilkan merupakan karakteristik graphene dan tidak bergantung pada substrat. Semua sample dianalisis dengan eksitasi laser argon 514nm dan direkam selama 120s dalam resolusi 2cm-1.

Sedangkan lapisan graphene/ Cu akan dikarakterisasi menggunakan Scanning Tunneling Microscopy (STM) pada temperatur ruangan (300K). STM akan menunjukan permukaan semikonduktor dalam skala nano. Transmittansi lapisan graphene dikarakterisasi menggunakan UV-Vis-NIR Spectrophotometer. Semua pengukuran dilakukan di udara dalam rentang 200 750nm dengan resolusi 1nm. Untuk melihat lebih jelas perbedaanya, hasil pengukuran akan dianalisis dengan bantuan software SPIS. Topografi lapisan sebelum ditambah larutan elektrolit dilihat menggunakan Dimension Icon Atomic Force (AFM) Microscope (Bruker AXS) kemudian dianalisis dengan bantuan software Nanoscope Analysis. Karakter fotovoltaic DSSC akan ditunjukan dengan pengukuran I-V menggunakan Keithley 4200-Semiconductor Characterization System dibawah iluminasi cahaya pada 100mW/cm2 yang berasal dari lampu arc xenon. Sebelum melakukan pengukuran, intensitas cahaya diukur menggunakan radiant power/ energi meter[9].

Gambar 4. Spektra raman ( laser = 514nm) dari lapisan graphene yang ditumbuhkan pada 1000 0C [9] dengan waktu penumbuhan yang berbeda .

III. Hasil dan Pembahasan

Spektra Raman hasil karakterisasi setelah ditransfer ke lapisan SiO2 atau substrat Si dengan variasi waktu penumbuhan ditunjukan oleh data analisis pada tabel 1. Spektrum menunjukan puncak G yang besar dan simetris (1580 cm-1) dan 2D (2700 cm-1 ).
Tabel 1. Data Spestroskopi Raman[9]

Pita G dengan fwhm pada 18.44 cm-1 sampai 18.15 cm-1 untuk 1 sampai 20 menit berturut turut berasal dari vibrasi atom karbon pada bidang sp2 dan penurunan rangkap mode phonon ( E2g simetris) pada daerah Brillouin pusat. PUncak 2D diidentifikasi oleh puncak Lorentzian dengan kenaikan fwhm pada 32.4268.92 cm-1 untuk waktu penumbuhan graphene 1 sampai 20 menit (lihat tabel 1 dan gambar 4).

Pita G muncul dari kerenggangan ikatan CC pada material grafit dan biasanya pada semua system karbon sp2. Pita G mempunyai sensitivitas yang tinggi agar dapat menekan efek pada system sp2 serta dapat mendeteksi perubahan permukaan datar graphene. Mode D disebabkan oleh ketidakteraturan struktur graphene. Ketidakteraturan pada system sp2 menghasilkan resonansi spectra raman sehingga spestroskopi raman sangat sensitive untuk mengkarakterisasi ketidakteraturan pada material karbon sp2. Semua jenis karbon sp2 menunjukan puncak pada rentang 2500-2800 cm-1 pada spectra raman. Dikombinasikan dengan pita G, spectra ini menjadi ciri sifat grafit sp2 yang disebut dengan pita 2D. Pita 2D merupakan urutan kedua dari dua proses phonon dan menunjukan kebergantungan frekuensi yang besar terhadap energi laser yang dieksitasi. Oleh karena itu, pita 2D digunakan untuk menentukan jumlah layer pada graphene. Pemetaan raman pada (laser = 532 nm) dari lapisan monolayer Graphene di atas substrat SiO2/Si dengan waktu penumbuhan 1 menit ditunjukkan oleh gambar 5a. Peta dengan gambaran warna menunjukan distribusi lapisan graphene sedangkan bentuk grafiknya ditunjukkan oleh gambar 5b.

Gambar 5. (a) Pemetaan Raman dari FWHM 2D menunjukkan distribusi lapisan Graphene (hijau untuk monolayer, biru untuk bilayer, dan merah untuk fewlayer), (b) Spektra Raman dengan korespondensi kode warna. [9

Gambar 6. (a) Topografi STM dari Graphene diatas lembar Cu, (b) Gambar resolusi atomik topografi STM dari kisi Graphene berbentuk sarang lebah, (c) Gambar resolusi tinggi dari kisi Graphene berbentuk sarang lebah, dan (d) Transform Fourier[9].

Gambar 6 merupakan hasil STM yang merepresentasikan lapisan monolayer graphene yang ditumbuhkan diatas substrat Cu. Gambar STM diperoleh pada set point 3,5 nA dan tegangan bias dari 400 mV. Gambar 6a menunjukkan area scan besar butir graphene dengan kekasaran yang signifikan dan penampilan dari struktur kisi sarang lebah. Resolusi atom karakteristik kisi seperti sarang lebah (dengan model posisi atom ditumpangkan) ditunjukkan pada Gambar 6b dan gambar 6c menunjukkan resolusi tinggi 3-dimensi dari kisi graphene sarang lebah. Gambar-gambar STM menunjukkan orientasi kisi yang sama konsisten dengan struktur lapisan kristal tunggal. Transformasi Fourier dari kisi graphene sarang lebah yang ditunjukkan pada Gambar 4d menunjukkan tingkat tinggi kristalinitas dari graphene yang ditumbuhkan.

Pengukuran transmitansi pada film graphene dilakukan dengan mengendapkan pada kuarsa yang ditunjukkan pada gambar 3.4. Untuk film, transmitansi di 700 nm (1,8 eV) adalah 96,77% selama 1 menit, 92,43% selama 5 menit, 88,19% selama 10 menit, dan 75,66% selama 20 menit. Hal ini menunjukkan bahwa ada kesamaan dengan data literatur untuk film graphene yang mengurangi transmisi kurang lebih 2,5% per lapisan. Sedangkan pengukuran komparatif dilakukan pada ITO film standar pada kaca menunjukkan bahwa pada 500 nm, transmitansi menunjukkan 93,6% sementara ITO menunjukkan 90,5%. Pada 600 nm, transmitansi menunjukkan 95,7% dan ITO menunjukkan 88,7%.

Gambar 8. Karakteristik arus-tegangan (I-V) dari DSSC berbasis Graphene yang diukur dibawah pencahayaan matahari (100 mW/cm2, AM 1.5) [9]. Gambar 7. Transmitansi spektra UV-vis dari sampel lapisan Graphene yang terdeposisi di atas quartz serta ITO (indium tin oxide) [9]. Tabel 2. Paramater fotovoltaik dari DSSC dengan elektroda counter berbasis Graphene.[9]

Pengukuran transmitansi pada film graphene dilakukan dengan mengendapkan pada kuarsa yang ditunjukkan pada gambar 3.4. Untuk film, transmitansi di 700 nm (1,8 eV) adalah 96,77% selama 1 menit, 92,43% selama 5 menit, 88,19% selama 10 menit, dan 75,66% selama 20 menit. Hal ini menunjukkan bahwa ada kesamaan dengan data literatur untuk film graphene yang mengurangi transmisi kurang lebih 2,5% per lapisan. Sedangkan pengukuran komparatif dilakukan pada ITO film standar pada kaca menunjukkan bahwa pada 500 nm, transmitansi menunjukkan 93,6% sementara ITO menunjukkan 90,5%. Pada 600 nm, transmitansi menunjukkan 95,7% dan ITO menunjukkan 88,7%. Parameter fotovoltaik untuk DSSC dibuat dengan menggunakan lembaran graphene yang tumbuh selama 20 menit, 15 menit, dan 10 menit yang disebut sebagai Gr - 20, Gr - 15, dan Gr - 10, dimana ditunjukkan pada tabel 3.2, dan kurva karakteristik arus-tegangan (I-V) yang ditunjukkan pada Gambar 8.

Pergeseran positif dalam tingkat iodida/energi redoks tri-iodida akan meningkat dengan meningkatnya Voc, begitu juga sebaliknya sehingga mempengaruhi energi efisiensi konversi sel. Semua perhitungan tersebut telah dimasukkan dalam software karakterisasi sel surya Keithley SCS 4200. Untuk sel yang diendapkan selama 20 menit (Gr - 20) tumbuh graphene kontra elektroda dan daerah aktif 0,20 cm2, dan diperoleh nilai-nilai parameter fotovoltaik yaitu Voc = 0,545 v, FF = 57,6 % dan = 3,98 %. Sementara itu untuk yang diendapkan selama 10 menit (Gr - 10), diperoleh Voc = 0,509 v, FF = 54,7 %, dan = 3,12%.

IV. Simpulan
Lapisan graphene dengan densitas defek rendah dapat ditumbuhkan dengan metode CVD serta ditransfer ke substrat kaca konduktif dengan metode bubbling. Waktu penumbuhan graphene yang lama menghasilkan jumlah layer yang lebih banyak dengan transmitansi rendah. Berdasarkan hasil eksperimen, graphene dapat digunakan sebagai elektroda counter pada sel surya DSSC dengan efisiensi konversi energi Gr-10, Gr-15, dan Gr-20 adalah berkisar antara 3,12 - 3,98%.

V. Referensi
[1] B. ORegan, M. Grtzel, Nature., 1991, 353, 737740 [2] Grtzel, M., Journal of Photochemistry and Photobiology C., 2003, 4, 145-153 [3] J. Liu, Y. Xue, M. Zhang, L. Dai, Mrs Bulletin., 2012, 37, 1265-1272 [4] A.Yella, H.-W. Lee, H.N. Tsao, C.Yi, A.K. Chandiran, M.K. Nazeeruddi, E.W.-G. Diau, C.-Y. Yeh, S.M. Zakeeruddin, M. Grtzel, Science., 2011, 334, 629-635. [5] B. Li, L. Wang, B. Kang, P. Wang, Y. Qiu, Sol. Energi Mater. Sol. Cells., 2006, 90, 549-555 [6] R.Cruz, D. Alfredo, A.L. Mendes, Elsevier:Solar Enegry., 2011, 86, 716-724 [7] B. Pollard, Thesis : Growing Graphene via Chemical Vapor Deposition, Departement of Physic Ponoma College., 2011. [8] L.Muliani, E. S. Rosa, J. Hidayat, S. Shobih, B. Yuliarto, Prosiding InSiNas., 2012, 26, 0167 [9] D. D. Srhin, M. Fabiane, A. Bello, N. manyala, Industrial & Engineering Chemistry Research., 2013 [10] C. Hsieh, B.Yang, Y. Chen, Elsevier : Diamond and Related Material., 2012, 27, 68-75