TUGAS BAHAN AJAR ELEKTRONIKA

1. PERKEMBANGAN SEJARAH ELEKTRONIKA DAYA

Bermula diperkenalkan penyearah busr mercuri 1900, metal tank, grid-

cotrolled vacum tube, ignitron, phanotron dan thyratron semua ini untuk kontrol
daya hingga tahun 1950. Tahun 1948 ditemukan transistor silikon , kemudian
tahun 1956 ditemukan transistor pnpn triggering yang disebut dengan thyristor
atau silicon controlled rectifier. Tahun 1958 dikembangkan thyristor komercial
oleh general electric company.

Devais Semikonduktor daya

1. Power Diodes

2. Thyristors

3. Power Bipolar Junction Transistors (BJTs)

4. Power MOSFETs

5. Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

Static Induction transistors (SITs)

Diode Daya

Thyristor
Rating Devais Semikonduktor Daya
Karakter dan simbol beberapa komponen elektronika daya
Penerapan Devais daya

Karakteristik Kontrol Devais pensaklaran Daya

Tipe – tipe rangkaian Elektronika Daya

1. Penyearah Diode
2. Konverter ac – dc (penyearah terkontrol)
3. Konverter ac – ac (kontroller tegangan ac)
4. Konverter dc – dc (dc chopper)
5. Konverter dc – ac (inverter)
6. Saklar/switch statis

1. Penyearah

2. Konverter ac – dc
3. Konverter ac – ac

4. Konverter dc – dc
5. Inverter
 6. Saklar Statis

Karena devais daya dapat dioperasikan sebagai switch atau kontaktor,

dengan tegangan sumber dapat berupa tegangan ac atau dc dan switchnya dikenal
dengan ac static switches atau dc static switches.

2. KARAKTERISTIK SEMI KONVERTER DAYA

A. DIODA DAYA

Gambar 2.1
 Dioda adalah komponen elektronika yang terbuat dari bahan
semikonduktor. Dioda memiliki fungsi hanya mengalirkan arus satu arah saja.
Struktur dioda adalah sambungan semikonduktor P dan N. Satu sisi adalah
semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain adalah tipe N. Dengan
struktur demikian arus hanya akan mengalir dari sisi P menuju sisi N. Dibawah ini
gambar simbol dan struktur dioda serta bentuk karakteristik dioda. (Untuk dioda
yang terbuat dari bahan Silikon tegangan konduksi adalah diatas 0.7 volt)

(a) Simbol dan struktur dioda, (b)Karakteristik dioda

Diode memiliki dua kaki, yaitu anoda dan katoda. Perhatikan Gambar 2.2.
Diode hanya dapat melewatkan arus listrik dari satu arah saja, yaitu dari anode ke
katoda yang disebut posisi panjar maju (forward). Sebaliknya diode akan
menahan aliran arus atau memblok arus yang berasal dari katode ke anoda, yang
disebut panjar mundur (reverse). Perhatikan Gambar 2.3. Namun diode memiliki
keterbatasan menahan tegangan panjar mundur yang disebut tegangan break
down. Jika tegangan ini dilewati maka diode dikatakan rusak dan harus diganti
yang baru.
 Gambar 2.2. Simbol dan fisik diode

Gambar 2.3. Panjar maju (forward) dan b) panjar mundur (reverse)

Pada kondisi panjar maju (forward) diode mengalirkan arus DC dapat

diamati dari penunjukan ampermeter dengan arus If, untuk tegangan disebut
tegangan maju Uf (forward). Diode silicon akan mulai forward ketika telah
dicapai tegangan cut-in sebesar 0,7 Volt, untuk diode germanium tegangan cut-in
0,3 Volt.
Pada kondisi panjar mundur (reverse) diode dalam posisi memblok arus,
kondisi ini disebut posisi mundur (reverse). Karakteristik sebuah diode
digambarkan oleh sumbu horizontal untuk tegangan (Volt). Sumbu vertikal untuk
menunjukkan arus (mA sampai Amper). Tegangan positif (forward) dihitung dari
sumbu nol ke arah kanan. Tegangan negative (reverse) dimulai sumbu negatif ke
arah kiri. Karakteristik diode menggambarkan arus fungsi dari tegangan. Garis
arus maju (forward) dimulai dari sumbu nol ke atas dengan satuan ampere. Garis
arus mundur (reverse) dimulai sumbu nol ke arah bawah dengan orde mA. Diode
memiliki batas menahan tegangan reverse pada nilai tertentu. Jika tegangan
reverse terlampaui maka diode akan rusak secara permanen, perhatikan
Gambar2.4.
Dari pengamatan visual karakteristik diode di atas dapat dilihat beberapa
parameter penting, yaitu: tegangan cut-in besarnya 0,6V tegangan reverse
maksimum yang diizinkan sebesar 50V, tegangan breakdown terjadi pada
tegangan mendekati 75V. Jika tegangan breakdown ini terlewati dipastikan diode
akan terbakar dan rusak permanen.

Gambar2.4. Karakteristik diode

B. THYRISTO DAYA

Thyristor dikembangkan oleh Bell Laboratories tahun 1950-an dan mulai

digunakan secara komersial oleh General Electric tahun 1960-an. Thyristor atau
SCR (Silicon Controlled Rectifier) termasuk dalam komponen elektronik yang
banyak dipakai dalam aplikasi listrik industri, salah satu alasannya adalah
memiliki kemampuan untuk bekerja dalam tegangan dan arus yang besar.
Thyristor memiliki tiga kaki, yaitu anoda, katoda dan gate. Juga dikenal
ada dua jenis Thyristor dengan P-gate dan N-gate, perhatikan Gambar 2.5.
 Gambar 2.5. Bentuk fisik dan simbol thrystor

Fungsi gate pada thyristor menyerupai basis pada transistor, dengan

mengatur arus gate IG yangbesarnya antara 1 mA sampai terbesar 100 mA,maka
tegangan keluaran dari Anoda bisa diatur. Tegangan yang mampu diatur mulai dari
50 Volt sampai 5.000 Volt dan mampu mengatur arus 0,4 A sampai dengan 1.500
A.
Karakteristik Thyristor memperlihatkan dua variabel, yaitu tegangan
forward UF dan tegangan reverse UR, dan variabel arus forward IF dan arus
reverse IR Gambar 2.6. Pada tegangan forward UF, jika arus gate diatur dari 0
mA sampai di atas 50 mA, maka Thyristor akan cut-in dan mengalirkan arus
forward IF. Tegangan reverse untuk
Thyristor UR sekitar 600 Volt. Agar Thyristor tetap ON, maka ada arus
yang tetap dipertahankan disebut arus holding IH sebesar 5 mA. Thyristor TIC
106 D sesuai dengan data sheet memiliki beberapa parameter penting, yaitu:
tegangan gate-katode = 0,8 V, arus gate minimal 0,2 mA, agar thyristor tetap
posisi ON diperlukan arus holding = 5 mA. Tegangan kerja yang diizinkan pada
anoda = 400 V dan dapat mengalirkan arus nominal = 5 A.
Aplikasi thyristor yang paling banyak sebagai penyearah tegangan AC ke
DC yang dapat diatur. Gambar 2.7. tampak empat thyristor dalam hubungan
jembatan yang dihubungkan dengan beban luar RL.
Gambar 2.6 Karakteristik thrystor

Nilai batas thrystor

 Gambar 2.7 Fuse Sebagai Pengaman thrystor

Thyristor

Jenis Penyearah Diode

 C. MOSFET

Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah

salah satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali
diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup
kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau
PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang paling umum
pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor pertemuan dwikutub pada
satu waktu lebih umum.

Simbol sirkuit
 Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis
untuk saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan
membelok kembali sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal
untuk gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti
moda pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan.

Sambungan badan jika ditampilkan digambar tersambung ke bagian

tengan kanal dengan panah yang menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu
menunjuk dari P ke N, sehingga NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P)
memiliki panah yang menunjuk kedalam (dari badan ke kanal). Jika badan
terhubung ke sumber (seperti yang umumnya dilakukan) terkadang saluran badan
dibelokkan untuk bertemu dengan sumber dan meninggalkan transistor. Jika
badan tidak ditampilkan (seperti yang sering terjadi pada desain IC desain karena
umumnya badan bersama) simbol inversi kadang-kadang digunakan untuk
menunjukkan PMOS, sebuah panah pada sumber dapat digunakan dengan cara
yang sama seperti transistor dwikutub (keluar untuk NMOS, masuk untuk
PMOS).

Kanal-P

Kanal-N

MOSFET pemiskinan
JFET MOSFET pengayaan

Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan

internal ke sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun tidak berarti hanya satu-
satunya konfigurasi. Pada dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan
di sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi sambungan badan, tidak harus
terhubung dengan saluran sumber semua transistor.

Operasi MOSFET

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan

menumbuhkan selapis oksida silikon diatas substrat silikon dan mengendapkan
selapis logam atau silikon polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan
dielektrik, struktur MOS serupa dengan kondensator planar dengan salah satu
elektrodanya digantikan dengan semikonduktor.

Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini

mengubah penyebaran muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah
semikonduktor tipe-p (dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan
lubang; p = NA pada badan netral), sebuah tegangan positif VGB dari gerbang ke
badan membuat lapisan pemiskinan dengan memaksa lubang bermuatan positif
untuk menjauhi antarmuka gerbang-isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah
bebas pembawa. Jika VGB cukup tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif
membentuk lapisan inversi dibawah antarmuka antara semikonduktor dan isolator.
Umumnya, tegangan gerbang dimana kepadatan elektron pada lapisan inversi
sama dengan kepadatan lubang pada badan disebut tegangan ambang.

Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang
mana membutuhkan penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.
Struktur MOSFET dan formasi kanal

Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)

Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET)

adalah berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS
diantara elektroda badan dan elektroda gerbang yang terletak diatas badan dan
diisolasikan dari semua daerah peranti dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang
yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika
dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut sebagai FET
semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET) atau FET gerbang–terisolasi
(IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat
yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari
daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya
harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah
sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe
pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
 Jika MOSFET adalah berupa kanal-n atau NMOS FET, lalu sumber dan
cerat adalah daerah 'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan
diatas, dengan tegangan gerbang yang cukup, diatas harga tegangan ambang,
elektron dari sumber memasuki lapisan inversi atau kanal-n pada antarmuka
antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar ini merentang diantara
sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan yang
dikenakan diantara sumber dan cerat.

Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan
hanya sedikit arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.

Moda operasi

Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang berbeda,
bergantung pada tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk mempermudah,
perhitungan dibawah merupakan perhitungan yang telah disederhanakan

Untuk sebuah MOSFET kanal-n moda pengayaan, ketiga moda operasi adalah:

Moda Inversi Lemah

Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika VGS < Vth dimata
V_th adalah tegangan ambang peranti.

Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak ada

penghantar antara sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya, distribusi
Boltzmann dari energi elektron memungkinkan beberapa elektron berenergi tinggi
pada sumber untuk memasuki kanal dan mengalir ke cerat, menghasilan arus
praambang yang merupakan fungsi eksponensial terhadan tegangan gerbang–
sumber. Walaupun arus antara cerat dan sumber harusnya nol ketika transistor
minatikan, sebenarnya ada arus inversi-lemah yang sering disebut sebagai bocoran
praambang. Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar gerbang-
ke-sumber VGS.

dimana ID0 = arus pada VGS = Vth dan faktor landaian n didapat dari

n = 1 + CD / COX,

dengan CD = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan COX = kapasitansi dari

lapisan oksida.

Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari

bocoran praambang. Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada
sirkuit tersebut memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang
tertinggi (gm / ID = 1 / (nVT)), hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-
jalur rendah dikarenakan arus penggerak yang rendah.

arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa harga VGS − Vth,
perbatasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan (aktif) diperlihatkan
sebagai lengkung parabola diatas
 Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat
bahkan didekat cerat

Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat

Moda trioda

Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik) yaitu ketika VGS > Vth dan
VDS < ( VGS - Vth ).

Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan

arus untuk mengalir diantara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti
sebuah resistor, dikendalikan oleh tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan
sumber dan cerat. Arus dari cerat ke sumber ditentukan oleh:

dimana μn adalah pergerakan efektif pembawa muatan, W adalah lebar gerbana, L

adalah panjang gerbang dan Cox adalah kapasitansi oksida gerbang tiap unit luas.
Transisi dari daerah eksponensial praambang ke daerah trioda tidak setajam
seperti yang diperlihatkan perhitungan.

Moda penjenuhan

Juga disebut dengan Moda Aktif

Ketika VGS > Vth dan VDS > ( VGS - Vth )
 Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus untuk
mengalir diantara sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih tinggi dari
tegangan gerbang, elektron menyebar dan penghantaran tidak melalui kanal
sempit tetapi melalui kanal yang jauh lebih lebar. Awal dari daerah kanal disebut
penyempitan untuk menunjukkan kurangnya daerah kanal didekat cerat. Arus
cerat sekarang hanya sedikit bergantung pada tegangan cerat dan dikendalikan
terutama oleh tegangan gerbang–sumber.

Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang kanal,

membuat tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh adanya efek
Early.

dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive.[16] Parameter

penting desain MOSFET adalah resistansi keluaran rO:

Tipe MOSFET lainnya

MOSFET gerbang ganda

MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana semua

gerbang mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan untuk peranti
isyarat kecil pada penggunaan frekuensi radio dimana gerbang kedua gerang
keduanya digunakan sebagai pengendali penguatan atau pencampuran dan
pengubahan frekuensi.

FinFET

Peranti FinFET gerbang ganda.

FinFET adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan untuk

memprakirakan flek kanal pendek dan mengurangi perendahan sawar
diinduksikan-cerat.

MOSFET moda pemiskinan

Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori

sedemikian pura sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada tegangan
dari gerbang ke sumber. Untuk mengendalikan kanal, tegangan negatif dikenakan
pada gerbang untuk peranti kanal-n sehingga "memiskinkan" kanal, yang mana
mengurangi arus yang mengalir melalui kanal. Pada dasarnya, peranti ini ekivalen
dengan sakelar normal-hidup, sedangkan MOSFET moda pengayaan ekivalen
dengan sakelar normal-mati.] Karena peranti ini kurang berdesah pada daerah RF
dan penguatan yang lebih baik, peranti ini sering digunakan pada peralatan
elektronik RF.
Logika NMOS

MOSFET kanal-n lebih kecil daripada MOSFET kanal-p untuk performa

yang sama, dan membuat hanya satu tipe MOSFET pada kepingan silikon lebih
murah dan lebih sederhana secara teknis. Ini adalah prinsip dasar dalam desain
logika NMOS yang hanya menggunakan MOSFET kanal-n. Walaupun begitu,
tidak seperti logika CMOS, logika NMOS menggunakan daya bahkan ketika tidak
ada pensakelaran. Dengan peningkatan teknologi, logika CMOS menggantikan
logika NMOS pada tahun 1980-an.

MOSFET daya

Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya terdiri dari
beberapa ribu sel.

MOSFET daya memiliki struktur yang berbeda dengan MOSFET biasa. Seperti
peranti semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah vertikal, bukannya planar.

Menggunakan struktur vertikal memungkinkan transistor untuk bertahan dari

tegangan tahan dan arus yang tinggi. Rating tegangan dari transistor adalah fungsi dari
pengotoran dan ketebalan dari lapisan epitaksial-n, sedangkan rating arus adalah fungsi
dari lebar kanal. Pada struktur planar, rating arus dan tegangan tembus ditentukan oleh
fungsi dari dimensi kanal, menghasilkan penggunaan yang tidak efisien untuk daya
tinggi. Dengan struktur vertikal, besarnya komponen hampir sebanding dengan rating
arus dan ketebalan komponen sebanding dengan rating tegangan.
 MOSFET daya dengan struktur lateral banyak digunakan pada penguat
audio hi-fi. Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih baik pada daerah
penjenuhan daripada MOSFET vertikal. MOSFET vertikal didesain untuk
penggunaan pensakelaran.

DMOS

DMOS atau semikonduktor–logam–oksida terdifusi–ganda adalah

teknologi penyempurnaan dari MOSFET vertikal. Hampir semua MOSFET daya
dikonstruksi dengan teknologi ini.

D. TRANSISTOR DAYA

Transistor memiliki dua kemampuan, pertama sebagai penguatan dan

kedua sebagai sakelar elektronik. Dalam aplikasi elektronika daya, transistor
banyak digunakan sebagai sakelar elektronika. Misalnya dalam teknik switching
power supply, transistor berfungsi bekerja sebagai sakelar yang bekerja ON/OFF
pada kecepatan yang sangat tinggi dalam orde mikro detik.
Karakteristik output transistor BD 135 yang diperlihatkan pada Gambar .Ada
sepuluh perubahan arus basis IB, yaitu dimulai dari terkecil IB = 0,2 mA, 0,5 mA,
1,0 mA, 1,5 mA sampai 4,0 mA dan terbesar 4,5 mA. Tampak perubahan arus
kolektor IC terkecil 50 mA, 100 mA, 150 mA sampai 370 mA dan arus kolektor
IC terbesar 400 mA.
 Gambar Karakteristik output transistor

Transistor sebagai Sakelar

Transistor dapat difungsikan sebagai sakelar elektronik, yaitu dengan
mengatur arus basis IB dapat menghasilkan arus kolektor IC yang dapat
menghidupkan lampu P1 dan mematikan lampu.
Dengan tegangan suplai UB = 12V dan pada tegangan basis U1, akan mengalir
arus basis IB yang membuat transistor cut-in dan menghantarkan arus kolektor IC,
sehingga lampu P1 menyala. Jika tegangan basis U1 dimatikan dan arus basis
IB =0, dengan sendirinya transistor kembali mati dan lampu P1 akan mati.
Dengan pengaturan arus basis IB
Transistor dapat difungsikan sebagai sakelar elektronik dalam posisi ON
atau OFF. Ketika transistor sebagai sakelar kita akan lihat tegangan kolektor
terhadap emitor UCE. Ada dua kondisi, yaitu ketika Transistor kondisi ON, dan
Transistor kondisi OFF. Saat Transistor kondisi ON tegangan UCE saturasi. Arus
basis IB dan arus kolektor maksimum dan tahanan kolektor emitor RCE
mendekati nol, terjadi antara 0 sampai 50 mdetik.
Ketika transistor kondisi OFF, tegangan UCE mendekati tegangan UB dan
arus basis IB dan arus kolektor IC mendekati nol, pada saat tersebut tahanan RCE
tak terhingga, lihat Gambar.

Transistor Sebagai Saklar

Tegangan operasi transistor sebagai sakelar

 Karakteristik output transistor memperlihatkan garis kerja transistor dalam
tiga kondisi. Pertama transistor kondisi sebagai sakelar ON terjadi ketika tegangan
UCE saturasi, terjadi saat arus basis IB maksimum pada titik A3. Kedua transistor
berfungsi sebagai penguat sinyal input ketika arus basis IB berada di antara arus
kerjanya A2 sampai A1. Ketiga ketika arus basis IB mendekati nol, transistor
kondisi OFF ketika tegangan UCE sama dengan tegangan suplai UB titik A1, lihat
Gambar.

Garis beban transistor

Contoh:
Transistor BC 107 difungsikan gerbang NAND = Not And, tegangan
sinyal 1 U1 = 3,4 V, tegangan LED UF = 1,65 V, arus mengalir pada LED IF = 20
mA, tegangan UBE = 0,65 V, dan Bmin = 120, tegangan saturasi UCEsat = 0,2 V
dan factor penguatan tegangan U = 3. Perhatikan Gambar di bawah. Tentukan
besarnya tahanan RC dan RV?
 Transistor sebagai gerbang NAND

Jawaban:

Transistor Penggerak Relay

Kolektor transistor yang dipasangkan relay mengandung induktor. Ketika

Transistor dari kondisi ON dititik A2 dan menuju OFF di titik A1 timbul tegangan
induksi pada relay. Dengan diode R1 yang berfungsi sebagai running diode
Gambar di bawah maka arus induksi pada relay dialirkan lewat diode bukan
melewati kolektor transistor.
 Transistor sebagai penggerak relay

3. RANGKAIAN DIODA

Diode diode semikonduktor banyak ditemukan dalam berbagai aplikasi

rekayasa bidang elektronika dan elektrik. Diode secara luas juga dipakai pada
rangkaian elektronika daya untuk mengkonversi daya elektrok. Beberapa rangkian
diode sering digunakan dalam rangkaian elektronika daya unt7uk pemrosesan
daya. Dalam konverter ac-dc iode penyearah selalu mrnyediakan tegangan
keluaran yang pasti , agar lebih mudah diode selalu dianggap ideal. Ideal ini
berarti waktu reverse recovery (trr) dan drop tegangan maju (VD) diabaikan atau trr
= 0 dan VD = 0.Gambar 1 memperlihatkan rangkaian diode dengan beban RC.

Saat saklar ditutup pada t=0, arus pengisian i yang mengalir melalui kapasitor
dapat diperoleh dari:
Rangkaian Diode dengan beban RC

Gambar1 Rangkaian diode dengan beban RC

Gambar2 . Respon rangkaian diode dengan beban RC.

1
C
VS  VR  VC  VR  idt  VC (t  0)

V R  Ri

dengan kondisi awal VC (t  0)  0 maka muatan arus i

 VS t RC
i (t )  e
R

Tegangan kapasitor

1 t t t

C 0
VC (t )  idt  V S (1  e RC
)  V S (1  e 
)

dengan   RC adalah konstanta waktu beban RC

Contoh soal

Rangkaian diode ditunjukkan pada gambar 5 dengan dan .

Kapasitor memiliki tegangan awal, . Jika saklar ditutup

saat t=0, tentukan (a) arus puncak diode, (b) energi yang dibuang di resistor R,

dan (c) tegangan kapasitor saat .

Penyelesaian

Bentuk gelombang ditunjukkan pada gambar 6

(a) Persamaan yang dapat digunakan dengan dan arus puncak

diode adalah

(b) Energi W yang didisipasikan adalah

(c) Untuk dan , tegangan kapasitor adalah sebesar

Catatan: Karena arusnya searah, diode tidak berpengaruh terhadap kerja
rangkaian.

Gambar 5 Rangkaian diode dengan beban RC.

Gambar 6 Bentuk gelombang rangkaian diode dengan beban RC.

Diode dengan beban LC dan RLC

Rangkaian diode dengan beban LC ditunjukkan pada gambar 7. Saat

Saklar S1 ditutup pada t=0, arus pengisian kapasitor i dinyatakan sebagai:

Gambar 7 rangkaian diode dengan beban LC

di 1
dt C 
Vs  L  idt  VC (t  0)

dengan kondisi awal i(t=0) dac Vc(t=0) maka I kapasitor

C
i (t )  V S sin t
L

 Ip sin t

dengan   1/ LC dan arus Ip adalah

C
Ip  VS
L

Laju peningkatan arus diperoleh

di V S
 cos t
dt L

Gambar 8. Respon rangkaian diode dengan beban LC

Diode dengan beban RLC

Diode dengan beban RLC ditunjukkan pada gambar 9 Jika saklar S1

ditutup pada t=0, dapat digunakan KVL untuk menulis persamaan arus beban i
sebagai berikut:
 Gambar 9 rangkaian diode dengan beban RLC

dengan kondisi awal i(t=0) dan . Pendeferensiasian persamaan diatas

dan dengan membagi kedua sisi dengan L didapatkan:

Pada kondisi steasy state, kapasitor diisi sampai sama dengan tegangan
sumber Vs dan arus steady state menjadi nol.

Karakteristik persamaan Laplace dalam domain s adalah:

dan akar-akar persamaan kuadrat didapatkan sebesar:

Didefinisikan 2 komponen yang penting pada persamaan diferensial orde

2, yaitu damping factor,

dan resonant frequency,

 Dengan mensubstitusikan kedua komponen di atas kedalam persamaan (3-
22) didapatkan:

Penyelesaian untuk arus, yang akan tergantung pada nilai-nilai dan , akan
mengikuti satu dari tiga hal kemungkinan sebagai berikut:

Hal 1. Jika , akar-akarnya adalah sama, , dan rangkaian

disebut critically damped. Penyelesaiannya dalam bentuk:

Hal 2. Jika , akar-akarnya adalah nyata dan rangkaian disebut over

damped. Penyelesaiannya dalam bentuk:

Hal 3. Jika , akar-akarnya adalah kompleks dan rangkaian disebut under

damped. Penyelesaiannya dalam bentuk:

dengan disebut ringing frequency (atau damped resonant frequency) dan

. Penyelesaiannya dalam bentuk:

yaitu sinusoidal yang teredam.

Catatan: Konstanta dan dapat ditentukan dari kondisi awal rangkaian.

Rasio dikenal sebagai damping ratio, . Rangkaian elektronika daya
biasanya underdamped sehingga arus rangkaian menjadi mendekati sinus untuk
menghasilkan output ac yang mendekati sinus dan/atau untuk meng-off-kan
piranti semikonduktor daya.

4. PENYEARAH 1 FASA
a) Penyearah ½ gelombang 1 fasa

Rangkaian transformator penurun tegangan dengan sebuah diode R1

setengah gelombang dan sebuah lampu E1 sebagai beban. Sekunder trafo sebagai
tegangan input U1 = 25 V dan bentuk tegangan output DC dapat dilihat dari
osiloskop. Tegangan input U1 merupakan gelombang sinusoida, dan tegangan
output setelah diode Ud bentuknya setengah gelombang bagian yang positifnya
saja, perhatikan Gambar

Diode setengah gelombang 1 phasa

 b) Peneyearah gelombang penuh 1 fasa

Sekunder transformator penurun tegangan dipasang empat diode R1, R2,

R3, dan R4 yang dihubungkan dengan sistem jembatan (Gambar). Output
dihubungkan dengan beban RL. Tegangan DC pulsa pertama melalui diode R1
dan R4, sedangkan pulsa kedua melalui diode R3 dan R2. Tegangan DC yang
dihasilkan mengandung riak gelombang dan bukan DC murni yang rata.

Rangkaian penyearah jembatan - diode

 Penyearah gelombang penuh satu phasa bisa juga dihasilkan dari trafo
yang menggunakan centre-tap (Ct), di sini cukup dipakai dua buah diode, dan titik
Ct difungsikan sebagai terminal negatipnya. Untuk meratakan tegangan DC
dipasang kapasitor elektrolit CG berfungsi sebagai filter dengan beban RL
(Gambar). Ketika diode R1 dan diode R4 melalukan tegangan positif, kapasitor
CG mengisi muatan sampai penuh. Saat tegangan dari puncak menuju lembah,
terjadi pengosongan muatan kapasitor.
Berikutnya diode R2 dan diode R3 melewatkan tegangan negatif menjadi
tegangan DC positif. Kapasitor CG mengisi muatan dan mengosongkan muatan.
Rangkaian filter dengan kapasitor menjadikan tegangan DC menjadi lebih rata
(Gambar).
 Penyearah jembatan dengan filter kapasitor
Contoh:
Penyearah gelombang penuh diberikan tegangan 12V AC, dan arus 1A, tegangan
ripple
up = 3,4V, frekuensi ripple fp = 100Hz, dan tegangan cut-in diode Uf = 0,7 V.
Hitunglah:
a) faktor daya transformator
b) besar tegangan AC
c) besar kapasitas kapasitor

Penyearah jembatan dengan filter RC

Jawaban:
 5. PENYEARAH 3 FASA
a) Penyearah ½ gelombang 1 fasa

Rangkaian penyearah diode tiga phasa menggunakan tiga diode penyearah

R1, R2, dan R3 ketiga katodenya disatukan menjadi terminal positif (Gambar
10.24). Tegangan DC yang dihasilkan melalui beban resistif RL. Masing-masing
diode akan konduksi ketika ada tegangan positif, sedangkan tegangan yang negatif
akan diblok. diode R1, R2, dan R3 anak konduksi secara bergantian sesuai dengan
siklus gelombang saat nilainya lebih positif. Arus searah negatif kembali ke
sekunder trafo melalui kawat N. Tegangan DC yang dihasilkan tidak benar-benar
rata, masih mengandung riak (ripple).
Rangkaian penyearah diode setengah gelombang dengan ketiga diode R1,
R2, dan R3 dipasang terbalik, ketiga anodenya disatukan sebagai terminal positif.
diode hanya konduksi ketika tegangan anode lebih positif dibandingkan tegangan
katode. Tegangan DC yang dihasilkan negatif (Gambar).

Penyearah diode setengah gelombang 3 phasa Penyearah setengah gelombang 3

phasa diode terbalik

Urutan konduksi masing-masing diode R1, R2, dan R3 pada penyearah

setengah gelombang dapat diperiksa pada Gambar
 Diode R1 mulai konduksi setelah melewati sudut 30° sampai 150° atau
sepanjang 120°.
 Diode R2 mulai konduksi pada sudut 150° sampai 270°, R2 juga konduksi
sepanjang 120°.
 Diode R3 mulai konduksi pada sudut 270° sampai 390° juga sepanjang
120°.
Dapat disimpulkan ketiga diode memiliki sudut konduksi 120°.

Urutan kerja penyearah diode 3 phasa setengah gelombang

 b) Peneyearah gelombang penuh 3 fasa

Penyearah diode gelombang penuh tiga phasa menggunakan sistem

jembatan dengan enam buah diode R1, R3, dan R5 katodanya disatukan sebagai
terminal positif. diode R4, R6, dan R2 anodanya yang disatukan sebagai terminal
negatif (Gambar 10.27).
Tegangan DC yang dihasilkan memiliki enam pulsa yang dihasilkan oleh
masing-masing diode tersebut. Tegangan DC yang dihasilkan halus karena
tegangan riak (ripple) kecil dan lebih rata. Urutan konduksi dari keenam diode
dapat dilihat dari siklus gelombang sinusoida yang konduksi secara bergantian.
Konduksi dimulai dari diode R1 + R6 sepanjang sudut komutasi 60°. Berturut-
turut disusul diode R1 + R2, lanjutnya diode R3 + R2, urutan keempat R3 + R4,
kelima R5 + R4 dan terakhir R5 + R6 (Gambar 10.28). Jelas dalam satu siklus
gelombang tiga phasa terjadi enam kali komutasi dari keenam diode secara
bergantian dan bersama-sama.
 6. PENYEARAH TERKENDALI 1 FASA
a) Konverter ½ gelombang 1 fasa

Rangkaian penyearah Thyristor kelebihannya tegangan outputnya bisa

diatur, dengan mengatur sudut penyalaan gate Thyristor. Sebuah Thyristor Q1 dan
sebuah beban resistif RL dihubungkan dengan listrik AC (Gambar 10.29). Pada
gate diberikan pulsa penyulut α, maka Thyristor akan konduksi dan mengalirkan
arus kebeban. Dengan beban resistif RL maka arus dan tegangan yang dihasilkan
sephasa. Pada gate Thyristor diberikan penyalaan sebesar α, maka tegangan positif
saja yang dilewatkan oleh Thyristor (Gambar 10.30). Tegangan negatif di blok
tidak dilewatkan, khususnya karena bebannya resistif RL. Kondisinya berbeda
jika beban mengandung induktor, di mana antara tegangan dan arus ada beda
phasa.
 Pada beban resistif RL, ketika sudut penyalaan α diperbesar, tegangan
output yang dihasilkan akan mengecil sesuai dengan sudut konduksi dari
Thyristor. Persamaan tegangan pada beban resistif setengah gelombang:

Pada beban resistif RL akan dihasilkan tegangan dan arus yang sephasa
(Gambar 10.31). Dengan penyearah thyristor setengah gelombang hanya
gelombang positif dari sinusoida yang dilewatkan, gelombang negatif diblocking
oleh thyristor. Yang termasuk beban resistif, misalnya lampu pijar, pemanas
(heater) dan rice cooker. Untuk beban terpasang mengandung resistif-indukstif,
arus beban dengan tegangan tidak sephasa, saat thyristor diberi trigger α arus
beban naik dan tidak segera mencapai nol saat tegangan berada di titik nol.
Thyristor akan konduksi lebih lama sebesar sudut θ dan pada beban muncul siklus
tegangan negatif Gambar 10.32. Beban yang mengandung resistif-induktif adalah
beban motor.
 b) Semi converter 1 fasa
c) Converter gelombnag penuh satu fasa
7. PENYEARAH TERKENDALI 3 FASA
d) Konverter ½ gelombang 3 fasa

Rangkaian penyearah Thyristor setengah gelombang tiga phasa dengan

tiga Thyristor Q1, Q2, dan Q3. Katode ketiga Thyristor disatukan menjadi
terminal positif, terminal negatif dari kawat netral N, dengan beban resistif RL
(Gambar 10.37). Masing-masing Thyristor mendapatkan pulsa penyalaan yang
berbeda-beda melalui UG1, UG2, UG3. Penyearah tiga phasa digunakan untuk
mendapatkan nilai rata-rata tegangan keluaran yang lebih tinggi dengan frekuensi
lebih tinggi dibanding penyearah satu phasa. Aplikasi dipakai pada pengaturan
motor DC dengan daya tinggi. Tegangan DC yang dihasilkan melalui beban
resistif RL. Arus searah negatif kembali ke sekunder trafo melalui kawat N.
Tegangan DC yang dihasilkan mengandung ripple. Karena tiap phasa tegangan
masukan berbeda 120°, maka pulsa penyulutan diberikan dengan beda phasa 120°.
Pada beban resistif, pengaturan sudut penyalaan trigger α dari 0° sampai 150°.
Untuk beban induktif pengaturan sudut penyalaan α antara 0° sampai 90°
(Gambar 10.38).
e) Semi converter 3 fasa
f) Converter gelombnag penuh 3 fasa