TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR

Tugas Mata Kuliah Elektronika Digital

Disusun oleh :
IMAM GHOZALI
13012039

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

SEKOLAH TINGGI TEKNOLOGI SINAR HUSNI
MEDAN
2014
 KATA PENGANTAR

Puji dan Syukur dipanjatkan ke Hadirat Allah SWT, karena berkat limpahan
Rahmat dan Karunia-Nya sehingga makalah ini dapat disusun dengan baik. Makalah ini
membahas mengenai “TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR”.
Perkembangan barang –barang canggih berteknologi tinggi saat ini tak lepas dari
penggunaan alat elektronika yang dibuat dengan semakin kecil namun memiliki
kemampuan yang semakin besar. Semua berawal dari satu jenis komponen yang di sebut
transistor. Dalam sejarah perkembangannya transistor kini dibuat dengan kemampuan
yang semakin besar, namun memiliki ukuran yang semakin ringkas.
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam rangkaian
elektronika karena fungsinya yang bisa sebagai penguat, sebagai saklar, sebagai
stabilizer, modulasi sinyal, sebagai logic gate, dan banyak lagi kegunaannya. Diantara
banyak fungsi tersebut makalah ini hanya memfokuskan pembahasan pada fungsi
transistor sebagai saklar.
Penyusun menyadari bahwa masih banyak kekurangan pada makalah ini. Oleh
karena itu saran serta kritik yang membangun sangat penyusun harapkan.
Akhir kata semoga makalah ini dapat memberikan manfaat bagi kita semua.

Medan, 10 April 2015

Penyusun

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ..................................................................................................... i

DAFTAR ISI .................................................................................................................. ii

BAB I PENDAHULUAN .............................................................................................. 1

Semi Konduktor..................................................................................................... 1
Proses Doping pada Semikonduktor ..................................................................... 2
Type Semikonduktor ............................................................................................. 2
N Type Semikonduktor ......................................................................................... 2
P Type Semikonduktor .......................................................................................... 3

BAB II TRANSISTOR ................................................................................................. 4

Cara Kerja Transistor ............................................................................................. 4

Bipolar Junction Transistor (BJT) ......................................................................... 4
Field Efect Transistor (FET) ................................................................................. 5

BAB III TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR ......................................................... 7

Titik Kerja Daerah Cut Off (Mati) Transistor ....................................................... 7

Titik Kerja Daerah Saturasi (Jenuh) Transistor ..................................................... 8
Menentukan Arus Colector (Ic) ............................................................................. 8
Menentukan Faktor Penguatan Transistor (hfe) .................................................... 9
Menentukan Hambatan Basis (Rb) ........................................................................ 9
Contoh Transistor Sebagai Saklar ....................................................................... 10

BAB IIV PENUTUP.................................................................................................... 11

DAFTAR PUSTAKA .................................................................................................. 12

ii
 BAB I PENDAHULUAN

Transistor pertama kali ditemukan pada tahun 1948 oleh William Shockley, John
Barden dan W.H, Brattain. Tetapi, mulai digunakan pada tahun 1958. Transistor dapat
berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya atau tegangan
inputnya, memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber
listriknya.

Karakteristik dan cara kerja transistor tergantung dari bagaimana cara mengolah
semi konduktor sebagai bahan pembuatnya. Komponen-komponen penting yang
membentuk sebuah peralatan elektronika seperti Transistor, Dioda dan Integrated
Circuit (IC) adalah komponen elektronika aktif yang terbuat bahan semikonduktor.

Penggunaan semi konduktor sebagai bahan pembuat komponen elektronik telah

banyak membawa perubahan yang sifnifikan dalam perkembangan dunia elektronika,
dimana peralatan elektronik sekarang ini bisa dibuat dalam ukuran yang ssemakin kecil
namun memiliki kemampuan yang semakin besar. Oleh karena itu, bahan
semikonduktor memiliki pengaruh yang sangat besar terhadap perkembangan teknologi
elektronika.

SemiKonduktor

Bahan SemiKonduktor adalah bahan penghantar listrik yang tidak sebaik

Konduktor akan tetapi tidak pula seburuk Insolator yang sama sekali tidak
menghantarkan arus listrik. Pada dasarnya, kemampuan menghantar listrik
SemiKonduktor berada diantara konduktor dan insolator. Akan tetapi, SemiKonduktor
berbeda dengan Resistor, karena SemiKonduktor dapat dapat menghantarkan listrik
atau berfungsi sebagai Konduktor jika diberikan arus listrik tertentu, suhu tertentu dan
juga tata cara atau persyaratan tertentu.

1
Proses Doping Pada SemiKonduktor

Ada banyak bahan-bahan dasar yang dapat digolongkan sebagai bahan

semikonduktor, tetapi yang paling sering digunakan untuk bahan dasar komponen
elektronika hanya beberapa jenis saja, bahan-bahan Semikonduktor tersebut diantaranya
adalah Silicon, Selenium, Germanium dan Metal Oxides.

Semikonduktor bisa diubah konduktivitasnya dengan cara memasukkan elemen

lain ke dalam kristal semikonduktor. Teknik ini disebut doping. Yaitu proses untuk
menambahkan ketidakmurnian (Impurity) pada Semikonduktor yang murni
(semikonduktor Intrinsik) sehingga dapat merubah sifat atau karakteristik
kelistrikannya. Beberapa bahan yang digunakan untuk menambahkan ketidakmurnian
semikonduktor antara lain adalah Arsenic, Indium dan Antimony. Bahan-bahan tersebut
sering disebut dengan “Dopant”, sedangkan Semikonduktor yang telah melalui proses
“Doping” disebut dengan Semikonduktor Ekstrinsik.

Tipe Semikonduktor

Semikonduktor yang telah dilalui proses Doping yaitu Semikonduktor yang

Impurity (ketidakmurnian) atau Semikonduktor Ekstrinsik yang siap menjadi
Komponen Elektronika dapat dibedakan menjadi 2 Jenis yaitu :

N-Type Semikonduktor

Dikatakan N-type karena Semikonduktor jenis ini pembawa muatannya (Charge

Carrier) adalah terdiri dari Elektron. Elektron adalah bermuatan Negatif sehingga
disebut dengan Tipe Negatif atau N-type.
Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan menambahkan
Arsenic atau Antimony akan menjadikan Semikonduktor tersebut sebagai N-type

2
Semikonduktor.
Terdapat 2 (dua) pembawa muatan atau charge Carrier dalam N-type Semikonduktor
yakni Elektron sebagai Majority Carrier dan Hole sebagai Minority Carrier.

P-Type Semikonduktor

Dikatakan P-type karena Semikonduktor jenis ini kekurangan Elektron atau

disebut dengan “Hole”. Ketika pembawa muatannya adalah Hole maka Semikonduktor
tersebut merupakan Semikonduktor bermuatan Positif.
Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan menambahkan
Indium akan menjadikan Semikondukter tersebut sebagai P-type Semikonduktor.
2 (dua) pembawa muatan yang terdapat dalam P-type Semikonduktor adalah Hole
sebagai Majority Carrier dan Elektron sebagai Minority Carrier).

3
 BAB II TRANSISTOR

Transistor dibuat dari bahan semi konduktor tipe P dan tipe N, sehingga
rangkaiannya memiliki dua jenis sambungan yaitu tipe NPN dan tipe PNP sehingga
transistor memiliki tiga terminal yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C) yang
merupakan gabungan dari kedua rangkaian tadi.

Cara Kerja Transistor

Ketiga (3) kaki elektroda transistor , yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E).
Dengan adanya 3 kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu
kaki akan mengatur arus yang lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya.

Cara Kerja Transistor terbagi menjadi 2, yaitu Bipolar Junction Transistor atau
biasa di singkat BJT dan Field Effect Transistor atau FET. BJT dapat bekerja bedasarkan
arus inputnya, sedangkan FET bekerja berdasarkan tegangan inputnya. Sebenarnya
untuk tipe atau jenis transistor dari BJT dan FET sendiri sama saja fungsinya, yang
membedakan adalah dari cara kerja transistornya saja.

Bipolar Junction Transistor ( BJT)

Transistor bipolar adalah transistor yang memiliki dua buah persambungan kutub
& menggunakan dua polaritas yang membawa muatan untuk membawa arus listrik pada

4
kanal produksinya. Di dalam transistor bipolar ( BJT ) juga terdapat suatu lapisan
pembatas yang dinamakan depletion zone, yang pada akhirnya setiap arus listrik yang
akan masuk akan melewati pembatas tersebut dan terbagi karena adanya depletion zone
ini.

Jenis transistor bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan material
semikonduktor yang kemudian membedakan transistor bipolar kedalam dua jenis yaitu
transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan transistor N-P-N
(Negatif-Positif-Negatif). Masing-masing kaki dari jenis transistor ini mempunyai nama
seperti B yang berarti Basis, K yang berarti Kolektor serta E yang berarti Emiter.
Sedangkan untuk fungsi transistor bipolar adalah sebagai regulator arus listrik.

Berikut susuan semi konduktor bipolar, yaitu Transistor PNP dan Transistor NPN.
Untuk dapat membedakan kedua jenis tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah
yang terdapat pada kaki emitornya. Pada transistor PNP arah panah akan mengarah ke
dalam, sedangkan pada transistor NPN arah panahnya akan mengarah ke luar.

Field Effect Transistor ( FET )

Sedikit berbeda dengan cara kerja pada transistor bipolar. Dimana pada transistor
effect ( FET ) ini hanya menggunakan satu jenis polaritar atau pembawa muatan arus
listrik. Hal ini jelas berbeda dengan transistor bipolar yang memiliki dua polaritas

5
pembawa muatan. Untuk transistor effect ( FET ), arus yang masuk tidak akan terbagi
menjadi dua aliran seperti pada transistor bipolar. Karena posisi letak depletion zone
dari resistor effect terdapat di kedua sisi bukan berada di tengah-tengah.

Transistor jenis ini sama seperti transistor bipolar yang memiliki tiga kaki. Tiga
kaki terminal yang dimiliki oleh transistor efek medan adalah Drain (D), Source (S), dan
Gate (G). Transistor efek medan ini atau dikenal pula dengan istilah transistor unipolar
memiliki hanya satu buah kutub saja. Sedangkan cara kerja dari transistor efek medan
ini adalah mengatur dan mengendalikan aliran elektron dari Source ke Drain melalui
tegangan yang diberikan pada Gate.

Antara transistor bipolar dengan transistor efek medan mempunyai perbedaan

yang cukup signifikan dalam cara kerja dan fungsinya. Transistor bipolar yang sebagai
regulator arus listrik mengatur besar kecilnya arus listrik yang melalui Emiter yang
kemudian berlanjut kepada Basis untuk menentukan seberapa besar arus yang diberikan
kepadanya. Sedangkan transistor efek medan mengendalikan elektron dari Source ke
Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate.

6
 BAB III TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR

Pada dasarnya prinsip kerja trasistor sebagai saklar adalah memanfaatkan kondisi
jenuh dan cut-off suatu transistor, dimana kedua kondisi ini bisa diperoleh dengan
pengaturan besarnya arus yang melalui basis transistor. Kondisi jenuh atau saturasi akan
diperoleh jika basis transistor diberi arus cukup besar sehingga transistor mengalami
jenuh dan berfungsi seperti saklar yang tertutup. Sedangkan kondisi cut-off diperoleh
jika arus basis dilalui oleh arus yang sangat kecil atau mendekati nol ampere, sehingga
transistor bekerja seperti saklar yang terbuka. Transistor akan aktif apabila diberikan
arus pada basis transistor sebesar :

Saat kondisi saturasi, transistor seperti sebuah saklar yg tertutup (on) sehingga
arus dapat mengalir dari kolektor menuju emitor. Sedangkan saat kondisi cutoff,
transistor seperti sebuah saklar yg terbuka (off) sehingga tidak ada arus yg mengalir dari
kolektor ke emitor.

Titik Kerja Daerah Cut Off (Mati) Transistor

Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor
menyumbat pada hubungan kolektor – emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai
daerah mati karena pada daerah ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor

7
ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada
hubungan kolektor – emitor.

Cut-Off adalah kondisi transistor dimana arus basis sama dengan nol (IB = 0), arus
output pada Collector (IC) sama dengan nol, dan tegangan pada Collector adalah
maksimal atau sama dengan tegangan supply (VCE = VCC

Titik Kerja Daerah Saturasi (Jenuh) Transistor

Daerah kerja transistor saat jenuh adalah keadaan dimana transistor mengalirkan
arus secara maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah
short pada hubungan kolektor – emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar
maksimum (sambungan CE terhubung maksimum). Saturasi adalah kondisi transistor
dimana arus basis adalah maksimal (IB=Max), arus Collector adalah maksimal
(IC=Max), dan tegangan Collector-Emitor adalah minimal (VCE=0).

Agar transistor dapat bekerja sebagai saklar, ada beberapa hal yg harus
diperhatikan diantaranya:

Menentukan Arus Colector ( Ic)

Ic adalah arus beban yg akan mengalir dari kaki kolektor ke emitor. Besarnya arus
beban ini tidak boleh lebih besar dari Ic maksimum yang dpt dilewatkan oleh transistor.
Arus beban ini dapat dicari dengan persamaan berikut :

8
Menentukan Faktor Penguatan Transistor (hfe)

Setelah arus beban yg akan dilewatkan pada transistor diketahui maka selanjutnya
adalah menentukan transistor yg akan dipakai dgn syarat spt berikut :

Menentukan Hambatan Basis (Rb)

Setelah transistor yg akan dipakai sebagai saklar telah ditentukan maka

selanjutnya adalah menentukan hambatan pada basis (Rb). Besarnya Rb ini dapat dicari
dengan persamaan berikut :

Untuk membuat transistor menghantar, pada masukan basis perlu diberi tegangan.
Besarnya tegangan harus lebih besar dari Vbe (0,3 untuk germanium dan 0,7 untuk
silicon).

Dengan mengatur Ib > Ic/β kondisi transistor akan menjadi jenuh seakan kolektor
dan emitor short circuit. Arus mengalir dari kolektor ke emitor tanpa hambatan dan
Vce≈0. Besar arus yang mengalir dari kolektor ke emitor sama dengan Vcc/Rc. Keadaan
seperti ini menyerupai saklar dalam kondisi tertutup (ON).

9
 Dengan mengatur Ib = 0 atau tidak memberi tegangan pada bias basis atau basis
diberi tegangan mundur terhadap emitor maka transistor akan dalam kondisi mati (cut
off), sehingga tak ada arus mengalir dari kolektor ke emitor (Ic≈0) dan Vce ≈ Vcc.
Keadaan ini menyerupai saklar pada kondisi terbuka atau off.

Contoh Transistor Sebagai Saklar

Sebuah transistor NPN mempunyai penguatan (hFE) 100 kali dan IC= 20mA. Jika
tegangan Vcc = 5 Volt, maka RB (Resistor pada Basis) yang dibutuhkan untuk
menghasilkan arus Basis agar transitor menjadi ON adalah:

Ic = 20 mA = 0,02 A
hFE = 100 ( hFE = IC / IB )
100 = 20 / IB
IB = 0,02 / 100
IB = 0,0002 A (0,2 mA)

=> VBE = 0,6-0,7 Volt (Tegangan Basis-Emitor). Tegangan ini nilainya tetap.
=> Vin = 5 Volt
=> RB = (Vin - VBE) / IB
= (5 - 0,6) / 0,0002
= 4,4 / 0,0002
= 22000 Ohm (22 Kohm)

Pada gambar di atas, lampu L1 akan menyala jika basis diberi tegangan 5 Volt
dan akan padam ketika basis (Vin)= 0 Volt. Pada saat L1 On, transistor bekerja seperti
saklar tertutup dan ketika L1 Off, transistor bekerja seperti saklar terbuka.
Untuk menghasilkan kondisi on/off seperti pada saklar, transistor dioperasikan pada
titik kerja saturasi dan titik kerja cut off.

10
 BAB IV : PENUTUP

Dari pemaparan pada bab-bab sebelumnya dapat ditarik kesimpulan bahwa

sebuah transistor yang digunakan sebagai saklar bekerja dengan memanfaatkan titik
jenuh dan titik cut off pada transistor.

Apa kekurangan dan kelebihan transistor sebagai saklar ?

Kelebihan dari penggunaan transistor sebagai saklar yaitu bisa untuk pensaklaran
yang sangat cepat, tidak terjadi bouncing (seperti halnya pada pensaklaran mekanik
menggunakan relay). Transistor ini cocok untuk mensaklarkan rangkaian digital yang
memerlukan kecepatan dan keakuratan serta penggunaan supply daya yang kecil.

Kekurangan dari saklar transistor ini yaitu kecilnya arus beban yang mampu
disaklarkan, jika terlalu besar dapat merusak transistor akibat dispasi daya yang
berlebihan.

11
 DAFTAR PUSTAKA

Richard Blocher; Dasar Elektronika, Andi, 2003

http://djukarna.wordpress.com/2013/10/21/transistor
http://teknikelektro.com
http://wikipedia.org/id/elektro
http://google.co.id

12