Makalah Bipolar
Makalah Bipolar
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone
Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat menguatkan yaitu
yang disebut dengan Transistor.Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan
pendahulunya,yakni tabung hampa,adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan
ringan.Bahkan dengan teknologi sekarang ini ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu
keping silikon.Disamping itu komponen semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang
kecil serta serta efesiensi yang tinggi.
B. Tujuan
1
BAB II
LANDASAN TEORI
A. Sejarah Penemuan Transistor
Transistor, komponen yang mengubah wajah dunia, memungkinkan ukuran peralatan
elektronika makin kecil dan kompak dan konsumsi daya rendah, juga mengawali era
elektronika digital.
Para ilmuwan tersebut (yang berhasil menemukan transistor pada 1947) ialah John
Bardeen, Walter Brattain, dan William Shockley. Bardeen (Ph.D. dalam matematika dan
fisika dari Princeton University) merupakan spesialis dalam sifat menghantarkan elektron
dari semikonduktor. Brattain (Ph.D., ahli dalam struktur atom zat padat pada permukaan dan
fisika zat padat). Shockley (Ph.D., pemimpin riset transistor di Bell Labs).
Nama paten asli untuk transistor ialah "Semiconductor amplifier; Three-electrode circuit
element utilizing semiconductive materials." Pada 1956, kelompok ini dianugrahi Hadiah
Nobel dalam Fisika untuk penemuan transistor mereka. Pada 1977, John Bardeen dianugrahi
Presidential Medal of Freedom
2
B. Pengertian Transistor
Transistor adalah sebagai piranti komponen elektronika yang terbuat dari bahan
semikonduktor dan mempunyai tiga elektroda (triode) yaitu dasar (basis), pengumpul
(kolektor) dan pemancar (emitor). Rangkaian ini berfungsi sebagai penguat
sinyal, penyambung (switching) dan stabilisasi tegangan.
Transistor berasal dari bahasa transfer yang artinya pemindahan dan resistor yang berarti
pengambat. Jadi pengertian transistor dapat di kategorikan sebagai pemindahan atau
peralihan bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada suhu tertentu.
Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur
arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan
dan arus output Kolektor.
Fungsi dari transistor bermacam-macam, di mana dapat juga berfungsi semacam kran
listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET),
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Transistor pertama kali di temukan oleh William Shockley, John Barden, dan W. H
Brattain pada tahun 1948. Dan mulai di pakai dalam praktek pada tahun 1958. Ada 2 jenis
transistor, yaitu transistor tipe P – N – P dan transistor jenis N – P – N.
Dalam keluarga transistor dikenal istilah transistor unipolar dan transistor bipolar.
Kedua jenis transistor tersebut dibedakan dari peran pembawa muatan yang mengalir sebagai
arus utama dalam transistor. Pada transistor unipolar, pembawa muatan yang berperan adalah
pembawa muatan mayoritas yang didominasi oleh hole saja atau oleh electron saja,
sedangkan pada transistor bipolar yang berperan sebagai arus utama adalah pembawa muatan
minoritas dan ini bisa berupa hole dan electron secara berimbang. Metal Oxyde
Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) merupakan contoh transistor unipolar
dimana arus yang berperan adalah arus hole untuk kanal tipe P atau arus electron untuk kanal
tipe N.
3
Transistor adalah suatu komponen aktif yang dibuat dari bahan semikonduktor.
Apabila kita mendoping semikonduktor untuk mendapatkan kristal NPN atau PNP, maka
kristal seperti ini disebut Transistor Junction. Daerah tipe N mempunyai banyak sekali
elektron pita konduksi dan daerah tipe P mempunyai banyak hole. Jadi transistor junction
mempunyai dua macam pembawa muatan yaitu elektron bebas pada daerah N dan hole pada
daerah P. Oleh karena itu transistor junction disebut juga transistor dua kutub (bipolar).
Transistor juga memiliki jenis-jenis yang berbeda-beda. Secara umum transistor dapat
dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori, seperti Materi semikonduktor, Kemasan
fisik, Tipe, Polaritas, Maximum kapasitas daya, Maximum frekuensi kerja, Aplikasi dan
masih banyak jenis lainnya.
Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar transistor,
bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect transistor (FET), yang
masing-masing bekerja secara berbeda.
4
FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus listrik utama
mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di kedua sisinya
(dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik
utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan
yang diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut. Lihat artikel untuk
masing-masing tipe untuk penjelasan yang lebih lanjut.
D. Fungsi Transistor
Fungsi Transistor antara lain :
E. Jenis Transistor
Transistor mempunyai 3 jenis yaitu :
Uni Junktion Transistor (UJT) adalah transistor yang mempunyai satu kaki emitor dan
dua basis. Kegunaan transistor ini adalah terutama untuk switch elektronis. Ada Dua jenis
UJT ialah UJT Kanal N dan UJT Kanal P.
5
2. Field Effect Transistor (FET)
Beberapa Kelebihan FET dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara lain
penguatannya yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga FET yang lebih tinggi dari
transistor, maka hanya digunakan pada bagian-bagian yang memang memerlukan. Bentuk
fisik FET ada berbagai macam yang mirip dengan transistor.
Jenis FET ada dua yaitu Kanal N dan Kanal P. Kecuali itu terdapat pula macam FET ialah
Junktion FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET).
3. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) adalah suatu jenis FET yang
mempunyai satu Drain, satu Source dan satu atau dua Gate. MOSFET mempunyai input
impedance yang sangat tinggi. Mengingat harga yang cukup tinggi, maka MOSFET hanya
digunakan pada bagian bagian yang benar-benar memerlukannya. Penggunaannya misalnya
sebagai RF amplifier pada receiver untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan desah
yang rendah.
Simbol MOSFET
6
BAB III
PEMBAHASAN
Transistor Bipolar
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan
dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam
BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion
zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.
Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwikutub adalah jenis transistor
paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor ini terdapat 3 lapisan
material semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti, yaitu lapisan P-N-P dan lapisan N-
P-N. Transistor bipolar juga memiliki 3 kaki yang masing masing di beri nama Basis (B),
Colektor (C) dan Emiter (E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-jenis transisor ini terlihat
pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang berlawanan.
Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube).
Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil
sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor
tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara
yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron,
teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
7
Cara Kerja Transistor Bipolar
Cara kerja transistor bipolar dapat di lihat dari dua dioda yang terminal positif dan
negatif selalu berdempet, itu sebabnya pada saat ini terdapat 3 kaki terminal. Ketiga terminal
tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Transistor bipolar dinamakan
demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan dua polaritas pembawa muatan:
elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus
melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini
dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama
tersebut. Perubahan arus listrik dari jumlah kecil dapat menimbulkan efek perubahan arus
listrik dalam jumlah besar khususnya pada terminal kolektor. Prinsip kerja ini lah yang
mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor
dengan arus pada basis biasanya dilambangkan dengan β atau hFE. β biasanya berkisar
sekitar 100 untuk transistor-transisor BJT.
Daerah Operasi
Batas operasi aman transistor, biru: batas IC maksimum, merah: batas VCE maksimum, ungu: batas daya
maksimum
8
Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh
panjar yang diberikan:
Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basis-
kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus
tunggal emitor yang terbesar ( ) dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam
keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.
Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda
aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor
dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda
aktif-maju yang maksimal, pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda
transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk
beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih
rendah pada moda ini.
Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberikan
konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika
hidup, atau sakelar yang tertutup.
Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua
pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian
berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.
Tembusan bandang
Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup
besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang
dari beberapa ratus milivolt).
Transistor NPN
NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur
Transistor NPN dapat dianggap sebagai dua diode adu punggung tunggal anode. Pada
penggunaan biasa, pertemuan p-n emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan basis-kolektor
dipanjar mundur. Dalam transistor NPN, sebagai contoh, jika tegangan positif dikenakan
pada pertemuan basis-emitor, keseimbangan di antara pembawa terbangkitkan kalor dan
medan listrik menolak pada daerah pemiskinan menjadi tidak seimbang, memungkinkan
elektron terusik kalor untuk masuk ke daerah basis. Elektron tersebut mengembara (atau
menyebar) melalui basis dari daerah konsentrasi tinggi dekat emitor menuju konsentrasi
9
rendah dekat kolektor. Elektron pada basis dinamakan pembawa minoritas karena basis
dikotori menjadi tipe-p yang menjadikan lubang sebagai pembawa mayoritas pada basis.
Daerah basis pada transistor harus dibuat tipis, sehingga pembawa tersebut dapat menyebar
melewatinya dengan lebih cepat daripada umur pembawa minoritas semikonduktor untuk
mengurangi bagian pembawa yang bergabung kembali sebelum mencapai pertemuan
kolektor-basis. Untuk memastikannya, ketebalan basis dibuat jauh lebih rendah dari panjang
penyebaran dari elektron. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik, jadi sedikit sekali
injeksi elektron yang terjadi dari kolektor ke basis, tetapi elektron yang menyebar melalui
basis menuju kolektor disapu menuju kolektor oleh medan pada pertemuan kolektor-basis.
Arus kolektor-emitor dapat dipandang sebagai terkendali arus basis-emitor (kendali arus) atau
tegangan basis-emitor (kendali tegangan). Pandangan tersebut berhubungan dengan
hubungan arus-tegangan dari pertemuan basis-emitor, yang mana hanya merupakan kurva
arus-tegangan eksponensial biasa dari diode pertemuan p-n. Penjelasan fisika untuk arus
kolektor adalah jumlah muatan pembawa minoritas pada daerah basis. Model mendetail dari
kerja transistor, model Gummel–Poon, menghitung distribusi dari muatan tersebut secara
eksplisit untuk menjelaskan perilaku transistor dengan lebih tepat. Pandangan mengenai
kendali-muatan dengan mudah menangani transistor-foto, dimana pembawa minoritas di
daerah basis dibangkitkan oleh penyerapan foton, dan menangani pematian dinamik atau
waktu pulih, yang mana bergantung pada penggabungan kembali muatan di daerah basis.
Walaupun begitu, karena muatan basis bukanlah isyarat yang dapat diukur pada saluran,
pandangan kendali arus dan tegangan biasanya digunakan pada desain dan analisis sirkuit.
Pada desain sirkuit analog, pandangan kendali arus sering digunakan karena ini hampir linier.
Arus kolektor kira-kira kali lipat dari arus basis. Beberapa sirkuit dasar dapat didesain
dengan mengasumsikan bahwa tegangan emitor-basis kira-kira tetap, dan arus kolektor
adalah beta kali lipat dari arus basis. Walaupun begitu, untuk mendesain sirkuit BJT dengan
akurat dan dapat diandalkan, diperlukan model kendali-tegangan (sebagai contoh model
Ebers–Moll)[1]. Model kendali-tegangan membutuhkan fungsi eksponensial yang harus
diperhitungkan, tetapi jika ini dilinierkan, transistor dapat dimodelkan sebagai sebuah
transkonduktansi, seperti pada model Ebers–Moll, desain untuk sirkuit seperti penguat
diferensial menjadi masalah linier, jadi pandangan kontrol-tegangan sering diutamakan.
Untuk sirkuit translinier, dimana kurva eksponensiak I-V adalah kunci dari operasi, transistor
biasanya dimodelkan sebagai terkendali tegangan dengan transkonduktansi sebanding dengan
arus kolektor.
10
Parameter alfa (α) dan beta (β) Transistor
Perbandingan elektron yang mampu melintasi basis dan mencapai kolektor adalah ukuran
dari efisiensi transistor. Pengotoran cerat pada daerah emitor dan pengotoran ringan pada
daerah basis menyebabkan lebih banyak elektron yang diinjeksikan dari emitor ke basis
daripada lubang yang diinjeksikan dari basis ke emitor. Penguatan arus moda tunggal emitor
diwakili oleh βF atau hfe, ini kira-kira sama dengan perbandingan arus DC kolektor dengan
arus DC basis dalam daerah aktif-maju. Ini biasanya lebih besar dari 100 untuk transistor
isyarat kecil, tapi bisa sangat rendah, terutama pada transistor yang didesain untuk
penggunaan daya tinggi. Parameter penting lainnya adalah penguatan arus tunggal-basis, αF.
Penguatan arus tunggal-basis kira-kira adalah penguatan arus dari emitor ke kolektor dalam
daerah aktif-maju. Perbandingan ini biasanya mendekati satu, di antara 0,9 dan 0,998. Alfa
dan beta lebih tepatnya berhubungan dengan rumus berikut (transistor NPN):
BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, yaitu daerah emitor, daerah
basis dan daerah kolektor. Daerah-daerah tersebut adalah tipe-p, tipe-n dan tipe-p pada transistor PNP,
dan tipe-n, tipe-p dan tipe-n pada transistor NPN. Setiap daerah semikonduktor disambungkan ke
saluran yang juga dinamai emitor (E), basis (B) dan kolektor (C). Basis secara fisik terletak di antara
emitor dan kolektor, dan dibuat dari bahan semikonduktor terkotori ringan resistivitas tinggi. Kolektor
mengelilingi daerah emitor, membuat hampir tidak mungkin untuk mengumpulkan elektron yang
diinjeksikan ke daerah basis untuk melarikan diri, membuat harga α sangat dekat ke satu, dan juga
memberikan β yang lebih besar. Irisan dari BJT menunjukkan bahwa pertemuan kolektor-basis jauh
lebih besar dari pertemuan kolektor-basis. Transistor pertemuan dwikutub tidak seperti transistor
lainnya karena biasanya bukan merupakan peranti simetris. Ini berarti dengan mempertukarkan
kolektor dan emitor membuat transistor meninggalkan moda aktif-maju dan mulai beroperasi pada
11
moda terbalik. Karena struktur internal transistor dioptimalkan untuk operasi moda aktif-maju,
mempertukarkan kolektor dan emitor membuat harga α dan β pada operasi mundur jauh lebih kecil
dari harga operasi maju, seringkali α bahkan kurang dari 0.5. Buruknya simetrisitas terutama
dikarenakan perbandingan pengotoran pada emitor dan kolektor. Emitor dikotori berat, sedangkan
kolektor dikotori ringan, memungkinkan tegangan panjar terbalik yang besar sebelum pertemuan
kolektor-basis bobol. Pertemuan kolektor-basis dipanjar terbalik pada operasi normal. Alasan emitor
dikotori berat adalah untuk memperbesar efisiensi injeksi, yaitu perbandingan antara pembawa yang
diinjeksikan oleh emitor dengan yang diinjeksikan oleh basis. Untuk penguatan arus yang tinggi,
hampir semua pembawa yang diinjeksikan ke pertemuan emitor-basis harus datang dari emitor.
Perubahan kecil pada tegangan yang dikenakan membentangi saluran basis-emitor menyebabkan arus
yang mengalir di antara emitor dan kolektor untuk berubah dengan signifikan. Efek ini dapat
digunakan untuk menguatkan tegangan atau arus masukan. BJT dapat dianggap sebagai sumber arus
terkendali tegangan, lebih sederhana dianggap sebagai sumber arus terkendali arus, atau penguat arus,
dikarenakan rendahnya impedansi pada basis. Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi
hampir semua BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium arsenid,
terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.
NPN
NPN adalah satu dari dua tipe BJT, dimana huruf N dan P menunjukkan pembawa muatan
mayoritas pada daerah yang berbeda dalam transistor. Hampir semua BJT yang digunakan
saat ini adalah NPN karena pergerakan elektron dalam semikonduktor jauh lebih tinggi
daripada pergerakan lubang, memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi.
Transistor NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus
kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata
lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor. Tanda panah
dalam simbol diletakkan pada kaki emitor dan menunjuk keluar (arah aliran arus
konvensional ketika peranti dipanjar maju).
12
Transistor PNP
Jenis lain dari BJT adalah PNP.
Transistor PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis semikonduktor
tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada
keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada
emitor. Tanda panah pada simbol diletakkan pada emitor dan menunjuk kedalam.
Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju Transistor PNP dalam moda aktif-maju
13
Seperti yang diperlihatkan pada diagram, arus emitor , adalah arus transistor total,
yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya . Pada diagram, tanda
panah menunjukkan arah dari arus konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan
tanda panah. Pada moda aktif, perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis
disebut dengan penguatan arus DC. Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut
dengan , dan harga penguatan arus AC disebut dengan . Walaupun begitu, ketika
cakupan frekuensi tidak diperhitungkan, simbol sering digunakan. Perlu diperhatikan
bahwa arus emitor berhubungan dengan secara eksponensial. Pada suhu ruang,
peningkatan sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10
kali lipat. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga
berubah dengan fungsi yang sama. Untuk transistor PNP, secara umum cara kerjanya adalah
sama, kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan
mayoritas adalah lubang elektron.
Maksudnya ialah transistor dapat digunakan untuk mengatur arus listrik untuk
mengalir atau tidak dengan menggunakan arus listrik lain (yang relatif lebih kecil), sehingga
tidak lagi menggunakan komponen bergerak (seperti saklar mekanik).
Prinsip transistor sebagai saklar berdasar pada kurva karakteristik transistor berikut.
(line-load diagram)
Yakni kurva IC terhadap VCE untuk nilai IB yang berbeda (kurva ini dapat diperoleh
menggunakan alat tracer).
14
(biasing circuit)
15
BAB IV
PENUTUP
A. Kesimpulan
Transistor adalah komponen aktif dari bahan semikonduktor. Fungsi utamanya dalam
rangkaian adalah memperkuat isyarat (isyarat lemah pada masukan dan dikuatkan pada
keluaran).
Pembiasan pada transistor dapat dilakukan dalam tiga konfigurasi yaitu: 1. Common
Base (CB), 2. Common Emitter (CE), dan 3. Common Collector (CC). Penamaan common
base berasal dari kondisi dimana basis digunakan bersama dalam input dan output.
Konfigurasi ini memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan arus kolektor
yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar. Konfigurasi common-
emitter, yang menggunakan emitor sebagai terminal common untuk input dan output, lebih
sering digunakan pada rangkaian transistor dibandingkan dengan common-base. Konfigurasi
ini memiliki resistansi output yang kecil sehingga baik untuk digunakan pada beban dengan
resistansi yang kecil. Oleh karena itu, konfigurasi ini biasanya digunakan pada tingkat akhir
pada penguat bertingkat.
Ketika transistor sebagai saklar, maka transistor berperan mengalirkan arus dari
kolektor ke emitter atau sebaliknya menghentikan arus yang menglir dari kolektor ke emiter.
Pengaturnya adalah arus basis (tergantung dari besarnya arus yang mengalir dari basis).
Arus kecil yang mengalir pada basis mengendalikan arus yang lebih besar agar
mengalir dari kolektor ke emitter transistor. Terdapat dua macam transistor yang di produksi
untuk pemakaian umum yaitu jenis TUN (Transistor universal npn) atau TUP (Transistor
Universal pnp).
16
DAFTAR PUSTAKA
file:///D:/ELDAS/Transistor/Pembahasan%20pengenalan%20Komponen2%20Elektronika%2
0-%20Forum%20Sains%20Indonesia.htm
file:///D:/ELDAS/Transistor/Nalin_Sumarlin%20%20MAKALAH%20%20%20DIVAIS%20
BIPOLAR.htm
file:///D:/ELDAS/Transistor/Makalah%20Elektronika%20Dasar%201%20%20%20Fahmi%2
0Yusuf%20Ade%20Suryana%20%28FYAS%29.htm
file:///D:/ELDAS/Transistor/kumpulan%20karya%20tulis%20%20transistor.htm
file:///D:/ELDAS/Transistor/Transistor%20sambungan%20dwikutub%20-
%20Wikipedia%20bahasa%20Indonesia,%20ensiklopedia%20bebas.htm
17