Modul Praktikum RLE TF

2021
Modul Praktikum Sistem Instrumentasi
PRAKTIKUM RANGKAIAN LISTRIK

LABORATORIUM SISTEM ELEKTRONIKA
FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO
TELKOM UNIVERSITY
Hanya dipergunakan di lingkungan Fakultas Teknik Elektro
DAFTAR PENYUSUN
Disusun oleh :
 Dr. Eng. Asep Suhendi, M.Si.
Direvisi oleh :
 Christina Putri Ayu
 Diki Ribut Wahyudi
 Rts Indri Andini
 Suci Awali Muminati
1
LEMBAR REVISI
Yang bertanda tangan di bawah ini :
Nama : Linahtadiya Andiani, S.Si., M.Si.
NIK : 20940006
Jabatan : Dosen Kepala Instrumentation System Laboratory (Tingkat 2)
Dengan ini menyatakan pelaksanaan Revisi Modul Elektronika Dasar untuk Prodi Teknik
Fisika telah dilaksanakan dengan penjelasan sebagai berikut.
No Keterangan Revisi Tanggal Revisi Terakhir

1 Pengubahan Visi Misi Teknik Fisika Telkom University 31 Juli 2021
2
3
4
5
2
LEMBAR PERNYATAAN
Yang bertanda tangan dibawah ini :
Nama : Linahtadiya Andiani, S.Si., M.Si
NIK : 20940006
Jabatan : Dosen Pembina Laboratorium Sistem Instrumentasi
Menerangkan dengan sesungguhnya bahwa modul praktikum ini telah direview dan akan
digunakan untuk pelaksanaan praktikum di Semester 4 Tahun Akademik 2020-2021 di
Laboratorium Instrumentation System Laboratory (Tingkat 2) Fakultas Teknik Elektro
Universitas Telkom.
Bandung, 20 September 2021
Mengetahui Dosen Kepala Instrumentation System

Ketua Kelompok Keahlian Laboratory (Tingkat 2)
Dr.Eng Indra Wahyudin

Dr.Eng Fathona, S.Si, M.Si
Indra Wahyudin Linahtadiya Andiani, S.Si., M.Si
Fathona, S.Si, M.Si
NIP. 14841572 NIP. 20940006
3
Visi & Misi
Fakultas Teknik Elektro
VISI :
”Menjadi fakultas berstandar internasional yang berperan aktif dalam pengembangan
pendidikan, riset, dan entrepreneurship di bidang teknik elektro dan teknik fisika, berbasis
teknologi informasi.”
MISI :
1. Menyelenggarakan sistem pendidikan yang berstandar internasional di bidang

teknik elektro dan teknik fisika berbasis teknologi informasi.
2. Menyelenggarakan, menyebarluaskan, dan memanfaatkan hasil-hasil riset
berstandar internasional di bidang teknik elektro dan fisika.
3. Menyelenggarakan program entrepreneurship berbasis teknologi bidang teknik
elektro dan teknik fisika di kalangan sivitas akademika untuk mendukung
pembangunan ekonomi nasional.
4. Mengembangkan jejaring dengan perguruan tinggi dan industri terkemuka dalam
dan luar negeri dalam rangka kerjasama pendidikan, riset, dan entrepreneurship.
5. Mengembangkan sumberdaya untuk mencapai keunggulan dalam pendidikan, riset,
dan entrepreneurship
4
Visi & Misi
Prodi Teknik Fisika
VISI :
“Menjadi Program Studi S1 Teknik Fisika berstandar internasional yang berperan aktif dalam
pengembangan, pendidikan, riset, dan enterpreneurship di bidang keteknikfisikaan yang berbasis
teknologi informasi.”
MISI :
1. Menyelenggarakan sistem pendidikan yang berstandar internasional di bidang Teknik Fisika
berbasis teknologi informasi.
2. Menyelenggarakan, menyebarluaskan, dan memanfaatkan hasil-hasil riset berstandar
internasional di bidang Teknik Fisika.
3. Menyelenggarakan program enterpreneurship di kalangan sivitas akademika yang berbasis
teknologi bidang Teknik Tisika.
4. Mengembangkan jejaring dengan perguruan tinggi dan industri terkemuka dalam dan luar
negeri dalam rangka kerjasama pendidikan, riset, dan enterpreneurship.
5. Mengembangkan sumberdaya untuk mencapai keunggulan dalam pendidikan, riset, dan
enterpreneurship di bidang Teknik Fisika.
5
ATURAN LABORATORIUM FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO

TELKOM UNIVERSITY
Setiap mahasiswa Fakultas Teknik Elektro yang akan menggunakan Fasilitas Laboratorium,
WAJIB mematuhi Aturan sebagai berikut.
1. Menggunakan seragam resmi Telkom University, dan Membawa Kartu Tanda
Mahasiswa (KTM) yang masih berlaku.
2. Tidak berambut gondrong untuk mahasiswa.
3. Dilarang merokok dan makan minum di dalam ruangan, dan membuang sampah pada
tempatnya.
4. Dilarang menyimpan barang-barang milik pribadi di Laboratorium tanpa seijin
Fakultas.
5. Dilarang menginap di Laboratorium tanpa seijin Fakultas.
6. Jam Kerja Laboratorium dan Ruang Riset adalah 06.30 WIB sampai 22.00 WIB.
7. Mahasiswa yang akan menggunakan Laboratorium dan atau Ruang Riset diluar jam
kerja harus mengajukan ijin kepada Fakultas.
Dekan Fakultas Teknik Elektro

Bandung, 2 Juli 2018
Dr. Bambang Setia Nugroho, S.T, M.T.
6
DAFTAR ISI
DAFTAR PENYUSUN ........................................................................................................................ 1
LEMBAR REVISI ............................................................................................................................... 2
LEMBAR PERNYATAAN ................................................................................................................. 3
Visi & Misi ............................................................................................................................................ 4
Fakultas Teknik Elektro ...................................................................................................................... 4
Visi & Misi ............................................................................................................................................ 5
Prodi Teknik Fisika ............................................................................................................................. 5
ATURAN LABORATORIUM FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO TELKOM UNIVERSITY .... 6
RUNNING MODUL .......................................................................................................................... 15
Tujuan ............................................................................................................................................. 15
Garis Besar Praktikum .................................................................................................................. 15
Aturan Umum Fakultas Teknik Elektro ...................................................................................... 15
A. Aturan Kehadiran .............................................................................................................. 15
B. Aturan Perizinan .......................................................................................................... 16
C. Aturan Pakaian dan Kelengkapan .................................................................................... 17
Aturan Khusus Instrumentation System Laboratory.................................................................. 17
A. Pelaksanaan Praktikum ..................................................................................................... 17
B. Paper ................................................................................................................................... 18
C. Tugas Pendahuluan (TP) ................................................................................................... 18
D. Tes Awal (TA) ..................................................................................................................... 18
E. Komplain............................................................................................................................. 18
F. Info Tambahan ................................................................................................................... 19
Modul 1 : Seri dan Paralel ................................................................................................................. 20
1.1. Pendahuluan ....................................................................................................................... 20
1.2. Tujuan Praktikum .............................................................................................................. 20
1.3. Alat dan Bahan ................................................................................................................... 20
1.4. Teori Dasar ......................................................................................................................... 20
1.4.1. Hukum Ohm ................................................................................................................... 20
1.4.2. Hukum Kirchoff Tentang Arus ................................................................................. 21
1.4.3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan ......................................................................... 21
1.4.4. Hubungan Seri dan Pembagi Tegangan ................................................................... 22
1.4.5. Hubungan Paralel dan Pembagi Arus....................................................................... 22
1.4.6. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Seri .................................... 23
1.4.7. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Paralel............................... 25
7
1.5. Prosedur Praktikum........................................................................................................... 27
1.5.1. HUKUM OHM ........................................................................................................... 27
1.5.2. HUKUM KIRCHOFF ................................................................................................ 29
Modul 2 : Teorema Thevenin dan Norton ........................................................................................ 30
2.1. Pendahuluan ....................................................................................................................... 30
2.2. Tujuan ................................................................................................................................. 30
2.3. Alat & Komponen .............................................................................................................. 30
2.4. Dasar Teori ......................................................................................................................... 31
2.4.1. Teorema Thevenin ...................................................................................................... 31
2.4.2. Teorema Norton.......................................................................................................... 31
2.5.1. Membuktikan Theorema Thevenin dan Norton pada rangkaian DC .................... 33
Modul 3 : Dioda .................................................................................................................................. 37
3.1. Tujuan ................................................................................................................................. 37
3.2. Alat dan Komponen ........................................................................................................... 37
3.3. Dasar Teori ......................................................................................................................... 37
3.3.1. Sambungan P-N .......................................................................................................... 38
3.3.2. Prategangan (Bias) Pada Dioda ................................................................................. 39
3.3.3. Kurva Karakteristik Dioda ........................................................................................ 40
3.3.4. Aplikasi Dioda............................................................................................................. 41
3.4.1. Karakteristik Dioda.................................................................................................... 51
Modul 4 : Bipolar Junction Transistor (BJT) .................................................................................. 53
4.1. Pendahuluan ....................................................................................................................... 53
4.2. Tujuan ................................................................................................................................. 53
4.3. Alat & Bahan ...................................................................................................................... 53
4.4. Dasar Teori ......................................................................................................................... 48
4.4.1. Tipe Transistor ........................................................................................................... 48
4.4.2. Operasi Transistor ...................................................................................................... 48
4.4.3. Kurva Karakteristik Transistor ................................................................................ 49
4.4.4. Analisa Prategangan................................................................................................... 51
4.4.5. Konfigurasi Penguat Transistor ................................................................................ 52
4.4.6. Aplikasi Transistor ..................................................................................................... 53
4.5.1. Transistor Sebagai Saklar .......................................................................................... 56
8
4.5.2. Transistor Sebagai Inverter ....................................................................................... 56
4.5.3. Penguat Common Emitter ......................................................................................... 57
4.5.4. Kurva Karakteristik Transistor ................................................................................ 58
Modul 5 : MOSFET ........................................................................................................................... 59
5.1. Pendahuluan ....................................................................................................................... 59
5.2. Tujuan Praktikum .............................................................................................................. 59
5.3. Alat & Komponen .............................................................................................................. 59
5.4. Dasar Teori ......................................................................................................................... 60
5.4.1. JFET ............................................................................................................................ 61
5.4.2. JFET Kanal-N............................................................................................................. 62
5.4.3. JFET Kanal-P ............................................................................................................. 64
5.4.4. Analisa Prategangan MOSFET Enhancement ......................................................... 68
5.4.5. Penguat FET ............................................................................................................... 70
5.5.1. MOSFET Sebagai Saklar ........................................................................................... 71
5.5.2. Penguat Common Source ........................................................................................... 71
5.5.3. Prategangan pada MOSFET ..................................................................................... 73
Modul 6 : Operational Amplifier (OP-AMP) ................................................................................... 75
6.1. Pendahuluan ....................................................................................................................... 75
6.2. Tujuan ................................................................................................................................. 75
6.3. Alat & Komponen .............................................................................................................. 75
6.4. Dasar Teori ......................................................................................................................... 75
6.4.1. Rangkaian ekivalensi Op-Amp ideal ......................................................................... 76
6.4.2. Konfigurasi pin Op-Amp 741 .................................................................................... 76
6.4.3. Karakteristik Penguat Operasional Amplifier ......................................................... 77
6.4.4. Moda Operasi Op-Amp .............................................................................................. 79
6.4.5. Aplikasi Op-Amp ........................................................................................................ 80
6.5.1. Inverting Closed Loop Gain....................................................................................... 85
6.5.2. Non-Inverting Closed Loop Gain .............................................................................. 85
6.5.3. Diferensiator ............................................................................................................... 86
6.5.4. Integrator .................................................................................................................... 86
6.5.5. Karakteristik Op-Amp Ideal ..................................................................................... 87
9
DAFTAR GAMBAR
Gambar 1.4. 1. Hubungan Arus, Tegangan dan Resistansi pada Suatu Kawat Penghantar ..... 21
Gambar 1.4. 2. Hukum Kirchoff Tentang Arus pada Suatu Node ........................................... 21
Gambar 1.4. 3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan pada Suatu Loop .................................... 21
Gambar 1.4. 4. Hubungan Seri Resistor (Ket : Rek=Rekuivalen) ............................................ 22
Gambar 1.4. 5. Hubungan Paralel Resistor .............................................................................. 23
Gambar 1.4. 6. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Seri ..................................................... 24
Gambar 1.4. 7. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Seri ............................................. 24
Gambar 1.4. 8. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Paralel................................................. 25
Gambar 1.4. 9. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Paralel ......................................... 26
Gambar 1.5. 1. Rangkaian Seri S .............................................................................................. 27
Gambar 1.5. 2. Rangkaian Paralel T......................................................................................... 28
Gambar 1.5. 3. Rangkaian Hukum Kirchoff ............................................................................ 29
Gambar 2.4. 1. Teorema Thevenin ........................................................................................... 31
Gambar 2.4. 2. Teorema Norton ............................................................................................... 32
Gambar 2.5. 1. Rangkaian Thevenin ........................................................................................ 33
Gambar 2.5. 2. Rangkaian Thevenin ........................................................................................ 33
Gambar 2.5. 3. Rangkaian Mencari RTh .................................................................................. 34
Gambar 2.5. 4. Rangkaian Pengganti Thevenin ....................................................................... 34
Gambar 2.5. 5. Rangkaian Norton ............................................................................................ 35
Gambar 2.5. 6. Rangkaian Mencari RN ................................................................................... 35
Gambar 2.5. 7. Rangkaian Pengganti Norton ........................................................................... 36
Gambar 3.3. 1. Simbol dan Struktur Dioda ............................................................................... 38
Gambar 3.3. 2. Sambungan P-N ............................................................................................... 38
Gambar 3.3. 3. Prategangan Maju pada Sambungan P-N ........................................................ 39
Gambar 3.3. 4. Prategangan Mundur pada Sambungan P-N .................................................... 40
Gambar 3.3. 5. Kurva Karakteristik dari Dioda........................................................................ 40
Gambar 3.3. 6. Penyearah Setengah Gelombang ..................................................................... 42
Gambar 3.3. 7. Penyearah Gelombang Penuh .......................................................................... 42
Gambar 3.3. 8. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan Bridge ............................... 43
Gambar 3.3. 9. Bentuk Sinyal Output setelah melewati Low Pass Filter................................. 44
Gambar 3.3. 10. Simbol dari Dioda Zener ............................................................................... 45
10
Gambar 3.3. 11. Kurva Karakteristik dari Dioda Zener ........................................................... 45

Gambar 3.3. 12. Contoh Rangkaian Regulator Tegangan Menggunakan Dioda Zener ........... 46
Gambar 3.3. 13. Penggunaan IC 7812 pada Rangkaian dan Kaki-kaki pinnya ....................... 47
Gambar 3.3. 14. Clipper Positif secara Seri ............................................................................. 48
Gambar 3.3. 15. Clipper Negatif secara Seri ............................................................................ 48
Gambar 3.3. 16. Rangkaian Clamper ....................................................................................... 49
Gambar 3.3. 17. Rangkaian Clamper Negatif dan Positif ........................................................ 49
Gambar 3.3. 18. Rangkaian AND dan Rangkaian OR dengan Menggunakan Dioda .............. 50
Gambar 3.3. 19. Simbol LED ................................................................................................... 50
Gambar 3.3. 20. Contoh Aplikasi LED dan Photodiode dalam Optocoupler .......................... 50
Gambar 3.4. 1. Rangkaian A .................................................................................................... 51
Gambar 3.4. 2. Rangkaian B..................................................................................................... 51
Gambar 4.4. 1. Transistor PNP dan NPN ................................................................................. 48
Gambar 4.4. 2. Transistor Tipe PNP ........................................................................................ 49
Gambar 4.4. 3. Transistor Tipe NPN ........................................................................................ 49
Gambar 4.4. 4. Kurva Karakteristik Ic-VBE ............................................................................ 50
Gambar 4.4. 5. Kurva Karakteristik Ic-VCE ............................................................................ 50
Gambar 4.4. 6. Rangkaian Fixed Bias ...................................................................................... 51
Gambar 4.4. 7. Rangkaian Emitter Stabilized Bias .................................................................. 51
Gambar 4.4. 8. Rangkaian Voltage Divider Bias ..................................................................... 52
Gambar 4.4. 9. Rangkaian Penguat Common Emitter ............................................................. 52
Gambar 4.4. 10. Rangkaian Penguat Common Base ................................................................ 53
Gambar 4.4. 11. Rangkaian Penguat Common Collector......................................................... 53
Gambar 4.4. 12. Transistor Sebagai Inverter ............................................................................ 54
Gambar 4.4. 13. Transistor Sebagai Saklar .............................................................................. 55
Gambar 4.5. 1. Rangkaian Transistor Sebagai Saklar ............................................................... 56
Gambar 4.5. 2. Rangkaian Transistor Sebagai Inverter............................................................ 56
Gambar 4.5. 3. Rangkaian Penguat Common Emitter ............................................................. 57
Gambar 4.5. 4. Rangkaian Karakteristik Transistor ................................................................. 58
Gambar 5.4. 1. Current Controller ............................................................................................ 60
Gambar 5.4. 2. Voltage Controller ........................................................................................... 60
Gambar 5.4. 3. Struktur JFET (a) Kanal-N (b) Kanal-P........................................................... 61
Gambar 5.4. 4. Simbol Komponen JFET-N ............................................................................. 62
11
Gambar 5.4. 5. Simbol Komponen JFET-P .............................................................................. 62

Gambar 5.4. 6. Lapisan Deplesi jika Gate-Source diberi Bias Negatif .................................... 62
Gambar 5.4. 7. Lapisan Deplesi pada saat Tegangan Gate-Source Sebesar 0 V...................... 63
Gambar 5.4. 8. Kurva Karakteristik JFET N-Channel ............................................................. 63
Gambar 5.4. 9. Simbol Transistor tipe Depletion Mode NMOS .............................................. 64
Gambar 5.4. 10. Simbol Transistor tipe Depletion Mode PMOS............................................. 64
Gambar 5.4. 11. Simbol Transistor Enhancement Mode NMOS ............................................. 64
Gambar 5.4. 12. Simbol Transistor tipe Enhancement Mode PMOS....................................... 64
Gambar 5.4. 13. Struktur MOSFET Depletion Mode .............................................................. 65
Gambar 5.4. 14. Kurva Drain Transistor MOSFET Depletion Mode ...................................... 66
Gambar 5.4. 15. Struktur MOSFET Enhancement Mode ........................................................ 67
Gambar 5.4. 16. Kurva Drain E-MOSFET ............................................................................... 68
Gambar 5.4. 17. Simbol MOSFET ........................................................................................... 68
Gambar 5.4. 18. Rangkaian Fixed Bias .................................................................................... 69
Gambar 5.4. 19. Rangkaian Voltage Divider Bias ................................................................... 69
Gambar 5.5. 1. Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar............................................................... 71
Gambar 5.5. 2. Faktor Penguat MOSFET ............................................................................... 71
Gambar 5.5. 3. Resistansi Input MOSFET ............................................................................... 72
Gambar 5.5. 4. Resistansi Output MOSFET ........................................................................... 73
Gambar 5.5. 5. Prategangan pada MOSFET ............................................................................ 73
Gambar 6.4. 1. Komponen Op-Amp ........................................................................................ 76
Gambar 6.4. 2. Karakteristik Op-Amp ..................................................................................... 76
Gambar 6.4. 3. Konfigurasi Pin Op-Amp 741 .......................................................................... 76
Gambar 6.4. 4. Hambatan Input ............................................................................................... 78
Gambar 6.4. 5. Hambatan Output ............................................................................................. 78
Gambar 6.4. 6. Konfigurasi Inverting Amplifier ...................................................................... 79
Gambar 6.4. 7. Konfigurasi Penguat Non-Inverting ................................................................ 80
Gambar 6.4. 8. Konfigurasi Adder ........................................................................................... 81
Gambar 6.4. 9. Rangkaian Diferensiator .................................................................................. 82
Gambar 6.4. 10. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Diferensiator ................................................. 82
Gambar 6.4. 11. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Integrator....................................................... 83
Gambar 6.4. 12. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Integrator....................................................... 84
Gambar 6.5. 1. Rangkaian Percobaan Inverting Closed Loop Gain ......................................... 85
12
Gambar 6.5. 2. Rangkaian Percobaan Non-Inverting Closed Loop Gain ................................ 85

Gambar 6.5. 3. Rangkaian Percobaan Diferensiator ................................................................ 86
Gambar 6.5. 4. Rangkaian Percobaan Integrator ...................................................................... 86
Gambar 6.5. 5. Rangkaian Penguatan Loop Terbuka Sangat Tinggi ....................................... 87
13
DAFTAR TABEL
Tabel 4.4. 1. Konfigurasi Daerah Operasi Transistor ............................................................... 49

Tabel 5.4. 1. Konfigurasi Penguat Transistor MOSFET ........................................................... 70
14
RUNNING MODUL
Tujuan
Setelah mengikuti Running Modul mahasiswa diharapkan dapat :
1. Memahami peraturan kegiatan praktikum.
2. Memahami Hak dan Kewajiban praktikan dalam kegiatan praktikum.
3. Memahami komponen penilaian kegiatan praktikum.
Garis Besar Praktikum

1. Merupakan Praktikum pendukung mata kuliah Elektronika Dasar (Jika belum
mengambil mata kuliah bersangkutan, maka praktikan DILARANG untuk mengambil
praktikum ini).
2. Praktikum sebagian besar berupa analisis karakteristik komponen elektronika aktif serta
penerapannya.
3. Praktikan dianggap telah mengetahui cara penggunaan instrumen dasar kelistrikan dan
pengukuran listrik (Tegangan, Arus, Tahanan, dan Bentuk Sinyal).
Aturan Umum Fakultas Teknik Elektro

A. Aturan Kehadiran
1. Satu Mata Kuliah Praktikum terdiri dari 12 kali pertemuan.
2. Bila pada salah satu praktikum kehadiran kurang dari 5 kali (memiliki kehadiran
< 83%) praktikan wajib mengulang praktikum tersebut.
3. Apabila jumlah kehadiran dari dua praktikum kurang dari 10 kali (memiliki
kehadiran < 83%) praktikan wajib mengulang mata kuliah praktikum
tersebut (mengulang dua praktikum tersebut).
4. Praktikan harus hadir tepat waktu pada shift yang telah dipilih.
5. Jika praktikan datang saat TA sedang berlangsung (30 menit awal),
diperbolehkan untuk masuk dan mengerjakan TA tanpa tambahan waktu.
6. Jika melebihi waktu TA, maka praktikan dilarang masuk.
15
B. Aturan Perizinan
1. Jika satu waktu terdapat halangan pada shift praktikan, maka dianjurkan terlebih
dahulu tukar shift dengan praktikan lain di shift lain. Caranya ialah sebagai
berikut.
a. Melapor kepada asisten praktikum laboratorium bersangkutan untuk
mengajukan pertukaran jadwal shift praktikum.
b. Selanjutnya, mengisi dua kartu tukar jadwal shift praktikum yang akan
diberikan oleh asisten praktikum.
c. Setelah itu, dua kartu jadwal yang telah diisi diserahkan pada saat shift
baru yang telah ditukar pada asisten.
2. Syarat Pengajuan Izin Praktikum Susulan :
a. Sakit Dirawat Inap
Wajib melampirkan surat keterangan rawat inap dari instansi terkait.
Wajib memprosesnya ke Laboran maksimal 7 hari setelah rawat inap
selesai.
b. Sakit Kronis
Wajib melampirkan surat sakit dari instansi terkait dengan menyebutkan
keterangan sakit secara jelas di surat sakit.
c. Dispensasi Akademik
Mealmpirkan bukti approval dari website I-Gracias.
d. Musibah (Keluarga Inti)
Melampirkan Surat Kematian maksimal 7 hari setelah duka.
e. Musibah (Kecelakaan)
Mendokumentasikan TKP untuk dilampirkan ke Laboran, atau dengan
surat pernyataan bermaterai dari pihak yang dituakan pada TKP.
f. Ibadah Haji atau Umroh
Melampirkan bukti approval dispen dari website I-Gracias.
3. Alur Pengajuan Praktikum Susulan :
a. Praktikan mengajukan praktikum susulan ke Laboran (N114) dengan
membawa berkas persyaratan yang telah dipaparkan sebelumnya.
b. Laboran mengecek alasan pengajuan berdasarkan persyaratan yang telah
dipaparkan sebelumnya
16
c. Laboran dapat menentukan disetujui atau tidaknya pengajuan praktikum

susulan.
d. Apabila diizinkan, praktikan akan diberikan formulir praktikum susulan
untuk diisi dalam pengajuan praktikum susulan.
e. Laboran akan mencatat data praktikan dan praktikum ingin diajukan
untuk pengajuan praktikum susulan.
f. Pengumuman daftar praktikan yang mendapatkan izin dari Laboran
dalam melaksanakan praktikum susulan akan di umumkan melalui
Official Account (OA) Laboran.
g. Pelaksanaan praktikum susulan ditentukan oleh Asisten Praktikum
Laboratorium bersangkutan.
C. Aturan Pakaian dan Kelengkapan

1. Berpakaian sesuai aturan institusi pada hari shift praktikum. Apabila tidak
sesuai, praktikan harus mengganti pakaian sesuai waktu yang ditentukan.
2. Kelengkapan praktikan dalam melaksanakan praktikum meliputi :
a. Kartu Praktikum yang ditempel pas foto 3x4 (hanya diberi sekali, jika
hilang wajib mengganti sendiri).
b. Kalkulator dan alat tulis
c. Perlengkapan lain yang diatur oleh laboratorium bersangkutan.
Aturan Khusus Instrumentation System Laboratory

A. Pelaksanaan Praktikum
1. Praktikan wajib menonton video di website LMS untuk pengambilan data dan
wajib menghadiri video conference yang diadakan di google meet.
2. Praktikan harus hadir 10 menit sebelum pelaksanaan video conference.
3. Toleransi keterlambatan hanya 15 menit dari awal video conference
dilaksanakan. Jika melebihi batas waktu yang ditentukan, praktikan tidak
diperkenankan mengikuti praktikum modul yang bersangkutan.
4. Praktikan wajib menggunakan kemeja dan tidak diperkenankan menggunakan
sweater, kaos dan sebagainya selama pelaksaan praktikum berlangsung.
5. Pada saat video conference berlangsung, praktikan wajib menyalakan kamera.
17
6. Praktikan dilarang membuat keributan, makan dan minum serta keluar tanpa
alasan yang jelas selama pelaksanaan praktikum berlangsung.
7. Praktikan wajib melakukan persiapan materi praktikum melalui modul
praktikum, materi-materi kuliah, serta sumber lain yang berhubungan dengan
modul praktikum.
8. Praktikan wajib mengikuti seluruh rangkaian modul praktikum Sistem
Instrumentasi. Jika tidak mengikuti salah satu modul, maka nilai praktikum pada
modul yang tidak diikuti adalah NOL.
9. Kepentingan praktikan yang berhubungan dengan praktikum Sistem
Instrumentasi dapat dilayani dari hari Senin hingga Sabtu pada pukul 18.00 –
21.00 WIB.
B. Paper
1. Praktikan wajib mengerjakan jurnal sebelumnya dan diupload di website CeLoe
LMS dalam bentuk PDF paling lambat 2 jam setelah praktikum berakhir.
2. Pengisian paper harus sesuai dengan kata yang ada di jurnal.
3. Paper diupload di CeLoe LMS dalam bentuk PDF maksimal satu minggu setelah
pelaksanaan praktikum.
4. Bagi yang telah mengumpulkan paper maka nilai paper akan sama dengan NOL.
C. Tugas Pendahuluan (TP)

1. Tugas Pendahuluan akan diupload di website CeLoe LMS.
2. Batas pengumpulan Tugas Pendahuluan adalah …
D. Tes Awal (TA)

1. Tes Awal akan diupload di website CeLoe LMS.
2. Batas waktu pengerjaan Tes Awal adalah 30 menit.
E. Komplain
Bila terdapat kesalahan terkait nilai dan presensi dari asisten, praktikan berhak untuk
komplain ke asisten untuk kemudian diverifikasi dan diteruskan ke laboran. Batas
maksimal komplain ialah hari terakhir praktikum (Jadwal Menyusul).
18
F. Info Tambahan
Hal-hal terkait kelompok, PPT Runmod, Modul, Jurnal, Paper dan Aturan Resmi akan
dibagikan melalui link Google Drive yang akan di posting di Official Account (OA)
Laboratorium Sistem Instrumentasi yaitu @505qxecg.
HAL-HAL YANG BELUM DITETAPKAN AKAN DITETAPKAN SELANJUTNYA
19
Modul 1 : Seri dan Paralel
1.1. Pendahuluan
Hukum Ohm dan Hukum Kirchoff merupakan hukum dasar dalam rangkaian listrik.
Hukum Ohm menjelaskan hubungan antara tegangan, arus, dan resistansi sedangkan hukum
Kirchoff menjelaskan tentang arus pada suatu node dan tegangan pada lintasan tertutup.
1.2. Tujuan Praktikum

Tujuan praktikum adalah sebagai berikut :
1. Memahami konsep hukum Ohm dan hukum Kirchoff pada suatu rangkaian.
2. Memahami resistansi ekuivalen pada resistor yang dirangkai seri dan paralel.
3. Memahami konsep pembagi arus dan pembagi tegangan.
4. Memahami konsep analisis Node dan Mesh pada suatu rangkaian
5. Mampu menerapkan hukum Kirchoff pada suatu lintasan tertutup
1.3. Alat dan Bahan

Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut :
1. Sumber tegangan DC
2. Multimeter
3. Empat buah Resistor dengan nilai yang berbeda
4. Project Board
5. Kabel-kabel
1.4. Teori Dasar

1.4.1. Hukum Ohm
Jika sebuah arus melewati sebuah penghantar yang mempunyai resistansi/hambatan,
maka pada kedua ujung penghantar tersebut akan terdapat beda potensial. Menurut hukum
Ohm, beda potensial atau tegangan berbanding lurus dengan arus yang mengalir. Dapat
dituliskan sebagai berikut :
20
Gambar 1.4. 1. Hubungan Arus, Tegangan dan Resistansi pada Suatu Kawat Penghantar
1.4.2. Hukum Kirchoff Tentang Arus

Jumlah arus yang masuk dalam suatu node sama dengan jumlah arus yang
meninggalkan node tersebut. Dapat disimpulkan bahwa jumlah seluruh arus yang memasuki
sebuah node sama dengan nol.
Gambar 1.4. 2. Hukum Kirchoff Tentang Arus pada Suatu Node
1.4.3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan

Jumlah tegangan pada suatu rangkaian/loop/lintasan tertutup sama dengan nol.
Dengan kata lain, jumlah tegangan pada masing- masing komponen penyusun pada rangkaian
tertutup akan bernilai sama dengan nol.
Gambar 1.4. 3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan pada Suatu Loop
21
Secara matematis, pada gambar diatas dapat diperoleh persamaan sebagai berikut :
Lintasan a-b-c-d-a :
𝑉𝑎𝑏 + 𝑉𝑏𝑐 + 𝑉𝑐𝑑 + 𝑉𝑑𝑎 = 0𝑉1 + 𝑉2 + 0 − 𝐼. 𝑅3 = 0
𝑉1 + 𝑉2 = 𝐼. 𝑅3
Persamaan 1.4. 1. Hukum Tegangan Kirchoff
1.4.4. Hubungan Seri dan Pembagi Tegangan

Hubungan seri terjadi jika salah satu terminal dari dua elemen tersambung dan
mengakibatkan arus yang melewati elemen tersebut bernilai sama besar.
Gambar 1.4. 4. Hubungan Seri Resistor (Ket : Rek=Rekuivalen)
Dari gambar 1.4.4 diperoleh persamaan :
Persamaan 1.4. 2. Hubungan Seri dan Pembagi Tegangan
1.4.5. Hubungan Paralel dan Pembagi Arus

Hubungan seri terjadi jika salah satu terminal dari dua elemen tersambung dan
mengakibatkan tegangan yang terukur di elemen tersebut bernilai sama besar.
22
Gambar 1.4. 5. Hubungan Paralel Resistor
Pada gambar 1.4.5 diperoleh :
Persamaan 1.4. 3. Hubungan Paralel dan Pembagi Arus
1.4.6. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Seri

A. Cara Mengukur Arus pada Tegangan Seri
1. Putuskan jalur penghubung rangkaian seperti pada gambar di bawah atau di antara
R1 dan R2
2. Siapkan alat ukur analog atau digital (khusus alat ukur analog, penempatan probe
(+) dan probe (-) tidak boleh terbalik)
3. Atur selector multimeter agar berada pada posisi Ampere Meter dengan skala
yang benar (pengaturan skala yang terlalu kecil pada multimeter analog dapat
merusak alat ukur tersebut karena melewati batas maksimal/ range yang
diperbolehkan)
4. Letakkan probe (+) pada salah satu hubungan yang diputus tadi yang paling dekat
dengan sumber tegangan positif dan probe (-) diletakan pada sisi yang lainnnya
(perhatikan gambar dan jangan sampai terbalik)
23
5. Lihat hasil pengukuran
Gambar 1.4. 6. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Seri
B. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Seri

1. Rakit (pasang) semua komponen resistor R1, R2, dan R3 seperti gambar 3.7.2
pada project board
2. Hubungkan dengan adaptor atau power supply.
3. Siapkan alat ukur (multimeter)
4. Nyalakan power supply
5. Atur selector pada multimeter agar berada pada posisi Volt Meter dengan skala
yang benar. Pengaturan skala yang salah pada multimeter analog dapat merusak
alat ukur tersebut karena jarum penunjuk akan bergerak terlalu cepat.
6. Ukur tegangan di R2 dimana probe (+) ditempelkan pada kaki R2 yang paling
dekat dengan tegangan sumber positif dan probe (-) harus diletakan pada kaki R2
yang paling dekat dengat sumber tegangan negatif. Jika menggunakan multimeter
analog, kondisi ini jangan sampai terbalik karena dapat mengakibatkan kerusakan
pada alat ukur.
7. Lihat hasil pengukuran yang ditunjukan oleh jarum penunjuk atau pada display
digit angka jika menggunakan multimeter digital.
Gambar 1.4. 7. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Seri
24
1.4.7. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Paralel

A. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Paralel
1. Putuskan jalur penghubung rangkaian seperti pada gambar 3.8.1 atau di antara
sumber tegangan dan R1
2. Siapkan alat ukur analog atau digital (khusus alat ukur analog, penempatan probe
(+) dan probe (-) tidak boleh terbalik)
3. Atur selector multimeter agar berada pada posisi Ampere Meter dengan skala yang
benar (pengaturan skala yang terlalu kecil pada multimeter analog dapat merusak
alat ukur tersebut karena melewati batas maksimal/ range yang diperbolehkan)
4. Letakan probe (+) pada salah satu hubungan yang diputus tadi yang paling dekat
dengan sumber tegangan positif dan probe (-) diletakan pada sisi yang lainnnya
(perhatikan gambar dan jangan sampai terbalik)
5. Lihat hasil pengukuran
Gambar 1.4. 8. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Paralel
B. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Paralel

1. Rakit (pasang) semua komponen resistor R1, R2, dan R3 seperti gambar 3.8.1
pada project board
2. Hubungkan dengan adaptor atau power supply.
3. Siapkan alat ukur (multimeter)
4. Nyalakan power supply
5. Atur selector pada multimeter agar berada pada posisi Volt Meter dengan skala
yang benar. Pengaturan skala yang salah pada multimeter analog dapat merusak
alat ukur tersebut karena jarum penunjuk akan bergerak terlalu cepat.
25
6. Ukur tegangan di R1 dimana probe (+) ditempelkan pada kaki R1 yang paling
dekat dengan tegangan sumber positif dan probe (-) harus diletakan pada kaki R2
yang paling dekat dengat sumber tegangan negatif. Jika menggunakan multimeter
analog, kondisi ini jangan sampai terbalik karena dapat mengakibatkan kerusakan
pada alat ukur.
7. Lihat hasil pengukuran yang ditunjukan oleh jarum penunjuk atau pada
displaydigit angka jika menggunakan multimeter digital.
Gambar 1.4. 9. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Paralel
26
1.5. Prosedur Praktikum

1.5.1. HUKUM OHM
A. Percobaan Rangkaian Seri (Rangkaian S)
Gambar 1.5. 1. Rangkaian Seri S
Langkah Kerja :
1. Ambil 3 Resistor dan baca warna gelang pada resistor (R1, R2, dan R3). Tulis
hasil pada jurnal.
2. Ukur nilai resistansi pada masing-masing resistor menggunakan multimeter (R1,
R2, dan R3).
3. Rangkailah R1, R2, dan R3 secara seri.
4. Cari besar resistansi total pada rangkaian (Req ) dengan perhitungan dan
pengukuran.
5. Hubungkan Rangkaian seri tersebut dengan sumber tegangan dan amperemeter
untuk mengetahui besar arus. Tulis hasil pengamatan besar arus pada
amperemeter. (I1 dan I2)
6. Lepas Amperemeter, kemudian ukur tegangan di R1 dan R2. Tulis hasil
pengamatan pada tabel VR1 dan VR2. (Perhatikan mode amperemeter).
7. Ulangi percobaan dengan mengganti R1 dengan R2 dan R3.
8. Catat hasil percobaan pada tabel pada jurnal.
27
B. Percobaan Rangkaian Paralel (Rangkaian T)
Gambar 1.5. 2. Rangkaian Paralel T
Langkah Kerja
1. Ambil 3 Resistor dan baca warna gelang pada resistor (R1,R2,R3). Tulis hasil
pada jurnal.
2. Ukur nilai resistansi pada masing-masing resistor menggunakan multimeter
(R1,R2,R3)
3. Rangkailah R1, R2, dan R3 secara Paralel.
4. Cari besar resistansi total pada rangkaian ( Req) dengan perhitungan dan
pengukuran.
5. Hubungkan Rangkaian Paralel tersebut dengan sumber tegangan dan Voltmeter
untuk mengetahui besar tegangan. Tulis hasil pengamatan besar arus pada
amperemeter. (V1 dan V2).
6. Lepas Voltmeter, kemudian ukur arus di R1 dan R2. Tulis hasil pengamatan pada
tabel IR1 dan IR2. (Perhatikan mode amperemeter)
7. Ulangi percobaan dengan mengganti R1 dengan R3 dan R2 dengan R4
8. Catat hasil percobaan pada tabel pada jurnal.
28
1.5.2. HUKUM KIRCHOFF
Gambar 1.5. 3. Rangkaian Hukum Kirchoff
Langkah Kerja :
1. Rangkailah rangkaian dibawah ini pada project board menggunakan nilai resistor
yang tersedia.
2. Pastikan besar tegangan pada sumber tegangan sebesar V1 = 5V, dan V2 = 12V
(Ukur menggunakan multimeter)
3. Ukurlah arus menggunakan multimeter yang diset sebagai amperemeter pada
masing masing Resistor. Catat hasil pengamatan pada tabel yang disediakan
pada jurnal.
4. Ukurlah tegangan menggunakan multimeter yang diset sebagai voltmeter untuk
masing masing resistor. Catat juga hasilnya!
29
Modul 2 : Teorema Thevenin dan Norton
2.1. Pendahuluan
Teorema Thevenin dan Norton adalah teorema yang berguna untuk mempermudah
analisis rangkaian listrik terhadap suatu jaringan linier bilateral. Teorema ini berguna untuk
mencari besaran-besaran listrik seperti arus dan tegangan,serta menyelidiki respon suatu
jaringan terhadap beban yang berubah-ubah. Artinya sebuah rangkaian yang sangat kompleks
yang melibatkan sumber arus ataupun tegangan bisa diganti dengan sebuah rangkaian Thevenin
dan Norton yang sederhana.
2.2. Tujuan
1. Tujuan praktikum adalah sebagai berikut :
2. Mengetahui maksud dari teorema Thevenin dan Norton
3. Menggunakan Teorema Thevenin dan Norton untuk menganalisis rangkaian.
4. Membandingkan suatu besaran antara pengukuran dengan perhitungan
menggunakan teorema Thevenin dan Norton
2.3. Alat & Komponen

Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut:
1. 1 Unit DC Power Supply.
2. Multimeter Digital
3. 1 Unit Project Board.
4. Kabel Jumper.
5. 1 Unit Tang Potong.
6. Komponen:
 Resistor Fixed
 Potensiometer
30
2.4. Dasar Teori

2.4.1. Teorema Thevenin
Suatu rangkaian aktif (dengan sumber tegangan dan atau sumber arus dependen
maupun independen) yang bersifat linier dengan 2 kutub (terminal) a dan b, dapat diganti
dengan suatu tegangan 𝑉𝑇ℎ seri dengan resistor 𝑅𝑇ℎ .
Gambar 2.4. 1. Teorema Thevenin
Langkah-langkah analisis rangkaian adalah sebagai berikut.

1. Melepas beban ( Resistor yang akan dicari besar arus dan nilainya RL ) sehingga akan ada
2 terminal.
2. Menghitung VTh (Tegangan Open Circuit pada rangkaian)
3. Mencari besar Rth yaitu Resistansi di 2 terminal tersebut dengan menghubungkan singkat
semua sumber tegangan (short circuit) dan memutuskan semua sumber arus (open
circuit).
4. Membuat rangkaian pengganti Thevenin yang tersusun oleh V Th yang dirangkai seri
dengan RTh.
5. Memasang kembali RL secara seri dengan rangkaian pengganti Thevenin dan kemudian
menghitung besar arus dan tegangan dengan kembali pada hukum Ohm dan Kirchoff.
2.4.2. Teorema Norton

Suatu rangkaian aktif (dengan sumber tegangan dan atau sumber arus dependen
maupun independen) yang bersifat linier dengan 2 kutub (terminal) a dan b, dapat diganti
dengan satu sumber arus IN paralel dengan satu resistor dengan resistansi R N.
31
Gambar 2.4. 2. Teorema Norton
Langkah-langkah analisis rangkaian adalah sebagai berikut.

1. Melepas beban ( Resistor yang akan dicari besar arus dan nilainya RL ) sehingga akan ada
2 terminal.
2. Menghitung IN (Arus short circuit pada rangkaian).
3. Mencari besar RN yaitu Resistansi di 2 terminal tersebut dengan menghubungkan singkat
semua sumber tegangan (short circuit) dan memutuskan semua sumber arus (open
circuit). RTh = RN.
4. Membuat rangkaian pengganti Norton yang tersusun oleh IN yang terhubung paralel
dengan RN
5. Memasang kembali RL secara paralel dengan rangkaian pengganti Norton dan
menghitung besar arus dan tegangan dengan kembali pada hukum Ohm dan Khirchoff.
32

Lakukan dan amati setiap percobaan yang akan dilakukan. Ikuti instruksi khusus dari
Asisten Praktikum dengan baik dan seksama.
2.5.1. Membuktikan Theorema Thevenin dan Norton pada rangkaian DC.
a. Pengukuran langsung
1. Rangkailah seperti gambar berikut.
Gambar 2.5. 1. Rangkaian Thevenin
2. Ukur arus (I) dan tegangan (V) pada RL yang bervariasi seperti yang ada pada
jurnal (Perhatikan mode amperemeter DC).
3. Catat hasil pengukuran pada table yang terserdia di jurnal praktikum.
b. Teorema Thevenin
Dengan rangkaian yang sama seperti percobaan sebelumnya. Mencari rangkaian
pengganti Thevenin dari rangkaian percobaan :
a. Mencari VTh :
1. Lepaslah resistansi beban (RL).
Gambar 2.5. 2. Rangkaian Thevenin
2. Ukur tegangan open circuit terminal c-d, maka akandidapatkan nilai VTh.
33
3. Catat nilai VTh pada jurnal.

b. Mencari RTh :
1. Matikan sumber tegangan dengan melepas sumber tegangan dan gantikan
dengan tahanan dalamnya, caranya dengan menghubungkan singkat antara
terminal a-b.
Gambar 2.5. 3. Rangkaian Mencari RTh
2. Ukur resistansi pada terminal c-d dengan Multimeter, maka didapatkan Rth.
c. Pengukuran I dan V pada rangkaian pengganti Thevenin.

1. Buat rangkaian pengganti Thevenin dengan rangkaian sebagai berikut :
Gambar 2.5. 4. Rangkaian Pengganti Thevenin
2. Atur tegangan DC Power Supply sedemikian rupa sehingga nilainya sama

dengan Vth yang telah didapat pada percobaan sebelumnya.
3. Ukur arus (I) dan tegangan (V) pada RL yang bervariasi seperti yang ada pada
jurnal (perhatikan mode amperemeter DC).
4. Catat nilai I dan V dalam tabel yang tersedia pada jurnal praktikum.
34
d. Teorema Norton
Dengan rangkaian yang sama seperti percobaan sebelumnya.
a. Mencari IN
1. Pasang sumber tegangan pada a-b, ukur arus (IN) dengan memasang
probe merah dan probe hitam pada amperemeter di terminal c-d secara
langsung (Perhatikan mode amperemeter DC).
Gambar 2.5. 5. Rangkaian Norton
2. Catat nilai 𝐼𝑁 pada table yang tersedia pada jurnal!
b. Mencari RN
1. Matikan sumber tegangan dengan melepas sumber tegangan dan
gantikan dengan tahanan dalamnya, caranya dengan menghubungkan
singkat antara terminal a-b.
Gambar 2.5. 6. Rangkaian Mencari RN
2. Catat nilai RN dalam jurnal praktikum.
35
c. Pengukuran I pada rangkaian pengganti Norton

1. Berikan tegangan V sedemikian rupa sehingga akan didapatkan arus
sebesar IN (arus Norton) seperti gambar dibawah ini.
Gambar 2.5. 7. Rangkaian Pengganti Norton
2. Selanjutnya ukur arus dan tegangan pada setiap RL pada jurnal.

3. Catat arus Idan V yang ditunjukkan multimeter pada jurnal.
d. Membuktikan Teorema Transfer Daya Maksimum

1. Buatlah rangkaian pengganti Thevenin dengan sumber Vth (DC) dengan
nilai Rth dan Vth sesuai percobaan sebelumnya
2. Hubungkan RL yang berupa potensiometer ke rangkaian pengganti
thevenin.
3. Ukur I untuk nilai-nilai RL yang bervariasi seperti yang tersedia pada
table (Jurnal).
4. Dari data di atas buat grafik hubungan antara PL (daya yang diserap
beban) dan RL (menggunakan kertas milimeter; bersifat optional).
Formula untuk menghitung PL adalah sebagai berikut.
𝑃𝐿 = 𝐼2𝑅𝐿
36
Modul 3 : Dioda
3.1. Tujuan
Tujuan praktikum adalah sebagai berikut.
1. Mengetahui karakteristik 𝑖 − 𝑣 dari dioda.
2. Memahami aplikasi dioda dalam rangkaian listrik.
3. Menganalisis fungsi kerja dari aplikasi diode dalam rangkaian listrik.
3.2. Alat dan Komponen

Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut :
1. 1 Set Osiloskop dan Probe.
2. 2 Set Multimeter.
3. 1 Unit Function Generator.
4. 1 Unit DC Power Supply.
5. 1 Unit Project Board.
6. Kabel Jumper.
7. Komponen :
 Dioda 1N 4007, 1N 4148, Zenner 3V3, 5V1, 6V8.
 Resistor 1KΩ, 4K7Ω.
 Kapasitor 10 µF, 47 µF, 100 µF.
 IC 7805.
3.3. Dasar Teori

Struktur dasar dioda terdiri dari bahan semikonduktor tipe-p yang disambungkan dengan
bahan tipe-n. Pada ujung bahan tipe-p dijadikan terminal anoda (A), sedangkan ujung lainnya
dijadikan terminal katoda (K), sehingga dua terminal inilah yang menyiratkan nama dioda. Pada
gambar 3.3.1, perhatikan simbol dan struktur dioda.
37
Gambar 3.3. 1. Simbol dan Struktur Dioda
3.3.1. Sambungan P-N

Bahan tipe-p terbentuk dari muatan intrinsik golongan 3A, sedangkan bahan tipe-n
terbentuk dari muatan intrinsik golongan 5A. Pada gambar 3.2, muatan yang diberi lingkaran
menyatakan ion dan muatan ini tetap ditempat, tidak bergerak walaupun diberi muatan listrik.
Muatan intrinsik yaitu muatan yang berasal dari ikatan kovalen pada atom silikon yang
menjadi bebas oleh karena eksitasi termal. Pembawa muatan yang lain adalah muatan bebas,
yaitu hole yang dihasilkan oleh atom akseptor pada bahan tipe-p, dan elektron bebas yang
dihasilkan oleh atom donor pada bahan tipe-n. Pembawa muatan bebas ini adalah pembawa
muatan ekstrinsik.
Gambar 3.3. 2. Sambungan P-N
Hal yang perlu diperhatikan pada persambungan p-n adalah sebagai berikut :
1. Saat persambungan p-n terbentuk, elektron bebas pada tipe-n akan berdifusi melalui
junction, masuk ke dalam tipe-p, dan terjadi rekombinasi dengan hole yang ada di dalam
tipe -p.
2. Sebaliknya, hole pada tipe-p akan berdifusi masuk ke dalam tipe-n dan berekombinasi
dengan elektron yang ada pada tipe-n.
3. Rekombinasi elektron bebas dengan hole disekitar junction saling meniadakan sehingga
tepat pada daerah junction, terjadi daerah tanpa muatan bebas yang disebut daerah
pengosongan (deplesi).
38
4. Karena muatan positif dan negatif terpisah, maka di dalam daerah deplesi terjadi medan
listrik yang melawan proses difusi selanjutnya. Dengan adanya medan listrik ini maka
terjadi beda potensial listrik, potensial barrier, antara tipe-p dan tipe-n sehingga secara
tidak langsung difusi elektron bebas akan terhenti.
5. Pada suhu ruang, dioda silicon mempunyai potensial barrier 0,7 volt dan dioda
germanium 0,3 volt.
3.3.2. Prategangan (Bias) Pada Dioda

Terdapat karakteristik 𝑖 − 𝑣 pada dioda yang terdiri dari prategangan maju (forward
bias) dan prategangan balik (reverse bias).
A. Prategangan Maju (Forward Bias)
Prategangan maju pada dioda sambungan p-n didapatkan dengan cara menghubungkan
tipe-p dengan kutub positif baterai dan tipe-n dengan kutub negatif baterai. Oleh karena itu,
elektron bebas dari sisi tipe-n ditolak ke arah persambungan demikian pula pada tipe-p.
Dengan demikian, pada sisi tipe-n akan penuh dengan elektron dan sisi tipe-p penuh dengan
hole. Elektron-elektron bebas yang menyebrangi persambungan akan kembali dengan hole
yang tiba di persambungan. Hasilnya arus yang kontinu akan berlangsung di dalam kristal
dan kawat-kawat yang dihubungkan ke kristal tersebut. Prategangan maju menyebabkan
daerah deplesi semakin mengecil.
Gambar 3.3. 3. Prategangan Maju pada Sambungan P-N
B. Prategangan Balik (Reverse Bias)

Prategangan balik didapatkan dengan cara menghubungkan tipe-p dengan kutub negatif
baterai dan tipe-n dengan kutub positif baterai. Hole pada tipe-p dan elektron bebas pada tipe-
n akan menjauhi persambungan sehingga memperlebar lapisan pengosongan sampai potensial
menyamai potensial terpasang. Dalam keadaan ini pembawa mayoritas akan berhenti
mengalir dan dalam beberapa nano-detik arus listrik akan menurun sampai sekitar nol.
39
Gambar 3.3. 4. Prategangan Mundur pada Sambungan P-N
3.3.3. Kurva Karakteristik Dioda

Pada gambar 3.3.5, menunjukkan ada dua macam kurva, yaitu dioda germanium (Ge)
dan diode silikon (Si). Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar tersebut merupakan kurva
karakteristik dioda saat mendapatkan prategangan mundur. Bagian kanan atas dari grafik pada
gambar tersebut merupakan kurva karakteristik dioda saat mendapatkan prategangan maju.
Gambar 3.3. 5. Kurva Karakteristik dari Dioda
1. Dioda diberi Prategangan Maju

Arus 𝐼𝐷 akan naik dengan cepat setelah 𝑉𝐴−𝐾 mencapai tegangan cut-in (𝑉𝑔). Tegangan cut-
in ini kira-kira sekitar 0,2 volt untuk dioda Ge dan 0,6 volt untuk dioda Si. Dengan
pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang (potensial barrier) pada
persambungan akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir dengan cepat. Besarnya arus
jenuh mundur (reverse saturation current) 𝐼𝑆 untuk dioda Ge adalah dalam orde mikro ampere
(1 mA), sedangkan untuk dioda Si, 𝐼𝑆 nya dalam orde nano ampere (10 nA).
40
2. Dioda diberi Prategangan Mundur

Apabila 𝑉𝐴−𝐾 yang berpolaritas negatif tersebut dinaikan terus, maka suatu saat akan
mencapai tegangan patah (breakdown) dimana arus 𝐼𝐷 akan naik dengan tiba-tiba. Pada saat
mencapai tegangan breakdown ini, pembawa minoritas dipercepat hingga mencapai kecepatan
yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom. Kemudian elektron ini juga
dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar. Pada dioda
prategangan, pencapaian tegangan breakdown ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.
Hubungan arus dioda (𝐼𝐷 ) dengan tegangan dioda (𝑉𝐷 ) dapat dinyatakan dalam persamaan 1.1
sebagai berikut.
𝑉
( 𝑑)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 [𝑒 𝑇 −
𝑛𝑉 1]
Persamaan 3.3. 1. Hubungan Arus Dioda dengan Tegangan Dioda
Keterangan :
1. 𝐼𝐷 : Arus dioda (A)
2. 𝐼𝑆 : Arus jenuh mundur (A)
3. 𝑒 : Bilangan natural (2,71828…)
4. 𝑉𝐷 : Beda tegangan pada dioda (V)
5. 𝑛 : Konstanta, 1 untuk Ge dan 2 untuk Si
6. 𝑉𝑇 : Tegangan ekivalen temperatur (V)
Harga 𝐼𝑆 suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping, dan geometri dari
dioda. Konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik dioda. Harga 𝑉𝑇
kurang lebih sebesar 26 mV pada temperatur ruang.
3.3.4. Aplikasi Dioda

Beberapa aplikasi dioda dalam rangkain listrik dapat dipelajari pada sub-bab berikut ini.
1. Dioda Sebagai Saklar
Dioda merupakan saklar tertutup saat diberi prategangan maju dan merupakan saklar
terbuka saat diberi prategangan mundur. Oleh karenanya, dioda bisa berfungsi seperti sebuah
saklar.
41
2. Dioda Sebagai Penyearah

Dioda semikonduktor banyak digunakan sebagai penyearah.
A. Penyearah Setengah Gelombang
Gambar 3.3. 6. Penyearah Setengah Gelombang
Prinsip kerja dari penyearah setengah gelombang adalah bahwa pada saat sinyal input
berupa siklus positif maka dioda mendapat prategangan maju sehingga arus (I) mengalir
ke beban (RL), dan sebaliknya bila sinyal input berupa siklus negatif maka dioda
mendapat prategangan mundur sehingga arus tidak mengalir.
B. Penyearah Gelombang Penuh dengan Center Tap
Gambar 3.3. 7. Penyearah Gelombang Penuh
Pada gambar 3.3.7, merupakan rangkaian penyearah gelombang penuh dengan

menggunakan center tap. Terlihat dengan jelas bahwa rangkaian penyearah gelombang
penuh ini merupakan gabungan 2 buah penyearah setengah gelombang yang kerjanya
42
bergantian setiap setengah siklus. Sehingga arus maupun tegangan rata-ratanya adalah
2 x penyearah setengah gelombang, 𝑃𝐼𝑉 = 2𝑉𝑚.
Prinsip kerjanya yaitu pada terminal sekunder dari trafo CT mengeluarkan 2 buah
tegangan output yang sama tapi berbeda fasa, karena fasanya berlawanan dengan titik
CT sebagai titik tengahnya. Kedua output ini masing-masing dihubungkan ke 𝐷1 dan
𝐷2, sehingga saat 𝐷1 mendapat sinyal positif maka 𝐷2 mendapat sinyal negatif, dan
sebaliknya. Dengan demikian 𝐷1 dan 𝐷2 hidupnya saling bergantian. Namun karena
arus 𝐼1 dan 𝐼2 melewati tahanan beban (𝑅𝐿) dengan arah yang sama, maka 𝐼𝐿 menjadi satu
arah.
C. Penyearah Gelombang Penuh
Gambar 3.3. 8. Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan Bridge
Prinsip kerjanya :
1. Pada saat rangkaian bridge mendapatkan bagian positif dari siklus sinyal AC,
maka 𝐷1 dan 𝐷3 ON karena mendapat prategangan maju, sedangkan 𝐷2 dan 𝐷4
OFF karena mendapat prategangan mundur. Sehingga arus 𝑖1 mengalir melalui
𝐷1, 𝑅𝐿, dan 𝐷3.
2. Pada saat rangkaian jembatan mendapatkan bagian negatif dari siklus sinyal AC,
maka 𝐷2 dan 𝐷4 ON karena mendapat prategangan maju, sedangkan 𝐷1 dan 𝐷3
OFF karena mendapat prategangan mundur. Sehingga arus 𝑖2 mengalir melalui
𝐷2, 𝑅𝐿, dan 𝐷4.
43
D. Dioda Sebagai Catu Daya

Penyearah gelombang penuh dengan bridge sudah mendapat sinyal DC dari input
sinyal AC. Akan tetapi, sinyal yang dihasilkan belum terlalu baik. Oleh karenanya, ada
beberapa bagian yang dapat ditambahkan untuk menghasilkan sinyal DC yang lebih
baik diantaranya sebagai berikut.
1. Low Pass Filter (LPF)
Gambar 3.3. 9. Bentuk Sinyal Output setelah melewati Low Pass Filter
Low Pass Filter (LPF) merupakan suatu rangkaian yang akan melewatkan suatu
sinyal tertentu sampai ke suatu frekuensi cut-off dan akan menahan sinyal yang
frekuensinya diatas frekuensi cut-off dari rangkaian tersebut. Rangkaian penyearah
dengan LPF digunakan agar tegangan DC yang dihasilkan lebih rata. Dengan adanya
pemasangan sebuah kapasitor, tegangan output tidak akan segera turun walaupun
tegangan input sudah turun. Hal ini disebabkan karena kapasitor memerlukan waktu
untuk mengosongkan muatannya. Tegangan yang terjadi dikenal dengan tegangan riak
(ripple voltage). Kualitas rangkaian penyearah dengan LPF dinyatakan oleh nisbah riak
puncak ke puncak (peak-to-peak ripple ratio / pprr).
𝑉𝑟𝑝𝑝 𝑉𝑝
𝑝𝑝𝑟𝑟 = 𝑉 ; 𝑉𝐷𝐶𝑟𝑎𝑡𝑎−𝑟𝑎𝑡𝑎 =
𝐷𝐶 𝑟𝑎𝑡𝑎−𝑟𝑎𝑡𝑎 𝜋
1
Untuk setengah gelombang : 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑉𝑝
𝑓𝑅𝐶
1
Untuk gelombang penuh : 𝑉𝑟𝑝𝑝 = 𝑉𝑝
𝑓𝑅𝐶
Dengan 𝑉𝑝 adalah tegangan puncak dari tegangan output.
44
E. Dioda Zener
Gambar 3.3. 10. Simbol dari Dioda Zener
Dioda zener dibuat sedemikian rupa sehingga daerah deplesinya lebih besar daripada
diode biasa. Akibatnya, medan listrik yang dihasilkan juga lebih besar. Dioda zener
memiliki karakteristik yang sama seperti diode biasa pada kondisi prategangan maju.
Pada dasarnya, tidak ada perbedaan secara struktur dengan dioda biasa. Hanya saja,
dioda zener diberi sejumlah doping yang lebih banyak pada sambungan P dan N,
sehingga tegangan breakdown bisa semakin cepat tercapai. Analisis rangkaian dengan
menggunakan dioda zener sama seperti dioda biasa. Perbedaan hanya terletak pada
permodelan kondisi ON dan OFF yaitu kondisi pemanfaatan daerah kurva karakteristik
dioda zener dibandingkan diode biasa.
Gambar 3.3. 11. Kurva Karakteristik dari Dioda Zener
Pada saat dioda zener mendapat prategangan maju dan tegangannya lebih kecil dari
tegangan threshold, maka kondisi dioda zener OFF. Sedangkan pada saat tegangannya
lebih besar daripada tegangan threshold, maka kondisi dioda zener ON dimana tegangan
dioda zener sama dengan tegangan threshold.
Pada saat dioda zener mendapat prategangan mundur dan tegangannya lebih kecil
dari tegangan zener, maka kondisi dioda zener OFF. Sedangkan pada saat tegangannya
lebih besar daripada tegangan zener, maka kondisi dioda zener ON dimana tegangan
dioda zener sama dengan tegangan zener.
45
Tegangan yang menyebabkan munculnya arus mundur yang sangat besar disebut
tegangan dadal (breakdown voltage). Dimana pada saat terjadi tegangan tersebut, daerah
deplesinya lebar dan arus yang bertambah cepat akibat dua hal berikut ini:
a. Zener Breakdown
Dengan adanya tegangan mundur yang relatif tinggi, medan listriknya dapat
menarik keluar elektron dari ikatan kovalen sehingga terjadi pembentukan
pasangan elektron dan hole sebagai pengangkut muatan yang memungkinkan
terjadinya arus mundur.
b. AvalancheBreakdown.
Elektron dan hole yang dibangkitkan dipercepat oleh medan listrik yang tinggi,
karena kecepatan yang tinggi menabrak ikatan kovalen sehingga menambah
pembangkitan beruntun pasangan elektron-hole sehingga mempercepat
pertambahan arus mundur.
Salah satu aplikasi dari dioda zener adalah sebagai regulator tegangan. Seperti pada
gambar 1.12, tegangan sumber adalah 12V, tetapi tegangan yang terukur pada Rload
adalah 9V sama dengan nilai tegangan pada dioda zener.
Gambar 3.3. 12. Contoh Rangkaian Regulator Tegangan Menggunakan Dioda Zener
F. IC 78xx / IC 79xx
IC 78xx merupakan regulator tegangan positif DC sedangkan IC 79xx merupakan
regulator tegangan negatif DC. Tanda ‘xx’ menyatakan nilai dari tegangan output yang
dihasilkan. Misalkan IC 7812 menyatakan regulator tegangan +12 𝑉𝐷𝐶, sementara 7912
menyatakan regulator tegangan -12 𝑉𝐷𝐶.
46
Gambar 3.3. 13. Penggunaan IC 7812 pada Rangkaian dan Kaki-kaki pinnya
G. Dioda Sebagai Clipper

Rangkaian clipper (pemotong) digunakan untuk memotong atau menghilangkan
sebagian sinyal input yang berada dibawah atau diatas level tertentu. Rangkaian ini
adalah rangkaian yang digunakan untuk membatasi tegangan agar tidak melebihi dari
suatu nilai tegangan tertentu.
Secara umum rangkaian clipper dapat digolongkan menjadi 2, yaitu seri dan paralel.
Rangkaian clipper seri berarti dioda-nya dipasang secara seri dengan beban, sedangkan
clipper paralel berarti dioda-nya dipasang paralel dengan beban.Sedangkan untuk
masing- masing jenisnya dibagi menjadi clippernegatif, memotong bagian negatif, dan
clipper positif, memotong bagian positif.
Petunjuk untuk menganalisis rangkaian clippersecara seri adalah sebagai berikut:

1. Perhatikan arah diode
a. Bila arah dioda kekanan, maka bagian positif dari sinyal input akan dilewatkan,
dan bagian negatif akan dipotong, berarti clippernegatif.
b. Bila arah dioda kekiri, maka bagian negatif dari sinyal input akan dilewatkan,
dan bagian positif akan dipotong, berarti clipper positif.
2. Perhatikan polaritas baterai, bila ada.
3. Gambarlah sinyal output dengan sumbu nol pada level baterai, yang sudah
ditentukan pada langkah 2 diatas.
4. Batas pemotongan sinyal adalah pada sumbu nol semula, sesuai dengan sinyal
input.
47
Gambar 3.3. 14. Clipper Positif secara Seri
Gambar 3.3. 15. Clipper Negatif secara Seri
H. Dioda Sebagai Clamper

Rangkaian clamper adalah rangkaian yang digunakan untuk memberikan offset
tegangan DC. Dengan demikian, tegangan yang dihasilkan adalah tegangan input
dan tegangan DC. Rangkaian ini disebut juga rangkaian penggeser yang digunakan untuk
menggeser suatu sinyal ke level DC yang lain.
Rangkaian ini paling tidak harus mempunyai sebuah kapasitor, dioda, dan resistor,
disamping itu bisa pula ditambahkan sebuah baterai. Harga R dan C harus dipilih
sedemikian rupa sehingga konstanta waktu RC cukup besar agar tidak terjadi
pengosongan muatan yang cukup berarti saat dioda tidak menghantar. Sebuah
rangkaian clamper sederhana, tanpa baterai, terdiri atas R, D, dan C terlihat pada
gambar 3.3.16.
48
Gambar 3.3. 16. Rangkaian Clamper
Keterangan :
1. Gelombang kotak yang menjadi sinyal input rangkaian clamper.
2. Pada saat 0 − 𝑇⁄2, sinyal input adalah positif sebesar +𝑉, sehingga dioda ON.
Kapasitor mengisi muatan dengan cepat melalui tahanan dioda yang rendah, seperti
hubung singkat karena dioda ideal.
3. Sinyal output merupakan penjumlahan tegangan input -V dan tegangan pada
kapasitor -V sehingga sebesar -2 V.
Terlihat pada gambar 1.18, bahwa sinyal output merupakan bentuk gelombang
kotak, seperti gelombang input, yang level DC-nya sudah bergeser kearah negatif sebesar
–V. Besarnya penggeseran ini bisa divariasi dengan menambahkan sebuah baterai
secara seri dengan dioda. Dan juga arah penggeseran bisa dibuat kearah positif
dengan cara dioda dibalik.
Gambar 3.3. 17. Rangkaian Clamper Negatif dan Positif
49
I. Dioda Sebagai Rangkaian Logika

Aplikasi lain dari dioda adalah dapat digunakan sebagai rangkaian logika AND
dan OR. Pada gambar 1.20 terdapat rangkaian gerbang logika AND dan OR.
Gambar 3.3. 18. Rangkaian AND dan Rangkaian OR dengan Menggunakan Dioda
J. Light Emitting Diode (LED)
LED merupakan komponen yang dapat mengeluarkan emisi cahaya. Struktur

LED sama dengan dioda, tetapi belakangan ditemukan bahwa elektron yang menerjang
sambungan P-N juga melepaskan energy berupa energy panas dan energy cahaya.
Gambar 3.3. 19. Simbol LED
C. Photodiode
Photodioda adalah dioda yang bekerja berdasarkan intensitas cahaya, jika
photodioda terkena cahaya maka photodioda bekerja seperti dioda pada umumnya,
tetapi jika tidak mendapat cahaya maka photodioda akan berperan seperti resistor
dengan nilai tahanan yang besar sehingga arus listrik tidak dapat mengalir.
Gambar 3.3. 20. Contoh Aplikasi LED dan Photodiode dalam Optocoupler
50

Lakukan dan amati setiap percobaan yang akan dilakukan. Ikuti instruksi khusus dari
Asisten Praktikum dengan baik dan seksama.
3.4.1. Karakteristik Dioda
A. Rangkaian A
Gambar 3.4. 1. Rangkaian A
Langkah Kerja :
1. Rangkailah rangkaian seperti pada gambar 3.4.1.
2. Hubungkan titik 1 dan titik 2 dengan amperemeter DC dengan orde mA.
3. Hubungkan titik 3 dan titik 4 dengan voltmeter DC.
4. Naikkan tegangan sumber DC (𝑉𝑆) dari 0 – 5 volt dengan kenaikan 0,5 volt. Khusus
tegangan 1 – 2 volt, kenaikan tegangan 0,1 volt.
5. Catat nilai arus (𝐼𝑑 ) dan tegangan pada dioda (𝑉𝑑 ) kemudian masukkan ke dalam
tabel.
6. Gambarkan grafik 𝐼𝑑 terhadap 𝑉𝑑.
B. Rangkaian B
Gambar 3.4. 2. Rangkaian B
51
Langkah kerja :
1. Rangkailah rangkaian seperti pada gambar 3.4.2.
2. Hubungkan titik 1 dan titik 2 dengan amperemeter DC dengan orde mA.
3. Naikkan tegangan sumber DC (𝑉𝑆) dari 0 – 5 volt dengan kenaikan 0,5 volt.
4. Catat nilai arus (𝐼𝑑 ) dan tegangan pada dioda (𝑉𝑑 ) kemudian masukkan ke dalam
tabel.
5. Gambarkan grafik 𝐼𝑑 terhadap 𝑉𝑑.
52
Modul 4 : Bipolar Junction Transistor (BJT)
4.1. Pendahuluan
Pada prinsipnya suatu transistor terdiri dari dua buah dioda yang disatukan. Agar
transistor dapat bekerja pada kaki-kakinya harus diberikan tegangan. Sambungan kedua dioda
tersebut membentuk transistor PNP dan NPN. Transistor yang dibahas ini adalah Bipolar
Junction Transistor (BJT) karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan
elektron di kutub negatif mengisi kekurangan elektron (hole) dikutub positif. Sifat transistor
adalah bahwa antara Collector dan Emitor akan ada arus (transistor akan menghantar) bila ada
arus Basis. Pada transistor PNP tegangan Basis dan Collector negatif terhadap Emitor
sedangkan pada transistor NPN tegangan Basis dan Collector positif terhadap Emitor.
4.2. Tujuan
Setelah mengikuti praktikum ini mahasiswa diharapkan dapat:
1. Memahami dan menggambarkan kurva karakteristik transistor.
2. Mengidentifikasi daerah kerja transistor berdasarkan pada kurva karakteristik
transistor.
3. Mengaplikasikan transistor sebagai penguat dan saklar berdasarkan pada daerah kerja
transistor dan datasheet-nya.
4. Pengenalan aplikasi TTL (Transistor-Transistor Logic).
4.3. Alat & Bahan

1. 1 Set Osiloskop dan Probe.  Transistor BJT BC 107, BD139, BD140
2. 2 Set Multimeter.  Resistor 100 kΩ, 470 kΩ, 47 kΩ, 10 kΩ,
3. 1 Unit Function Generator. 1 kΩ, 27k Ω, 10 Ω, 50Ω dan 4k7 Ω
4. 1 Unit DC Power Supply.  Kapasitor ELCO 4.7 µF,100µF dan 470
5. 1 Unit Project Board. µF
6. Kabel Jumper.  Resistor variable 100kΩ
7. 1 Unit Tang Potong.  Led
8. Komponen:
53
4.4. Dasar Teori

Transistor yang dibahas ini adalah Bipolar Junction Transistor (BJT) karena struktur
dan prinsip kerjanya tergantung dari perpindahan elektron di kutub negatif mengisi kekurangan
elektron (hole) dikutub positif. Sifat transistor adalah bahwa antara Collector dan Emitor
akan ada arus (transistor akan menghantar) bila ada arus Basis. Pada transistor PNP tegangan
Basis dan Collector negatif terhadap Emitor sedangkan pada transistor NPN tegangan Basis
dan Collector positif terhadap Emitor.
4.4.1. Tipe Transistor
Tipe transistor secara umum terbagi menjadi dua, yaitu Transistor NPN dan Transistor
PNP. Berikut ini penjelasan mengenai jenis kedua transistor tersebut.
1. Transistor NPN
Tipe NPN terdiri dari selapis semikonduktor tipe-p di antara dua lapisan tipe-n. Arus
kecil yang memasuki basis pada tunggal emitor dikuatkan di keluaran kolektor. Dengan kata
lain, transistor NPN hidup ketika tegangan basis lebih tinggi daripada emitor.
2. Transistor PNP
Tipe PNP terdiri dari selapis semikonduktor tipe-n di antara dua lapis semikonduktor
tipe-p. Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan pada
keluaran kolektor. Dengan kata lain, transistor PNP hidup ketika basis lebih rendah daripada
emitor.
Gambar 4.4. 1. Transistor PNP dan NPN
4.4.2. Operasi Transistor

Pengoperasian transistor disesuaikan dengan tipe dari transistor tersebut, yakni
PNP atau NPN. Transistor memiliki tiga daerah operasi yang sering dimanfaatkan yakni,
daerah aktif, saturasi, dan cut off.
48
A. Daerah Aktif
Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC
konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya
tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear
region).
B. Daerah Cut-Off
Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu
yang menyebabkan arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor
berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati (Off).
Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang
tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
C. Daerah Saturasi
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor
silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang membuat tegangan VCE belum
mencukupi untuk dapat mengalirkan elektron.
Gambar 4.4. 2. Transistor Tipe PNP Gambar 4.4. 3. Transistor Tipe NPN
Tabel 4.4. 1. Konfigurasi Daerah Operasi Transistor
Moda Kerja 𝐼𝑐 𝑉𝐶𝐸 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐵 Bias B-C Bias B-E

Aktif = 𝛽𝐼𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 ~ 0.7 𝑉 0𝑉 Reverse Forward
Saturasi Max ~0𝑉 ~ 0.7 𝑉 −0.7 𝑉 < 𝑉𝐶𝐸 < 0𝑉 Forward Forward
Cut-Off ~0𝑉 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐶𝐵 ~ 0.7 𝑉 0𝑉 Reverse Reverse
4.4.3. Kurva Karakteristik Transistor

Kurva Karateristik Transistor merupakan grafik yang menjukkan bagian-bagian
daerah operasi moda kerja transistor. Kurva ini digunakan sebagai acuan dalam
pengaplikasian transistor. Terdapat dua kurva karakteristik yang dapat menggambarkan
perilaku dari Transistor ketika diberi ataupun tegangan tertentu, yakni:
49
A. Kurva Karakteristik 𝑰𝑪 - 𝑽𝑩𝑬
Gambar 4.4. 4. Kurva Karakteristik Ic-VBE
Pada grafik dapat dilihat bahwa arus pada collector merupakan fungsi eksponensial dari
tegangan VBE. Perilaku ini mirip seperti dioda dengan Voltage knee ~ 0.7 V. Dari kurva
diatas, dapat diperoleh transkonduktansi dari Transistor, yakni gm = ΔIC/ΔVBE. Nilai gm
sendiri sangat menentukan besar amplifikasi bila transistor digunakan sebagai penguat
tegangan.
B. Kurva Karakteristik 𝑰𝑪 - 𝑽𝑪𝑬
Gambar 4.4. 5. Kurva Karakteristik Ic-VCE
Pada grafik dapat dilihat hubungan antara arus pada collector dengan tegangan VCE
pada berbagai arus base. Pada grafik terdapat tiga daerah, yakni saturasi, aktif dan cut-off.
Grafik diatas dapat dirangkum pada tabel 2.1. yang telah dipaparkan sebelumnya. Grafik
ini sangat penting untuk menentukan titik-Q untuk mendesain amplifier dari transistor.
50
4.4.4. Analisa Prategangan

Ada beberapa macam prategangan/bias yang biasanya digunakan dalam berbagai
macam transistor baik itu NPN maupun PNP. Berikut ini akan dijelaskan secara singkat
beberapa bias yang sering digunakan.
A. Fixed Bias
Pada konfigurasi ini, catuan transistor dihubungkan hanya ke satu sumber teganganyang
biasanya dinotasikan dengan Vcc. Di bawah ini akan dijelaskan secara umum mengenai
konfigurasi fixed bias.
Gambar 4.4. 6. Rangkaian Fixed Bias
B. Emitter Stabilized Bias

Pada dasarnya konfigurasi pra tegangan ini hampir mirip dengan fixed bias, namun di
sini ditambahi lagi resistor pada kaki emitor.
Gambar 4.4. 7. Rangkaian Emitter Stabilized Bias
51
C. Voltage Divider Bias

Pada konfigurasi ini, catuan tegangan untuk basis didapatkan melalui pembagian
tegangan antara dua buah resistor yang terhubung dengan kaki basis.
Gambar 4.4. 8. Rangkaian Voltage Divider Bias
4.4.5. Konfigurasi Penguat Transistor

Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat. Untuk bekerja sebagai
penguat, transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi aktif dihasilkan dengan
memberikan bias pada transistor. Bias dapat dilakukan dengan memberikan arus yang
konstan pada basis atau pada kolektor. Jika pada kondisi aktif transistor diberikan sinyal
(input) yang kecil, maka akan dihasilkan sinyal keluaran (output) yang lebih besar. Ada 3
macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu : Common‐Emitter (CE),
Common‐Base (CB), dan Common‐Collector (CC). Konfigurasi umum transistor bipolar
penguat ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
A. Penguat Common Emitter
Gambar 4.4. 9. Rangkaian Penguat Common Emitter
52
B. Penguat Common Base
Gambar 4.4. 10. Rangkaian Penguat Common Base
C. Penguat Common Collector
Gambar 4.4. 11. Rangkaian Penguat Common Collector
4.4.6. Aplikasi Transistor

Fungsi transistor sebagai penguat telah sedikit dibahas sebelumnya. Yang sekarang
akan dibahas adalah transistor sebagai saklar dan inverter dengan memanfaatkan daerah
saturasi dan cut-off dari transistor tersebut.
A. Transistor Sebagai Inverter

Pada rangkaian ini, transistor masih bekerja pada kondisi saturasi maupun cut-off.
Layaknya gerbang logika NOT(inverter), transistor dapat mengubah input High(bit 1)
menjadi Low(bit 0) ataupun sebaliknya. Ketika ada arus input pada kaki basis(dalam hal ini
53
isyarat 1) maka transistor akan ON dan arus mengalir dari kolektor ke emitor, sehingga
output F akan bernilai 0. Sebaliknya jika tidak ada arus input pada kaki Basis maka transistor
akan OFF. Tidak akan ada arus mengalir menuju emitor,sehingga arus akan dialirkan ke
output. Output bernilai 1.
Gambar 4.4. 12. Transistor Sebagai Inverter
Menentukan nilai 𝑅𝐵 dan 𝑅𝐶 :

1. Asumsi ℎ𝑓𝑒 = 100, 𝐼𝑐 𝑠𝑎𝑡 = 10 𝑚𝐴 dan 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 (sebaiknya melihat datasheet transistor yang
digunakan).
2. Maka akan didapatkan.
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝐶 = 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝑅𝐶 = 500 𝛺
𝐼 𝐶 𝑠𝑎𝑡
3. Untuk mencari nilai 𝑅𝐵 , maka akan ditentukan dulu nilai 𝐼𝑏 .
𝐼𝐶
𝐼𝑏 = 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝐼𝑏 = 0,1 𝑚𝐴
ℎ𝐹𝐸
4. Terakhir akan didapatkan.
𝑉𝑖𝑛 −
𝑅𝐵 = 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝑅𝐵 = 43 𝑘𝛺
𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵
B. Transistor Sebagai Saklar

Pada prinsipnya, switching menggunakan transistor sama halnya dengan switching
menggunakan saklar ataupun relay. Di sini fungsi transistor digunakan untuk
menyambung ataupun memutuskan arus pada suatu rangkaian listrik. Agar transistor
dapat berfungsi sebagai saklar, maka harus di set dulu komponen-komponen yang digunakan
serta tegangan pencatu yang digunakan agar transistor berada pada daerah saturasi (saklar
on) dan juga cut off (saklar off). Berikut ini sedikit ilustrasinya.
54
Gambar 4.4. 13. Transistor Sebagai Saklar
Dari gambar diatas dan dari keterangan sebelumnya, saat transistor berada pada kondisi
saturasi (saklar ON), maka kaki collector dan emitter akan terhubung sehingga 𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉,
namun sebaliknya jika berada pada kondisi cut-off (saklar OFF), maka akan didapat 𝑉𝐶𝐸 =
𝑉𝐶𝐶.
55

4.5.1. Transistor Sebagai Saklar
Gambar 4.5. 1. Rangkaian Transistor Sebagai Saklar
Langkah Kerja :
1. Susunlah komponen-komponen yang digunakan pada project board sesuai dengan
rangkaian skematik di atas.
2. Atur nilai VCC = 5 V.
3. Set potensiometer sampai transistor dalam kondisi cut-off. Ukur resistansinya.
4. Putar Potensiometer hingga led indicator menyala. Cabut potensioter dan ukur
resistansinya saat led menyala.
5. Kemudian ukur nilai tegangan di kolektor. Tulis Hasil Pengamatan pada jurnal.
4.5.2. Transistor Sebagai Inverter
Gambar 4.5. 2. Rangkaian Transistor Sebagai Inverter
56
Langkah Kerja :
2. Atur nilai VCC = 10 V.
3. Sambungkan sinyal generator pada Rb dengan amplitude 2 Vpp dan frekuensi 1 kHz.
4. Sambungkan probe Ch1 osiloskop pada sinyal masukan dan Ch2 pada sinyal keluaran di
kaki colletor BJT.
5. Amati bentuk sinyal dan Gambarkan.
6. Tuliskan hasil pengamatan pada jurnal.
7. Lakukan variasi bentuk sinyal (Segitiga, Kotak, Persegi)
8. Amati bentuk sinyal dan Gambarkan.
4.5.3. Penguat Common Emitter
Gambar 4.5. 3. Rangkaian Penguat Common Emitter
Langkah Kerja :
2. Berikan sinyal input dan ukur harganya (Vi). Dengan amplitude kurang dari 50mV (sinyal
kecil) dan frekuensi 1kHz.
3. Sambungkan Probe Ch1 Osiloskop pada input dan Ch2 pada output.
4. Amati sinyal output dan hitung berapa penguatannya.
5. Ukur tahanan masukan (Rin) dan tahanan luaran (Rout) menggunakan potensiometer.
6. Cara pengukuran Rin dan Rout sama seperti praktikum 3.
57
4.5.4. Kurva Karakteristik Transistor
Gambar 4.5. 4. Rangkaian Karakteristik Transistor
Langkah Kerja :
rangkaian skematik di atas (𝑅𝐵 = 100 𝑘𝛺, 𝑅𝐶 = 470 𝑘𝛺)
2. Karena hanya ada satu buah multimeter, maka untuk mengukur arus maupun tegangan
dilakukan secara bergantian
3. Perhatikan rangkaian sebelah kiri dan susun seperti pada gambar di atas dengan
menyambung secara seri multimeter yang digunakan dengan 𝑅𝐵 serta 𝑉𝐵𝐵, sedangkan
rangkaian di sebelah kanan dibiarkan saja terbuka dengan tidak membentuk suatu loop
tertutup
4. Set 𝑉𝐵𝐵 agar arus yang terukur di multimeter (𝐼𝐵 ) tersebut sama dengan 0,02 mA. Jika
sudah, pindahkan multimeter ke rangkaian sebelah kanan dan biarkan untuk sementara
waktu rangkaian di sebelah kiri dalam keadaan open circuit.
5. Sekarang perhatikan rangkaian sebelah kanan, pasang multimeter secara seri untuk
mengukur arus (𝐼𝐶 ) yang melewati rangkaian sebelah kanan.
6. Sambunglah rangkaian sebelah kiri yang terputus tersebut dengan jumper kabel dan
kemudian amati nilai 𝐼𝐶 yang terukur dengan mengubah nilai 𝑉𝐶𝐶 dari 0 V – 10 V.
7. Jika telah mendapatkan nilai 𝐼𝐶 , sekarang amati nilai 𝑉𝐶𝐸 dengan memasang secara
parallel multimeter tersebut dengan terlebih dahulu menyambungkan kembali rangkaian
sebelah kanan dengan jumper.
8. Ulangi lagi Langkah di atas untuk nilai 𝐼𝑏 yang berbeda (0,04 – 0,01 mA).
9. Catat hasilnya dalam jurnal
10. Gambarkan hasil yang didapat ke dalam grafik kurva transistor menggunakan kertas yang
tersedia.
1. Tentukan juga 𝐼𝐶 saturasi dan 𝑉𝐶𝐸 saturasi dari masing-masing kurva.
58
Modul 5 : MOSFET
1.1. Pendahuluan
Dalam bab ini akan dibahas transistor efek medan (Field Effect Transistor – FET). Ada
dua macam FET, yaitu FET sambungan (junction FET = JFET) dan Transistor Efek Medan
Logam-Oksida-Semikonduktor (metal-oxide-semiconductor field effect transistor-MOSFET).
Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun1925.
MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P, dan disebut
NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS).
1.2. Tujuan Praktikum

Setelah mengikuti praktikum ini mahasiswa diharapkan dapat.
1. Tujuan praktikum adalah sebagai berikut:
2. Mengetahui dan mempelajari karakteristik transistor MOSFET.
3. Memahami konfigurasi MOSFET sebagai penguat untuk konfigurasi Common
Source dan Common Drain.
4. Mengaplikasikan MOSFET sebagai saklar.

Alat dan komponen yang digunakan dalam praktikum adalah sebagai berikut:
1. 1 Set Osiloskop dan Probe
2. 1 Set Multimeter
3. 1 Set Function Generator
4. 1 Set DC Power Supply
5. Kabel Jumper
6. Tang Potong
7. Project Board
8. Komponen
 Transistor MOSFET Enhancement Mode (IRF530)
 Resistor (100KΩ dan 2K2Ω)
 Kapasitor 100μF
59
1.4. Dasar Teori

Field Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga terminal seperti BJT. Istilah field effect
(efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan
lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe-N dan tipe-
P, karena bergabungnya elektron dan hole disekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan
listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara Gate
dan Source. Namun, perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah BJT merupakan piranti
yang dikontrol oleh arus sedangan FET merupakan piranti yang cara kerjanya berdasarakan
pengendalian arus listrik oleh tegangan. Perbedaan lainnya terdapat pada prinsip kerja kedua
jenis transistor tersebut. FET disebut juga transistor unipolar, yaitu transistor yang prinsip
kerjanya berdasarkan salah satu pembawa muatan, elektron atau hole. Sedangkan pada BJT
(Bipolar Junction Transistor) prinsip kerjanya berdasarkan dua muatan yang berbeda, yaitu
pembawa muatan positif (hole) dan pembawa muatan negatif (elektron). Untuk dapat lebih
memahami, perhatikan gambar berikut.
Gambar 5.4. 1. Current Controller Gambar 5.4. 2. Voltage Controller
Pada gambar 5.4.1. Current Controller (BJT), nilai IC (arus Collector) bergantung pada
nilai dari IB (arus Basis), sedangkan pada gambar 5.4.2. Voltage Controller (FET), ID (arus
Drain) nilainya bergantung pada tegangan VGS. Pada gambar 5.4.2 juga terlihat bahwa kaki D
(Drain) pada FET dapat dianalogikan dengan kaki Collector pada BJT. Selain itu, kaki G (Gate)
pada FET dapat dianalogikan dengan kaki Base pada BJT dan kaki S (Source) dapat
dianalogikan dengan kaki Emiter. Transistor FET bekerja berdasarkan efek medan elektrik
yang dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung terminalnya. Pada transistor
ini, arus yang muncul pada kaki Drain dihasilkan oleh tegangan antara Gate dan Source. Jadi,
dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor yang berfungsi sebagai “konverter” tegangan ke
arus.
60
Karakteristik transistor efek medan dibandingkan transistor polar :

1. Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja.
2. Ukurannya kecil (yang terdapat di dalam IC).
3. Impedansi input tinggi (ratusan MW).
4. Stabil terhadap temperatur.
Ada dua jenis transistor FET, yaitu JFET (Junction FET) dan MOSFET (Metal-oxide
Semikonduktor FET). Kedua jenis transistor tersebut sebenarnya memiliki karakteristik umum
yang serupa, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya.
Transistor yang akan digunakan pada praktikum kali ini adalah transistor MOSFET.
5.4.1. JFET
Junction FET terdiri atas dua jenis, yaitu JFET kanal-N dan JFET kanal-P. Kanal-N
dibuat dari bahan semikonduktor tipe-N dan kanal-P dibuat dari semikonduktor tipe-P. Pada
bagian ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri
dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal kedua sisi implant ini
terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate. Gambar di bawah ini
menggambarkan struktur JFET kanal-N dan JFET kanal-P.
Gambar 5.4. 3. Struktur JFET (a) Kanal-N (b) Kanal-P
Seperti yang telah dijelaskan sebelumnya, istilah field effect transistor berasal dari
prinsip kerja transistor yang berkaitan dengan lapisan deplesi. Pada gambar di atas, lapisan
deplesi ditunjukan dengan warna kuning di sisi kiri dan kanan. Pada skema rangkaian
elektronika, JFET disimbolkan seperti pada gambar dibawah ini:
61
Gambar 5.4. 4. Simbol Komponen JFET-N Gambar 5.4. 5. Simbol Komponen JFET-P
5.4.2. JFET Kanal-N

Salah satu JFET adalah JFET kanal-N. Prinsip kerja JFET dapat ditinjau dari transistor
JFET kanal-N. Drain dan Source transistor ini dibuat dengan semikonduktor tipe-N dan Gate
dengan tipe-P. Gambar dibawah ini menunjukan bagaimana transistor ini diberi tegangan bias.
Tegangan bias antara Gate dan Source adalah tegangan reverse bias atau bias negatif.
Tegangan bias negatif berarti tegangan Gate lebih negatif terhadap Source. Pada transistor ini,
kedua Gate terhubung satu dengan lainnya.
Gambar 5.4. 6. Lapisan Deplesi jika Gate-Source diberi Bias Negatif
Elektron yang mengalir dari Source menuju Drain harus melewati lapisan deplesi.
Disini lapisan deplesi berfungsi seperti keran air. Banyaknya elektron yang mengalir dari
Source menuju Drain tergantung dari ketebalan lapisan deplesi. Lapisan deplesi bisa
menyempit, melebar atau terbuka tergantung dari tegangan Gate terhadap Source.
Jika Gate semakin negatif terhadap Source, maka lapisan deplesi akan semakin
menebal. Lapisan deplesi bisa saja menutup seluruh kanal transistor bahkan dapat menyentuh
Drain dan Source. Pada kondisi ini, arus Drain yang muncul akan sangat kecil,atau bahkan
tidak ada arus yang muncul sama sekali. Jadi jika tegangan Gate semakin negatif terhadap
Source maka semakin kecil arus yang bisa melewati kanal Drain dan Source.
62
Jika Gate lebih positif dari Source, maka daerah deplesi akan semakin menyempit,
sehingga arus Drain akan selalu muncul tanpa dapat dikontrol oleh tegangan GS.
Gambar 5.4. 7. Lapisan Deplesi pada saat Tegangan Gate-Source Sebesar 0 V
Jika pada sisi G-S tidak diberi bias (VGS = 0), ternyata lapisan deplesi mengecil
hingga muncul celah sempit. Arus elektron akan mengalir melalui celah sempit ini dan
terjadilah konduksi Drain dan Source. Arus yang terjadi pada keadaan ini merupakan arus
maksimun yang dapat mengalir berapapun tegangan Drain terhadap Source. Hal ini karena
celah lapisan deplesi sudah maksimum tidak bisa lebih lebar lagi. Tegangan Gate tidak bisa
dinaikkan menjadi positif, karena apabila nilainya positif maka Gate-Source tidak lain hanya
sebagai dioda. Karena tegangan bias yang negatif, maka arus Gate yang disebut IG akan
sangat kecil sekali. Dengan nilai arus yang sangat kecil, resistansi input (input impedance)
Gate akan sangat besar. Impedansi input transisitor FET umumnya bisa mencapai satuan
MOhm. Dari prinsip kerja FET, dapat disimpulkan seperti pada gambar kurva karakteristik
dibawah ini :
Gambar 5.4. 8. Kurva Karakteristik JFET N-Channel
63
Dari gambar diatas, terlihat bahwa nilai ID = 0 mA saat nilai VGS = VP, dengan nilai
VP pada JFET kanal-N adalah negatif dan nilai VP pada JFET kanal-P adalah positif.
5.4.3. JFET Kanal-P

Transistor JFET kanal-P memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-N, hanya
saja sisi Drain dan Source dibuat dengan semikonduktor tipe-P, dan Gate dari semikonduktor
tipe- N. Dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan
dengan transistor JFET kanal-N.
A. MOSFET
Sebenarnya MOSFET (Metal-oxide semiconduktor FET) memiliki kemiripan dengan
JFET, yaitu memiliki kaki Drain, Source, dan Gate. Namun perbedaannya Gate terisolasi oleh
bahan oksida. Gate tersebut terbuat dari bahan metal seperti Aluminium. Oleh karena itulah
transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena Gate yang terisolasi, transistor ini disebut juga
IGFET yaitu Insulated-Gate FET.
MOSFET secara umum terdiri dari dua jenis yaitu depletion-mode dan enhancement-
mode. Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk
IC (Integrated Circuit), µC (Mikro Controller) dan µP (Mikro Processor) yang merupakan
komponen utama dari komputer modern saat ini. Kedua jenis MOSFET tersebut juga
memiliki dua jenis, yaitu jenis MOSFET tipe-N dan jenis MOSFET tipe P. Transistor
MOSFET dalam berbagai referensi disingkat dengan nama MOS. Dua jenis tipe-N atau P
dibedakan dengan nama NMOS dan PMOS. Simbol untuk menggambarkan MOS tipe
depletion-mode dibedakan dengan tipe enchancement-mode. Perbedaan simbol tersebut dapat
terlihat pada gambar dibawah ini.
Gambar 5.4. 9. Simbol Transistor tipe Depletion Mode Gambar 5.4. 10. Simbol Transistor tipe Depletion
NMOS Mode PMOS
Gambar 5.4. 11. Simbol Transistor Enhancement Mode Gambar 5.4. 12. Simbol Transistor tipe Enhancement
NMOS Mode PMOS
64
B. MOSFET Depletion Mode

Pada gambar dibawah ini, terlihat struktur dari transistor depletion-mode. Pada sebuah
kanal semikonduktor tipe-N terdapat semikonduktor tipe-P dengan menyisakan sedikit celah.
Hal tersebut bertujuan agar elektron mengalir dari Source menuju Drain melalui celah sempit
tersebut. Gate terbuat dari metal (seperti Aluminium) dan terisolasi oleh bahan oksida tipis
SiO2 (kaca).
Gambar 5.4. 13. Struktur MOSFET Depletion Mode
Semikonduktor tipe-P pada transistor ini disebut substrat-P dan biasanya dihubung
singkatkan dengan Source. Seperti pada transistor JFET, lapisan deplesi akan muncul saat
VGS = 0 V. Dengan menghubung singkat substrat-P dengan Source diharapkan ketebalan
lapisan deplesi yang terbentuk antara substrat dengan kanal adalah maksimum. Sehingga
ketebalan lapisan deplesi selanjutnya hanya akan ditentukan oleh tegangan Gate terhadap
Source. Pada gambar, lapisan deplesi yang dimaksud ditunjukkan pada daerah yang
berwarna kuning.
Saat tegangan Gate terhadap Source semakin negatif, arus Drain yang bias mengalir akan
semakin kecil, bahkan bias jadi tidak ada arus yang mengalir sama sekali. Hal ini disebabkan
karena lapisan deplesi telah menutup kanal. Saat tegangan Gate dinaikkan sama dengan
tegangan Source, arus akan mengalir karena lapisan deplesi mulai membuka.
Karena Gate yang terisolasi, tegangan kerja VGS boleh positif. Jika VGS semakin positif
arus elektron yang mengalir dapat semakin besar. Hal inilah yang merupakan perbedaan
antara JFET dengan MOSFET depletion-mode, transistor MOSFET depletion- mode bisa
bekerja sampai tegangan Gate positif.
65
C. Kurva Drain MOSFET Depletion Mode

Analisa kurva Drain dilakukan dengan mencoba beberapa tegangan Gate VGS konstan,
lalu dibuat grafik hubungan antara arus Drain ID terhadap tegangan VDS.
Gambar 5.4. 14. Kurva Drain Transistor MOSFET Depletion Mode
Dari kurva ini terlihat jelas bahwa transistor MOSFET depletion-mode dapat bekerja
(ON) mulai dari tegangan VGS negatif sampai positif. Terdapat dua daerah kerja,
yang pertama adalah daerah aktif/ohmic. Jika tegangan VGS tetap dan VDS terus dinaikkan,
transistor selanjutnya akan berada pada daerah saturasi. Jika keadaan ini tercapai, arus IDS
adalah konstan. Tentu saja ada tegangan VGS(maks), yang diperbolehkan. Karena jika lebih
dari tegangan ini akan dapat merusak isolasi Gate yang tipis atau akan merusak transistor itu
sendiri.
D. MOSFET Enhancement Mode

Jenis transistor MOSFET yang kedua adalah MOSFET enhancement-mode. Transistor
ini dapat dikatakan merupakan evolusi dari MOSFET depletion-mode. Hal ini dikarenakan
pada struktur MOSFET Enhancement Mode, Gate terbuat dari metal Aluminium dan
terisolasi oleh lapisan SiO2 sama seperti transistor MOSFET depletion-mode. Perbedaan
struktur yang mendasar antara MOSFET Enhancement Mode dengan MOSFET biasanya
adalah substrat pada transisitor MOSFET Enhancement Mode dibuat sampai menyentuh
Gate. Perhatikan gambar di bawah ini untuk mengamati struktur pada MOSFET
Enhancement Mode.
66
Gambar 5.4. 15. Struktur MOSFET Enhancement Mode
Gambar di atas menunjukkan struktur transistor MOSFET enhancement-mode kanal-N.

Jika tegangan Gate VGS dibuat negatif, arus elektron tidak dapat mengalir. Juga ketika VGS
=0 ternyata arus belum juga bisa mengalir, karena tidak ada lapisan deplesi maupun celah
yang bisa dialiri elektron. Satu-satunya jalan adalah dengan memberi tegangan VGS positif.
Karena substrat terhubung dengan Source, maka jika tegangan Gate positif berarti tegangan
Gate terhadap substrat juga positif.
Tegangan positif ini akan menyebabkan elektron tertarik kearah substrat-P. Elektron-
elektron akan bergabung dengan hole yang ada pada substrat-P. Karena potensial Gate lebih
positif, maka elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi substrat yang berbatasan
dengan Gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju Gate karena
terisolasi oleh bahan insulator SiO2 (kaca).
Jika tegangan Gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan
terbentuknya semacam lapisan-N yang negatif dan seketika itulah arus Drain dan Source
dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer. Kira-kira
terjemahannya adalah lapisan dengan tipe yang berkebalikan. Disini karena substratnya tipe-
P, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe-N.
Tentu ada tegangan minimum dimana lapisan inversion N mulai terbentuk. Tegangan
minimum ini disebut tegangan threshold VGS(th). Hal inilah yang merupakan perbedaan
utama prinsip kerja transistor MOSFET enhancement-mode dibandingkan dengan JFET. Jika
pada tegangan VGS = 0, transistor JFET sudah bekerja atau ON, maka transistor MOSFET
enhancement-mode masih OFF. Dikatakan bahwa JFET adalah komponen normally ON dan
MOSFET adalah komponen normally OFF.
67
E. Kurva Drain MOSFET Enhancement Mode

Jika tegangan 𝑉𝐺𝑆 semua bernilai positif. Garis kurva paling bawah adalah garis kurva dimana
transistor mulai ON. Tegangan 𝑉𝐺𝑆 pada kurva ini disebut tegangan threshold 𝑉𝐺𝑆 (𝑡ℎ) .
Gambar 5.4. 16. Kurva Drain E-MOSFET
Karena transistor MOSFET umumnya digunakan sebagai saklar (switch), parameter yang
penting pada transistor E-MOSFET adalah resistansi Drain-Source. Biasanya yang
tercantum pada datasheet adalah resistansi pada saat transistor ON. Resistansi ini dinamakan
𝑅𝐷𝑆 (𝑜𝑛) . Untuk aplikasi power switching, semakin kecil resistansi 𝑅𝐷𝑆 (𝑜𝑛) maka semakin baik
transistor tersebut. Karena akan memperkecil rugi-rugi disipasi daya dalam bentuk panas.
Juga penting diketahui parameter arus Drain maksimum 𝐼𝐷 (𝑚𝑎𝑘𝑠) dan disipasi daya
maksimum 𝑃𝐷 (𝑚𝑎𝑘𝑠) . MOSFET dapat berfungsi sebagai saklar, dengan ketentuan saklar
akan ON ketika 𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡ℎ dan 𝑉𝐷𝐷 ≥ 𝑉𝑡ℎ. 𝑉𝑡ℎ merupakan tegangan batas (threshold) dimana
MOSFET mulai bekerja.
5.4.4. Analisa Prategangan MOSFET Enhancement

Saat melakukan prategangan DC, semua sumber tegangan AC short circuit, sumber
arus AC open circuit, dan kapasitor open circuit. Setelah itu dapat kita buat rangkaian
pengganti MOSFET tersebut. Rumus dasar transistor MOSFET antara lain sebagai berikut.
𝐼𝐺 = 0𝐴, 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆
𝐼𝐷 = 𝑘(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇)2
𝐼𝐷 (𝑜𝑛)
𝑘= 2
(𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑛) − 𝑉𝑇 )
Gambar 5.4. 17. Simbol MOSFET
68
Macam-Macam Rangkaian MOSFET

1. Feedback Bias
Gambar 5.4. 18. Rangkaian Fixed Bias
𝐼𝐺 = 0
𝑉𝑅𝐺 = 𝐼𝐺𝑥𝑅𝐺
−𝑉𝐷𝐷 + 𝐼𝐷 . 𝑅𝐷 = 0
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 . 𝑅𝐷
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆
2. Voltage Divider Bias
Gambar 5.4. 19. Rangkaian Voltage Divider Bias
69
5.4.5. Penguat FET

Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat, maka transistor harus
berada dalam daerah saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan memberikan arus 𝐼𝐷 dan
tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa digunakan dalam mendesain penguat adalah dengan
menggambarkan garis beban pada kurva 𝐼𝐷 vs 𝑉𝐷𝑆. Setelah itu ditentukan Q point‐nya yang
akan menentukan 𝐼𝐷 dan 𝑉𝐺𝑆 yang harus dihasilkan pada rangkaian.
Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat digunakan sebagai penguat, dalam
hal ini, sinyal yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40‐50 mVp‐p dengan frekuensi 1‐10
kHz). Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor MOSFET, yaitu
1. Common Source
2. Common Gate
3. Common Drain
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda‐beda dari faktor penguatan, resistansi
input, dan resistansi output. Tabel berikut ini merangkum karakteristik dari ketiga konfigurasi
tersebut.
Tabel 5.4. 1. Konfigurasi Penguat Transistor MOSFET
70

5.5.1. MOSFET Sebagai Saklar
1. Buatlah rangkaian seperti gambar di bawah ini.
2. Atur nilai catuan untuk 𝑉𝐺𝑆 sebesar 5 Volt.
Gambar 5.5. 1. Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar
3. Atur nilai 𝑉𝐷𝐷 sebesar 10 Volt.

4. Rangkailah 𝑉𝐷𝐷 dengan kaki Source dan 𝑅𝐷.
5. Sambungkan catuan 𝑉𝐺𝑆 dengan 𝑅𝐺, apakah yang terjadi dengan LED tersebut.
6. Putuskan catuan 𝑉𝐺𝑆 dengan 𝑅𝐺, apakah yang terjadi dengan LED tersebut.
5.5.2. Penguat Common Source

A. Faktor Penguat
Gambar 5.5. 2. Faktor Penguat MOSFET
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar diatas.

2. Aturlah VDD sebesar 15 Volt.
3. Atur function generator dengan keluaran berupa sinyal sinusoidal dengan
amplitudo sebesar 200mVpp dan frekuensi 50 KHz.
71
4. Gunakan osiloskop untuk melihat sinyal pada Gate dan Drain transistor.
5. Tentukan penguatannya (AV = Vo /Vi).
6. Naikkan amplitudo generator sinyal dan perhatikan sinyal output ketika sinyal
mulai terdistorsi. Catatlah tegangan input ini.
7. Bandingkan nilai penguatan yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai
dari hasil perhitungan dengan menggunakan tabel karakteristik penguat
MOSFET.
B. Resistansi Input
1. Hubungkan rangkaian diatas dengan sebuah resistor variabel pada inputannya
seperti pada gambar di bawah ini.
Gambar 5.5. 3. Resistansi Input MOSFET
2. Hubungkan osiloskop pada Gate transistor.

3. Aturlah resistor variabel tersebut sampai amplitudo sinyal input menjadi ½ dari
sinyal input tanpa resistor variabel.
4. Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut terjadi. Jadi, Rout = Rvar.
5. Bandingkan nilai resistansi input yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai
dari hasil perhitungan dengan menggunakan table karakteristik penguat FET.
C. Resistansi Output
1. Hubungkan rangkaian diatas dengan sebuah resistor variabel pada outputnya
seperti pada gambar di bawah ini.
72
Gambar 5.5. 4. Resistansi Output MOSFET
2. Hubungkan osiloskop pada kapasitor Drain transistor.

3. Aturlah resistor variabel tersebut sampai amplitudo sinyal output menjadi ½ dari
sinyal output tanpa resistor variabel.
4. Catatlah nilai Rvar yang menyebabkan hal tersebut terjadi. Jadi, Rout = Rvar.
5. Bandingkan nilai resistansi output yang diperoleh dari percobaan ini dengan nilai
dari hasil perhitungan dengan menggunakan table karakteristik penguat FET.
5.5.3. Prategangan pada MOSFET
Gambar 5.5. 5. Prategangan pada MOSFET
Langkah kerja :
1. Buatlah rangkaian seperti diatas ini pada project board dengan RG = 100KΩ dan
RD = 2K2Ω.
2. Berikan catuan VGS pada rangkaian tersebut sebesar 0 Volt.
3. Berikan catuan VDD pada rangkaian tersebut mulai dari 0 Volt hingga 10 Volt
dan kemudian catat nilai VGS dan ID-nya.
73
4. Ulangi lagi poin C untuk VGS sebesar 1 Volt, 2 Volt, 2,5 Volt, 3 Volt, 3,5 Volt,
4 Volt, 4,5 Volt, dan 5 Volt.
5. Catat hasilnya pada tabel.
6. Buatlah kurva hubungan antara VDS dan ID.
74
Modul 6 : Operational Amplifier (OP-AMP)
6.1. Pendahuluan
Operational Amplifier atau lebih dikenal dengan istilah Op-Amp adalah salah satu dari
bentuk IC Linear yang berfungsi sebagai Penguat Sinyal listrik. Penguat Operasional atau Op-
Amp (dari kata operational amplifier) adalah penguat diferensial dengan dua masukan dan
satu keluaran yang mempunyai penguatan tegangan yang amat tinggi, yaitu sampai orde.
Dengan penguat yang sangat tinggi ini, penguat operasional dengan rangkaian balikan lebih
banyak digunakan daripada dalam lingkar terbuka.
6.2. Tujuan
Setelah mengikuti praktikum ini mahasiswa diharapkan dapat.
1. Memahami karakteristik dasar penguat Op-Amp.
2. Memahami mode operasi dasar Op-amp.
3. Mengetahui berbagai macam aplikasi Op-Amp.

1. Osiloskop
2. Function generator
3. Sumber teganan DC (2 buah)
4. Multimeter
5. Kaber jumper
6. Komponen :
 IC Op-amp (OP07)
 Resistor
 Kapasitor
6.4. Dasar Teori

Op-Amp pada hakekatnya merupakan sejenis IC. Op-Amp terdiri dari
beberapa Transistor, Dioda, Resistor dan Kapasitor yang terinterkoneksi dan terintegrasi
sehingga memungkinkannya untuk menghasilkan Gain (penguatan) yang tinggi pada rentang
frekuensi yang luas. Penguat operasional (Op-Amp) adalah suatu rangkaian terintegrasi yang
berisi beberapa tingkat dan konfigurasi penguat diferensial. Op-Amp pada dasarnya adalah
75
penguat bertingkat 4 kaki, tetap kaki (-) nya selalu terhubung ke ground, sehingga lebih sering
dilihat hanya mempunyai 3 kaki.
Penguat operasional memiliki dua masukan dan satu keluaran serta memiliki penguat DC
yang tinggi. Salah satu masukkan disebut pembalik (inverting) diberi tanda (-), dan satu lagi
adalah masukkan bukan pembalik (non-inverting) diberi tanda (+). Untuk dapat bekerja dengan
baik, penguat operasional memerlukan tegangan catu yang simetris yaitu tegangan yang
berharga positif (+V) dan tegangan yang berharga negatif (-V) terhadap tanah (ground).
6.4.1. Rangkaian ekivalensi Op-Amp ideal :
𝑉𝑜 = 𝐴 (𝑉2 − 𝑉1)
𝑉𝑜
𝐴=
(𝑉2 − 𝑉1)
76
6.4.2. Konfigurasi pin Op-Amp 741 :
Pada IC ini terdapat dua pin input, dua pin power supply, satu pin output, satu pin NC (No
Connection), dan dua pin offset null. Pin offset null memungkinkan kita untuk melakukan
sedikit pengaturan terhadap arus internal di dalam IC untuk memaksa tegangan output menjadi
nol ketika kedua input bernilai nol.
Keterangan :
 Pin 1 & 5 : Untuk penyetelan 0
 Pin 2 : Untuk inverting input
 Pin 3 : Untuk non-inverting input
 Pin 4 : Ground atau tegangan negative
 Pin 6 : terminal keluaran (output)
 Pin 7 : untuk tegangan positif
77
6.4.3. Karakteristik Penguat Operasional Amplifier

A. Penguatan tegangan loop terbuka (open-loop voltage gain) sangat tinggi; 𝑨 ≅ ∞
Penguatan tengangan loop terbuka adalah penguatan diferensial Op-Amp pada kondisi
tidak terdapat umpan balik (feedback) yang diterapkan
𝑉𝑜
𝐴= =∞
𝑉𝑖𝑑
𝑉𝑜
𝐴= =∞
𝑉2 − 𝑉1
Keluaran tanda negatif menandakan bahwa tegangan keluaran Vout berbeda fasanya
dengan tegangan masukan Vid. Dalam penerapannya, tegangan keluaran Vout tidak lebih
dari tegangan catu yang diberikan Op-Amp. Karena itu Op-Amp baik digunakan untuk
penguat sinyal yang amplitudonya sangat kecil.
Op-amp idealnya memiliki penguatan open-loop (AOL) yang tak terhingga. Namun
pada prakteknya op-amp semisal LM741nmemiliki penguatan yang terhingga kira-kira
100.000 kali. Sebenarnya dengan penguatan yang sebesar ini, sistem penguatan op-amp
menjadi tidak stabil. Input diferensial yang amat kecil saja sudah dapat membuat
outputnya menjadi saturasi.
B. Tegangan offset keluaran (output offset voltage) sangat rendah; 𝑽∞ = 𝟎

Tegangan offset keluaran adalah harga tegangan keluaran Op-Amp terhadap ground
pada kondisi 𝑉𝑖𝑑 = 0. Op-Amp yang dapat memenuhi harga 𝑉∞ = 0 𝑣𝑜𝑙𝑡 disebut Op-Amp dengan
CMR (Common Mode Rejection) ideal. Dalam kondisi praktis, akibat adanya
ketidakseimbangan dan ketidakidentikkan dalam penguat diferensial, maka 𝑉∞ biasanya
berharga sedikit di atas 0 volt. Apalagi bila tidak digunakan umpan baik, maka harga 𝑉∞
akan menjadi cukup besar untuk menimbulkan saturasi pada keluaran. Untuk mengatasi
hal ini, maka perlu diterapkan tegangan koreksi pada Op-Amp agar saat 𝑉𝑖𝑑 = 0, 𝑉𝑜juga
= 0.
C. Hambatan masukan (input resistance) sangat besar; 𝑹𝒊𝒏 = ∞

Hambatan masukkan (𝑅𝑖𝑛 ) dari Op-Amp adalah besar hambatan di antara kedua
masukkan Op-Amp. Dalam kondisi praktis, harga hambatan masukkan Op-Amp adalah 5
k –20k ohm, tergantung tipenya. Harga ini biasanya diukur pada kondisi tanpa umpan
balik. Apabila umpan balik negatif diterapkan pada Op-Amp, maka Ri akan meningkat.
78
Semakin besar, semakin baik penguat tersebut dalam menguatkan sinyal yang
amplitudonya sangat kecil. Dengan yang besar, maka sumber sinyal masukkan tidak
terbebani terlalu besar.
Gambar 6.4. 4. Hambatan Input
D. Hambatan keluaran (output resistance) sangat kecil; 𝑹𝒐 ≈ 𝟎

Hambatan keluaran dari Op-Amp adalah besarnya hambatan dalam yang timbul pada
saat Op-Amp bekerja sebagai pembangkit sinyal. Apabila hal ini tercapai, maka seluruh
tegangan keluaran akan timbul pada beban keluaran (𝑅𝐿). Dalam kondisi praktis, harga 𝑅𝑜
adalah antara beberapa ohm hingga ratusan ohm pada kondisi tanpa umpan balik. Dengan
diterapkannya umpan balik, maka harga 𝑅𝑜 akan menurun hingga mendekati kondisi ideal.
Gambar 6.4. 5. Hambatan Output
E. Lebar pita (bandwidth) sangat besar; 𝑩𝑾 = ∞

Lebar pita dari Op-Amp adalah frekuensi tertentu dimana tegagan keluaran tidak jatuh
lebih dari 0,707 dari harga tegangan maksimum pada saat amplitudo tegangan masukkan
konstan.
79
F. Waktu tanggap (respon time) sangat singkat; 𝒕𝒓𝒆𝒔𝒑𝒐𝒏 = 𝟎

Waktu tanggapan dari Op-Amp adalah waktu yang diperlukan oleh keluaran untuk
berubah setelah masukkan berubah. Keluaran harus berubah langsung pada saat masukkan
berubah. Dalam prakteknya, waktu tanggapan memang cepat tetapi tidak langsung
berubah sesuai masukkan, umumnya adalah beberapa mikro detik, disebut juga slew rate.
Tetapi pada penerapan biasa, hal ini dapat diabaikan.
G. Karakteristik tidak berubah terhadap suhu; ∆𝑻 = 𝟎

Suatu bahan semikonduktor akan berubah karakteristiknya bila terjadi perubahan suhu
yang cukup besar. Dalam prakteknya, karakterinstik sebuah Op-Amp pada umumnya
sedikit berubah, walaupun pada penerapan biasa, perubahan tersebut dapat diabaikan.
Kondisi ideal tersebut hanya merupakan kondisi teoritis tidak mungkin dapat dicapai
dalam kondisi praktis. Sebuah Op-Amp yang baik harus memiliki karakteristik yang
mendekati kondisi ideal.
6.4.4. Moda Operasi Op-Amp

A. Inverting Amplifier
Penguat pembalik merupakan rangkaian penguat operasional yang paling besar,

menggunakan umpan balik negatif untuk mendapatkan tegangan loop tertutup. Input
berupa ground virtual sebab merupakan hubungan singkat bagi tegangan tetapi hubungan
terbuka bagi arus.
80
B. Non-Inverting Amplifier
Jika sinyal diinputkan terminal non-inverting input dan ground, sementara terminal
inverting input di ground kan, maka sinyal output sefasa dengan sinyal input.
81
6.4.5. Aplikasi Op-Amp

A. Adder
Adder sering digunakan untuk menjumlah atau mencampur beberapa isyarat suara
tanpa saling mengganggu. Alat semacam ini dikenal sebagai pencampur audio yang
82
digunakan untuk mencampur isyarat musik dari berbagai instrument dan suara penyanyi
melalui mikrofon.
Penguat jumlah juga digunakan untuk menjumlah beberapa isyarat secara

matematik dan digunakan pada komputer analog.
83
B. Diferensiator
Kalau komponen C pada rangkaian penguat inverting ditempatkan didepan, maka akan
diperoleh rangkaian diferensiator seperti pada gambar. Dengan analisa yang sama seperti
rangkaian integrator, akan diperoleh persamaan penguatnya:
𝑑𝑣𝑖𝑛
𝑉𝑜𝑢𝑡 = −𝑅𝐶
𝑑𝑡
Rumus ini secara matematis menunjukan bahwa tegangan keluaran Vout pada
rangkaian ini adalah differensi dari tegangan input Vin. Contoh praktis dari hubungan
matematis ini adalah jika tegangan input berupa sinyal segitiga, maka outputnya akan
menghasilkan sinyal kotak.
84
Gambar 6.4. 9. Rangkaian Diferensiator
Bentuk rangkaian diferensiator adalah mirip dengan rangkaian inverting. Sehingga

jika berangkat dari rumus penguat inverting :
𝑅2
G=−
𝑅1
Dari rangkaian tersebut dapat diketahui :
𝑅2 = 𝑅
1
𝑅1 = 𝑍𝑐 =
𝜔𝐶
Maka jika besaran ini disubstitusikan, akan diperoleh rumus penguat differensiator.
𝐺(𝜔) = −𝜔𝑅𝐶
Dari hubungan ini terlihat sistem akan meloloskan frekuensi tinggi (high pass filter),
dimana besar penguatan berbanding lurus dengan frekuensi. Namun demikian, sistem
seerti ini akan menguatkan noise yang umumnya berfrekuensi tinggi. Untuk praktisnya,
rangkaian ini dibuat dengan penguat DC sebesar 1 (unity gain). Biasanya kapasitor diseri
dengan sebuah resistor yang nilainya sama dengan R. Dengan cara ini akan diperoleh
penguat 1 (unity gain) pada nilai frekuensi cut-off tertentu.
Gambar 6.4. 10. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Diferensiator
85
C. Integrator
Op-amp bisa juga digunakan untuk membuat rangkaian untuk membuat rangkaian-
rangkaian dengan respons frekuansi, misalnya rangkaian penapis (filter). Salah satu
contohnya adalah rangkaian integrator seperti yang ditunjukan pada gambar. Rangkaian
dasar sebuah inegrator adalah rangkaian Op-Amp inverting, hanya saja rangkaian
feedback-nya bukan resistor melainkan menggunakan kapasitor C.
Gambar 6.4. 11. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Integrator
Prinsip nya sama dengan menganalisa rangkaian Op-Amp inverting. Dengan

menggunakan aturan Op-Amp (golden rule) maka pada titik inverting akan didapatkan
hubungan matematis:
𝑉𝑖𝑛 − 𝑉− 𝑉𝑖𝑛
𝑖 = =− , 𝑑𝑖𝑚𝑎𝑛𝑎 𝑣 = 0 (𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑛 1)
𝑖𝑛 −
𝑅 𝑅
𝐶 𝑑(𝑉𝑜𝑢𝑡 − 𝑉−) 𝐶 𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑖𝑜𝑢𝑡 = =− ; 𝑣− = 0
𝑑𝑡 𝑑𝑡
𝑖𝑖𝑛 = 𝑖𝑜𝑢𝑡 ; (𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑛 2)
𝑀𝑎𝑘𝑎 𝑗𝑖𝑘𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑢𝑏𝑠𝑡𝑖𝑡𝑢𝑠𝑖𝑘𝑎𝑛, 𝑎𝑘𝑎𝑛 𝑑𝑖𝑝𝑒𝑟𝑜𝑙𝑒ℎ𝑝𝑒𝑟𝑠𝑎𝑚𝑎𝑎𝑛:
𝑉𝑖𝑛 𝐶 𝑑𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑖𝑖𝑛 = 𝑖𝑜𝑢𝑡 = =− ; 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝑑𝑒𝑛𝑔𝑎𝑛 𝑘𝑎𝑡𝑎 𝑙𝑎𝑖𝑛 ∶
𝑅 𝑑𝑡
1 𝑡1
𝑉𝑜𝑢𝑡 = − = ∫ 𝑉𝑖𝑛 𝑑𝑡
𝑅𝐶 𝑡0
Dari sinilah nama rangkaian ini diambil, karena secara matematis tegangan ini
merupakan fungsi integral dari teganga input. Aplikasi yang paling populer menggunakan
rangkaian integrator adalah rangkaian pembangkit sinyal segitiga dari inputnya yang
berupa sinyal kotak.
86
Gambar 6.4. 12. Konfigurasi Op-Amp Sebagai Integrator
Penguatan integrator dapat ditulis dengan:

1
G(f) = − 𝜋𝑓𝑅C
2
Karena respons frekuensinya yang demikian, rangkaian integrator ini merupakan dasar
dari low pas filter dari rumus tersebut secara matematis, penguatan akan semakin kecil
(meredam) jika frekuensi sinyal input makin besar.
87

6.5.1. Inverting Closed Loop Gain
1. Buatlah rangkaian pengukuran seperti berikut ini.
Gambar 6.5. 1. Rangkaian Percobaan Inverting Closed Loop Gain
2. Berikan tegangan input (Vin) dan lakukan perubahan nilai R1 dan amatilah
amplitudo sinyal output (input yang digunakan AC).
3. Ukur tegangan (Vout) dan catat hasilnya pada tabel tersebut.
4. Amati sinyal outputnya, kemudian bandingkan dengan sinyal input.
6.5.2. Non-Inverting Closed Loop Gain

1. Buatlah rangkaian pengukuran seperti berikut ini.
Gambar 6.5. 2. Rangkaian Percobaan Non-Inverting Closed Loop Gain
2. Berikan tegangan input (Vin) dan lakukan perubahan nilai R1 dan amatilah
amplitudo sinyal output.
3. Ukur tegangan (Vout) dan catat hasilnya pada tabel tersebut.
4. Amati sinyal outputnya, kemudian bandingkan dengan sinyal input
88
6.5.3. Diferensiator
1. Buatlah rangkaian pengukuran seperti gambar di bawah ini.
Gambar 6.5. 3. Rangkaian Percobaan Diferensiator
2. Berikan tegangan input (Vin) dengan frekuensi (fin) sesuai kombinasi pada table.
3. Amati perubahan amplitudo, bentuk dan pergeseran fasa sinyal output jika sinyal
input sinusoidal dan sinyal input persegi.
4. Gambar bentuk sinyal pada jurnal.
6.5.4. Integrator
1. Buatlah rangkaian pengukuran seperti gambar di bawah ini.
Gambar 6.5. 4. Rangkaian Percobaan Integrator
2. Berikan tegangan input (Vin) dengan frekuensi (fin) sesuai kombinasi pada table
3. Amati perubahan amplotudo, bentuk dan pergeseran fasa sinyal output jika sinyal
input sinusoidal dan sinyal input persegi,
4. Gambar bentuk sinyal pada jurnal
89
6.5.5. Karakteristik Op-Amp Ideal

A. Penguatan Loop Terbuka Sangat Tinggi
1. Buatlah rangkaian seperti gambar berikut.
Gambar 6.5. 5. Rangkaian Penguatan Loop Terbuka Sangat Tinggi
2. Berikan tegangan onput (Vin) seperti pada tabel. (Input yang digunakan DC)
3. Ukur tegangan keluaran (Vout) dan catat hasilnya pada tabel tersebut grafik yang
telah disediakan.
90

Modul Praktikum RLE TF

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Modul Praktikum RLE TF

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

2021

Modul Praktikum Sistem Instrumentasi

PRAKTIKUM RANGKAIAN LISTRIK

 Rts Indri Andini

 Suci Awali Muminati

Yang bertanda tangan di bawah ini :

Nama : Linahtadiya Andiani, S.Si., M.Si.

Jabatan : Dosen Kepala Instrumentation System Laboratory (Tingkat 2)

No Keterangan Revisi Tanggal Revisi Terakhir

Yang bertanda tangan dibawah ini :

Nama : Linahtadiya Andiani, S.Si., M.Si

Jabatan : Dosen Pembina Laboratorium Sistem Instrumentasi

Bandung, 20 September 2021

Mengetahui Dosen Kepala Instrumentation System

Dr.Eng Indra Wahyudin

Visi & Misi

Fakultas Teknik Elektro

1. Menyelenggarakan sistem pendidikan yang berstandar internasional di bidang

Visi & Misi

Prodi Teknik Fisika

ATURAN LABORATORIUM FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO

Dekan Fakultas Teknik Elektro

Dr. Bambang Setia Nugroho, S.T, M.T.

Gambar 3.3. 11. Kurva Karakteristik dari Dioda Zener ........................................................... 45

Gambar 5.4. 5. Simbol Komponen JFET-P .............................................................................. 62

Gambar 6.5. 2. Rangkaian Percobaan Non-Inverting Closed Loop Gain ................................ 85

Tabel 4.4. 1. Konfigurasi Daerah Operasi Transistor ............................................................... 49

Garis Besar Praktikum

Aturan Umum Fakultas Teknik Elektro

c. Laboran dapat menentukan disetujui atau tidaknya pengajuan praktikum

C. Aturan Pakaian dan Kelengkapan

Aturan Khusus Instrumentation System Laboratory

C. Tugas Pendahuluan (TP)

D. Tes Awal (TA)

HAL-HAL YANG BELUM DITETAPKAN AKAN DITETAPKAN SELANJUTNYA

Modul 1 : Seri dan Paralel

1.2. Tujuan Praktikum

1.3. Alat dan Bahan

1.4. Teori Dasar

1.4.2. Hukum Kirchoff Tentang Arus

Gambar 1.4. 2. Hukum Kirchoff Tentang Arus pada Suatu Node

1.4.3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan

Gambar 1.4. 3. Hukum Kirchoff Tentang Tegangan pada Suatu Loop

𝑉𝑎𝑏 + 𝑉𝑏𝑐 + 𝑉𝑐𝑑 + 𝑉𝑑𝑎 = 0𝑉1 + 𝑉2 + 0 − 𝐼. 𝑅3 = 0

1.4.4. Hubungan Seri dan Pembagi Tegangan

Gambar 1.4. 4. Hubungan Seri Resistor (Ket : Rek=Rekuivalen)

Dari gambar 1.4.4 diperoleh persamaan :

Persamaan 1.4. 2. Hubungan Seri dan Pembagi Tegangan

1.4.5. Hubungan Paralel dan Pembagi Arus

Gambar 1.4. 5. Hubungan Paralel Resistor

Pada gambar 1.4.5 diperoleh :

Persamaan 1.4. 3. Hubungan Paralel dan Pembagi Arus

1.4.6. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Seri

5. Lihat hasil pengukuran

Gambar 1.4. 6. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Seri

B. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Seri

Gambar 1.4. 7. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Seri

1.4.7. Cara Mengukur Arus dan Tegangan pada Rangkaian Paralel

Gambar 1.4. 8. Cara Mengukur Arus pada Rangkaian Paralel

B. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Paralel

Gambar 1.4. 9. Cara Mengukur Tegangan pada Rangkaian Paralel

1.5. Prosedur Praktikum

Gambar 1.5. 1. Rangkaian Seri S