LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA NUKLIR

“PRE-AMP”

Nama : Zakia Nur Wachidah

NIM : 021900033

Dosen pengampu : Joko Sunardi, SST., M.Kom

Prodi Elektronika Instrumentasi

Jurusan Teknofisika Nuklir

PTNI-BRIN Yogyakarta

2021/2022
A. JUDUL
Pre Amplifier

B. TUJUAN
Agar mahasiswa mampu menentukan IDSS dan Transkonduktansi (gm) pada FET
sebagai dasar perancangan penguat awal peka muatan.

C. DASAR TEORI
Suatu FET harus bekerja pada suatu arus yang lebih kecil dari IDSS bila tidak maka
sambungan Source-Gate akan menjadi tercatu maju (forward biased). Oleh karena
besarnya IDSS untuk FET pada tipe yang sama belum tentu sama, maka perlu
menentukan nilainya sebelum FET tersebut digunakan dalam penguat awal. Harus
diketahui pula bahwa semakin tinggi arus tetap yang digunakan (standing current)
maka semakin tinggi pula transkonduktansi (gm) dari FET tersebut. Untuk alasan
tersebut maka sekali IDSS ditentukan, standing current seharusnya ditetapkan
mendekati nilai tersebut jika gate dan source dihubungkan bersama-sama maka FET
akan bekerja pada suatu arus yang sama dengan IDSS. Pada gambar rangkaian berikut
dijelaskan cara menentukan IDSS.

Transkonduktansi (gm) FET

 Transkonduktansi (gm) FET menentukan besar tanggapan deraunya. Semakin besar
gm, maka semakin baik tanggapannya. Untuk alasan ini maka pemilihan seharusnya
dilakukan pada sejumlah FET. Pengukuran gm didasarkan pada
pertimbangan/pemikiran bahwa impedansi yang tampak pada source suatu FET yang
dihubungkan seperti pada gambar 2. adalah i/gm. Untuk mengukur impedansi ini,
suatu arus sinusoida diinjeksikan pada source dan tegangan yang terjadi antara source
dan ground diukur (arus sinusoidal tersebut seharusnya telah diketahui nilainya).
Transkonduktansi (gm) adalah ratsio antara arus yang diinjeksikan pada source dan
tegangan yang terbangun oleh arus yang diinjeksikan tersebut.

D. ALAT DAN BAHAN

 Osciloskop dan Multimeter
 Penyedia daya 12 Volt
 Kabel koaksial
 Komponen dan peraga praktikum.

E. LANGKAH KERJA
1. Penentuan IDSS FET.
 Siapkan tiga buah FET dengan tipe yang sama
 Buat rangkaian seperti pada gambar 1.
 Ukur tegangan pada resistor 330, kemudian hitung IDSS = V/R
 Ulangi untuk FET yang lainnya.

2. Penentuan transkonduktansi (gm) FET

 Buat rangkaian seperti pada gambar 2.
 Tentukan besarnya RS dengan cara :
RS = V/0.9 x IDSS; dimana IDSS diperoleh dari percobaan 1
 Atur generator fungsi pada gelombang sinus dengan amplitudo 10Vpp
 Ukur tegangan pada resistor Rs
 Ukur tegangan pada resistor 100k, kemudian hitung arus yang diinjeksikan =
V/R  Hitung besarnya transkonduktansi (gm) =

 Ulangi untuk FET yang lainnya.

3. PENGUKURAN VERIFIKASI KONDISI KERJA DC PREAMP PEKA

MUATAN
 Susun rangkaian seperti gambar 3 dan ukur tegangan pada titik A,B,C,D,E,F,G

4. PENGUKURAN OPERASI SINYAL

 Beri masukan muatan pada terminal gate FET
 Amati keluaran preamp.
 Ukur waktu peluruhan pulsa keluaran.

5. PENGUKURAN RISE TIME PULSA KELUARAN

  Ukur rise time pulsa keluaran tanpa kapasitor cd
 Ukur rise time pulsa keluaran dengan kapasitor Cd; 10 pF, 20 pF, 30pF, 50 pF,
70 pF, 100 pF, 200 pF, 300 pF, 500 pF (ini merupakan simulasi kapasitansi
detector)  Gambarkan grafik rise time vs Cd pada kertas grafik linier.

F. ANALISIS DATA

Gambar. 3 keluaran pada titik A

Gambar 4. Keluaran pada ttitk B

Gambar 5. Keluaran pada titik C

Gambar 6. Keluaran pada titik D

 Gambar 7. Keluaran pada titik E

Tabel 1. Hasil pengukuran dan perhitungan

Vin (V) Vout (V) Penguatan Rise time

(Vout/Vin)
5 mV 1,8 V 360 kali 150 x 10^-9 s
5 mV 2V 400 kali 1 ms
5 mV 1,4 V 280 kali 0,5 ns
5 mV 2V 400 kali 2 ns
5 mV 44 mV 8,8 kali 150 ns
LAMPIRAN