1. Jelaskan secara rinci proses litografi dalam fabrikasi mikroelektronik. Analisa peran fotolitografi
dalam proses ini. Total poin : 15
2. Jelaskan bagaimana variasi dalam ketebalan lapisan gate oxide dapat mempengaruhi kinerja
MOSFET dalam teknologi CMOS. Total poin : 15
3. Apa tantangan yang dihadapi dalam mencapai dimensi transistor yang semakin kecil dalam
fabrikasi MOSFET dan upaya yang dilakukan untuk mengatasi tantangan tersebut. Total poin : 10
4. Bagaimana proses fabrikasi MOSFET berbeda dalam teknologi nMOS (n-channel MOSFET) dan
pMOS (p-channel MOSFET)? Analisa perbedaan desain dan proses yang terlibat dalam kedua
kasus tersebut. Total poin : 20
5. Apakah tantangan yang dihadapi dalam fabrikasi mikroelektronik untuk mencapai dimensi dan
resolusi yang lebih kecil dalam teknologi semikonduktor modern. Total poin : 15
6. Jelaskan bagaimana perkembangan teknologi fabrikasi, seperti litografi berkecepatan tinggi, proses
self-alignment, dan metode pembuatan ultrascaled transistors, telah mengatasi tantangan dalam
fabrikasi mikroelektronik. Total poin : 15
7. Apakah dampak dari variasi parameter fabrikasi, seperti ketebalan lapisan, kualitas eksposur
cahaya, dan ketepatan pemosisian, terhadap karakteristik kinerja perangkat semikonduktor yang
dihasilkan. Total poin : 10
1 SOAL INI BERSIFAT RAHASIA “HARUS DIKEMBALIKAN” | MILIK UNIVERSITAS DIAN NUSANTARA
FAKULTAS TEKNIK DAN INFORMATIKA
PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO
Acuan Soal (1) RPS, (2) Pustaka, (3) Pertemuan Kuliah, (4) Ketentuan evaluasi yang berlaku.
2 SOAL INI BERSIFAT RAHASIA “HARUS DIKEMBALIKAN” | MILIK UNIVERSITAS DIAN NUSANTARA