TEORI DASAR MOSFET SERTA

PENDALAMANNYA

DOSEN :
Drs. Dahlan Sitompul, M.Eng

DISUSUN OLEH :
Weliansyah Arundhani – 171401018
Surya Andika Ramadani Ginting - 171401030
Charli – 171401066
Rafley Husein Alwi - 171401093
Azhar Bazla Rabbani - 171401096
M. Aulia Ramadhan - 171401099

UNIVERSITAS SUMATERA UTARA

FAKULTAS ILMU KOMPUTER DAN TEKNOLOGI INFORMASI
PROGRAM STUDI ILMU KOMPUTER
MEDAN
2020
 KATA PENGANTAR

Puji syukur marilah sama-sama kita panjatkan ke hadirat Allah SWT, atas limpahan
rahmat dan karunia-Nya sehingga jurnal Mikroprosessor dan Assembly ini tersusun dengan
baik dan dapat dilampirkan, meskipun jauh dari kesempurnaan. Sholawat dan salam semoga
tetap terlimpahkan kepada Rasulullah Saw, beserta keluarga dan para pengikutnya. Semoga
kita selaku pengikut setianya dapat menegakkan nilai-nilai sunnah secara baik dan benar
dalam kehidupan pribadi dan sosial.

Hadirnya jurnal ini untuk memenuhi tugas yang telah diberikan oleh Dosen
Matakuliah Mikroprosessor dan Assembly pada pertemuan sebelumnya. Penyusun
mengucapkan terima kasih kepada Bapak Drs. Dahlan Sitompul, M.Eng selaku dosen kami
dalam semester ini. Penyusun berharap, semoga projek akhir ini dapat memenuhi semua
kriteria yang telah Dosen Matakuliah Mikroprosessor dan Assembly berikan sebelumnya.

Akhirnya, Kami menyadari segala kekurangan yang melekat pada pembuatan jurnal
ini. Untuk itu, kritik dan saran dari dosen, asisten dosen, dan semua pihak yang berkompeten
merupakan suatu hal berharga dan sangat berarti dalam menyempurnakan jurnal ini. Semoga
segala iktikad dan ikhtiar yang kita lakukan mendapatkan rahmat dan rida Allah Swt.

Medan, Januari 2020

Penulis

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR.................................................................................... i
DAFTAR ISI................................................................................................... ii
DAFTAR GAMBAR...................................................................................... iii
ISI LAPORAN
BAB 1 PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang Masalah ............................................................. 1
1.2 Rumusan Masalah ....................................................................... 1
1.3 Maksud dan Tujuan .................................................................... 2
1.4 Metode Pengumpulan Data ......................................................... 2
1.5 Sistematika Penulisan ................................................................. 2
BAB 2 PEMBAHASAN
2.1 Pengertian MOSFET................................................................... 3
2.2 Jenis - Jenis MOSFET................................................................. 3
2.3 Bentuk Dasar MOSFET............................................................... 6
2.4 Komposisi MOSFET................................................................... 7
2.5 Operasi MOSFET........................................................................ 8
2.6 Tipe MOSFET Lainnya............................................................... 13
2.7 Kapasitas Transistor MOSFET.................................................... 15
2.8 Defletion Type MOSFET............................................................ 18
2.9 Enahancement Type MOSFET.................................................... 19
BAB 3 KESIMPULAN DAN SARAN
3.1 Kesimpulan ................................................................................. 21
3.2 Saran ........................................................................................... 22
DAFTAR PUSTAKA ..................................................................... 23

ii
 DAFTAR GAMBAR
Gambar Halaman
1. Simbol Transistor MOSFET Mode Depletion..................................................................4
2. Simbol Transistor MOSFET Mode Enhancement............................................................4
3. Skematik MOSFET tipe-n................................................................................................5
4. Struktur fisik N-MOSFET tipe Enhancement..................................................................6
5. Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET...................................................................7
6. Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P..........................................8
7. Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk........................................................................9
8. Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk......................................................................9
9. Arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber......................................................11
10. Irisan MOSFET dalam noda linier.................................................................................12
11. Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan......................................................................12
12. Peranti FinFET gerbang ganda.......................................................................................14
13. Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi...........................................................15
14. Kapasitansi Parasitik MOSFET......................................................................................16
15. Defletion type MOSFET.................................................................................................18
16. Enahancement EMOSFET..............................................................................................19

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Masalah

Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah satu jenis

transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius Edgar
Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan
tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor
yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub
pada satu waktu lebih umum.

Kata 'logam' pada nama yang sekarang digunakan sebenarnya merupakan nama yang
salah karena bahan gerbang yang dahulunya lapisan logam-oksida sekarang telah sering
digantikan dengan lapisan polisilikon (polikristalin silikon). Sebelumnya aluminium digunakan
sebagai bahan gerbang sampai pada tahun 1980 -an ketika polisilikon mulai dominan dengan
kemampuannya untuk membentuk gerbang menyesuai-sendiri. Walaupun demikian, gerbang
logam sekarang digunakan kembali karena sulit untuk meningkatkan kecepatan operasi transistor
tanpa pintu logam.

IGFET adalah peranti terkait, istilah lebih umum yang berarti transistor efek-medan
gerbang-terisolasi, dan hampir identik dengan MOSFET, meskipun dapat merujuk ke semua FET
dengan isolator gerbang yang bukan oksida. Beberapa menggunakan IGFET ketika merujuk pada
perangkat dengan gerbang polisilikon, tetapi kebanyakan masih menyebutnya MOSFET.

1.2 Rumusan Masalah

Jurnal ini merumuskan beberapa permasalahan sebagai berikut :
1. Apa yang dimaksud dengan MOSFET?
2. Apa saja jenis - jenis MOSFET?
3. Bagaimana bentuk dasar MOSFET?
4. Apa saja komposisi MOSFET?
5. Bagaimana operasi MOSFET?
6. Apa tipe-tipe lainnya dari MOSFET?
7. Berapa kapasitas transistor MOSFET?
8. Apa yang dimaksud dengan Defletion Type MOSFET?
9. Apa yang dimaksud dengan Enahancement Type MOSFET?
1
1.3 Maksud dan Tujuan
Maksud dari penyusunan tugas ini adalah untuk memenuhi dan melengkapi salah satu tugas
mata kuliah Mikroprosessor dan Assembly. Sedangkan tujuan dari penulisan tugas ini adalah:
1. Mengembangkan kreativitas dan wawasan penulis.
2. Diharapkan dengan adanya jurnal ini, para pemula yang ingin mempelajari MOSFET
dapat menggunakannya sebagai sumber referensi.

1.4 Metode Pengumpulan Data

Untuk memperoleh data yang diperlukan dalam penyusunan jurnal ini, penulis
menggunakan metode studi dokumentasi, yaitu metode pengumpulan data yang meneliti berbagai
macam dokumen yang berguna untuk bahan analisis.

1.5 Sistematika Penulisan

Untuk memudahkan pembaca dalam mempelajari dan mengetahui isi jurnal ini, penulis
memberikan uraian singkat mengenai gambaran pada masing-masing bab melalui sistematika
penulisan yaitu :
BAB I PENDAHULUAN
Dalam bab ini, penulis menguraikan tentang latar belakang penulisan, rumusan masalah, ruang
lingkup, maksud dan tujuan serta metode-metode yang digunakan dalam pengumpulan data untuk
menyusun tugas ini. Selain itu, penulis juga menguraikan mengenai sistematika penulisan.

BAB II PEMBAHASAN
Pada bab ini, penulis menguraikan tentang bagaimana sistem informasi dapat membantu
perpustakaan Universitas Sumatera Utara dan apa yang terjadi jika sistem informasi ini tidak ada.

BAB III KESIMPULAN DAN SARAN

Dalam bab ini, penulis menguraikan tentang kesimpulan-kesimpulan dari masalah yang dibahas
serta saran-saran yang penulis ajukan guna perbaikan selanjutnya.

2
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Pengertian MOSFET

MOSFET adalah perangkat empat terminal dengan sumber (S), gerbang (G), saluran (D),
dan basis (B) terminal, basis (atau substrat) dari MOSFET sering terhubung ke sumber terminal,
membuatnya menjadi perangkat tiga terminal seperti transistor efek medan lainnya. Karena dua
terminal ini biasanya terhubung satu sama lain (hubung pendek) secara internal, hanya tiga
terminal muncul dalam diagram listrik. MOSFET adalah jauh transistor paling umum di kedua
sirkuit digital dan analog, meskipun bipolar junction transistor pada satu waktu yang jauh lebih
umum.

Logam-oksida-semikonduktor transistor efek medan (MOSFET, MOS-FET, atau MOS

FET) adalah jenis transistor digunakan untuk memperkuat atau beralih sinyal elektronik.
MOSFET menunjukkan gerbang (G), Basis (B), sumber (S) dan Drain (D) terminal. Gerbang
dipisahkan dari basis dengan lapisan isolasi (putih). Dalam transistor efek medan (FET), modus
penipisan dan modus tambahan dua jenis transistor utama, sesuai dengan apakah transistor dalam
keadaan ON atau negara OFF nol gerbang-sumber tegangan.

Keuntungan utama dari MOSFET lebih transistor biasa adalah bahwa ia memerlukan
sangat sedikit saat ini untuk mengaktifkan (kurang dari 1mA), sementara memberikan yang jauh
lebih tinggi saat ini untuk beban (10 sampai 50A atau lebih). Namun, MOSFET memerlukan
tegangan gerbang tinggi (3-4V) untuk mengaktifkan.

2.2 Jenis - Jenis MOSFET

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu

transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian
tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu
transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon
ini yang akan digunakan sebagai landasan (substrat) penguras (drain), sumber (source),
dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor ini dibuat sedemikian rupa agar antara substrat
dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas
sisi kiri kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan
transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang

3
rendah.
Bila dilihat dari cara kerjanya, transistor MOS dapat dibagi menjadi dua, yaitu:
1) Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
Pada transistor mode depletion, antara drain dan source terdapat saluran
yang menghubungkan dua terminal tersebut, dimana saluran tersebut mempunyai
fungsi sebgai saluran tempat mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran itu
sendiri dapat dikendalikan oleh tegangan gerbang. Transistor MOSFET mode
pengosongan terdiri dari tipe-N dan tipe-P, simbol transistor ditunjukkan dalam
Gambar 1.

Gambar 1 Simbol Transistor MOSFET Mode Depletion

(a). N-Channel Depletion (b). P-Channel Depletion

2) Transistor Mode peningkatan (Transistor Mode Enhancement)

Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran
antara drain dan sourcenya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO 2 pada
terminal gate. Transistor MOSFET mode peningkatan terdiri dari tipe-N dan tipe-P,
simbol transistor ditunjukkan dalam Gambar 2.

Gambar 2 Simbol Transistor MOSFET Mode Enhancement

(a). N-Channel Enhancement (b). P-Channel Enhancement

Dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokan
menjadi tiga, antara lain:

1) NMOS
4
 Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah
source dan drain didifusikan tipe n+ dan daerah kanal terbentuk pada

5
 permukaan tipe n. NMOS yang umumnya banyak digunakan adalah NMOS jenis
enhancement, dimana pada jenis ini source NMOS sebagian besar akan
dihubungkan dengan –Vss mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak
memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam aplikasi gerbang NMOS
dapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau dengan NMOS lainnya sesuai
dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah NMOS dan
resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.
Negatif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber
menggunakan saluran dari bahan electron, sehinga arus yang mengalir jika tegangan
gerbang lebih positif dari substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT (Voltage
Treshold). Skematik MOSFET tipe-n ditunjukkan dalam Gambar 3

Gambar 3 Skematik MOSFET tipe-n

Sumber: Hodges-Jackson 1987: 37

2) PMOS
Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah
source dan drain didifusikan tipe p + dan deerah kanal terbentuk pada permukaan
tipe p. Positif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus penguras sumber
melalui saluran positif berupa hole, dimana arus akan mengalir jika tegangan
gerbang lebih negative terhadap substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT.
PMOS yang umumnya banyak digunakan adalah PMOS jenis enhancement,
dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar akan

6
 dihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak
memungkinkan untuk dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS
dapat dikombinasikan dengan resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai
dengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS dan
resistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.

3) CMOS (Complementary MOS)

MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber
melalui saluran tipe-n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan tegangan yang
dimasukkan pada gerbangnya (gate).

2.3 Bentuk Dasar MOSFET

1) NMOS tipe Enhancement
Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dengan daerah source
dan drain diberi difusi n+. Diantara daerah source dan drain terdapat suatu daerah
sempit dari substrat p yang disebut channel yang ditutupi oleh lapisan tang
penghantar (isolator) yang terbuat dari SiO 2. Panjang channel disebut Length (L)
dan lebarnya disebut Width (W). Gerbang (gate) terbuat dari polisilikon dan ditutup
oleh penyekat yang diendapkan.
Struktur transistor NMOS terdiri atas substrat tipe-p dan tipe-n. kedua
parameter ini sangat penting untuk mengontrol MOSFET. Parameter yang tidak
kalah penting adalah ketebalan lapisan oksida yang menutupi daerah channel (tox).
Di atas lapisan insulating tersebut didepositkan polycrystalline silicon
(polysilicone) electrode, yang disebut dengan gerbang (gate). struktur fisik
NMOSFET tipe enhancement ditunjukkan dalam Gambar 4.

Gambar 4 Struktur fisik N-MOSFET tipe Enhancement

7
 2) PMOS tipe Enhancement
Struktur transistor PMOS terdiri atas substrat tipe-n dengan daerah
source dan drain diberi difusi p+, dan untuk kondisi yang lain adalah sama
dengan NMOS.

2.4 Komposisi MOSFET

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa produsen
IC, terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai
kanal MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang
lebih baik daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka
semikonduktor-ke-isolator yang baik sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini
terus diadakan penelitian untuk membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk
bahan semikonduktor lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang,
dielektrik κ tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang
logam kembali digunakan untuk menggantikan polisilikon1.
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional
adalah silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride.
Beberapa perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik κ tinggi +
gerbang logam di teknologi 45 nanometer.

Gambar 5 Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.

1
"Intel 45nm Hi-k Technology"
8
2.5 Operasi MOSFET

Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida

Gambar 6 Struktur Semikonduktor–Logam–Oksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktor–logam–oksida sederhana diperoleh dengan menumbuhkan

selapis oksida silikon di atas substrat silikon dan mengendapkan selapis logam atau
silikon polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS
serupa dengan kondensator planar dengan salah satu elektrodenya digantikan dengan
semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah
penyebaran muatan dalam semikonduktor. Umpamakan sebuah semikonduktor tipe-p
(dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan
netral), sebuah tegangan positif dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan
dengan memaksa lubang bermuatan positif untuk menjauhi antarmuka
gerbang-isolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa. Jika cukup
tinggi, kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk lapisan inversi dibawah
antarmuka antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana
kepadatan elektron pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan
disebut tegangan ambang.
Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana
membutuhkan penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.

9
1. Struktur MOSFET dan formasi kanal

Gambar 7 Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)

Gambar 8 Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)

Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah

berdasarkan pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode
badan dan elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua
daerah peranti dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah
sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida,
peranti mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET) atau
FET gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu
sumber dan cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan
dari daerah badan. Daerah tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya
harus dari tipe yang sama, dan berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan

10
 cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan
daerah yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat
adalah daerah 'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas,
dengan tegangan gerbang yang cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari
sumber memasuki lapisan inversi atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan
oksida. Kanal yang menghantar ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus
dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya
sedikit arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.
2. Moda operasi
Operasi dari MOSFET dapat dibedakan menjadi tiga moda yang berbeda,
bergantung pada tegangan yang dikenakan pada saluran. Untuk mempermudah,
perhitungan dibawah merupakan perhitungan yang telah disederhanakan2 3
Untuk sebuah MOSFET salur-n moda pengayaan, ketiga moda operasi adalah:
3. Moda Inversi Lemah
Disebut juga moda Titik-Potong atau Pra-Ambang, yaitu ketika VGS < Vth

dimata V_th adalah tegangan ambang peranti.

Berdasarkan model ambang dasar, transistor dimatikan dan tidak ada penghantar
antara sumber dan cerat. Namun pada kenyataannya, distribusi Boltzmann dari energi
elektron memungkinkan beberapa elektron berenergi tinggi pada sumber untuk memasuki
kanal dan mengalir ke cerat, menghasilan arus praambang yang merupakan fungsi
eksponensial terhadan tegangan gerbang–sumber. Walaupun arus antara cerat dan sumber
harusnya nol ketika transistor minatikan, sebenarnya ada arus inversi-lemah yang sering
disebut sebagai bocoran praambang.
Pada inversi-lemah, arus berubah eksponensial terhadap panjar gerbang-ke-sumber
VGS45[

,
2
William Liu (2001). MOSFET Models for SPICE Simulation. New York: Wiley-Interscience. ISBN 0-471-39697-4.
3
http://www.designers-guide.org/links.html
4
P R Gray, P J Hurst, S H Lewis, and R G Meyer (2001). Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (ed. Edisi
Keempat). New York: Wiley. hlm. 66-67. ISBN 0-471-32168-0.
5
P. R. van der Meer, A. van Staveren, A. H. M. van Roermund (2004). Low-Power Deep Sub-Micron CMOS Logic:
Subthreshold Current Reduction. Dordrecht: Springer. hlm. 78. ISBN 1402028482.
11
 dimana ID0 = arus pada dan faktor landaian n didapat dari

,
dengan = kapasitansi dari lapisan pemiskinan dan = kapasitansi dari lapisan
oksida.
Beberapa sirkuit daya-mikro didesain untuk mengambil keuntungan dari bocoran
praambang.678 Dengan menggunakan daerah inversi-lemah, MOSFET pada sirkuit tersebut
memberikan perbandingan transkonduktansi terhadap arus yang tertinggi (

), hampir seperti transistor dwikutub. Sayangnya lebar-jalur rendah

dikarenakan arus penggerak yang rendah.9 10

Gambar 9 arus cerat MOSFET vs. Tegangan cerat-ke-sumber untuk beberapa harga ,
perbatasan antara moda linier (Ohmik) dan penjenuhan (aktif) diperlihatkan sebagai lengkung
parabola di atas

6
Leslie S. Smith, Alister Hamilton (1998). Neuromorphic Systems: Engineering Silicon from Neurobiology. World
Scientific. hlm. 52-56. ISBN 9810233779.
7
Satish Kumar (2004). Neural Networks: A Classroom Approach. Tata McGraw-Hill. hlm. 688. ISBN 0070482926.
8
Manfred Glesner, Peter Zipf, Michel Renovell (2002). Field-programmable Logic and Applications: 12th
International Conference. Dordrecht: Springer. hlm. 425. ISBN 3540441085.
9
Sandeep K. Shukla, R. Iris Bahar (2004). Nano, Quantum and Molecular Computing. Springer. hlm. 10 and Fig. 1.4,
p. 11. ISBN 1402080670.
10
Ashish Srivastava, Dennis Sylvester, David Blaauw (2005). Statistical Analysis and Optimization For VLSI: Timing
and Power. Springer. hlm. 135. ISBN 0387257381.
12
Gambar 10 Irisan MOSFET dalam noda linier (ohmik), daerah inversi kuat terlihat bahkan
didekat cerat

Gambar 11 Irisan MOSFET dalam moda penjenuhan (aktif), terdapat takik didekat cerat

4. Moda trioda
Disebut juga sebagai daerah linear (atau daerah Ohmik 1112) yaitu ketika VGS > Vth
dan VDS < ( VGS - Vth ).
Transistor dihidupkan dan sebuah kanal dibentuk yang memungkinkan arus untuk
mengalir di antara sumber dan cerat. MOSFET beroperasi seperti sebuah resistor,
dikendalikan oleh tegangan gerbang relatif terhadap baik tegangan sumber dan cerat. Arus
dari cerat ke sumber ditentukan oleh:

dimana adalah pergerakan efektif pembawa muatan, adalah lebar gerbana, adalah
panjang gerbang dan adalah kapasitansi oksida gerbang tiap unit luas. Transisi dari
daerah eksponensial praambang ke daerah trioda tidak setajam seperti yang diperlihatkan
perhitungan.

11
C Galup-Montoro & Schneider MC (2007). MOSFET modeling for circuit analysis and design. London/Singapore:
World Scientific. hlm. 83. ISBN 981-256-810-7.
12
Norbert R Malik (1995). Electronic circuits: analysis, simulation, and design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall.
hlm. 315–316. ISBN 0-02-374910-5.
13
 5. Moda penjenuhan
Juga disebut dengan Moda Aktif13 14
Ketika VGS > Vth dan VDS > ( VGS -
Vth )Transistor dihidupkan dan kanal dibentuk, memungkinkan arus untuk mengalir di
antara sumber dan cerat. Karena tegangan cerat lebih tinggi dari tegangan gerbang,
elektron menyebar dan penghantaran tidak melalui kanal sempit tetapi melalui kanal yang
jauh lebih lebar. Awal dari daerah kanal disebut penyempitan untuk menunjukkan
kurangnya daerah kanal didekat cerat. Arus cerat sekarang hanya sedikit bergantung pada
tegangan cerat dan dikendalikan terutama oleh tegangan gerbang–sumber.

Faktor tambahan menyertakan λ, yaitu parameter modulasi panjang kanal,

membuat tegangan cerat mandiri terhadap arus, dikarenakan oleh adanya efek Early.

,
dimana kombinasi Vov = VGS - Vth dinamakan tegangan overdrive.15 Parameter
penting desain MOSFET adalah resistansi keluaran :

2.6 Tipe MOSFET LAINNYA

1. MOSFET gerbang ganda

MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana semua gerbang
mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan untuk peranti isyarat kecil
pada penggunaan frekuensi radio dimana gerbang kedua gerang keduanya digunakan
sebagai pengendali penguatan atau pencampuran dan pengubahan frekuensi.
2. FinFET

13
PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-32168
14
A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (ed. Fifth Edition). New York: Oxford. hlm. 552. ISBN 0-
19-514251-9.
15
A. S. Sedra and K.C. Smith. p. 250, Eq. 4.14. ISBN 0-19-514251-9.
14
 Gambar 12 Peranti FinFET gerbang ganda.

FinFET adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan untuk

memprakirakan flek kanal pendek dan mengurangi perendahan sawar diinduksikan-cerat.
3. MOSFET moda pemiskinan
Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori sedemikian
rupa sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada tegangan dari gerbang ke
sumber. Untuk mengendalikan kanal, tegangan negatif dikenakan pada gerbang untuk
peranti salur-n sehingga "memiskinkan" kanal, yang mana mengurangi arus yang mengalir
melalui kanal. Pada dasarnya, peranti ini ekivalen dengan sakelar normal-hidup,
sedangkan MOSFET moda pengayaan ekivalen dengan sakelar normal-mati.16
Karena peranti ini kurang berdesah pada daerah RF dan penguatan yang lebih
baik, peranti ini sering digunakan pada peralatan elektronik RF.
4. Logika NMOS
MOSFET salur-n lebih kecil daripada MOSFET salur-p untuk performa yang
sama, dan membuat hanya satu tipe MOSFET pada kepingan silikon lebih murah dan
lebih sederhana secara teknis. Ini adalah prinsip dasar dalam desain logika NMOS yang
hanya menggunakan MOSFET salur-n. Walaupun begitu, tidak seperti logika CMOS,
logika NMOS menggunakan daya bahkan ketika tidak ada pensakelaran. Dengan
peningkatan teknologi, logika CMOS menggantikan logika NMOS pada tahun 1980-an.
5. MOSFET daya

16
"Intel 45nm Hi-k Technology”
15
Gambar 13 Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya terdiri
dari beberapa ribu sel.

MOSFET daya memiliki struktur yang berbeda dengan MOSFET biasa. 17 Seperti
peranti semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah vertikal, bukannya planar.
Menggunakan struktur vertikal memungkinkan transistor untuk bertahan dari tegangan
tahan dan arus yang tinggi. Rating tegangan dari transistor adalah fungsi dari pengotoran
dan ketebalan dari lapisan epitaksial-n, sedangkan rating arus adalah fungsi dari lebar
kanal. Pada struktur planar, rating arus dan tegangan tembus ditentukan oleh fungsi dari
dimensi kanal, menghasilkan penggunaan yang tidak efisien untuk daya tinggi. Dengan
struktur vertikal, besarnya komponen hampir sebanding dengan rating arus dan ketebalan
komponen sebanding dengan rating tegangan.
MOSFET daya dengan struktur lateral banyak digunakan pada penguat audio hi-fi.
Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih baik pada daerah penjenuhan daripada
MOSFET vertikal. MOSFET vertikal didesain untuk penggunaan pensakelaran.

2.7 Kapasitas Transistor MOSFET

Semua waktu respon alih MOSFET digital sebanding dengan kapasitansi keluaran
(Cout). Minimalisasi Cout menjadi objek terpenting dalam perancangan rangkaian logika
berkecepatan tinggi. Kapasitansi serpih MOSFET akan dipertimbangkan dalam proses
fabrikasi dan ukuran layout.

17
Power Semiconductor Devices, B. Jayant Baliga, PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6
16
 Gambar 14 Kapasitansi Parasitik MOSFET
Sumber: Geiger, 1990: 162

Beberapa struktur kapasitansi terkumpul (lumped) setara yang dikenalkan sebagai

model adalah non-linier (tergantung tegangan) ditunjukkan dalam Gambar 2.7 Perhitungan
hanya dalam perkiraan rata-rata sehingga analisis yang lebih akurat memerlukan simulasi
komputer. Walaupun tidak dapat ditentukan dengan pasti simpul keluaran kapasitansi
(Cout), tetapi perkiraan dapat diperoleh relatif langsung dengan pemodelan. Ini dilakukan
dengan mengisolasi kapasitansi intrinsik. Kapasitansi MOSFET yang dibuta akan
mendekati kesesuaian dengan setiap transistor dalam rangkaian. Nilai C out untuk
perantaraan gerbang logika dapat dibuat dengan menggabungkan kapasitansi MOSFET
dengan kapasitansi saluran Cout. Karena keduanya adalah paralel, maka dapat langsung
dijumlahkan dengan Cout sebagai kapasitansi tersendiri. Besar kapasitansi Cout menentukan
waktu tunda rambatan dan besar perkalian daya tunda (power delay product). Kapasitansi
dalam model ditentukan juga oleh ukuran geometris dari panjang dan lebar gerbang serta
ukuran panjang difusi muatan ion dalam saluran dan sumber.

Panjang fisik gerbang dirumuskan dengan:

L = Ls + Ld +L

Dengan L adalah panjang sebenarnya (panjang efektif) dari gerbang MOSFET (di
antara daerah n+ saluran dan sumber). Ls dan Ld memberikan jarak overlap pada gerbang
saluran untuk membuat Ls > 0 dan Ld > 0 digunakan untuk operasional alat dan memastikan
lapisan inversi dapat membuat hubungan dengan kedua daerah n+ saluran dan sumber.
Kapasitansi overlap dapat dihitung dengan:

Cols = CoxWLsCold = CoxWLd

17
 Cols adalah kapasitansi overlap source dan Cold adalah kapasitansi overlap
drain. Dengan Cols dan Cox tetap sesuai dengan ukuran. Untuk kapasitansi yang lain
adalah Cgs, Cgd, Cgb (kapasitansi parasit setiap terminal). Masing-masing kapasitor
tersebut dipengaruhi Oleh fungsi tegangan gerbang dan tegangan sumber, f(VGS,
VGD) dengan persamaan:

Cgs = CoxWLf1 (VGS, VGD)

Cgd = CoxWLf2 (VGS, VGD)

Nilai f1 dan f2 adalah fungsi yang menyatakan ketergantungan tidak-linier

pada tegangan dan Cgb adalah kapasitansi gerbang-badan berisi muatan tipe-p
tergantung terhadap tegangan, dinyatakan sebagai:

Cgd = CoxWLf3 (VGS, VGD, VSB )

Dengan f3 termasuk efek bias badan melalui VSB. Fungsi tegangan f1, f2,
dan f3 dapat dianalisis langsung, dengan asumsi langsung terhadap perubahan
dalam kanal (lapisan inversi). Perhitungan nilai rangkaian perlu kombinasi
kapasitansi terhadap kapasitansi overlap. Kapasitansi total diberikan:

CG = CoxWL

Apabila L adalah panjang gerbang. Total kapasitansi gerbang-sumber dinyatakan:

CGD = Cols + Cgs

Sedangkan total kapasitansi gerbang saluran:

CGD = Cols + Cgd

18
2.8 Defletion type MOSFET

Gambar 15 Defletion type MOSFET

Dalam penipisan-mode MOSFET, perangkat ini biasanya ON nol gerbang-

sumber tegangan. Perangkat tersebut digunakan sebagai beban "resistor" di sirkuit
logika (dalam penipisan beban NMOS logika, misalnya). Untuk tipe N perangkat
penipisan beban, tegangan ambang mungkin sekitar -3 V, sehingga bisa dimatikan
dengan menarik gerbang 3 V negatif (saluran pembuangan, dengan perbandingan,
lebih positif daripada sumber di NMOS). Dalam PMOS, polaritas terbalik.

Mode dapat ditentukan dengan tanda tegangan ambang (tegangan gerbang

relatif terhadap sumber tegangan pada titik di mana lapisan inversi hanya
terbentuk di saluran): untuk N-jenis FET, perangkat tambahan-mode memiliki
ambang positif, dan penipisan perangkat -mode memiliki ambang negatif; untuk
P-jenis FET, peningkatan-mode negatif, penipisan-mode positif.

Transistor junction efek medan (JFET) adalah modus penipisan, karena

gerbang persimpangan akan bias maju jika gerbang diambil lebih dari sedikit dari
sumber ke tegangan drain. Perangkat tersebut digunakan dalam gallium arsenide-
dan germanium chip, di mana sulit untuk membuat isolator oksida.

Terminologi Alternatif :

Beberapa sumber mengatakan "Jenis deplesi" dan "jenis perangkat

tambahan" untuk jenis perangkat seperti yang dijelaskan dalam artikel ini sebagai
"depletion mode" dan "modus tambahan", dan menerapkan "mode" istilah untuk
arah mana tegangan gerbang-sumber berbeda dari nol. Bergerak tegangan gerbang
menuju tegangan drain "meningkatkan" konduksi dalam saluran, jadi ini
mendefinisikan modus peningkatan operasi, sambil bergerak gerbang jauh dari

19
 saluran pembuangan menghabiskannya saluran, jadi ini mendefinisikan modus
penipisan.

Penipisan beban NMOS logika mengacu pada keluarga logika yang

menjadi dominan dalam VLSI silikon di paruh kedua tahun 1970-an; proses
didukung kedua perangkat-mode dan penipisan-mode transistor, dan logika khas
sirkuit yang digunakan perangkat tambahan-mode sebagai switch pull-down dan
perangkat penipisan-mode sebagai beban, atau pull-up. Keluarga logika yang
dibangun dalam proses yang lebih tua yang tidak mendukung penipisan-mode
transistor yang retrospektif disebut sebagai logika tambahan beban, atau sebagai
logika jenuh beban, karena transistor tambahan-modus yang biasanya
dihubungkan dengan gerbang pasokan VDD dan dioperasikan di daerah saturasi
(kadang-kadang gerbang bias tegangan VGG tinggi dan dioperasikan di daerah
linier, untuk produk power-delay yang lebih baik, tetapi beban kemudian
mengambil lebih area) Atau, bukan statis gerbang logika, logika dinamis. seperti
empat fase logika kadang-kadang digunakan dalam proses yang tidak memiliki
penipisan-mode transistor yang tersedia.

Sebagai contoh, tahun 1971 Intel 4004 yang digunakan perangkat

tambahan beban silikon-gerbang PMOS logika, dan 1976 Zilog Z80 digunakan
penipisan beban silikon-gerbang NMOS.

2.9 Enahancement type MOSFET

Gambar 16 Enahancement EMOSFET.

20
 Gambar menunjukkan pembangunan sebuah N-channel E-MOSFET.
Perbedaan utama antara pembangunan DE-MOSFET dan E-MOSFET, seperti
yang kita lihat dari angka-angka yang diberikan di bawah substrat E-MOSFET
meluas sampai ke silikon dioksida (SiO2) dan tidak ada saluran yang didoping
antara sumber dan drain. Saluran listrik diinduksi dalam MOSFET ini, ketika
gerbang-sumber tegangan positif VGS diterapkan untuk itu.

Perbandingan peningkatan-modus dan penipisan-mode MOSFET simbol,

bersama dengan simbol JFET. Orientasi simbol, (yang paling penting posisi
sumber relatif terhadap menguras) adalah sedemikian rupa sehingga tegangan
lebih positif muncul lebih tinggi pada halaman dari tegangan kurang positif,
menyiratkan arus yang mengalir "turun".

21
 BAB III
KESIMPULAN DAN SARAN

3.1 Kesimpulan

Pertumbuhan teknologi digital seperti mikroprosesor telah memberikan

motivasi untuk memajukan teknologi MOSFET lebih cepat daripada jenis lain
dari transistor berbasis silikon. Sebuah keuntungan besar dari MOSFET untuk
beralih digital adalah bahwa lapisan oksida antara gerbang dan mencegah saluran
arus DC mengalir melalui pintu gerbang, lebih lanjut mengurangi konsumsi daya
dan memberikan impedansi masukan yang sangat besar. The isolasi oksida antara
pintu gerbang dan saluran efektif isolat MOSFET dalam satu panggung logika
dari awal dan tahap akhir, yang memungkinkan output MOSFET tunggal untuk
mendorong sejumlah besar input MOSFET. Bipolar transistor berbasis logika
(seperti TTL) tidak memiliki seperti kapasitas fanout tinggi. Isolasi ini juga
membuat lebih mudah bagi para desainer untuk mengabaikan untuk beberapa efek
batas memuat antara logika tahapan secara mandiri. Sejauh didefinisikan oleh
frekuensi operasi: sebagai frekuensi meningkat, impedansi masukan dari
MOSFET berkurang.

Keuntungan MOSFET di sirkuit digital tidak diterjemahkan ke dalam

supremasi di semua sirkuit analog. Kedua jenis sirkuit memanfaatkan fitur yang
berbeda dari perilaku transistor.

Prinsip dasar jenis transistor pertama kali dipatenkan oleh Julius Edgar
Lilienfeld pada tahun 1925. Dua puluh lima tahun kemudian, ketika Bell
Telephone berusaha untuk paten persimpangan transistor, mereka menemukan
Lilienfeld sudah memegang paten, worded dengan cara yang akan mencakup
semua jenis transistor. Bell Labs mampu bekerja kesepakatan dengan Lilienfeld,
yang masih hidup pada waktu itu (tidak diketahui jika mereka membayar uang
kepadanya atau tidak). Hal ini pada waktu itu versi Bell Labs diberi nama bipolar
junction transistor, dan desain Lilienfeld yang mengambil efek medan nama
transistor.

22
3.2 Saran

Semoga dengan dibuatnya jurnal ini, akan dapat meningkatkan wawasan

penulis maupun pembaca, sehingga menghadapi perkembangan zaman yang
semakin pesat ini, kita sebagai bangsa Indonesia, bukanlah orang-orang yang
awam akan teknologi. Penulis juga memohon maaf, apabila dalam penulisan
jurnal ini ada kekurangan dan kesalahan.

23
 DAFTAR PUSTAKA

[1] A, Douglas Pucknell. 1994. Basic VLSI Design. Australia: Prentice Hall.
Chen, Wai Kai. 2000. The VLSI Handbook. Florida: CRC Press.
[2] De Massa, Thomas A. Ciccone, Zack. 1996. Digital Integrated Circuits.
Canada: Wiley & Sons.
[3] E, John Ayers. 2004. Digital Integrated Circuits. Analysis and Desain.
Canada: Wiley.
[4] Fairchild Semikonduktor. ID Series Datasheet. www.alldatasheet.com,
diakses tanggal 05 Januari 2020.
[5] Geiger, Randall L., dkk. 1990. VLSI Design Techniques For Analog and
Digital Circuits. Singapore: McGraw-Hill Book Co.
[6] Kang, Sung-Mo, Leblebici, Yusuf. 1996. CMOS Digital Integrated Circuit
: Analysis and Design Second Edition. Singapore : McGraw-Hill
Companies.
[7] Malvino, A. P. 1993. Elektronika Komputer Digital, Pengantar
Mikrokomputer. Jakarta: Erlangga.
[8] Pan, D. Z., Yuan, K., dkk. Jurnal IEEE Transaction On Computer-Aided
Design Of Integrated Circuits And Systems. Volume 31. No.02, Februari
2012.
[9] Park, M., Perrott, M. H., Staszewski, R. B., dkk. Jurnal IEEE Transaction
On Circuit And Systems. Volume 54. No.11, November 2011.
[10] Pucknell, D. A. 1994. Basic VLSI Design, 3rd edition. Australia: Prentice
Hall.
[11] Qian, Weikang, Riedel, Marc D., dkk. Jurnal IEEE Transaction On
Computer-Aided Design Of Integrated Circuits And Systems. Volume 30.
No.09. September 2011.
[12] Rabaey, Jan M., dkk. 1999. Digital Integrated Circuits A Design
Perspective second Edition. New Jersey: Prentide Hall Electronics and
VLSI Series.
[13] Rashid, Muh. 2004. Introduction to PSPice Using OrCAD for Circuits and
Electronics, 3rd edition. London: Prentice Hall.
[14] Sedra. 1992. Spice for Microelectronics Circuit 3rd edition. USA:
Saunders College Publishing.
[15] Intel 45nm Hi-k Technology

24
[16] William Liu (2001). MOSFET Models for SPICE Simulation. New York:
Wiley-Interscience. ISBN 0-471-39697-4.
[17] http://www.designers-guide.org/links.html
[18] P R Gray, P J Hurst, S H Lewis, and R G Meyer (2001). Analysis and
Design of Analog Integrated Circuits (ed. Edisi Keempat). New York:
Wiley. hlm. 66-67. ISBN 0-471-32168-0.
[19] P. R. van der Meer, A. van Staveren, A. H. M. van Roermund (2004).
Low-Power Deep Sub-Micron CMOS Logic: Subthreshold Current
Reduction. Dordrecht: Springer. hlm. 78. ISBN 1402028482.
[20] Leslie S. Smith, Alister Hamilton (1998). Neuromorphic Systems:
Engineering Silicon from Neurobiology. World Scientific. hlm. 52-56.
ISBN 9810233779.
[21] Satish Kumar (2004). Neural Networks: A Classroom Approach. Tata
McGraw-Hill. hlm. 688. ISBN 0070482926.
[22] Manfred Glesner, Peter Zipf, Michel Renovell (2002). Field-
programmable Logic and Applications: 12th International Conference.
Dordrecht: Springer. hlm. 425. ISBN 3540441085.
[23] Sandeep K. Shukla, R. Iris Bahar (2004). Nano, Quantum and Molecular
Computing. Springer. hlm. 10 and Fig. 1.4, p. 11. ISBN 1402080670.
[24] Ashish Srivastava, Dennis Sylvester, David Blaauw (2005). Statistical
Analysis and Optimization For VLSI: Timing and Power. Springer.
hlm. 135. ISBN 0387257381.
[25] C Galup-Montoro & Schneider MC (2007). MOSFET modeling for circuit
analysis and design. London/Singapore: World Scientific. hlm. 83.
ISBN 981-256-810-7.
[26] Norbert R Malik (1995). Electronic circuits: analysis, simulation, and
design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall. hlm. 315–316. ISBN 0-02-
374910-5.
[27] PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-
32168
[28] A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (ed. Fifth
Edition). New York: Oxford. hlm. 552. ISBN 0-19-514251-9.
[29] A. S. Sedra and K.C. Smith. p. 250, Eq. 4.14. ISBN 0-19-514251-9.
[30] Intel 45nm Hi-k Technology
[31] Power Semiconductor Devices, B. Jayant Baliga, PWS publishing
Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6

25