Review

High‑Temperature Optical Properties

of Indium Tin Oxide Thin‑Films
Jiwoong Kim, Sujan Shrestha, Maryam Souri, John G. Connell, Sungkyun Park & Ambrose Seo

Reviewer: Aidha Ratna Fajarini Sidik (1177030003)

 20XX

Tujuan Rumusan Masalah

Untuk meneliti sifat optik suhu tinggi dari Apa yang terjadi pada sifat bahan jika berada di
lapisan tipis inidium tin oxide pada suhu tinggi suhu tinggi di atas 500 °C. Karena energi celah pita
hingga 800 °C. semikonduktor biasanya menurun dengan
meningkatnya suhu, apakah Inidium Tin Oxide (ITO)
juga akan kehilangan transparansi optiknya pada
suhu tinggi.

Sample Footer Text 2

 Teori Dasar

• Inidium tin oxide (ITO) merupakan suatu bahan keramik yang banyak diaplikasikan didalam
elektronik, sensor dan optik karena mempunyai konduktivitas listrik yang tinggi dan transparans
terhadap cahaya (Vossen 1977)
• ITO banyak digunakan sebagai elektroda transparan dalam perangkat penyimpanan fotokonduktor
feroelektrik, sel fotovoltaik, sensor gas, pemanas listrik transparan untuk jendela pesawat, pelapis
antistatik pada panel instrumen, elektroda pelapis pada perangkat optoelektronik, sel surya,
fotodetektor dan perangkat electroluminescent.
• ITO mampu menahan suhu pemrosesan tinggi yang ditemukan di banyak proses semikonduktor.
20XX
Metode Penelitian
◦ Peneliti mensintesis lapisan tipis a-ITO dan poli-ITO yang ditanam pada substrat kaca. lapisan tipis a-ITO
ditumbuhkan dengan teknik sputtering dc-magnetron dengan campuran gas Ar dan O2. lapisan tipis a-
ITO yang ditumbuhkan dikristalisasi menjadi lapisan tipis poli-ITO setelah dianil pada 500 °C di bawah
lingkungan O2.
◦ Lapisan tipis epi-ITO dibuat pada substrat yttria-stabilized zirconia (YSZ) Y:ZrO2 menggunakan pulsed
laser deposition (PLD). Kondisi PLD adalah tekanan parsial oksigen sebesar 10 mTorr, dan pengaruh laser
excimer sebesar 1,5 J/cm² dengan tingkat pengulangan 10 Hz. Suhu substrat adalah 600 °C untuk
menumbuhkan lapisan tipis epi-ITO. Setelah pertumbuhan lapisan tipis epi-ITO, sampel dianil di bawah
lingkungan vakum dan O2, untuk mengontrol kekosongan oksigen di dalam lapisan tipis.
◦ Pengukuran spektroskopi optik dengan energi foton dari 1,2 hingga 6,0 eV menggunakan elipsometer
spektroskopi (Woollam M-2000) yang dilengkapi dengan ruang vakum yang dibuat khusus 29 dengan
sudut datang 65° pada suhu tinggi.
◦ Mengukur film tipis a-ITO (poli-ITO) hingga 500 °C sebelum substrat kaca berubah bentuk. Untuk film
tipis epi-ITO mengukur hingga 800 °C di bawah lingkungan vakum dan oksigen.
 20XX

Hasil Penelitian
◦ Gambar 1a menunjukkan pemindaian difraksi sinar-X (XRD) dari
a-ITO dan poli-ITO, yang merupakan film tipis ITO pada substrat
kaca sebelum dan setelah pasca-anil pada 500 °C. Sementara
film tipis a-ITO tidak menunjukkan puncak yang terlihat, yang
memverifikasi bahwa film tipis itu amorf, puncak difraksi yang
jelas muncul dalam sampel yang dianil.
Gambar 1. Karakterisasi struktural dan optik film tipis a-ITO dan
◦ Untuk film tipis poli-ITO menunjukkan Eg yang lebih besar (yaitu poli-ITO. (a) Pemindaian XRD –2θ dari film tipis a-ITO (hitam) dan
poli-ITO (merah). Menurut indeks difraksi poli-ITO, itu adalah
4,25 ± 0,01 eV) daripada film tipis a-ITO (yaitu 3,85 ± 0,01 eV) struktur bixbyite kubik). (b) Konstanta dielektrik (ε1) dan (c)
pada suhu kamar, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1b. konduktivitas optik (σ1) spektrum film tipis a-ITO (hitam) dan
poli-ITO (merah) yang diukur pada suhu kamar. Garis putus-putus
abu-abu adalah spektrum dari Ref. 33 untuk perbandingan. Titik-
Sample Footer Text
titik pada energi foton nol berasal dari pengukuran konduktivitas
dc. Garis tipis padat antara 0 dan 1,2 eV diinterpolasi
menggunakan model Drude.
5
 20XX

Hasil Penelitian
◦  Gambar 2 a,b menunjukkan vs. plot energi foton dari film tipis a-ITO
dan poli-ITO di atas suhu kamar. Gambar 2c menunjukkan fungsi
suhu untuk film tipis a-ITO dan poli-ITO. lapisan tipis a-ITO
menunjukkan perubahan mendadak di atas 200 °C, di mana ITO
polikristalin mulai terbentuk.
◦ Di sisi lain, film tipis poli-ITO menurun secara bertahap dengan
meningkatnya suhu, seperti juga ditunjukkan pada Gambar 2c.
Interaksi elektron-fonon yang kuat dari film tipis poli-ITO
bertanggung jawab atas ketergantungan suhu Eg. Gambar 2. Sifat optik suhu tinggi dari film tipis a-ITO dan poli-ITO.
Koefisien penyerapan kuadrat (α²) vs plot energi foton untuk (a)
a-ITO dan (b) film tipis poli-ITO yang diperoleh dari spektrum
elipsometri pada suhu tinggi masing-masing hingga 500 °C dan
Sample Footer Text 600 °C. Garis hitam adalah ekstrapolasi linier dari spektrum pada
25 °C dan 500 °C untuk film tipis a-ITO (poli-ITO). (c) Energi celah
optik dari film tipis a-ITO dan poli-ITO sebagai fungsi suhu. Garis
merah solid adalah kurva yang cocok dari model O'Donnell.
6
Hasil Penelitian
◦ Gambar 3
  a,b masing-masing menunjukkan pemindaian XRD dan
pemetaan ruang timbal balik. Kedua film tipis epi-ITO ditumbuhkan
secara koheren tanpa fase sekunder yang mencolok. Film tipis epi-ITO
berada di bawah regangan tarik (~ 1,3%) karena ketidakcocokan kisi
dengan substrat YSZ. Namun, spektrum optik suhu kamar dari film
tipis epi-ITO sangat bergantung pada kondisi anil yang mungkin
disebabkan oleh konsentrasi kekosongan oksigen yang berbeda.
◦ Gambar 3c masing-masing menunjukkan spektrum danfilm tipis epi-
ITO. Film tipis epi-ITO anil vakum menunjukkan peningkatan p (0,8 ±
0,1 eV) dan Eg (yaitu, 4,26 ± 0,03 eV). Pengamatan ini konsisten
dengan efek Burstein–Moss karena konsentrasi pembawa bebas yang
lebih besar menghasilkan nilai Eg yang lebih tinggi. Oleh karena itu,
kondisi anil mempengaruhi jumlah kekosongan oksigen, yang
merupakan donor elektron, dan meningkatkan konsentrasi pembawa  XRD memindai film tipis epi-ITO yang dianil dalam kondisi O2
Gambar 3. Karakterisasi struktural dan optik film tipis epi-ITO. (a)

dengan mereduksi film tipis epi-ITO dan mengubah sifat optiknya (hijau) dan vakum (biru). Tanda bintang (*) dan indeks masing-
masing menunjukkan puncak dari substrat YSZ dan film tipis
tanpa perbedaan nyata dalam struktur kristal. bixbyite kubik ITO. (b) Peta ruang resiprokal sinar-X di dekat
refleksi 204 YSZ. Kedua sampel menunjukkan pantulan 408 yang
jelas dari film tipis epi-ITO. (c) dan (d) spektrum film tipis epi-ITO
anil vakum dan O2 pada suhu kamar.
 20XX

Hasil Penelitian
◦ Gambar 4 a,b masing-masing menunjukkan plot energi 2 vs.
foton untuk film tipis epi-ITO anil vakum dan anil O2. Gambar
4c menunjukkan Eg film tipis epi-ITO sebagai fungsi suhu yang
diperoleh dari spektrum. Perhatikan bahwa kedua sampel
menunjukkan penurunan Eg secara sistematis dengan
meningkatnya suhu.
Gambar 4. Sifat optik suhu tinggi film tipis epi-ITO. α² vs. plot
energi foton untuk (a) anil vakum dan (b) film tipis epi-ITO anil O2
yang diperoleh dari spektrum elipsometri pada suhu tinggi hingga
800 °C. Garis hitam menunjukkan ekstrapolasi linier dari
Sample Footer Text spektrum α² pada 25 °C dan 800 °C. (c) Energi celah optik film
tipis epi-ITO anil vakum dan anil O2 sebagai fungsi suhu. Garis
biru dan hijau adalah kurva cocok dari film tipis epi-ITO anil
vakum dan anil O2.
8
Hasil Penelitian
◦ Ketika film tipis epi-ITO anil vakum ditempatkan di bawah lingkungan
vakum (Gbr. 5a), Eg-nya menunjukkan ketergantungan suhu yang
identik selama siklus pemanasan dan pendinginan. Namun, ketika
sampel berada di bawah lingkungan oksigen (Gbr. 5b), Eg-nya
berkurang secara signifikan pada sekitar 300 °C selama proses
pemanasan, dan Eg-nya menjadi sekitar 0,23 eV lebih kecil dari Eg
awal setelah didinginkan hingga suhu kamar. Pengamatan ini
menunjukkan bahwa paparan suhu tinggi di atas 300 °C mengoksidasi
film tipis epi-ITO dan mengurangi pembawa elektron bebas.
◦ Sebaliknya, ketika film tipis epi-ITO anil O2 terletak di bawah kondisi
vakum, Eg-nya pada suhu kamar meningkat sekitar 0,24 eV setelah
siklus pemanasan dan pendinginan (Gbr. 5c) sedangkan Eg-nya tidak
berubah setelah siklus termal di bawah lingkungan O2 (Gbr. 5d). Gambar 5. Energi celah optik film tipis epi-ITO selama proses
Perhatikan bahwa perubahan Eg bersifat reversibel (bandingkan oksidasi dan reduksi. Film tipis epi-ITO yang divakumkan diekspos
ke (a) vakum dan (b) oksigen selama siklus termal. Film tipis epi-
Gambar 5b dengan Gambar 5c), yang berarti bahwa energi potensial ITO anil O2 terkena (c) vakum dan (d) oksigen selama siklus
oksidasi dan reduksi dari lapisan tipis ITO sangat rendah sehingga termal. Panah merah dan biru menunjukkan arah proses
pemanasan dan pendinginan, masing-masing.
proses oksidasi dan reduksi terjadi dengan cepat pada suhu tinggi.
 Kesimpulan

• Film tipis a-ITO mengalami transisi fase dari amorf ke polikristalin di atas 200 °C, dan Eg-nya meningkat selama
transisi karena meningkatnya pembawa bebas.
• Film tipis poli-ITO dan epi-ITO menunjukkan penurunan Eg dengan meningkatnya suhu karena interaksi elektron-
fonon.
• Proses oksidasi dan reduksi terjadi secara reversibel pada suhu tinggi tergantung pada tekanan parsial oksigen.
• Semua film tipis ITO menunjukkan Eg lebih tinggi dari 3,5 eV hingga 800 °C meskipun berbagai perubahan dalam
struktur elektroniknya, menunjukkan bahwa film tipis ITO memiliki transparansi optik yang kuat untuk aplikasi
perangkat suhu tinggi.

20XX
Terima Kasih
Aidha Ratna Fajarini Sidik
aidharfrs@gmail.com