Bab 2 Sambungan PN dan

Dioda
By : M. Ramdhani
 Tujuan instuksional :
• Memahami komponen semikonduktor
berbasis sambungan PN
• Memahami prinsip kerja dioda
• Memahami batasan daerah operasi dioda
• Mengetahui rangkaian pengganti dioda
Proses terjadinya sambungan PN

Atom – atom Atom – atom

akseptor donor

do g
pin pi n
g do

Kristal tunggal semikonduktor

Hasil sambungan semikonduktor PN
Semikonduktor Semikonduktor
tipe P tipe N

Persambungan/
Ion akseptor junction Ion donor

- - - - - + + + + +
+ + + + - - - -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -

hole Daerah deplesi elektron

 Persambungan/
Ion akseptor junction Ion donor

- - - - - + + + + +
+ + + + - - - -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -

hole Daerah deplesi elektron

• Penggabungan (recombination) disekitar junction  elektron dan

hole lenyap (tidak ada pembawa muatan)  daerah deplesi (daerah
pengosongan).
• Difusi elektron ke arah P dan difusi hole ke arah N  arus difusi
(arus akibat adanya perbedaan jumlah elektron dan hole ) ke kanan
• Hilangnya elektron meninggalkan ion donor (ion positif) dan
hilangnya hole meninggalkan ion akseptor (ion negatif)
mengakibatkan medan listrik  tegangan penghalang / barrier
potential (Vo)  arus drift ke kiri
• Terjadi keseimbangan antara arus difusi dan arus drift.
Sambungan PN dengan No Bias (Tanpa
Prategangan) VD = 0
Persambungan/
Ion akseptor junction Ion donor

- - - - - - + + + + + +
+ + + + - - - -
- + - + - + - + - - + + + - + - + - + -
- + - + - + - + - - + + + - + - + - + -

hole Daerah deplesi elektron

I D  0mA
+ -
VD  0Volt
Sambungan PN dengan Forward Bias
(Prategangan Maju) VD > 0
IS
I mayoritas

- - - - - + + + + +
+ + + + + - - - - -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -
- + - + - + - + - + + - + - + - + -

Daerah deplesi

VD
I D  I mayoritas  I S
P N
VD VD
Sambungan PN dengan Reverse Bias
(Prategangan Mundur) VD < 0
IS
I mayoritas  0
- - - - - - - + + + + + + +
- + + + + - - - - +
- + - + - + - + - - - + + + + - + - + - + -
- + - + - + - + - - - + + + + - + - + - + -

Daerah deplesi

IS

VD
P N
VD VD
 Karakateristik Arus dan Tegangan
kVD
Tk
I D  I s (e  1)
• Potensial prategangan maju maksimum yang menghasilkan
perubahan arus disebut potensial Treshold (cut-in)  VT
• Potensial prategangan mundur yang menghasilkan perubahan
karakteristik secara drastis disebut potensial zener (Vz).
• Potensial maksimum dari prategangan mundur sebelum
masuk daerah zener disebut peak inverse voltage (PIV) atau
peak reverse voltage (PRV).  tegangan maksimum yang bisa
ditahan sebuah dioda
 Pemodelan Dioda
• Ideal

ID (mA)

VD
ID

VT VD
• Simplified
ID (mA)
VD
ID

VT

VT VD
• Piecewise linier
VD
ID

ID (mA)

VT rav
rav

VT VD
 Konvensi Simbol

a
 10V
a
+10 V b
identik
b
 Konvensi Simbol
a

 10V
a +10 V b
identik
b
Latihan