1

PENGUAT FREKUENSI TINGGI

dengan parameter S

2
Agenda:
Model penguat
Definisi parameter s dan konversi dari parameter y, z, h ke
parameter s
Definisi faktor-faktor penguatan
Kemantapan penguat RF
Lingkaran/daerah kemantapan penguat pada Smith Cart
Perancangan Penguat dengan Gain Maksimum
Perancangan Penguat dengan Operating Power Gain
Ditentukan
Perancangan Penguat dengan Available Power Gain
Ditentukan
Perancangan Penguat dengan VSWR Ditentukan
Perancangan Penguat dengan Noise Figure Ditentukan









3
MODEL SISTEM
(LINIER)
KUTUB-4:
PENGUAT
FILTER
FREK KONVERTER
RECEIVER
50 O 50 O
4
Penguat frekuensi tinggi SATU TAHAP dapat dimodelkan sebagai berikut :

Komponen Aktif
Eg
Zg
IMC
in
IMC
out
Transistor
ZL
Sumber sinyal/
tahap sebelumnya
beban/tahap
berikutnya
Impedance Matching
Circuit input/output
Tampak bahwa sistem dapat dipandang sebagai hubungan kaskade
dari kutub-4, sehingga pada umumnya metoda analisis yang dapat
digunakan untuk mempelajari perilaku suatu penguat adalah dengan
menggunakan parameter satu kutub empat.

V2
V1 Kutub 4
I1 I2
Parameter Kutub 4 :
1. Parameter Z, Y, H, ABCD
(frekuensi rendah)
2. Parameter S (frekuensi rendah
sampai tinggi)

5
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
.
h h
h h

V i
i
Parameter H
Parameter ABCD
(

=
(

2
2
1
1
i -
V
.
D C
B A

i
V
Parameter-parameter tersebut diatas mudah diukur pada frekuensi
rendah, karena pengukurannya membutuhkan BEBAN HUBUNG
SINGKAT dan/atau BEBAN TERBUKA, yang mudah diperoleh pada
frekuensi RENDAH.
Pada frekuensi tinggi, parameter Z(impedansi), H(hybrid),
Y(admitansi) atau ABCD sangat sulit (tidak mungkin) DIUKUR,
karena :
1. Penggunaan beban terbuka/tertutup (hubung singkat) dapat
menyebabkan komponen aktif yang digunakan tidak stabil
(OSILASI)
2. Pada frekuensi tinggi sulit memperoleh beban
TERBUKA/TERTUTUP dengan range bidang frekuensi yang lebar
(wilayah operasi frekuensi yang lebar)
Parameter Z
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
i
i
.
Z Z
Z Z

V
V
Parameter Y
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
V
V
.
Y Y
Y Y

i
i
6
Maka digunakan Parameter S (Scattering Parameter):
datang gelombang
Zoi
Vi
i a = =
+
pantul gelombang
Zoi
-
Vi
i b = =
Gambar a
i
dan b
i
Signal flow graph

Dimana: i = 1(port 1) atau 2 (port 2)

7
(

=
(

2
1
22 21
12 11
2
1
a
a
.
S S
S S

b
b

a
b
0 a
1
1
2
i 11
S S
=
= =
koefisien refleksi masukan dengan keluaran
K-4 ditutup beban sesuai (match)

a
b
0 a
1
2
2
f 21
S S
=
= =
koefisien transmisi maju dengan keluaran
K-4 ditutup beban sesuai

a
b
0 a
2
2
1
o 22
S S
=
= =
koefisien refleksi keluaran dengan masukan
K-4 ditutup beban sesuai

a
b
0 a
2
1
1
r 12
S S
=
= =
koefisien transmisi balik dengan masukan
K-4 ditutup beban sesuai
Zo2 Zo1
b1
"Parameter S"
a1 a2
b2
V2 V1
8
Hubungan parameter s dan parameter y
9
Hubungan parameter s dan parameter z
10
Hubungan parameter s dan parameter h
11
Denormalisasi parameter h, y dan z
12
APROXIMATE CONVERSION FORMULAS
(parameter hybrid, dari Common base/collector ke common emitor)
Common
emitter
Common base Common
collector
h
ie
h
ic

h
re
1 - h
rc
h
fe
(1 h
fc
)
h
oe
h
oc
fb
ib
h
h
+ 1
rb
fb
ib ob
h
h
h h

+ 1
fb
fb
h
h
+

1
fb
ob
h
h
+ 1
13
FAKTOR PENGUATAN PENGUAT RF
IL IOUT IIN IS
a1
b1
Es
Zg
IMC
in
ZL
IMC
out
a2
b2
PAVS
PIN PAVN
PL
Faktor Penguatan :
1. Transducer Power Gain (GT)

sinyal sumber pada tersedia yang Daya
beban ke diberikan yang Daya

P
P
G
AVS
L
T = =

2. Operating Power Gain (GP)

r transisto ke diberikan yang Daya
beban ke diberikan yang Daya

P
P
G
IN
L
P = =

3. Available Power Gain (GA)

sinyal sumber pada tersedia yang Daya
r transisto dari tersedia Daya

P
P
G
AVS
AVN
A = =
14
L 22.
L 21. 12.
11 IN
1
1
IN
1
L 22.
L 21. 12
1 11 2 L 12 1 11 1
L 22
1 21
2 L 22 1 21 2
2 L 2
2
2
L
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1
S - 1
S S
S
b

.
S - 1
.S S
+ . S = .b . S + . S = b
S - 1
. S
= .b . S + . S = b

.b
b
. S . S b
. S . S b
a
a a a
a
a
a
a

a a
a a
I
I
+ = I = I
I
I
I
I
I

I = =
+ =
+ =
I
2
2
OUT
a
b
0 Es =
= I
E
S
= 0 a
1
= I
S
.b
1

b
1
= S
11
.I
S
.b
1
+ S
12
.a
2


S 11
2 12
1
. S - 1
. S
b
a
I
=
IL IOUT IIN IS
a1
b1
Es
Zg
IMC
in
ZL
IMC
out
a2
b2
PAVS
PIN PAVN
PL
15
P
IN
= |a
1
|
2
- |b
1
|
2
= |a
1
|
2
.( 1 - |
IN
|
2
)
b
2
= S
21
.I
S
.b
1
+ S
22
.a
2
=
2 22 2
S 11
S 21. 12
a a . S
. S - 1
.S S
+
I
I
S 11
S 21 12
22
2
2
OUT
. S - 1
. .S S
S
a
b
0 Es
I
I
+ =
=
= I
IL IOUT IIN IS
a1
b1
Es
Zg
IMC
in
ZL
IMC
out
a2
b2
PAVS
PIN PAVN
PL
16
IS
V1
bS
aS
b1
a1
IIN I1
ZS
ES
RANGKAIAN MASUKAN :
V
1
= E
S
+ I
1
.Z
S

Bila :
O
1
1
Z
-
V
a =
O
1
1
Z
V
b
+
=
O S
O S
S
Z Z
Z E
b
+
=
O S
O S
S
Z Z
Z - Z

+
= I

- 1
bs

. s. bs

. b
.b b
IN S
1
1 IN 1
1 IN 1
1 S S 1
a
a a
a
a
I I
=
I I + =

)
`

I =
I + =
2
IN S
2
IN
2
S
2
1
IN
. - 1
- 1
. b P
I I
I
=
Daya yang tersedia pada sumber sinyal (PAVS) = Daya masukan transistor (PIN), bila
IIN = IS*, sehingga :
2
S
2
S
2
1
IN
S IN
AVS
1
b
P
*
P
I
=
I = I
=
( ) ( )
2
IN S
2
IN
2
S
AVS IN
. - 1
- 1 . - 1
. P P
I I
I I
=
atau P
IN
= P
AVS
. M
S
dimana: ( ) ( )
2
IN S
2
IN
2
S
S
. - 1
- 1 . - 1
M
I I
I I
=
17
RANGKAIAN KELUARAN :
IOUT
IL
VL
bTH
aTH
b2
a2
IL
ZOUT
ETH
ZL
V
L
= E
TH
I
L
. Z
OUT

Bila :
O
L
2
Z
-
V
b = O
L
2
Z
V
a
+
=
O OUT
O TH
TH
Z Z
Z E
b
+
=
O OUT
O OUT
OUT
Z Z
Z - Z

+
= I
b
2
= b
TH
+ I
OUT
.I
L
.b
2
dimana I
L
. b
2
= a
2

L OUT
TH
2
. - 1
b
b
I I
=
Daya yang diberikan ke BEBAN :
) - (1 . b - b P
2
L
2
2
2
1
2
2
2
1
2
2
2
1
L a I = =
2
L OUT
2
L
2
TH
2
1
L
1
- 1
. b P
I I
I
=
Daya tersedia dari Kutub-4:
PAVN = PL, bila IL = IOUT*
2
OUT
2
TH
2
1
L
OUT L
AVN
1
b
P
*
P
I
=
I = I
=
( ) ( )
2
L OUT
2
OUT
2
L
AVN L
. - 1
- 1 . - 1
. P P
I I
I I
=
atau P
L
= P
AVN
. ML dimana
( ) ( )
2
L OUT
2
OUT
2
L
L
. - 1
- 1 . - 1
M
I I
I I
=
18
OPERATING POWER GAIN (GP)
) - (1 . a
) - (1 . b

P
P
G
2
IN
2
1
2
1
2
L
2
2
2
1
IN
L
P
I
I
= =
L 22
1 21
2
r . S - 1
. S
b
a
=

2
L 22
2
L
2
21
2
IN
P
. S 1
- 1
S
- 1
1
G
I
I
I
=
TRANSDUCER POWER GAIN
.M G
P
P
. G
P
P
.
P
P

P
P
G S P
AVS
IN
P
AVS
IN
IN
L
AVS
L
T = = = = =
2
L 22
2
L
2
21
2
IN S
2
S
. S 1
- 1
S
1
- 1

. - I
I I
I I
atau
2
L OUT
2
L
2
21
2
S 11
2
S
T
. 1
- 1
S
. S 1
- 1
G
- I I
I
I
I
=
AVAILABLE POWER GAIN

M
G

P
P
.
P
P

P
P
G
L
T
L
AVN
AVS
L
AVS
AVN
A = = =
2
OUT
2
21
2
S 11
2
S
A
1
1
S
. S 1
- 1
G
- I I
I
=
19
Contoh soal:
Transistor microwave mempunyai parameter S pada 10 GHz, dengan
impedansi referensi (Z
O
) 50 O sbb.:
S
11
=0,45 <150
0
S
12
=0,01 <-10
0
S
21
=2,05 <10
0
S
22
=0,40 <-150
0
Jika digunakan hambatan sumber Z
S
=20 O dan Hambatan beban sebesar
Z
L
=30 O, hitunglah Operating power Gain, Available Power Gain, dan
Transducer Power Gain!

2
L 22
2
L
2
21
2
IN
P
. S 1
- 1
S
- 1
1
G
I
I
I
=
2
L 22
2
L
2
21
2
IN S
2
S
T
. S 1
- 1
S
1
- 1
G
. -
I
I I
=
I I
2
OUT
2
21
2
S 11
2
S
A
1
1
S
. S 1
- 1
G
- I I
I
=
L 22.
L 21. 12.
11 IN
S - 1
S S
S
I
I
+ = I
S 11
S 21 12
22 OUT
. S - 1
. .S S
S
I
I
+ = I
O S
O S
S
Z Z
Z - Z

+
= I
O OUT
O OUT
L
Z Z
Z - Z

+
= I
Penyelesaian

impedansi referensi (Z
O
) 50 O sbb.:
S
11
=0,45 <150
0
S
12
=0,01 <-10
0
S
21
=2,05 <10
0
S
22
=0,40 <-150
0
hambatan sumber Z
S
= 20 O
hambatan beban Z
L
= 30 O,
Solusi: I
S
=-0.429, I
L
=-0.250

20
49 . 5
85 . 5
94 . 5
151 408 . 0 dan 150 455 . 0
0
OUT
0
IN
=
=
=
Z = I Z = I
T
A
P
G
G
G
21
VSWR MASUKAN
ZIN(IIN)
Za
(Ia)
ZS
(IS)
Ei
Zi=Zo
IMC
in
PAVS PIN
a 1
a 1
VSWRIN
I
I +
=
O
O
Z Za
Z - Za
a
+
= I
) a - (1 M
.M P P
) a - .(1 P P 2
S
S AVS IN
2
AVS IN
I =
)
`

=
I =

- 1
* -
a
- 1
) - (1 . ) - (1
- 1 a

- 1
) - (1 . ) - (1
M
M - 1 a
S IN
S IN
2
IN S
2
IN
2
S
2
IN S
2
IN
2
S
S
S
I I
I I
= I
I I
I I
= I

I I
I I
=
= I
22
Contoh soal:
ZIN(IIN)
Za
(Ia)
ZS
(IS)
Ei
Zi=50
IMC
in
PAVS PIN
I
S
= 0,614 <160
I
IN
= 0,4 <-145
Hitunglah : a. |Ia| (0.326)
b. VSWR
IN
(1.985)
23
VSWR KELUARAN
ZL
(IL)
ZOUT
(IOUT)
ZL=Zo
IMC
out
PAVN
PL
Zb
(Ib)
PL = P
AVN
. ML
b
b
1
1
VSWROUT
I
I +
=
O
O
Z Zb
Z - Zb
b
+
= I

- 1
* -

- 1
) - (1 . ) - (1
- 1

- 1
) - (1 . ) - (1
M
M - 1
L OUT
L OUT
2
L OUT
2
OUT
2
L
2
L OUT
2
OUT
2
L
L
L
b
b
b
I I
I I
= I
I I
I I
= I

I I
I I
=
= I
24
KEMANTAPAN PENGUAT RF
1. Mantap tanpa syarat (Unconditionally Stable)
Suatu penguat dinyatakan MANTAP TANPA SYARAT, bila terpenuhi IIN< 1
dan IOUT< 1; untuk SEMUA harga impedansi sumber dan beban PASIF
(IS< 1 dan IL< 1)
2. Mantap bersyarat (Conditionally Stable, Potentially Unstable)
Suatu penguat dinyatakan MANTAP BERSYARAT, bila terpenuhi IIN< 1
dan IOUT< 1; untuk SEJUMLAH harga impedansi sumber dan beban PASIF
OSILASI terjadi pada penguat, jika pada terminal masukan atau keluarannya, terdapat
RESISTANSI NEGATIF, yaitu bila IIN> 1 atau IOUT> 1.
Sebagai contoh, jika impedansi masukan : ZIN = - RIN + jXIN
(-RIN = resistansi negatif)
1
X ) R - Z (
X ) Z (R

Z jX R -
Z - jX R -

2
1
2
IN
2
IN O
2
IN
2
O IN
O IN IN
O IN IN
IN >
+
+ +
=
+ +
+
= I
) X j(X ) R - (R
E
I
S IN IN S
S
+ +
=
IL IOUT IIN IS
Es
Z
S
ZL
Zout
Zin
25
Pada satu frekuensi tertentu bisa terjadi :
=
)
`

= +
=
I
0 X X
0 R R
S IN
IN S
Berdasarkan kepada koefisien refleksi, penguat yang MANTAP TANPA SYARAT
akan terpenuhi bila :
1. IS< 1
2. IL< 1 1
. S - 1
. .S S
S
L 22
L 21 12
11 IN <
I
I
+ = I
1
. S - 1
. .S S
S
S 11
S 21 12
22 OUT <
I
I
+ = I
4. .
Pada penguat MANTAP BERSYARAT, hargaISdanILyang memberikan kemantapan
dapat ditentukan dengan menggunakan PROSEDUR GRAFIS pada SMITH CHART.
Tempat kedudukan IS dan IL yang menghasilkan IOUT=1 dan IIN=1 ditentukan dulu :
1
. S - 1
. .S S
S
L 22
L 21 12
11 IN =
I
I
+ = I
21 12 22 11
2 2
22
21 12
2 2
22
11 22
L .S S - .S S dimana
- S
.S S

- S
* *) .S - (S
- = A
A
=
A
A
I
3. .
26
Persamaan diatas merupakan persamaan lingkaran beban



(tempat kedudukan IL untukIIN=1):

A
A
=

A
=
lingkaran pusat titik
- S
* *) .S - (S
C
jari - jari
- S
.S S
R
2 2
22
11 22
L
2 2
22
21 12
L
Z=
1 IN = I
Smith Chart
CL
CL
L R
Lingkaran Kemantapan
Beban
Bagaimana menentukan daerah IL yang
MANTAP ?
Jika
11 IN
O L
O L
L O L S 0
Z Z
Z - Z
Z Z = I =
+
= I =
27
Z= Z=0
1 IN = I
Smith Chart
CL
CL
L R
Lingkaran Kemantapan
Beban
Pusat Smith Chart
1 IN > I
daerah tidak mantap
1 IN < I
Daerah yang diarsir adalah
daerah MANTAP IL
1 S 11 <
Jadi bilaS11< 1, makaIIN< 1, untuk IL = 0 (Z
L
=Z
O
)

daerah yang mengandung titik pusat Smith Chart adalah daerah mantap
28
1 IN = I
Smith Chart
CL
L R
Lingkaran Kemantapan
Beban
1 IN < I
Daerah mantap
L C
1 S11 >
Jadi jikaS11> 1, makaIIN> 1 untuk IL = 0 (Z
L
=Z
O
)

daerah yang mengandung titik pusat Smith Chart adalah daerah tidak mantap
29
Figure 11-5 (p. 544)
Microwave Engineering, 3
rd
Edition, by David M Pozar
Load (Output) stability circles for a conditionally stable device.
(a) |S
11
| < 1. (b) |S
11
| > 1.
30
Persamaan diatas merupakan persamaan
lingkaran sumber (tempat kedudukan IS
untukIOUT=1):

A
A
=

A
=
lingkaran pusat titik
- S
* *) .S - (S
C
jari - jari
- S
.S S
R
2 2
11
22 11
S
2 2
11
21 12
S
1 OUT = I
Smith Chart
1 OUT > I
Daerah arsiran adalah
daerah mantap IS
1 S 2 2 <
S C
CS
S R
1 OUT < I
1
. S - 1
. .S S
S
S 11
S 21 12
22 OUT =
I
I
+ = I
21 12 22 11
2 2
11
21 12
2 2
11
22 11
S .S S - .S S : dimana
- S
.S S

- S
* *) .S - (S
- = A
A
=
A
A
I
31
1 OUT = I
Smith Chart
Lingkaran
Kemantapan Sumber
1 OUT < I
daerah mantap IS
1 S 2 2 >
S C
CS
S R
1 OUT > I
32
Kondisi mantap TANPA SYARAT untuk semua sumber atau beban
dapat ditulis dengan :

1 S untuk 1 - C 11 L L < > R
Smith Chart
1 S 1 1 <
L C
CL
L R
L L C R >
33
Smith Chart
1 S 2 2 <
S C
CS
S R
1 S untuk 1 - C 22 S S < > R
34
FAKTOR KEMANTAPAN K
21 12 22 11
21 12
2 2
22
2
11
.S S - .S S dimana 1
.S S 2
S - S - 1
K = A >
A +
=
21 12
2
11 .S S S - 1 >
21 12
2
22 .S S S - 1 >
kondisi cukup dan perlu untuk memperoleh KEMANTAPAN TANPA SYARAT :
1 K >
21 12
2
11 .S S S - 1 > 1 S11 <
1 S22 <
21 12
2
22 .S S S - 1 >
atau cukup dengan :
1 K >
dan
1 < A
35

KONDISI TIDAK MANTAP KONDISI MANTAP TANPA SYARAT :
1. dengan pembebanan resistif
R
R
R
R
2. dengan umpan balik
R
R
36
Latihan soal:
1. Suatu transistor jenis GaAs MESFET dengan parameter s, diukur pada V
ds
=
5 V dan I
ds
= 40 mA, f = 9 GHz, referensi 50 ohm:
S
11
=0,65 <-154
0
S
12
=0,02 <40
0
S
21
=2,04 <185
0
S
22
=0,55 <-30
0

s
= 0,38 <25
0
Tentukan:
1. factor Delta (0,332 < 171
0
)
2. Faktor stabilitas K (4,72)
3. Koefisien refleksi keluaran
out
(0,56 < -40,7
0
)
4. GA (Available Power Gain) (6,94dB)

Ref: Microwave Circuit Analysis & Amplifier Design, by Samuel Y.Liao, Exp. 3-4-2.




37
Latihan soal: (lanjutan)
2. Parameter S untuk HP HFET-102 GaAs FET pada frekuensi 2 GHz, dicatu
dengan tegangan biasing V
gs
= 0 dengan Z
0
=50 O sebagai berikut:
S
11
=0.894 <-60.6
0
S
12
=0,020 <62.4
0
S
21
=3.122 <123.6
0
S
22
=0,781 <-27.6
0
Tentukan kestabilan transistor tersebut dengan menghitung K dan A, kemudian
plot-kan daerah kestabilannya !

Solusi: A = 0.696 < -83
0
K = 0,607 potentially unstable
C
L
= 1.363<47
0
R
L
= 0.50
C
S
= 1.132<68
0
R
S
= 0.199

Ref: Microwave Engineering, 2
nd
Edition, by David M Pozar, Exp 11.2
38
Plot lingkaran
kestabilan sumber
dan beban
39
PERANCANGAN UNTUK GAIN MAKSIMUM (CONJUGATE MATCHING)
Jika dipilih :
maksimum ) (G r transduce daya penguatan diperoleh
*
*
T
L OUT
S IN
)
`

I = I
I = I
syarat transistor
mantap tanpa syarat
L 22
L 21 12
11 S
. S - 1
. .S S
S *
I
I
+ = I
S 11
S 21 12
22 L
. S - 1
. .S S
S *
I
I
+ = I
1
2
1
2
1 1
SM
C 2
C 4 - B B

= I
2
2
2
2
2 2
LM
C 2
C 4 - B B

= I
dimana :
2 2
22
2
11 1 - S - S 1 B A + =
* S . - S C 22 11 1 A =
2 2
11
2
22 2 - S - S 1 B A + =
* S . - S C 11 22 2 A =
IL IOUT IIN IS
a1
b1
Es
Zg
IMC
in
ZL
IMC
out
a2
b2
PAVS
PIN PAVN
PL
atau
2
LM 22
2
LM
2
21
2
SM
MAX T,
. S 1
- 1
S
- 1
1
G
I
I
I
= ) 1 - K - (K
S
S
G
2
12
21
MAX T, =
40
Latihan soal:
Rancanglah suatu penguat dengan gain maximum pada frekuensi 4
GHz menggunakan single-stub matching! Transistor GaAs FET
mempunyai parameter S dengan Z
0
=50 O sebagai berikut:
S
11
=0.72 <-116
0
S
12
=0,03 <57
0
S
21
=2.60 <76
0
S
22
=0,73 <-54
0

Ref: Microwave Engineering, 2
nd
Edition, by David M Pozar, Exp 11.3


Solusi:

A = 0.488 < -162
0
K = 1,195 unconditionally stable
I
SM
= 0.872 < 123
0

LM
= 0.876 < 61
0

G
T,max
= 16.7 dB

Perhatikan rangkaian penyesuai impedansi sbb:
41
Circuit design and frequency response for the transistor amplifier
of Example 11.3. (a) Smith chart for the design of the input
matching network.
42
(b) RF circuit. (c) Frequency response.
43
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GP DITENTUKAN:
Lingkaran Gp (Operating Power Gain) Konstan
a. KASUS KEMANTAPAN TANPA SYARAT
P
.
2
21
2
L 22
2
L
2
21
2
IN
P g S
. S 1
- 1
S
- 1
1
G =
I
I
I
=
dimana:
| |

.C Re 2 - ) - S .( S - 1
- 1
g
2 L
2 2
22
2
L
2
11
2
L
P
I A I +
I
=
21 12 22 11
11 22 2
.S S - .S S
.S - S C
*
= A
A =

( ) { } | | ( )
2
11
P
2 L
P
2 2
22
P
2
L S - 1 g - 1 .C .Re 2.g - - S . g 1 - = I A + I
) - S ( g 1
) S - 1 ( g - 1

) - S ( g 1
* . * .C g
-
) - S ( g 1
. .C g
-
2 2
22
P
2
11
P
2 2
22
P
L 2
P
2 2
22
P
L 2
P
2
L
A +
=
A +
I
A +
I
I
titik pusat lingkaran :
) - S ( g 1
* .C g
C
2 2
22
P
2
P
P
A +
=
jari-jari lingkaran :
{ }
) - S .( g 1
g . .S S .g .S S 2K. - 1
R
2 2
22
P
2
1
2
P
2
21 12
P
21 12
P
A +
+
=
44
G
P
maksimum terjadi pada RP = 0; artinya :
g
P,MAX
. |S12.S21| 2K.|S12.S21|.g
P,MAX
+ 1 = 0
( )
2
21
MAX P, 2
21 12
S
G
1 - K - K
.S S
1
g
MAX P,
= =
sehingga
( ) 1 - K - K
S
S
G
2
12
21
MAX P,
=
Prosedur menggunakan lingkaran GP konstan :
1) Untuk GP yang ditentukan, hitung titik pusat dan jari-jari lingkaran GP konstan
2) Pilih L yang diinginkan (di lingkaran tersebut)
3) Dengan L tersebut, daya keluaran maksimum diperoleh dengan
melakukan conjugate match pada masukan, yaitu S = IN
*
S ini akan memberikan GT = GP
o
22
o
12
o
21
o
11
95,7 - 0,572 S 16,3 0,057 S Hz) 6 (f
28,5 2,058 S 171,3 - 0,641 S Transistor : Contoh
Z = Z = =
Z = Z =
G
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 9 dB
Ref: Gonzalez, Guillermo; Microwaves Transistor Amplifier: Analysis & Design; Prentice Hall, 1984
45
Solusi
0,3014 = A
K = 1,504 mantap tanpa syarat
1,875
4,235
7,94

S
G
g 4,235 (2,058) S
2
21
P
P
2
2
21 = = = = =
o
2 103,9 - 0,3911 C Z =
R
P
= 0,431
gambar tempat kedudukan L yang memberikan GP = 9 dB
o
9 , 103
A
0
,
4
3
1
tempat kedudukan IL
yang memberikan GP =
9dB
A) (titik
47,5 0,36 pilih Kita
o
L Z = I
IS yang memberikan
daya keluar maksimum
o
S
L 22
L 21 12
11 IN S
175,51 0,629
*
S - 1
. .S S
S *
Z = I
(

I
I
+ = I = I
o
P 103,9 0,508 C
Z =
46
Latihan soal:
1. Suatu transistor jenis GaAs MESFET dengan parameter s, diukur pada V
ds
=
5 V dan I
ds
= 40 mA, f = 9 GHz, referensi 50 ohm:
S
11
=0,65 <-154
0
S
12
=0,02 <40
0
S
21
=2,04 <185
0
S
22
=0,55 <-30
0
Tentukan:
1. factor Delta (0,332 < 171
0
)
2. Faktor stabilitas K (4,72)
3. Carilah I
L
dan I
S
Yang manghasilkan Gp = 10 dB !
4. Rancanglah IMC input dan IMC output-nya untuk Hambatan
sumber dan beban 50 O!

47
b. KASUS MANTAP BERSYARAT
Dengan transistor mantap bersyarat, prosedur perancangan untuk GP
tertentu adalah sebagai berikut:
1) Untuk GP yang diinginkan, gambar lingkaran GP konstan dan lingkaran
kemantapan beban. Pilih L yang berada pada daerah mantap dan tidak
terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan beban.
2) Hitung IN dan tentukan apakah conjugate match pada masukan mungkin.
Untuk itu gambar lingkaran kemantapan sumber dan periksa apakah S = IN*
terletak pada daerah mantap.
3) Jika S = IN* tidak terletak pada daerah mantap atau terletak pada daerah
mantap namun terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan sumber, pilih L yang
lain dan ulangi langkah 1) dan 2)
Catt: nilai S dan L sebaiknya tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan,
karena ketidakmantapan (OSILASI) dapat terjadi oleh variasi nilai komponen yang
digunakan sehingga L dan S masuk ke daerah tidak mantap.
o
22
o
12
o
21
o
11
100 - 0,8 S 30 0,08 S GHz) 6 (f
70 2,5 S 180 - 0,5 S Transistor : Contoh
Z = Z = =
Z = Z =
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 10 dB
Ref: Gonzalez, Guillermo; Microwaves Transistor Amplifier: Analysis & Design; Prentice Hall, 1984

48
Solusi :
0
62,12 0,223 Z = A K = 0,4 transistor mantap bersyarat

=
Z =

=
Z =
=
0,34 R
97,2 1,18 C

0,473 R
97,2 0,572 C
10dB G
L
o
L
P
o
P
P
C
L
o
2 , 97
A
Lingkaran GP = 10dB
konstan
R
P
R
L
C
P
Lingkaran kemantapan
beban
Smith Chart
49
Oleh karena |S11| < 1, daerah MANTAP berada diluar lingkaran
kemantapan BEBAN
Pilih titk A
o
L 97,2 0,1 Z = I
o
IN S 179,32 0,52 * Z = I = I
Lingkaran kemantapan sumber :
o
S 171 1,67 C Z = R
S
= 1,0
S diatas harus diperiksa apakah berada di daerah MANTAP
Daerah mantap berada di luar lingkaran kemantapan sumber S berada di
daerah mantap, maka S dapat digunakan
IL IOUT
IIN IS = IIN*
Es
Zs = 50
IMC
in
ZL
= 50
IMC
out
50
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GA DITENTUKAN:
Lingkaran Ga (Available Power Gain) Konstan
a) KASUS MANTAP TANPA SYARAT
A
.
2
21
2
S 11
2
S
2
21
2
OUT
A g S
. S 1
- 1
S
- 1
1
G =
I
I
I
=
| |

.C Re 2 - ) - S .( S - 1
- 1

S
G
g
1 S
2 2
11
2
S
2
22
2
S
2
21
A
A
I A I +
I
= =
* .S - S C 22 11 1 A =
Dengan cara yang sama seperti lingkaran GP konstan, diperoleh :
Lingkaran GA konstan :
titik pusat lingkaran :
) - S ( g 1
* .C g
C
2 2
11
A
1
A
A
A +
=
jari-jari lingkaran :
{ }
) - S ( g 1
g . .S S g .S S 2K - 1
R
2 2
11
A
2
1
2
A
2
21 12
A
21 12
A
A +
+
=
Semua S pada lingkaran, memberikan suatu GA yang diinginkan. Untuk GA tertentu,
daya keluaran maksimum diperoleh dengan L = OUT*
L ini memberikan GT = GA
51
b) KASUS MANTAP BERSYARAT
1. Untuk GA yang diinginkan, gambar lingkaran G
A
konstan dan
lingkaran kemantapan sumber. Pilih
S
yang berada di daerah
mantap dan tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan
sumber.
2. Hitung
OUT
dan periksa apakah conjugate match mungkin, untuk itu
gambar lingkaran kemantapan beban dan periksa apakah
L
=
OUT
*
berada di daerah mantap.
3. Jika
L
=
OUT
* tidak berada pada daerah mantap atau terlalu dekat
dengan lingkaran kemantapan beban, pilih
S
(atau G
A
) yang lain dan
ulangi langkah 1) dan 2).
Catt: nilai S dan L sebaiknya tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan,
karena ketidakmantapan (OSILASI) dapat terjadi oleh variasi nilai komponen yang
digunakan sehingga L dan S masuk ke daerah tidak mantap.
52
Latihan soal:

o
22
o
12
o
21
o
11
100 - 0,8 S 30 0,08 S GHz) 6 (f
70 2,5 S 180 - 0,5 S Transistor : Contoh
Z = Z = =
Z = Z =
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GA = 10 dB!
Rancang pula IMC-in dan IMC-out dengan menggunakan stub paralel-open circuit!
53
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN VSWR DITENTUKAN:
VSWR
IN
konstan
IIN
Za
(Ia) IS
E1
Zi=50
IMC
in
konstan VSWR lingkaran diturunkan dapat

. - 1
* -
a
a - 1
a 1
VSWR
IN
S IN
S IN
IN

I I
I I
= I
I
I +
=
54
Lingkaran VSWR
IN
konstan :
titik pusat lingkaran :
2
IN
2
IN
a. 1
) a - (1 . *
Cvi
I I
I I
=
jari-jari lingkaran :
2
IN
2
IN
a. 1
) - (1 . a
Rvi
I I
I I
=
Pada kasus mantap tanpa syarat dan beberapa kasus mantap bersyarat,
S dapat dipilih =IN* ; untuk memperoleh VSWRIN = 1.
Bila VSWRIN = 1

=
I =
= I
0 Rvi
* Cvi
0 a
IN
Jadi S = IN* memberikan
0 a = I VSWRIN = 1
55
VSWR
out
konstan
DENGAN CARA YANG SAMA :

. - 1
* -

- 1
1
VSWR
L OUT
L OUT
OUT
b
b
b
I I
I I
= I
I
I +
=
Lingkaran VSWR
OUT
konstan :
titik pusat lingkaran :
2
OUT
2
OUT
. 1
) - (1 . *
Cvo
b
b
I I
I I
=
jari-jari lingkaran :
2
OUT
2
OUT
. 1
) - (1 .
Rvo
b
b
I I
I I
=
56
Lingkaran Noise figure/Faktor Derau Konstan:
( )
2 2
S
2
S
MIN
opt 1 . - 1
opt - n 4
F F
r
I + I
I I
+ =
dimana: F
MIN
= faktor derau minimum komponen aktif
rn = equivalent normalized noise resistance (= R
N
/Z
O
)

opt
= koefisien refleksi sumber yang dapat menghasilkan faktor
derau minimum
IL IOUT IIN IS = IIN*
Es
Zs = Zo
IMC
in
ZL
= Zo
IMC
out
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN NOISE FIGURE DITENTUKAN:
57
Ambil satu harga F = Fi
2 MIN
2
S
2
S
opt 1 .
n 4
F - Fi

- 1
opt -
r
I + =
I
I I
= = I + = Ni konstan opt 1 .
n 4
F - Fi
Ni
2 MIN
r

- 1
opt -
2
S
2
S
I
I I
(S - opt).(S* - opt) = Ni Ni |S|
|S|.(1 + Ni) 2Re[S.opt*] + |opt| = Ni
| |
Ni 1
Ni

Ni 1
opt
* opt . Re
Ni 1
2
-
2
S
2
S
+
=
+
I
+ I I
+
I
merupakan persamaan lingkaran di bidang S dan dapat ditulis menjadi :
( )
( )
2
2
2 2
S
Ni 1
opt - 1 Ni Ni

Ni 1
opt
-
+
I +
=
+
I
I
untuk Ni tertentu, diperoleh lingkaran faktor derau Fi konstan.
Lingkaran faktor derau:
titik pusat lingkaran :
Ni 1
opt
CFi
+
I
=
jari-jari lingkaran :
( ) opt - 1 Ni Ni
1 Ni
1
R
2
2
Fi I +
+
=
58
Contoh Soal :

Suatu transistor dengan parameter S sebagai berikut :
o
22
o
21
o o
12
MIN
o
11
67 - 0,839 S
3.5 Rn 26 1,681 S
166 0,475 opt 23 0,049 S
2,5dB F 169 0,552 S
Z =
O = Z =
Z = I Z =
= Z =
Tentukan lingkaran faktor derau Fi = 2,8dB konstan
Solusi :
2 MIN
opt 1 .
n 4
F - Fi
Ni
r
I + =
0,07
50
3,5

Z
Rn
n
O
r = = =
Fi = 2,8dB = 1,905
FMIN = 2,5 dB = 1,778
Ni = 0,1378
o
Fi 166 0,417
Ni 1
opt
C Z =
+
I
=
RFi = 0,312
o
166
Lingkaran F konstan
R
F
i
Smith Chart
0,417
= Z 0 Z=