Penguat Frekuensi Tinggi

Modul 4
PT 21 2123 23 Elektronika Komunikasi
PENGUAT FREKUENSI TINGGI dengan parameter S

Program Studi D3 Teknik Telekomunikasi Departemen Teknik Elektro - Sekolah Tinggi Teknologi Telkom Bandung 2007
Agenda:

Model M d l penguat t Definisi parameter s dan konversi dari parameter y, z, h ke parameter s Definisi faktor-faktor penguatan Kemantapan penguat RF Lingkaran/daerah kemantapan penguat pada Smith Cart Perancangan Penguat dengan Gain Maksimum Perancangan Penguat dengan Operating Power Gain Ditentukan Perancangan Penguat dengan Available Power Gain Ditentukan Perancangan Penguat dengan VSWR Ditentukan Perancangan Penguat dengan Noise Figure Ditentukan
PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
MODEL SISTEM (LINIER)
Penguat frekuensi tinggi SATU TAHAP dapat dimodelkan sebagai berikut :
Tampak bahwa sistem dapat dipandang sebagai hubungan kaskade dari kutub-4, sehingga pada umumnya metoda analisis yang dapat digunakan untuk mempelajari perilaku suatu penguat adalah dengan menggunakan parameter satu kutub empat. Parameter Kutub 4 : 1. Parameter Z, Y, H, ABCD (frekuensi rendah) 2. Parameter S (frekuensi rendah sampai i ti tinggi) i)
V Z Parameter Z = V Z
1 2
11
21
Z i . Z i
12 1 22 2
i1 Y11 Y12 V1 . Parameter Y = i2 Y21 Y22 V2
V1 h11 h12 i1 . Parameter H = i2 h21 h22 V2
V A B V . Parameter ABCD = i C D - i
1 2 1 2
Parameter-parameter tersebut diatas mudah diukur pada frekuensi rendah, karena pengukurannya membutuhkan BEBAN HUBUNG SINGKAT dan/atau BEBAN TERBUKA, yang mudah diperoleh pada frekuensi RENDAH. Pada frekuensi tinggi, parameter Z(impedansi), H(hybrid), Y(admitansi) atau ABCD sangat sulit (tidak mungkin) DIUKUR, karena : 1 Penggunaan beban terbuka/tertutup (hubung singkat) dapat 1. menyebabkan komponen aktif yang digunakan tidak stabil (OSILASI) 2. Pada frekuensi tinggi sulit memperoleh beban TERBUKA/TERTUTUP dengan range bidang frekuensi yang lebar (wilayah operasi frekuensi yang lebar) 5 PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
Maka digunakan Parameter S (Scattering Parameter):
Gambar ai dan bi
Signal flow graph
Vi ai = = gelombang l b d t datang Zoi

+
Vi bi = = gelombang pantul Zoi 6 Dimana: i = 1(port 1) atau 2 (port 2) Tinggi PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi
b 1 S 11 b 2 = S 21
S 12 a 1 . S 22 a 2
S =S =
11 i
b1 a1 a2 = 0
koefisien refleksi masukan dengan keluaran K-4 ditutup beban sesuai (match) koefisien transmisi maju dengan keluaran K 4 ditutup beban sesuai K-4 koefisien refleksi keluaran dengan g masukan K-4 ditutup beban sesuai koefisien transmisi balik dengan g masukan K-4 ditutup beban sesuai
7
S =S =
21 f
b2 a1
b2 a2
b1 a2 a1 = 0
a2 = 0
S =S =
22 o
a1 = 0
S =S =
12 r
Hubungan parameter s dan parameter y
Hubungan parameter s dan parameter z
Hubungan parameter s dan parameter h
10
Denormalisasi parameter h, y dan z
11
APROXIMATE CONVERSION FORMULAS (p parameter hybrid, y , dari Common base/collector ke common emitor) )
Common emitter
Common base
Common collector
hie hre hfe f hoe
h 1+ h
ib
hic
fb
ob ib rb
h h h 1+ h h 1+ h
fb
fb fb
1 - hrc (1 hfc f ) hoc

12
h 1+ h
ob
fb
FAKTOR PENGUATAN PENGUAT RF
Faktor Penguatan : 1. Transducer Power Gain (GT)
GT =
PL Daya yang diberikan ke beban = P AVS Daya yang tersedia pada sumber sinyal
2. Operating Power Gain (GP)
PL Daya yang diberikan ke beban GP = = P IN Daya yang diberikan ke transisto r

3. Available Power Gain (GA)
G =
A
P P
AVN AVS
Daya tersedia dari transisto r Daya yang tersedia pada sumber sinyal
13
S .a b = S .a + S . .b = 1- S b = S . a + S .a S .S b = S .a + S .a b = S .a + S . .b = S .a + .a 1- S a = a = .b b S S b = =S + a 1- S
21 1 2 21 1 22 L 2 1 11 1 12 2 22 L 12 21. L 2 21 1 22 2 1 11 1 12 L 2 11 1 2 22. L L 2 L 2 1 12 12. 21 21. L 2 IN IN 11 1 22. L
OUT
b ES = 0 a1 = S.b1 = a Es = 0
2 2
S .a b1 = S11.S.b1 + S12.a2 b = 1 S . PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

12 2 1 11
14
b2 = S21.S.b1 + S22.a2 =
S12.S21.S a2 + S22.a2 1 - S11.S

12 21 S
OUT
b S .S . = =S + a Es = 0 1 - S .
2 22 2 11
PIN = |a1|2 - |b1|2 = |a1|2.( ( 1 - |IN|2 )

15
RANGKAIAN MASUKAN : V1 = ES + I1.ZS V 1Bila : a 1 = ZO

bS =
S
b1 =
V1+ ZO
S O
Z -Z = Z +Z a = bs + s. . a a = b + .b bs a = b = .a 1- 1- P = b . 1 - .
E S ZO ZS + Z O
S S O
1 S 1 1 IN 1 IN 1 1
IN
IN
1 2
IN
IN
Daya yang tersedia pada sumber sinyal (PAVS) = Daya masukan transistor (PIN), bila
IN = S*, sehingga :
AVS
b =P = * = 1
1 2 S IN IN S
2 S
P =P
IN
S
AVS
( 1 - ). (1 - ) .
2 2 S IN
atau PIN = PAVS . MS
dimana:
M =
(1 - ). (1 - )
2 2 S IN
1 - .
S
2
IN
S IN PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
1 - .
16
RANGKAIN KELUARAN :
VL = ETH IL . ZOUT Bila :
b2 =
b TH
V L-
a2 =
V L+ ZO
OUT
ZO
E TH Z O = Z OUT + Z O
2
TH
OUT
b2 = bTH + OUT.L.b2
dimana
L . b2 = a2
b b = 1- .
OUT
Z = Z
L
OUT
-Z +Z
O O
Daya yang diberikan ke BEBAN :
PL =
1 2
b2 -
1 2
a2 =
1 2
b2 . (1 - L )
P =
L
1 2
2 TH
1- . 1
2 L OUT
2 TH 2 OUT
2 L
Daya tersedia dari Kutub-4: PAVN = PL, bila L = OUT*

2
AVN
=P =
L L
OUT
P =P
L
AVN
( ) 1 - ). (1 - .
2 L OUT
b = * 1
1 2
atau
1 - .
OUT
M =
L
(1 - ). (1 - )
2 2 L OUT
PL = PAVN . ML
dimana
OUT PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
1 - .
2 L
17
OPERATING POWER GAIN (GP)
P G = = P
L P IN
1 2 1 2
b . (1 - ) a . (1 - )
2 2 2 L 2 2 1 IN
21 1
S .a b = 1 - S .r
2 22
1 G = 1-
P
2 IN
2
2 21
1- 1 S .
2 L 22
2 L
TRANSDUCER POWER GAIN PL P L P IN P IN GT = = . = GP . = G P.M S = P AVS P IN P AVS P AVS

atau
1- 1 - .
S S
2 IN
2 21
1- 1 S .
2 L 22
2 L
1- G = 1 - S .
2 S T 11
2 S
2 21
1- 1 .
2 L OUT
2 L
AVAILABLE POWER GAIN
P AVN P L P AVN G T GA = = . = P AVS P AVS P L ML
1- G = 1 - S .
2 S A 11
2 S
2 21
1 1
18
OUT
Contoh soal:
Transistor microwave mempunyai parameter S pada 10 GHz, dengan impedansi referensi (ZO) 50 sbb.:
S11=0,45 0,45 <150 1500 S12=0,01 <-100 S21=2,05 <100 S22=0,40 <-1500
Jika digunakan hambatan sumber ZS=20 dan Hambatan

beban sebesar ZL=30 , hitunglah Operating power Gain, Available Power Gain Gain, dan Transducer Power Gain!
Solusi: S=-0.429, L=-0.250

IN = 0.455 55150 500 da dan OUT = 0.408 08 151 5 0 GP = 5.94 G A = 5.85 GT = 5.49
19
VSWR MASUKAN
VSWR
IN
1 + a = 1 a
O O
2
P = P .(1 - a ) P = P .M
2 IN AVS IN AVS S
Za - Z Z a = Za + Z
S
M = (1 ( - a )
2 2 IN S
a = 1 - M (1 - ) . (1 - M = 1-
S 2 S S 2 S IN
2 IN
(1 - ) . (1 - a = 1 1- - * a = 1-
2 S IN IN S IN S
20
Contoh soal:
IN = 0,4 <-145
AVS IN IN IN
i=
S = 0,614 <160
Hitunglah : a.
|a|
(0.326) (1.985)
21
b. VSWRIN
VSWR KELUARAN
PL = PAVN . ML
VSWR
L
OUT
1 + b = 1 b
2 OUT
Zb - Z b = Zb + Z

O O
2 2 OUT L
b = 1 - M (1 - ) . (1 - M = 1-
2 L L 2 OUT L
(1 - ) . (1 - b = 1 1- - * b = 1-
2 OUT L OUT L OUT L
22
KEMANTAPAN PENGUAT RF
1 Mantap tanpa syarat (Unconditionally Stable) 1. Suatu penguat dinyatakan MANTAP TANPA SYARAT, bila terpenuhi IN< 1 dan OUT< 1; untuk SEMUA harga impedansi sumber dan beban PASIF (S< 1 dan L< 1) 2. Mantap bersyarat (Conditionally Stable, Potentially Unstable) Suatu penguat dinyatakan MANTAP BERSYARAT, bila terpenuhi IN< 1 dan OUT< 1; untuk SEJUMLAH harga impedansi sumber dan beban PASIF OSILASI terjadi pada penguat, jika pada terminal masukan atau keluarannya, terdapat (-RIN = resistansi negatif)
2 2 IN 2 1 2
RESISTANSI NEGATIF, yaitu bila IN> 1 atau OUT> 1. Sebagai contoh, jika impedansi masukan : ZIN = - RIN + jXIN
IN IN O IN O O
(R + Z ) + X - R + jX - Z = = - R + jX j +Z (Z - R ) + X
IN 2 IN IN O IN
>1
S
IN
Zin
ZS Es
Zout
ZL
E I= (R - R ) + j(X ( j( + X )
S IN IN S

S IN OUT L
23
Pada satu frekuensi tertentu bisa terjadi :
R S - R IN = 0 I= X IN + X S = 0
Berdasarkan kepada koefisien refleksi, penguat yang MANTAP TANPA SYARAT akan terpenuhi bila : 1. S< 1 2. L< 1 3. . OUT
S .S . =S + <1 1 - S .
12 21 S 22 11 S
4. .
S .S . =S + <1 1 - S .
12 21 L IN 11 22 L
Pada penguat MANTAP BERSYARAT, hargaSdanLyang memberikan kemantapan dapat ditentukan dengan menggunakan PROSEDUR GRAFIS pada SMITH CHART.
Tempat kedudukan S dan L yang menghasilkan OUT=1 dan IN=1 ditentukan dulu :
S .S . =S + =1 1 - S .
12 21 L IN 11 22 L
11 12 2 21 2 2 22
(S - .S *) * S .S = S - S -
22 L 2 22
dimana = S .S S - S .S S
11 22 12
21
24
Persamaan diatas merupakan persamaan lingkaran beban
(tempat kedudukan L untukIN=1):
S .S R = S - C = (S - .S *) * S -
12 2 21 L 2 22 22 11 L 2 2 22
jari - jari titik pusat lingkaran
Lingkaran Kemantapan Beban
Bagaimana menentukan daerah L yang MANTAP ?
CL
CL
Z Z=
=1
IN
Jika
Z =Z =
L O L
Z -Z =0 = S Z +Z
L O IN L O
Smith Chart
11
25
Jadi bilaS11< 1, makaIN< 1, untuk L = 0 (ZL=ZO) daerah d h yang mengandung d titik pusat t Smith S ith Chart Ch t adalah d l h daerah d h mantap t
S11 < 1
CL
=1
IN
CL
>1
IN
<1
IN
26
Jadi jikaS11> 1, makaIN> 1 untuk L = 0 (ZL=ZO) daerah yang mengandung titik pusat Smith Chart adalah daerah tidak mantap
S11 > 1
CL
=1
IN
CL
<1
IN
27
Figure 11-5 (p. 544) rd
Microwave Engineering, 3 Edition, by David M Pozar L d (Output) Load (O t t) stability t bilit circles i l for f a conditionally diti ll stable t bl device. d i (a) |S11| < 1. (b) |S11| > 1.
28
OUT
S .S . =S + = 1 - (S - .S *) * = S .S S - S - 1 - S .
12 21 S
11 22 12 2 21
22
dimana : = S .S - S .S
11 22 12
21
11
11
11
S .S Persamaan diatas merupakan persamaan R = jari - jari S - lingkaran sumber (tempat kedudukan S untukOUT=1): S *) * C = (S - .S titik pusat lingkaran S -
12 2 21 S 2 11 11 22 S 2 2 11
S22 < 1
CS
=1
OUT
R
C
S
OUT
>1
OUT
<1
29
S22 > 1
CS
OUT
=1
CS
OUT
OUT
<1
>1
30
Kondisi mantap TANPA SYARAT untuk semua sumber atau beban dapat ditulis dengan :
- R
>1
untuk
11
<1
CL
S11 < 1
CL
C >R
L
31
C - R >1
S S
untuk S < 1
22
S22 < 1
CS
CS
32
FAKTOR KEMANTAPAN K
K= 1 - S11 - S22 + 2 S12.S 21
2
2 2 2
>1
dimana = S11.S 22 - S12.S 21
1 - S 11
K >1
> S 12 .S 21
S 11 < 1
1 - S11
1 - S 22
2
> S 12 .S 21
k di i cukup kondisi k dan d perlu l untuk t k memperoleh l h KEMANTAPAN TANPA SYARAT :
> S12.S21
2
S 22 < 1
1 - S22
> S12.S21
< 1
atau cukup dengan :
dan
K >1
33
KONDISI TIDAK MANTAP KONDISI MANTAP TANPA SYARAT :

1. dengan pembebanan resistif
2. dengan umpan balik
34
Latihan soal:
1. Suatu transistor jenis GaAs MESFET dengan parameter s, diukur pada Vds = 5 V dan Ids = 40 mA, f = 9 GHz, referensi 50 ohm:
S11=0,65 0 65 <-154 < 1540 S12=0,02 <400 S21=2,04 <1850 S22=0,55 <-300 s = 0,38 <250 Tentukan: 1. factor Delta 2. Faktor stabilitas K 3. Koefisien refleksi keluaran out 4. GA (Available Power Gain)
(0,332 < 1710) (4,72) (0,56 < -40,70) (6,94dB)
Ref: Microwave Circuit Analysis & Amplifier Design, by Samuel Y.Liao, Exp. 3-4-2.
35
Latihan soal: (lanjutan)

2.
Parameter S untuk HP HFET-102 GaAs FET pada frekuensi 2 GHz, dicatu dengan tegangan biasing Vgs = 0 dengan Z0=50 sebagai berikut: S11=0.894 <-60.60
S12=0,020 <62.40 S21=3.122 <123.60 S22=0,781 <-27.60 Tentukan kestabilan transistor tersebut dengan menghitung K dan , kemudian plot-kan daerah kestabilannya ! Solusi: = 0.696 0 696 < -830 CL = 1.363<470 CS = 1.132<680 K = 0,607 0 607 potentially unstable RL = 0.50 RS = 0.199
Ref: Microwave Engineering, 2nd Edition, by David M Pozar, Exp 11.2
36
Plot lingkaran kestabilan sumber dan beban
37
PERANCANGAN UNTUK GAIN MAKSIMUM (CONJUGATE MATCHING)

syarat transistor mantap tanpa syarat
Jika dipilih :
IN = S * diperoleh penguatan daya transducer (GT) maksimum OUT = L *

L * = S 22 + S 12 .S 21 . S 1 - S 11 . S
2
S 12 .S 21 . L S * = S 11 + 1 - S 22 . L
SM =
dimana :
B1 B1 - 4 C1
2
2 C1
B1 = 1 + S11 - S22 -
2 2
LM =
2
B2 B2 2 - 4 C2 2 C2
B2 = 1 + S22 - S11 -
C1 = S11 - .S22 *
C2 = S22 - .S11 *
atau
GT, MAX =
1 1 - SM
2
S21
1 - LM
2 2
1 S22.LM
GT, MAX =
S21 S12
(K - K 2 - 1)
38
Latihan soal:
Rancanglah suatu penguat dengan gain maximum pada frekuensi 4 GHz menggunakan single-stub matching! Transistor GaAs FET mempunyai parameter S dengan Z0=50 sebagai berikut: S11=0.72 <-1160
S12=0,03 <570 S21=2.60 2 60 <760 S22=0,73 <-540
Ref: Microwave Engineering, 2nd Edition, by David M Pozar, Exp 11.3
Solusi:
= 0.488 < -1620

SM = 0.872 < 1230 GT,max = 16.7 dB
K = 1,195 unconditionally stable

LM = 0.876 < 610
Perhatikan rangkaian penyesuai impedansi sbb:
39
Circuit design and frequency response for the transistor amplifier of Example 11.3. (a) Smith chart for the design of the input matching network.
40
(b) RF circuit. (c) Frequency response.
41
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GP DITENTUKAN: Lingkaran Gp (Operating Power Gain) Konstan

a. KASUS KEMANTAPAN TANPA SYARAT
GP =
1 1 - IN
2
S 21
1 - L
2 2
2 2
1 S 22 . L
2 2
= S 21
gP
dimana:
gP =
2
1 - L
2
1 - S11 + L .( S22 - ) - 2 Re[L.C2]
C2 = S22 - .S11* = S11.S22 - S12.S21

P 11
2
L - 1 + g P . S22 -
)}- 2.g .Re[ .C ] = 1 - g (1 - S )

P L 2 2
L -
g P .C C2.L
2 2
1 + g P ( S22 - ) 1 + g P ( S22 - ) 1 + g P ( S22 - )
g P .C C2 * .L *
2 2
1 - g P (1 - S11 )
2 2
titik pusat lingkaran :
CP =
g P .C2 * 1 + g P ( S22 - )
12
jari-jari lingkaran :
RP
{ 1 - 2K. 2K S =
.S S 21 .g P + S 12 .S S 21 .g P
2 2
1 2 2
1 + g P .( S 22 - )
42
GP maksimum terjadi pada RP = 0; artinya :
gP,MAX . |S12.S21| 2K.|S12.S21|.gP,MAX + 1 = 0

g = G 1 K - K 2 - 1 = P, MAX 2 S 12 .S 21 S 21
P, MAX
sehingga
G P, MAX =
S 21 S 12
(K -
K 2 -1
Prosedur menggunakan lingkaran GP konstan : 1) Untuk GP yang ditentukan, hitung titik pusat dan jari-jari lingkaran GP konstan 2) Pilih L yang diinginkan dii i k (di lingkaran li k t tersebut) b t) 3) Dengan L tersebut, daya keluaran maksimum diperoleh dengan melakukan conjugate match pada masukan, yaitu S = IN*
S ini akan memberikan GT = GP

Contoh : Transistor (f = 6GHz) S11 = 0,641 - 171,3o S12 = 0,057 16,3o S21 = 2,058 28,5o S22 = 0,572 - 95,7o
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 9 dB

Ref: Gonzalez, Guillermo Guillermo; ; Microwaves Transistor Amplifier Amplifier: : Analysis & Design; Prentice Hall, 1984 PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
43
Solusi
= 0,3014
2
K = 1,504 ,50
p tanpa p syarat y mantap
S 21 = (2,058) 2 = 4,235 g P = C 2 = 0,3911 , - 103,9 ,

o
GP S 21
2
7,94 = 1,875 4,235
CP = 0,508 103,9o
RP = 0,431 gambar tempat kedudukan L yang memberikan GP = 9 dB
Kita pilih L = 0,36 0 3647,5 47 5o (titik A) 103,9 o
S12.S21.L S = IN * = S11 + 1 - S22L S = 0,629175,51o

44
b. KASUS MANTAP BERSYARAT Dengan transistor mantap bersyarat, prosedur perancangan untuk GP t t t adalah tertentu d l h sebagai b i berikut: b ik t 1) Untuk GP yang diinginkan, gambar lingkaran GP konstan dan lingkaran kemantapan beban. Pilih L yang berada pada daerah mantap dan tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan beban. 2) Hitung IN dan tentukan apakah conjugate match pada masukan mungkin. Untuk itu gambar lingkaran kemantapan sumber dan periksa apakah S = IN* terletak pada daerah mantap. 3) Jika S = IN* tidak terletak pada daerah mantap atau terletak pada daerah mantap namun terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan sumber, pilih L yang lain dan ulangi langkah 1) dan 2) Catt: nilai S dan L sebaiknya tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan, karena ketidakmantapan (OSILASI) dapat terjadi oleh variasi nilai komponen yang digunakan sehingga L dan S masuk ke daerah tidak mantap.
Contoh : Transistor (f = 6 GHz)
S 11 = 0,5 - 180 o S 12 = 0,08 30 o
S 21 = 2,5 70 o S 22 = 0,8 - 100 o
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GP = 10 dB

Ref: Gonzalez, Guillermo Guillermo; ; Microwaves Transistor Amplifier Amplifier: : Analysis & Design; Prentice Hall, 1984 PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi
45
= 0,223 62,12 0
K = 0,4
transistor mantap bersyarat
G P = 10dB
C P = 0,572 0 572 97,2 97 2 o R P = 0,473 C L = 1,18 97,2 o R L = 0,34
Solusi :
97,2o
46
Oleh karena | |S11| < 1, daerah MANTAP berada diluar lingkaran g kemantapan BEBAN S = IN * = 0,52 179,32 o Pilih titk A L = 0,1 97,2 o Lingkaran kemantapan sumber :
CS = 1,67 171o
S diatas harus diperiksa apakah berada di daerah MANTAP

d daerah h mantap, maka k S dapat d di digunakan k
RS = 1,0
Daerah mantap berada di luar lingkaran kemantapan sumber
berada di
47
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN GA DITENTUKAN: Lingkaran Ga (Available Power Gain) Konstan

a) KASUS MANTAP TANPA SYARAT
GA =
1 1 - OUT
2
S21
1 - S
2 2
gA =
GA S21
2
1 S11.S 2 1 - S
2 2 2
= S21 . g A
C1 = S11 - .S22 *
1 - S22 + S .( S11 - ) - 2 Re[S.C1]

2
Dengan cara yang sama seperti lingkaran GP konstan, diperoleh : Lingkaran GA konstan : g A .C1 * titik pusat lingkaran : CA = 2 2
jari-jari lingkaran
{ 1 - 2K S .S =
12
1 + g A ( S11 - )
21
g + S .S .g
2 A 12 21 2 11
2 A
1 2
1+ g ( S
A
- )
2
Semua S pada lingkaran, memberikan suatu GA yang diinginkan. Untuk GA tertentu, daya keluaran maksimum diperoleh dengan L = OUT*
L ini memberikan GT = GA
48
b) KASUS MANTAP BERSYARAT
1. Untuk GA yang diinginkan, gambar lingkaran GA konstan dan lingkaran kemantapan sumber. Pilih S yang berada di daerah mantap dan tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan sumber. 2. Hitung OUT dan periksa apakah conjugate match mungkin, untuk itu gambar lingkaran g g kemantapan p beban dan p periksa apakah p L = OUT* berada di daerah mantap. 3. Jika L = OUT* tidak berada pada daerah mantap atau terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan beban, pilih S (atau GA) yang lain dan ulangi langkah 1) dan 2).
Catt: nilai S dan L sebaiknya tidak terlalu dekat dengan lingkaran kemantapan, karena ketidakmantapan (OSILASI) dapat terjadi oleh variasi nilai komponen yang digunakan sehingga L dan S masuk ke daerah tidak mantap.
49
Latihan soal:
Contoh : Transistor (f = 6 GHz)
S 11 = 0,5 - 180 o S 12 = 0,08 30 o
S 21 = 2,5 70 o S 22 = 0,8 - 100 o
Rancanglah sebuah penguat RF yang mempunyai GA = 10 dB! Rancang pula IMC-in dan IMC-out dengan menggunakan stub paralel-open circuit!
50
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN VSWR DITENTUKAN:
VSWRIN konstan
VSWR IN =
1 + a 1 - a
a =
IN - S * 1 - IN.S
51
dapat diturunkan lingkaran VSWR IN konstan

Lingkaran VSWRIN konstan :

titik pusat lingkaran : jari-jari lingkaran :
2
Cvi =
IN *. (1- a ) 1 a.IN
2
a . (1 - ) Rvi = 1 a.
IN 2 IN
Pada kasus mantap tanpa syarat dan beberapa kasus mantap bersyarat,
S dapat dipilih =IN* ; untuk memperoleh VSWRIN = 1.

Cvi = * Bila VSWRIN = 1 a = 0 Rvi = 0
IN
Jadi S = IN* memberikan a = 0 VSWRIN = 1
52
VSWRout konstan
DENGAN CARA YANG SAMA :
OUT- L * VSWR b = OUT = 1- b 1- OUT.L

Lingkaran VSWROUT konstan : titik p pusat lingkaran g : jari-jari j j lingkaran g :
2 2
1 + b
Cvo =
OUT * . (1 - b ) 1 b . OUT
b . (1 - Rvo = 1 b.
2 OUT 2
OUT
53
PERANCANGAN PENGUAT DENGAN NOISE FIGURE DITENTUKAN:
Lingkaran Noise figure/Faktor Derau Konstan:
F = F MIN +
(1 - ).1 + opt
S 2
4 n S - opt
2 2
dimana:FMIN = faktor derau minimum komponen aktif
rn
opt
= equivalent normalized noise resistance (= RN/ZO) = koefisien refleksi sumber y yang g dapat menghasilkan g faktor derau minimum
54
Ambil satu harga F = Fi
S - opt 1 - S
2
Fi - F MIN .1 + opt 4 rn
2
S - opt Fi - FMIN 2 Ni = .1 + opt = konstan Ni = 2 4 rn 1 - S

(S - opt).(S* - opt) = Ni Ni |S| |S|.(1 + Ni) 2Re[S.opt*] + |opt| = Ni
opt 2 Ni Re [ S . opt *] + = 1 + Ni 1 + Ni 1 + Ni
merupakan persamaan lingkaran di bidang S dan dapat ditulis menjadi :
Ni 2 + Ni 1 - opt opt t S = 1 + Ni (1 + Ni)2

Lingkaran faktor derau: titik pusat lingkaran :
untuk Ni tertentu, diperoleh lingkaran faktor derau Fi konstan. jari-jari lingkaran

2
:
2
C Fi
opt p = 1 + Ni
1 R = Ni + Ni 1 - opt Ni + 1 55
Fi
Contoh Soal : Suatu transistor dengan g p parameter S sebagai g berikut :
S11 = 0,552 169o S12 = 0,049 23o S21 = 1,681 1 681 26o S22 = 0,839 - 67 o
FMIN = 2,5dB opt = 0,475 166o Rn = 3.5 3 5
Tentukan lingkaran faktor derau Fi = 2,8dB konstan Solusi :
Ni =
Fi - FMIN 2 .1 + opt 4 rn Rn 3,5 rn = = = 0,07 , Z 50

O
Fi = 2,8dB = 1,905 FMIN = 2,5 dB = 1,778 Ni = 0,1378 0 1378
Z=0
166 o
Z=
CFi =
opt = 0,417 166 o 1 + Ni
RFi = 0,312 0 312

56

Penguat Frekuensi Tinggi

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Penguat Frekuensi Tinggi

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

Modul 4

PT 21 2123 23 Elektronika Komunikasi

PENGUAT FREKUENSI TINGGI dengan parameter S

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

MODEL SISTEM (LINIER)

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Penguat frekuensi tinggi SATU TAHAP dapat dimodelkan sebagai berikut :

i1 Y11 Y12 V1 . Parameter Y = i2 Y21 Y22 V2

V1 h11 h12 i1 . Parameter H = i2 h21 h22 V2

Maka digunakan Parameter S (Scattering Parameter):

Signal flow graph

Vi ai = = gelombang l b d t datang Zoi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Hubungan parameter s dan parameter y

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Hubungan parameter s dan parameter z

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Hubungan parameter s dan parameter h

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Denormalisasi parameter h, y dan z

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

hie hre hfe f hoe

1 - hrc (1 hfc f ) hoc

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

FAKTOR PENGUATAN PENGUAT RF

Faktor Penguatan : 1. Transducer Power Gain (GT)

2. Operating Power Gain (GP)

PL Daya yang diberikan ke beban GP = = P IN Daya yang diberikan ke transisto r

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

S .a b1 = S11.S.b1 + S12.a2 b = 1 S . PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

S12.S21.S a2 + S22.a2 1 - S11.S

PIN = |a1|2 - |b1|2 = |a1|2.( ( 1 - |IN|2 )

RANGKAIAN MASUKAN : V1 = ES + I1.ZS V 1Bila : a 1 = ZO

atau PIN = PAVS . MS

S IN PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Daya yang diberikan ke BEBAN :

Daya tersedia dari Kutub-4: PAVN = PL, bila L = OUT*

OUT PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

OPERATING POWER GAIN (GP)

TRANSDUCER POWER GAIN PL P L P IN P IN GT = = . = GP . = G P.M S = P AVS P IN P AVS P AVS

AVAILABLE POWER GAIN

P AVN P L P AVN G T GA = = . = P AVS P AVS P L ML

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Jika digunakan hambatan sumber ZS=20 dan Hambatan

Solusi: S=-0.429, L=-0.250

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Pada satu frekuensi tertentu bisa terjadi :

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Persamaan diatas merupakan persamaan lingkaran beban

(tempat kedudukan L untukIN=1):

jari - jari titik pusat lingkaran

Lingkaran Kemantapan Beban

Bagaimana menentukan daerah L yang MANTAP ?

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

Figure 11-5 (p. 544) rd

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi

PT2123 - Elektronika Komunikasi - Penguat Frekuensi Tinggi