Bias Dalam Transistor BJT
Bias Dalam Transistor BJT
IC (mA)
Derah saturasi
IC max
70 A
40
60 A
35
50 A
30
VCE (V)
40 A
25
PC max
20
30 A
15
20 A
10
5
Fixed Bias
10 A
IB = 0 A
A
10
20
30
VCE (V)
VCE-max
VCE-SAT
Derah cut-off
Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh
bias yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
3. daerah cut-off
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Fixed Bias
Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.
VCC
IC
RB
Sinyal
output AC
RC
Sinyal
input AC
C2
IB
+
C1
VBE
VCC
VCC
RB
IC
RC
IB
B
VCE
+
VBE
+
RB
+
VCC
IB
+
VBE
Soal :
VCC = +12 V
IC
RC
2,2K
RB
240K
Sinyal
input AC
C2
10F
IB
Sinyal
output AC
VCE
C1
10F
= 50
VCC
IC
RB
Sinyal
input AC
Sinyal
output AC
RC
C2
IB
C1
+
VBE
_
RE
Loop Base-Emitter
VCC IBRB VBE IERE = 0
IB =
VCC V BE
R B + ( + 1)RE
Soal :
= 50
VCC
IC
430K
Sinyal
input AC
Sinyal
output AC
2K
C2
IB
C1
+
VBE
_
1K
IC
R1
Sinyal
input AC
Sinyal
output AC
RC
C2
IB
+
C1
VBE
R2
RE
RC
IC
Vo
RB
IC
C2
IB
Vi
C1
+
VBE
IE
RE
VCC V BE
R B + ( RC + RE )
Loop collector-emitter
IC
RC
IC
+
C2
VCC
_
IE
RE
Soal-soal :
VCC = 20 V
RC
680 K
4,7 K
Vo
RB
C2
IB
Vi
C1
= 120
+
_
Solusi :
IB =
IB =
ICQ
VCC V BE
R B + RC
19,3V
= 15,51A
1,244M
= IB = 120 x 15,51A
= 1,86 mA
VB =VBE = 0,7 V
VC = VCE = 11,26 V
VBC = VB - VC
= 0,7 V 11,26 V
= - 10,56 V
Soal :
RC
1,2 K
Vo
IB
C2
100 K
= 45
C1
RB
VEE = -9 V
IB
_
RB 100 K
+
VBE _
+
_ VEE = -9 V
V EE V BE
(9) 0,7
=
RB
100K
IB = 83 A
IC = IB = 45 x 83 A = 3,735 mA
VC
= - ICRC
= - 3,735 mA x 1,3 K = -4,48 V
VB
= - IBRB = - 83 A x 100 K
= -8,3 V
Soal :
Tentukan VCB dan IB untuk konfigurasi common base berikut :
= 60
Vi
1,2 K
RE
Vo
RC
VEE =4 V
VEE V BE
RE
4V
I =
0,7V
E
1,2K
IE = 2,75 mA
2,4 K
VCC =10 V
Disain.
Proses disain adalah proses sintesis dimana diberikan nilai tegangan
atau arus, dan berdasar itu dihitung elemen yang diperlukan untuk
bisa memenuhi syarat yang diberikan.
VCC
Contoh :
IC (mA)
8
IC
Q
IB = 40A
20
RC
RB
VCE (V)
IBQ
+
VBE
Solusi :
Dari garis beban diperoleh :
VCC = 20 V
IC =
VCC
VCE = 0 V
RC
Dan
RC = VCC / IC = 20 V / 8 mA
RC = 2,5 K
IB =
VCC V BE
RB
RB =
VCC
IV
BE B
R B = 20 0,7
40A
= 482,5 K
Dengan nilai standar :
RC = 2,4 K
RB = 470 K
Diperoleh :
IB = 41,1 A
Soal :
1. Diberikan ICQ = 4 mA dan VCEQ = 10 V, tentukan nilai R1 dan RC
untuk rangkaian di bawah.
18 V
IC
R1
RC
C2
IB
Vi
Vo
C1
_
R2
18 K
RE 1,2 K
VCC = 20 V
RC
680 K
RB
C2
IB
+
C1
3.
RC
1K
Vo
IB
C2
150 K
= 45
C1
RB
VEE