1

LAPORAN SEMENTARA
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.

TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

B.

DASAR TEORI

Gambar 1. Penguat basis ditanahkan jenis pnp dan npn.

Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis I B
dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi
oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis.
Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan
elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan
mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah
arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding
dengan arus emitor, yaitu IC = IE. Parameter disebut penguat arus untuk basis
ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah.
Parameter mempunyai nilai hampir sama dengan satu, yaitu :
= 0,990 - 0,998

1. Ciri Masukan Common Basis

Lengkung ciri masukan

transistor dengan hubungan basis

ditanahkan sama dengan lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar
maju oleh karena sambungan emitor-basis diberi panjar maju, gambar
berikut:

Gambar 2. Lengkung ciri statik masukan transistor basis ditanahka.

Pada ciri statik masukan transistor perlu diperhatikan hal berikut :

a. Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik dioda dalam
keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh karena sambungan
emitor basis merupakan suatu dioda dengan panjar maju.
b. Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai nilai VCB. Hal ini
berarti tegangan keluaran (VCB) tak banyak berpengaruh pada masukan.
Suatu penguat memang seharusnya demikian. Apa yang terjadi pada
keluaran tak terasa pada masukan.
Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakan untuk
memperkuat isyarat. Suatu perubahan kecil pada VCB oleh suatu isyarat
masukan yang kecil akan menyebabkan perubahan arus emitor i E yang
besar. Perubahan ini diteruskan menjadi arus isyarat i C, yang diubah
menjadi isyarat tegangan oleh RC, yaitu vo = iCRC, yang lebih besar daripada
tegangan isyarat masukan.

2. Ciri Keluaran Common Basis

Ciri keluaran statik menyatakan bagaimana arus kolektor iC berubah
dengan VCB untuk berbagai nilai arus statik dari emitor I E. Lengkung ciri
statik transistor dengan hubungan basis ditanahkan ditunjukkan pada
gambar di bawah ini untuk transistor jenis npn.

Gambar 3. Lengkung ciri statik keluaran transistor basis ditanahka.

Pada ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan perlu

diperhatikan hal berikut :
a. iC iE, karena iC = iEA dan 1. Hal ini juga berarti arus keluaran iC
berbanding lurus dengan arus masukan iE. Dikatakan transistor
dwikutub adalah suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.
b. Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat kecil (sangat
horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor yang merupakan
kebalikan kemiringan ic(vCB) mempunyai nilai amat besar yaitu sama
dengan hambatan isyarat kecil dioda yang ada dalam keadaan tegangan
mundur, yaitu dioda sambungan kolektor basis.
C.

ALAT-ALAT
1. Circuit Trainer (PH-62)

4. Power Supply (PH-47)

2. Voltmeter DC (PH-103)

5. Regulator DC Power Supply (PH-107)

3. Ampermeter DC (PH-104)

D.

BAGAN/RANGKAIAN SET-UP ALAT

1. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

+mA +

V
-

V
+

Gambar 4. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor

Basis Ditanahkan

2. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

mA

mA

+
V
Gambar 5. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor
Basis Ditanahkan

E.

PENYAJIAN DATA
1. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 Volt
VCB2 = 2 Volt
No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.

1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9

VBE (Volt)
2
3
0
0
0.1
0.1
0.2
0.2
0.3
0.3
0.4
0.4
0.5
0.5
0.6
0.6
0.7
0.7
0.8
0.8
0.9
0.9

VCB3 = 4 Volt
4
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9

2. Karakteristik Statis Keluaran

IE1 = 1 mA
IE2 = 2 mA
No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

1
-0.6
0
1
2
3
4
5
6

VCB (Volt)
2
3
-0.6
-0.6
0
0
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6

1
0
0
0
0
0
0
0
1
6
11.5

IE3 = 3 mA
4
-0.6
0
1
2
3
4
5
6

1
1
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5

VCB4 = 6 Volt

IE (mA)
2
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1.5
2
6.5
7.5
13.5
14

4
0
0
0
0
0
0
0
4.5
10
15

IE4 = 4 mA
IC (mA)
2
3
1
1
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3

4
1
4
4
4
4
4
4
4

F.

ANALISA DATA
1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana
kuat arus emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan basis-emitor (VEB)
sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan kolektor-basis (VCB)
dalam satu sumbu.
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN
16
14

Kuat Arus Emitor I E (mA)

12
10
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt

VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt

6
4
2
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

Tegangan Emitor-Basis VEB (Volt)

Gambar 6

0.8

0.9

2. Membuat grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan, dimana

kuat arus kolektor (IC) sebagai sumbu Y dan tegangan kolektor-basis (VCB)
sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga arus emitor (IE) dalam satu
sumbu.
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN

Kuat Arus Kolektor IC (mA)

3
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA

IE4=4 mA

0
-0.6

0.4

1.4

2.4

3.4

4.4

Tegangan Kolektor-Basis VCB (Volt)

Gambar 7

5.4

6.4

3.

Membandingkan grafik no.1 dengan kurva grafik dioda dicatu maju, dan
menafsirkan sudut kemiringan bila tegangan kolektor-basis (VCB) berubah,
dalam hubungannya dengan hambatan masukan penguat transistor basis
ditanahkan.
GRAFI K KARAKT E RI ST I K MASUKAN T RANSI ST OR BASI S
DI T ANAHKAN

16

14

12

10

V C B1=0 V ol t
V C B2=2 V ol t

V C B3=4 V ol t
V C B4=6 V ol t

0
0

0.1

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0. 7 0.8

T e ga n ga n E mi t o r - B a s i s V

BE

0.9

(V ol t)

Gambar 8. (a). Lengkung Ciri Dioda.

(b). Karakteristik Masukan Transistor Common Basis

Kita dari kedua grafik di atas untuk karakteristik basis ditanahkan

mempunyai bentuk kurva yang sama dengan dioda dicatu maju. Penafsiran
sudut kemiringan karakteristik masukan Transistor Common Basis bila VCB
berubah sudut kemiringannya semakin besar. Dalam hubungannya dengan
hambatan masukan, Common Base hambatan masukan adalah (1 ) kali
lebih besar daripada common emitor, karena I B
1

IE
dengan kemiringan
1

lengkung adalah 1 kali lebih besar, yang berarti hambatan masukan

(1 ) kali lebih besar daripada common emitor.

4. Dari grafik no. 2, menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh
transistor basis ditanahkan.
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN

JENUH

AKTIF

3
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA

IE4=4 mA

MATI
0
-0.6

0.4

1.4

2.4

3.4

4.4

5.4

6.4

Tegangan Kol ektor- Basis V C B ( Vol t)

Gambar 9. Karakteristik Keluaran TR common basis

5. Dari grafik no.2 menafsirkan sudut kemiringan untuk arus emitor (IE)
berbeda, dalam hubungannya dengan hambatan keluaran penguat transistor
basis ditanahkan.
Penafsiran sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda adalah
mempunyai sudut kemiringan yang sangat kecil (horizontal), hal ini sesuai
dengan teori yang telah dibahas di dasar teori. Dalam hubungannya
penafsiran sudut kemiringan dan hambatan keluaran, ini berarti hambatan
keluaran

transistor

yang

merupakan

kebalikan

kemiringan

ic(vCB)

mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil
dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan
kolektor basis.

10

G.

PEMBAHASAN DAN DISKUSI

1. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common
basis, kita lihat kenaikan/mulai ada arus basis IE saat tegangan basis-emitor
VBE = 0,7Volt. Dapat kita ketahui bahan penyusun jenis semikonduktor yang
digunakan, nilai tersebut mendekati rentang tegangan basis-emitor V BE
untuk bahan silikon antara 0,5 sampai 0,7 Volt. Sedangkan bila dibanding
bahan germanium, VBE = 0,7 Volt hasil praktikum berada jauh di atas bahan
germanium yaitu 0,1 sampai 0,2 Volt. Sehingga dapat diketahui bahan
semikonduktor transistor yang digunakan dipraktikum ini adalah silikon
yang mempunyai keadaan aktif VBE = 0,7 Volt.

2. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common
basis, dapat kita peroleh besarnya hib (impedansi masukan dengan keluaran
terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan
terbuka ii=0).
hrb

V EB
VCB

I E (q )

yaitu perubahan VEB jika VCB berubah sebesar VCB pada

nilai arus IE(q). dan

1
adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan
hib

pada nilai VCB(q) dan IE(q).

11

GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN

16
14
VCB1=0 Volt

Kuat Arus Em itor IE (m A)

12

VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt

10
8

VEB untuk VCB 6V

IE(q)=IC(q)=(Vcc-Vcb)/Rc
6
4
2

VEB(q)

0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tegangan Em itor-Basis V EB (Volt)

Gambar 10

Dari gambar di atas V EB =0,8-0,775=0,025V dan VCB =6V, maka:

hrb

V EB
VCB

Untuk

1
hib

IE (q)

0,025
0,0042
6

adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan pada nilai

VCB(q) dan IE(q), kalau kita lihat dari grafik ciri statik masukan pada nilai
VCB(q) dan IE(q) adalah ciri masukan pada VCB=4 Volt. Kira kira mempunyai
kemiringan:
tg

I E
14 2
12mA

60
V EB 0,9 0,7 0,2V

arctg 66,67 89

12

1
89
hib

hib

1
0,011
89

3. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik keluaran transistor common
basis, dapat kita peroleh besarnya hfb (nisbah arus maju dengan keluaran
terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan
terbuka ii=0).

h fb

I C
I E

VCB 0

I C
I E4 I E 2

VCB ( q )

yaitu beda arus kolektor dibagi dengan

arus emitor pada titik q. Parameter hob

I C
VCB

I E 0

adalah kemiringan

IC(VCB) pada titik q yaitu kemiringan lengkung ciri statik pada titik q pada
IE(q) dan VCB(q).
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN
6

I C (q )
Kuat Arus Kolektor IC (m A)

VCC VCB ( q)
RC

I C

IE1=1mA

IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA

VCB

0
-1

Tegangan Kolektor-Basis V CB (Volt)

Gambar 11

V CC

13

h fb

I C
I E

hob

I C
VCB

VCB 0

I E 0

I C
I E4 I E2

VCB ( q )

42
1
42

42
1
24

4. Pada hasil perbandingan grafik karakteristik dioda dicatu maju dengan

karakteristik masukan transistor common basis, mempunyai bentuk yang
sama. Kenapa hal ini bias terjadi? Kita lihat struktur sambungan
semikonduktor dari transistor yang digunakan dalam praktikum adalah jenis
NPN, kaki kolektor jenis N, kaki basis jenis P dan kaki emitor jenis N yang
dapat memberikan karakteristik sama dengan dioda yang dicatu maju. Hal
ini disebabkan karena pada arus basis IB dibuat kecil dengan membuat
lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi oleh karena rekombinasi
antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis. Rekombinasi ini akan
menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan elektron, sehingga
bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan mengalir ke basis
untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah arus basis itu.

14

H.

KESIMPULAN
1. Karakteristik masukan transistor basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva
yang sama dengan karakteristik dioda dicatu maju, dengan kemiringan
1
(1 )

kali lebih besar dari common emitor, dengan nilai VCB yang

berbeda-beda sudut kemiringannya semakin besar.

2. Dari grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan dengan VCB
yang berbeda-beda dapat diperoleh nilai hib (impedansi masukan dengan
keluaran terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan
masukan terbuka ii=0).
3. Dari grafik karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan dengan IE yang
berbeda-beda dapat diperoleh nilai hfb (nisbah arus maju dengan keluaran
terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan
terbuka ii=0). Dengan sudut kemiringan yang sangat kecil (sangat
horizontal), dengan IC berbanding lurus dengan IE, dikatakan transistor
dwikutub suatu piranti yang dikendalikan oleh arus.
4. Dari grafik karakteristik keluaran transistor emitor ditanahkan kita dapat
menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh transistor
ditanahkan dengan tujuan mengetahui daerah bekerjanya komponen
transistor basis ditanahkan.
5. Untuk perancangan pada penguat basis ditanahkan isyarat tegangan keluaran
berlawanan fase dengan isyarat tegangan masukan yang dirumuskan
VCB VCC I C RL .

6. Karakteristik transistor basis ditanahkan jika kita bandingkan dengan

transistor emitor ditanahkan. Common basis mempunyai hambatan masukan
(1 ) kali lebih kecil, dan hambatan keluaran

1
kali lebih besar.
(1 )

15

I.

PENGALAMAN BARU
1. Dari pelaksanaan praktikum karakteristik masukan dan keluaran transistor
basisi ditanahkan, kami dapat lebih memahami sifat-sifat dari komponen
transistor, khususnya basis ditanahkan.
2. Dalam merangkai rangkaian transistor basis ditanahkan harus benar-benar
teliti dan diperhatikan jalur-jalur rangkaian.

J.

DAFTAR PUSTAKA
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya 1. Bandung : Penerbit
ITB.

16

LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA DASAR II

JUDUL PRAKTIKUM
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
PRAKTIKUM KE-1

KELOMPOK V
NAMA PRAKTIKAN

: 1. HAIDAR UBAIDILLAH

NIM 303322466384

2. IRMA APRILDA SINAGA NIM 303322466387

TANGGAL LAPORAN : KAMIS, 10 MARET 2005

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MALANG
2005

17

LAPORAN
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.

TUJUAN PRAKTIKUM
3. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
4. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.

B.

ALAT YANG DIGUNAKAN

6. Circuit Trainer (PH-62)

9. Power Supply (PH-47)

7. Voltmeter DC (PH-103)

10. Regulator DC Power Supply (PH-107)

8. Ampermeter DC (PH-104)
C.

RANGKAIAN SET-UP
3. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan

+mA +

V
+

V
-

Gambar 1. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor

Basis Ditanahkan

18

4. Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor Basis Ditanahkan

mA

mA

+
V
Gambar 2. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor
Basis Ditanahkan

D.

DATA PENGAMATAN
5. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 Volt
VCB2 = . Volt
No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.

VBE (Volt)
2
3

VCB3 = . Volt
4

VCB4 = . Volt

IE (mA)
2
3

19

6. Karakteristik Statis Keluaran

IE1 = 1 mA
IE2 = . mA
No.

VCB (Volt)
2
3

IE3 = . mA
4

IE4 = . mA
IC (mA)
2
3

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.

E.

KELOMPOK
Kelompok V

1. HAIDAR UBAIDILLAH

NIM : 303322466384

2. IRMA APRILDA SINAGA

NIM : 303322466387

Malang, 10 Maret 2005

Mengetahui
Dosen Pembimbing

AHMAD TAUFIQ

20