Common Collector
Common Collector
LAPORAN SEMENTARA
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.
TUJUAN
1. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
2. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.
B.
DASAR TEORI
Dalam praktikum ini yang dipergunakan adalah jenis npn. Arus basis I B
dibuat kecil dengan membuat lapisan basis yang kecil. Arus basis ini terjadi
oleh karena rekombinasi antara lubang dan elektron bebas yang ada di basis.
Rekombinasi ini akan menyebabkan banyak atom donor yang kehilangan
elektron, sehingga bermuatan positif. Akibatnya elektron dari tanah akan
mengalir ke basis untuk membuatnya netral. Aliran elektron ini tak lain adalah
arus basis itu.
Tampak bahwa arus kolektor : IC = IE - IB. Arus basis ini sebanding
dengan arus emitor, yaitu IC = IE. Parameter disebut penguat arus untuk basis
ditanahkan, oleh karena pada rangkaian di atas basis dihubungkan dengan tanah.
Parameter mempunyai nilai hampir sama dengan satu, yaitu :
= 0,990 - 0,998
ditanahkan sama dengan lengkungan ciri Statik dioda dalam keadaan panjar
maju oleh karena sambungan emitor-basis diberi panjar maju, gambar
berikut:
ALAT-ALAT
1. Circuit Trainer (PH-62)
2. Voltmeter DC (PH-103)
3. Ampermeter DC (PH-104)
D.
+mA +
V
-
V
+
mA
mA
+
V
Gambar 5. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor
Basis Ditanahkan
E.
PENYAJIAN DATA
1. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 Volt
VCB2 = 2 Volt
No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VBE (Volt)
2
3
0
0
0.1
0.1
0.2
0.2
0.3
0.3
0.4
0.4
0.5
0.5
0.6
0.6
0.7
0.7
0.8
0.8
0.9
0.9
VCB3 = 4 Volt
4
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
-0.6
0
1
2
3
4
5
6
VCB (Volt)
2
3
-0.6
-0.6
0
0
1
1
2
2
3
3
4
4
5
5
6
6
1
0
0
0
0
0
0
0
1
6
11.5
IE3 = 3 mA
4
-0.6
0
1
2
3
4
5
6
1
1
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
VCB4 = 6 Volt
IE (mA)
2
3
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1.5
2
6.5
7.5
13.5
14
4
0
0
0
0
0
0
0
4.5
10
15
IE4 = 4 mA
IC (mA)
2
3
1
1
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3
2
3
4
1
4
4
4
4
4
4
4
F.
ANALISA DATA
1. Membuat grafik karakteristik masukan transistor basis ditanahkan, dimana
kuat arus emitor (IE) sebagai sumbu Y dan tegangan basis-emitor (VEB)
sebagai sumbu X, untuk masing-masing harga tegangan kolektor-basis (VCB)
dalam satu sumbu.
GRAFIK KARAKTERISTIK MASUKAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN
16
14
12
10
VCB1=0 Volt
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
6
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Gambar 6
0.8
0.9
3
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
0
-0.6
0.4
1.4
2.4
3.4
4.4
Gambar 7
5.4
6.4
3.
Membandingkan grafik no.1 dengan kurva grafik dioda dicatu maju, dan
menafsirkan sudut kemiringan bila tegangan kolektor-basis (VCB) berubah,
dalam hubungannya dengan hambatan masukan penguat transistor basis
ditanahkan.
GRAFI K KARAKT E RI ST I K MASUKAN T RANSI ST OR BASI S
DI T ANAHKAN
16
14
12
10
V C B1=0 V ol t
V C B2=2 V ol t
V C B3=4 V ol t
V C B4=6 V ol t
0
0
0.1
T e ga n ga n E mi t o r - B a s i s V
BE
0.9
(V ol t)
IE
dengan kemiringan
1
4. Dari grafik no. 2, menentukan daerah mati, daerah aktif dan daerah jenuh
transistor basis ditanahkan.
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN
JENUH
AKTIF
3
IE1=1 mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
MATI
0
-0.6
0.4
1.4
2.4
3.4
4.4
5.4
6.4
5. Dari grafik no.2 menafsirkan sudut kemiringan untuk arus emitor (IE)
berbeda, dalam hubungannya dengan hambatan keluaran penguat transistor
basis ditanahkan.
Penafsiran sudut kemiringan untuk arus emitor (IE) berbeda adalah
mempunyai sudut kemiringan yang sangat kecil (horizontal), hal ini sesuai
dengan teori yang telah dibahas di dasar teori. Dalam hubungannya
penafsiran sudut kemiringan dan hambatan keluaran, ini berarti hambatan
keluaran
transistor
yang
merupakan
kebalikan
kemiringan
ic(vCB)
mempunyai nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil
dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda sambungan
kolektor basis.
10
G.
2. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik masukan transistor common
basis, dapat kita peroleh besarnya hib (impedansi masukan dengan keluaran
terhubung singkat vo=0) dan hrb (nisbah tegangan balik dengan masukan
terbuka ii=0).
hrb
V EB
VCB
I E (q )
1
adalah kemiringan lengkung ciri statik masukan
hib
11
12
VCB2=2 Volt
VCB3=4 Volt
VCB4=6 Volt
10
8
IE(q)=IC(q)=(Vcc-Vcb)/Rc
6
4
2
VEB(q)
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Gambar 10
V EB
VCB
Untuk
1
hib
IE (q)
0,025
0,0042
6
VCB(q) dan IE(q), kalau kita lihat dari grafik ciri statik masukan pada nilai
VCB(q) dan IE(q) adalah ciri masukan pada VCB=4 Volt. Kira kira mempunyai
kemiringan:
tg
I E
14 2
12mA
60
V EB 0,9 0,7 0,2V
arctg 66,67 89
12
1
89
hib
hib
1
0,011
89
3. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik keluaran transistor common
basis, dapat kita peroleh besarnya hfb (nisbah arus maju dengan keluaran
terhubung singkat vo=0) dan hob (admitansi keluaran dengan masukan
terbuka ii=0).
h fb
I C
I E
VCB 0
I C
I E4 I E 2
VCB ( q )
I C
VCB
I E 0
adalah kemiringan
IC(VCB) pada titik q yaitu kemiringan lengkung ciri statik pada titik q pada
IE(q) dan VCB(q).
GRAFIK KARAKTERISTIK KELUARAN TRANSISTOR BASIS
DITANAHKAN
6
I C (q )
Kuat Arus Kolektor IC (m A)
VCC VCB ( q)
RC
I C
IE1=1mA
IE2=2 mA
IE3=3 mA
IE4=4 mA
VCB
0
-1
Gambar 11
V CC
13
h fb
I C
I E
hob
I C
VCB
VCB 0
I E 0
I C
I E4 I E2
VCB ( q )
42
1
42
42
1
24
14
H.
KESIMPULAN
1. Karakteristik masukan transistor basis ditanahkan mempunyai bentuk kurva
yang sama dengan karakteristik dioda dicatu maju, dengan kemiringan
1
(1 )
kali lebih besar dari common emitor, dengan nilai VCB yang
1
kali lebih besar.
(1 )
15
I.
PENGALAMAN BARU
1. Dari pelaksanaan praktikum karakteristik masukan dan keluaran transistor
basisi ditanahkan, kami dapat lebih memahami sifat-sifat dari komponen
transistor, khususnya basis ditanahkan.
2. Dalam merangkai rangkaian transistor basis ditanahkan harus benar-benar
teliti dan diperhatikan jalur-jalur rangkaian.
J.
DAFTAR PUSTAKA
Sutrisno. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya 1. Bandung : Penerbit
ITB.
16
LAPORAN PRAKTIKUM
ELEKTRONIKA DASAR II
JUDUL PRAKTIKUM
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
PRAKTIKUM KE-1
KELOMPOK V
NAMA PRAKTIKAN
: 1. HAIDAR UBAIDILLAH
NIM 303322466384
JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MALANG
2005
17
LAPORAN
PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Praktikum Ke 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR BASIS DITANAHKAN
(BASIS BERSAMA/COMMON BASE)
Pelaksanaan Praktikum : Kamis, 10 Maret 2005, Jam Ke 7-8.
A.
TUJUAN PRAKTIKUM
3. Mempelajari karakteristik masukan transistor basis ditanahkan.
4. Mempelajari karakteristik keluaran transistor basis ditanahkan.
B.
7. Voltmeter DC (PH-103)
8. Ampermeter DC (PH-104)
C.
RANGKAIAN SET-UP
3. Mempelajari Karakteristik Masukan Transistor Basis Ditanahkan
+mA +
V
+
V
-
18
mA
mA
+
V
Gambar 2. Rangkaian untuk Mempelajari Karakteristik Keluaran Transistor
Basis Ditanahkan
D.
DATA PENGAMATAN
5. Karakteristik Statis Masukan
VCB1 = 0 Volt
VCB2 = . Volt
No.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
VBE (Volt)
2
3
VCB3 = . Volt
4
VCB4 = . Volt
IE (mA)
2
3
19
VCB (Volt)
2
3
IE3 = . mA
4
IE4 = . mA
IC (mA)
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
E.
KELOMPOK
Kelompok V
1. HAIDAR UBAIDILLAH
NIM : 303322466384
NIM : 303322466387
AHMAD TAUFIQ
20