Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 147

BAB VII
ANALISA DC PADA TRANSISTOR

Transistor
BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat
dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu Basis B, kolektor C
dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor
merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh arus. Gambar skematik
dari transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini.

E C E C
n p n p n p

B B

NPN PNP

Gambar 1, Model fisis dan simbul transistor NPN dan PNP

Notasi
VBE = VB - VE
VCE = VC - VE
VCB = VC - VB
IB : arus sinyal DC (signal besar) di basis.
ib : arus sinyal AC (signal kecil) di basis.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 148

Untuk BJT Emiter jauh lebih banyak di doped (diberi pengotoran)

dibandingkan dengan Basis. Selanjutnya ketebalan antara emiter dengan
kolektor merupakan faktor yang penting Untuk ketebalan d yang
kecil dipakai terutama untuk operasi pada frekuensi tinggi (misalnya
untuk switch frekuensi tinggi).
Ada dua faktor yang menyebabkan jumlah perpindahan pembawa
muatan yang melewati basis ke kolektor lebih sedikit dibandingkan
dengan jumlah perpindahan pembawa muatan dari emiter ke basis ( IB <
I E) :
1. Terminal Basis pada transistor tipe npn, yaitu tipe-p (sedikit di
doped ) akibatnya perpindahan hole dari basis ke emiter sama
seperti pada hubungan p-n dalam bias maju (forward bias).
2. Beberapa elektron yang melewati basis akan rekombinasi
dengan hole sebelum mencapai pengaruh beda potensial antara
Basis-Collector
Kedua hal ini yang menyebabkan arus IB kecil dibadingkan dengan IC,
dan dapat dinyatakan sebagai:
IC = hFE IB

dengan hFE = = penguatan arus DC pada konfigurasi CE (common

emitter), nilainya selalu >1.
Sedangkan bila ada arus bocor, maka:
IC = hFE IB + ICEO
dengan ICEO : arus yang mengalir dari kolektor ke emiter pada saat
terminal basis open (yaitu pada saat IB = 0).
Sebaliknya arus kolektor dapat juga dinyatakan sebagai:

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 149

iC = iE + ICBO
dan dari KCL
iB = iE - iC = iE - ( iE + ICBO) = (1-) iE - ICBO
Sehingga
iE = 1/ (iC - ICBO)
Didapat
iB = iE - iC = 1/ (iC - ICBO) - iC
Akhirnya diperoleh :
1 I CBO 1 I CBO
iB = iC = ic

dengan = hFE
= hFB

Hubungan ICEO dengan ICBO

Dari ic = iB + I CEO = iB + I CEO = hFE iB + I CEO
1
Sehingga iB = iC - ICEO
Sebelumnya iB = iC - (/) ICBO

Jadi ICEO = (+1) ICBO ingat =
1

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 150

NOTASI

VAK
vAK

vak

vAK = VAK + vak

VAK besaran DC (quiescent)

vak besaran AC
vAK besaran sesaat total
Vak besaran rms dari besaran AC
Vakm besaran amplitudo dari besaran AC

Contoh : vAK = 6 + 4 sin 2000 t

VAK = 6 volt, vak = 4 sin 2000 t volt, Vakm = 4 volt,
Vak = 22 volt

Pembiasan pada transistor ditunjukkan pada gambar berikut

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 151

IC IC

IB IB
VCC VCC

VBB IE VBB IE

NPN PNP

Karakteristik Transistor
Karakteristik Input ( IB vs. VBE pada VCE konstan)
Dengan membuat VCE konstan dapat di plot IB vs. VBE seperti
ditunjukkan pada gambar berikut : (sama seperti dioda p-n)

VCE=1V V =10V
IB(mA)

CE

VCE=20V

IB
VCE

VBE
0,7 V VBE

Karena sebagian besar pembawa muatan akan melewati/menyebrangi

junction B-E ke kolektor, sehingga arus basis menjadi jauh lebih kecil
dibandingkan dengan sebuah dioda p-n dengan faktor hFE. Dengan
mengubah VCE efeknya tidak banyak berubah, yaitu dengan

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 152

penambahan VCE arus IB berkurang. Arus I B akan mengalir jika

VBE > 0,7 V , seperti ditunjukkan pada kurva karakteristik input di atas.

Karakteristik output (IC vs. VCE dengan IB konstan)

IC (mA)
I B = 60 ?A

I B = 40 mA
VCC
IB = 20 ?A
I B = 0??A

V CE Sat V CE

IE =IC + IB
vBE
hie =
iB
iC
h fe =
iB VCEsat

IC
hFE =
IB

Pada saat IB = 0, arus IC yang mengalir adalah arus bocor ICEO (pada
umumnya diabaikan), sedangkan pada saat IB 0 (misalnya 20 A
untuk VCE kecil ( < < 0,2 volt), pembawa muatan di basis tidak efisien
I
dan transistor dikatakan dalam keadaan Saturasi dengan IB > h C . Pada
FE

saat VCE diperbesar IC pun membesar hingga melewati level tegangan

VCE saturasi (0,2 ~ 1 volt) hingga transistor bekerja dalam daerah aktif,
I
dengan IB = h C . Pada saat ini IC relatif konstan terhadap variasi
FE

tegangan VCE.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 153

Ada beberapa hal yang perlu diperhatikan :

1. Pada daerah aktif IC hampir independen terhadap VCE. IC hanya
bergantung pada IB Penguatan arus.
2. Penambahan IC relatif kecil terhadap VCE. Dengan penambahan
VCE akan memperlebar lapisan B-C dan hal ini akan
mengurangi lebar efektif dari basis dan selanjutnya akan
menamba efisiensi dari penarikan (perpindahan) elektron ke
kolektor.
3. Diatas tegangan VCE tertentu (pada gambar berupa garis putus-
putus) akan ada penambahan IC yang sangat besar karena
hubungan B-C mendapat bias mundur breakdown dan akan
menyebabkan transistor rusak.
4. Nilai VCE tidak bertambah secara signifikan dengan
penambahan IB.
Perhatikan rangkaian berikut ini, diketahui penguatan arus untuk
transistor 2N4424 adalah dc = 350.

Dengan mengambil pendekatan II (anggap VBE = 0,7 V), maka arus

yang mengalir pada basis adalah: (lihat loop basis emitter, sumber
tegangang dan RB)

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 154

VBB VBE 10V 0,7V

IB = = = 28, 2A
RB 330k

Sehingga I C = dc I B = 9,87 mA

Tegangan VCE = VCC I C RC = 10V 9,87mA 470 = 5,36 V

Daerah operasi dari transistor

1. Dareah aktif
Basis - Emiter : mendapat bias maju
Basis Kolektor : mendapat bias mundur
Pada npn arus Ib positif dan Vce > Vbe.

2. Daerah cut-off
Kedua junction mendapat bias mundur
Untuk npn arus Ib 0 (tak ada arus menuju
basis atau arus meninggalkan basis)

3. Daerah saturasi
Kedua junction mendapat bias maju
Untuk npn arus Ib positif dan Vce Vbe

TRANSISTOR SEBAGAI SAKL AR

Transistor dapat dianalogikan sebagai saklar push-botton, seperti
ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 155

VCC 5 volt VCC 5 volt

IC IC
RC 1k? RC 1k?
IB VY Gaya VY

(a) (b)

Gambar 1, Analogi transistor sebagai saklar push button.

Agar saklar push-button dapat difungsikan diperlukan gaya yang
bergantung dengan konstanta pegas yang terdapat di dalam saklar tsb,
sedangkan pada transistor diperlukan arus tertentu pada basis agar dapat
menghidupakan saklar transistor.
Dari Gambar 1a terlihat bahwa :
Vy = VCC I C RC = VCC I B RC

Jika IB = 0, maka diperoleh Vy = VCC. Sebaliknya jika IB = 0,25 mA

(untuk = 20, RC = 1 k dan VCC = 5 V), diperoleh Vy = 0 volt.
Artinya jika pada transistor diberi arus, maka tegangan di kolekor VC =
0 volt. Hal ini menunjukkan bahwa transistor bertindak sebagai saklar.
Namun jika IB = 0,1 mA, diperoleh Vy = 3 volt. Hal ini berarti bahwa
tidak sepenuhnya ON atau OFF, seperti saklar konvensional dengan
kontak yang jelek.
Dari rangkaian Gambar 1a dapat disimpulkan bahwa tegangan (Vy)min =
0 volt dan (Vy)max = 5 volt, artinya (IC)max = 5 mA.
Sebaliknya jika IC = 1 mA, maka Vy = 4 volt. Kondisi ini transistor
dalam keadaan saturasi (pada saklar ditekan dengan keras). Umumnya
dalam rangkaian logika transistor dirancang bekerja dalam daerah cut-

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 156

off dan daerah saturasi. Pada rangkaian saklar push-button tegangan Vy

= 0 volt pada saat saklar ditekan, sedangkan pada rangkaian saklar
transistor, tegangan Vy = 0,1 - 0,2 volt, tegangan ini dikenal sebagai
tegangan saturasi.
Dalam prakteknya kontrol arus IB biasanya dihasilkan dari sumber
tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini, berikut kurva V-I
input dan kurva V-I outputnya.
Garis beban
V CC 5 volt IB garis beban 2k? IC (mA) RC=1k? 1,2
IC 3 untuk Vi= 0,2 volt
1,0
RC 1k ? 0,8
2 garis beban 2k?untuk 0,6
IB VY Vi= 2,4 volt daerah aktif
Vin 0,4
5
1 0,2
2k?
0,1
0
0,2 2,4 VBE 5
1 2 3 VCE

ff
Gambar 2, Rangkaian transistor saklar dengan kurva V-I nya.
Pada saat Vin = 2,4 volt, maka arus yang mengalir pada terminal basis
adalah:
2, 4 volt V 1,7 volt
IB = = = 0,85 mA
2 k 2 k
dan
B = 20 0,85 mA=17 mA > ( I C )max ,

dengan demikian transistor dalam keadaan saturasi dan saklar dalam

keadaan ON.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 157

Sebaliknya jika Vi = 0,2 volt, tegangan ini kurang dari tegangan

threshold V , sehingga IB = 0 mA, atau saklar transistor dalam keadaan
OFF dan tegangan Vy = 5 volt.
VCC
Suatu transistor akan beroperasi dalam daerah saturasi jika I C > ,
RC
dengan RC adalah hambatan di kolektor dan VCC adalah tegangan supply.
Cara lainnya adalah dengan mengukur VCE 0,2 volt, atau VCE < VBE.
Untuk merancang agar transistor beroperasi dalam daerah saturasi
V
dilakukan dengan membuat I C > 10 CC .
RC

PEMODEL AN TRANSISTOR

Model 1: Transistor sebagai penguat arus

Sifat sifat untuk transistor tipe NPN adalah sbb: (untuk PNP ubah
polaritasnya)
1. Kolektor harus lebih positif dari emiter BE dibias maju.
2. Hubungan basis-emiter dan basis-kolektor seolah-olah seperti dioda.
3. Setiap transistor memiliki nilai maksimum IC, IB dan VCE. Nilai-nilai
ini tidak boleh dilebihi, termasuk IC VCE (disipasi daya), suhu
opersasi, VBE dll.
4. IC = hFE IB = IB.

Konfigurasi pengoperasian transistor

1. Common Base (Basis Bersama)
2. Common Emitter (Emiter Bersama)

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 158

3. Common Collector (Kolektor Bersama)

Karakteristik dari masing-masing konfigurasi diberikan berikut ini:

Konfigurasi AI AV Zin Zout AP

CB hFB ~ 0,99 ~ 50 ~ 50 ~ 250 k ~ 50
CE hFE ~ 250 ~ 50 ~ 1 k ~ 50 k ~ 2500
CC hFE ~ 250 1 ~ 100 k ~ 1 k ~ 50

Konfigurasi Basis Bersama

IC
Penguatan pada konfigurasi basis bersama adalah hFB = = dan
IE
berharga < 1, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Konfigurasi ini jarang dipakai, namun demikian ada beberapa

keuntungannya , yaitu :

IC vs. VCB sangat flat (datar)

Untuk VCB = 0 , IC sudah konduksi

Bila ada arus bocor ICBO = ICO, maka :

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 159

IC = hFB IE + ICBO
Sehingga :
IC = hFB (IC + IB) + ICBO
atau
h FB I
IC = I B + CBO
1 h FB 1 h FB

Didapat :
h FB
h FE = =
1 h FB 1

ICBO
ICEO = ICEO =
1 h FB

Jika hFB ~ 1 , maka ICEO = hFE ICBO

Konfigurasi Common Collector = Pengikut Emiter

Perhatikan gambar berikut ini.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 160

VCC

VI

VO
R

Pada saat t = t1
kaki basis mendapat tegangan negatif
kolektor- basis bias mundur
emiter-basis bias mundur
akibatnya transistor beropersai dalam daerah cut-off, Jadi perlu bias.
V in
V out

0 ,7

Cara pembiasan yang dilakukan adalah dengan menggunakan rangkaian

pembagi tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 161

VCC

R1 R1

vcc vcc

R2 vo R2

RE RE

Gambar 2, Rangkaian Emiter bersama dan ekivalennya

Rangkaian pembiasan Kolektor Bersama tsb diubah menjadi gambar di
sebelahnya, yaitu dengan seolah-olah memisahkan tegangan catu VCC
menjadi dua buah. Pencatuan pada terminal Basis diubah menjadi
rangkaian berikut :
R2
dengan VTH = VCC
R1 + R2

R1 R2
RTH =
R1 + R2

RTH IB

VCC
IE
VTH A
RE

Gambar 3, Rangkaian ekivalen Emiter bersama

IE = IB + IC

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 162

Pada daerah aktif : IC = hFE IB

IE = IB + hFE IB = ( 1+hFE ) IB
Rangkaian ekivalen dari loop A ditunjukkan pada gambar berikut
dengan menggantikan hambatan RE dengan (hFE + 1)RE. Hal ini terjadi
karena arus yang mengalir pada hambatan RE tsb adalah IE, sedangkan
pada rangkaian ekivalen arus yang mengalir adalah IB.

RTH
0,7

(hFE+1)RE
VTH

Gambar 4, Rangkaian ekivalen loop A dari Gambar 3

Dari loop tsb dengan memanfaatkan KVL, diperoleh :

R2 R R
VCC = I B 1 2 + 0,7 + I E R E
R1 + R 2 R +R
1 2
R R
R2 = IB 1 2 + 0,7 + (h + 1)R
VCC FE E
R1 + R 2 R +R
1 2
diperoleh :

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 163

R2
VCC 0,7
R1 + R 2
IB =
R 1R 2
R R + (1 + h FE )R E
1 2
IC = hFE IB
IE = (1 + hFE)IB
VBE =0,7 volt
VCE = VC - VE = VCC - IE RE
Untuk pembiasan optimal cari nilai-nilai R1, R2, RE agar VCE 1/2 VCC

Konfigurasi Emiter Bersama untuk penguat tegangan

IC
RL

IB
VCC
VBB

vs
AC

vCE = VCC - iC RL
v
A v = CE
v BE
vBE = vs

Rangkaian ekivalen (BJT yang disederhanakan) adalah :

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 164

IB IC

hie

AC

AC
Vs
Ib =
h ie
Vs
Vo =Vce =Ic R L =h fe I b R L = h fe RL
h ie
Vo h R
Jadi A v = = fe L
Vs h ie

hfe sebenarnya bervariasi terhadap vCE, namun variasinya tidak terlalu

besar, sebagai pendekatan bisa dianggap konstan.

Garis beban
Dari persamaan vCE = VCC - iC RL menunjukkan bahwa persamaan ini
adalah persamaan garis lurus antara vCE vs. IC. Untuk membuat garis
beban dilakukan dengan :
membuat iC = 0, maka vCE = VCC
VCC
vCE = 0, maka iC =
RL

Misalkan data transistor seperti kurva di samping

titik A untuk vCE = 12 volt = VCC
B untuk vCE = 0 volt iC = 3,6 mA (dari gambar)
maka RL 33 k.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 165

Ambil Q (titik kerja) kira-kira di tengah garis beban

iB = 20 A
iC = 1,7 mA
vCE = 6,5 V
Titik C : iB = 30 A, iC = 2,4 mA dan vCE = 4 V.
D : iB = 10 A, iC = 0,9 mA dan vCE = 9 V.
Dari kurva karkteristik input
IBQ = 20 A, VBEQ = 0,73 V
iB = 30 A dan vBE = 0,74 V
iB = 10 A dan vBE = 0,72 V
vCE 94 5
Maka A v = = = = 250
v BE 0,72 0,74 0,02

0 6 12

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 166

Konfigurasi Emiter Bersama

Konfigurasi emiter bersama di atas ada kekurangannya karena
diperlukan dua sumber tegangan DC yag berbeda, yaitu VBB dan VCC.
Konfigurasi berikut ini ada keunggulannya dalam hal hanya
memerlukan satu sumber tegangan DC, seperti ditunjukkan pada gambar
berikut.

R1 Rc

R2 Re

Gambar 5, Konfigurasi Emiter bersama yang diperbaiki

Untuk analisa DC (pembiasan transistor), dari rangkaian tsb tegangan
catu VCC seolah-olah ada dua buah VCC seperti gambar berikut dan
selanjutnya diubah dengan menerapkan teorema Thevenin seperti yang
juga ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 167

R1 Rc Rc

RTH IB
VCC VCC VCC

IE
R2
VCC
R1 + R 2
R2 Re RE

Gambar 6, Rangkaian ekivalen emiter bersama

Dari I E = I B + I C , maka IE = (1+hFE) IB
Di terminal basis, dapat diganti dengan rangkaian pengganti Thevenin,
R2 RR
dengan VTH = VCC dan RTH = 1 2 .
R1 + R2 R1 + R2

Sehingga persamaan pada loop input adalah:

R2 RR
VCC 1 2 I B 0,7 RE (1 + hFE ) I B = 0
R1 + R2 R1 + R2

Diperoleh:
R2
R1 + R2 VCC 0,7
IB = R1R2
R1 + R2 + (1 + hFE ) RE

IC = hFE IB
IE = (1+hFE) IB

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 168

hFE
Sehingga diperoleh: I C = I E artinya untuk hFE besar, misalnya
hFE + 1
hFE
untuk hFE = 100, 0,99 artinya I E I C .
hFE + 1

VE = IE RE
VB = 0,7 + VE
VBE = 0,7 volt = VB - VE
VCE = VC - VE
VC = VCC - IC RC
VCE = VC - VE
Contoh:
Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter bersama berikut ini dan
tentukan DC operating point-nya, jika hFE = 200.

Rangkaian tsb diubah menjadi rangkaian berikut

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 169

2.2k
Diperoleh Vth = 10V = 1.8V Vth = VB ,
2.2k + 10k
2.2 k 10 k
dan Rth = = 1.8k
2.2 k + 10 k

Vth 0.7
Sehingga arus basis adalah I B = = 5.4 A
Rth + (1 + hFE ) RE

dan I C = hFE I B = 1.08mA

I E I C 1.08mA

VE = I E RE = 1.08V

VC = VCC I C RC = 10 V - 1.08 mA 3.6 k = 6.11 V

atau VCE = VC VE = 5.03V

Dengan menggunakan simulasi berikut ini

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 170

Diperoleh:

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 171

Latihan
1. Hitung IB, IC, IE, VB, VE, VC dan VCE dari rangkaian berikut, diketahui hFE = 50 untuk
a. R1 = 300 k
b. R1 = 200 k
15 volt

4,7 k?
R1
vout

Catatan
IC = hFE IB hanya berlaku untuk transistor dalam daerah aktif (tidak jenuh/saturasi)

2. Hitung IB, IC, IE, VB, VC, VE dan VCE untuk rangkaian di bawah ini bila dianggap transistor
memiliki hFE = 100.
1 5 v o lt

2 ,2 k ?
100 k?

v out
18 k?
470 ?

3. Untuk rangkaian emiter follower berikut ini entukan Ic dan VCE, diketahui hFE = 200.
V CC =15 V

47 k?

v out
56 k?
4 ,7 k ?

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I

Bab IV, Analisa DC pada Transistor Hal: 172

4. Untuk rangkaian emiter bersama berikut ini, tentukan IC dan VCE jika hFE = 100.
VCC= 10V

4,7 k?
56 k?
vout
vin

470 ?
10 k?
560??

Sastra Kusuma Wijaya FISIKA FMIPA UI Diktat Elektronika I